第8章壓阻式傳感器課件_第1頁
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對應(yīng)應(yīng)變片=8.2晶向的表示方法結(jié)晶體是具有多面體形態(tài)的固體，由分子、原子或離子有規(guī)則排列而成。這種多面體的表面由稱為晶面的多個平面圍合而成，晶面與鏡面相交的直線稱為晶棱，晶棱的交點稱為晶體的頂點。硅為立方晶體結(jié)構(gòu)。為了說明晶格點陣的配置和確定晶面的位置，通常引進一組對稱軸，稱為晶軸，用X、Y、Z表示。zxy對于同一單晶，不同晶面上原子的分布不同。各鏡面上的原子密度不同，所表現(xiàn)出的性質(zhì)也不相同。單晶硅是各向異性材料，取向不同，則壓阻效應(yīng)不同。硅壓阻傳感器的芯片，就是選擇壓阻效應(yīng)最大的晶向來布置電阻條。同時利用硅晶體各向異性、腐蝕速率不同的特性，采用腐蝕工藝來制造硅杯形的壓阻芯片。xyz擴散深度為數(shù)微米根據(jù)晶體力學(xué)分析，在晶軸坐標內(nèi)，單晶硅的壓阻系數(shù)有36個獨立分量，但結(jié)合使用條件，有效的獨立分量只有3個：、和?？v向、橫向、剪切壓阻系數(shù)是相對立方晶體3個坐標而得。8.4影響壓阻系數(shù)的因素

影響壓阻系數(shù)大小的主要因素是擴散雜質(zhì)的表面濃度和環(huán)境溫度。壓阻系數(shù)與擴散雜質(zhì)表面濃度Ns的關(guān)系如圖所示。壓阻系數(shù)隨擴散雜質(zhì)濃度的增加而減小；表面雜質(zhì)濃度相同時，P型硅的壓阻系數(shù)值比N型硅的（絕對）值高，因此選P型硅有利于提高敏感元件的靈敏度。P型硅N型硅001110001110r此圖為靈敏度曲線本章要求掌握的內(nèi)容擴散硅壓阻式傳感器的基本原理擴散硅壓阻式傳感器的靈敏度系數(shù)是金屬絲應(yīng)變片傳

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