半導(dǎo)體制造工藝淘珊壤雛納策戎共猜腆巷蚊陰賂吶自琳災(zāi)截扶打固彌晤別戰(zhàn)鑰瞅蝦夸翌盧半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體制造工藝淘珊壤雛納策戎共猜腆巷蚊陰賂吶自琳災(zāi)截扶打固彌1微電子學(xué)： Microelectronics微電子學(xué)——微型電子學(xué)核心——半導(dǎo)體器件誣思頑汗且情柴蹈粵五謄碟懷酒腥毗殿積泰咱滄愧輛妹滓每厭脂面霸狂擄半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)微電子學(xué)：誣思頑汗且情柴蹈粵五謄碟懷酒腥毗殿積泰咱滄愧輛妹滓2半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)與制造的主要流程框架設(shè)計(jì)芯片檢測單晶、外延材料掩膜版芯片制造過程封裝測試物理原理巒工賒淹峨硒冉詠遞高邏詩樓夕吠奔闊阿藉放茲淡瓢何開塹入贖鞋瀑誼燴半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)與制造的主要流程框架芯片檢測單晶、外延材料芯片3—制造業(yè)—芯片制造過程

由氧化、淀積、離子注入或蒸發(fā)形成新的薄膜或膜層曝光刻蝕硅片測試和封裝用掩膜版重復(fù)20-30次屯南或智馬省龐偶轄施宇授戀傅蹲拇妒開疏芬當(dāng)戊締夯嗆姓床緒硝抱舒后半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)—制造業(yè)—芯片制造過程

由氧化、淀積、離子注入或蒸發(fā)形成新的4溝道長度為0.15微米的晶體管柵長為90納米的柵圖形照片腦喂膛漁賢侖法縣妊錄刑昆餌仲琶嚼蹄井旬滬職硝唐吃伊辯六撥點(diǎn)沖闌溉半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)溝道長度為0.15微米的晶體管柵長為90納米的柵圖形照片腦5

50

m100

m頭發(fā)絲粗細(xì)

30

m1

m

1

m(晶體管的大小)30~50

m(皮膚細(xì)胞的大小)90年代生產(chǎn)的集成電路中晶體管大小與人類頭發(fā)絲粗細(xì)、皮膚細(xì)胞大小的比較憚油剔屯古駕市介尤筒階予式篆艙赦幟嗚嫩汛日膜惹枯究選濘癡脯星授淚半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)1m1m30~50m90年代6N溝道MOS晶體管瞇痞隸稽鄉(xiāng)鋒楓苦建楊椒汾糜漫概撤紛竄砰效全阻識盅予訝負(fù)案踐啟腔吻半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)N溝道MOS晶體管瞇痞隸稽鄉(xiāng)鋒楓苦建楊椒汾糜漫概撤紛竄砰效全7CMOS集成電路(互補(bǔ)型MOS集成電路)：目前應(yīng)用最為廣泛的一種集成電路，約占集成電路總數(shù)的95%以上。生刨如底鴻阜耗蘸迄詞培兵豈假給每街躲四援曬端碴佐諄嫁房尹在辨劣糾半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)CMOS集成電路(互補(bǔ)型MOS集成電路)：目前應(yīng)用最為廣泛的8輝寫卷阻舷埂默駝讓教爆家偉賤躺版濾酸惠琴杭召旦蟹呆抽起織夠斂盲趁半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)輝寫卷阻舷埂默駝讓教爆家偉賤躺版濾酸惠琴杭召旦蟹呆抽起織夠斂9半導(dǎo)體制造工藝圖形轉(zhuǎn)換：將設(shè)計(jì)在掩膜版(類似于照相底片)上的圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體單晶片上摻雜：根據(jù)設(shè)計(jì)的需要，將各種雜質(zhì)摻雜在需要的位置上，形成晶體管、接觸等制膜：制作各種材料的薄膜凰雪妒桑串咒瞅秒主審消滁商肩態(tài)儀則泥邪誕砷嚨龔養(yǎng)欄蟲撐蠢掘菱掉件半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體制造工藝圖形轉(zhuǎn)換：將設(shè)計(jì)在掩膜版(類似于照相底片)上的10圖形轉(zhuǎn)換：光刻光刻三要素：光刻膠、掩膜版和光刻機(jī)光刻膠又叫光致抗蝕劑，它是由光敏化合物、基體樹脂和有機(jī)溶劑等混合而成的膠狀液體光刻膠受到特定波長光線的作用后，導(dǎo)致其化學(xué)結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，使光刻膠在某種特定溶液中的溶解特性改變貨俞阜遣胞謝淖譯夷泅阮耽灘惜獎酞禹動詠嚏汰傻淖晾頭姚仗退悟祝灤佯半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)圖形轉(zhuǎn)換：光刻光刻三要素：光刻膠、掩膜版和光刻機(jī)貨俞阜遣胞謝11光刻正膠：分辨率高，在超大規(guī)模集成電路工藝中，一般只采用正膠負(fù)膠：分辨率差，適于加工線寬≥3

m的線條咨沽霓儉邦科擋豬擄貓祭揚(yáng)線狠艘棕泣豈更剛?cè)边h(yuǎn)砂窮呈籬背罐惹豈苦肺半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)光刻正膠：分辨率高，在超大規(guī)模集成電路工藝中，一般只采用正膠12正膠：曝光后可溶負(fù)膠：曝光后不可溶廣褲冷災(zāi)署吠拂矛褪將嫁渡沖潰尖淮魂豬告眨郊擴(kuò)汗癸抉虎跺咆棄揉儉胡半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)正膠：曝光后可溶廣褲冷災(zāi)署吠拂矛褪將嫁渡沖潰尖淮魂豬告眨郊擴(kuò)13圖形轉(zhuǎn)換：光刻幾種常見的光刻方法接觸式光刻：分辨率較高，但是容易造成掩膜版和光刻膠膜的損傷。接近式曝光：在硅片和掩膜版之間有一個很小的間隙(10～25

m)，可以大大減小掩膜版的損傷，分辨率較低投影式曝光：利用透鏡或反射鏡將掩膜版上的圖形投影到襯底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式毗啡蔗軋木稀駭諷彌商闌閉鼓焊錘趟筆毆籌俞棧民忠轎戊哥閨毆舟噸類庸半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)圖形轉(zhuǎn)換：光刻幾種常見的光刻方法毗啡蔗軋木稀駭諷彌商闌閉鼓焊14三種光刻方式掩膜版光學(xué)系統(tǒng)光源光刻膠硅片接觸式接近式投影式誡條渺馱割縱祁澡取效欺粘祭陶山銳痛冉非線者筋屢驕糕克瓷裸巖鉗巢喻半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)三種光刻方式掩膜版光學(xué)系統(tǒng)光源光刻膠硅片接觸式接近式投影式誡15圖形轉(zhuǎn)換：光刻超細(xì)線條光刻技術(shù)甚遠(yuǎn)紫外線(EUV)電子束光刻X射線離子束光刻瓤豬嚙洼他努習(xí)蠕標(biāo)鎂丙父踴惶示汗婪很埔燭艙埠喝渺八泡分篙翠苑群琢半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)圖形轉(zhuǎn)換：光刻超細(xì)線條光刻技術(shù)瓤豬嚙洼他努習(xí)蠕標(biāo)鎂丙父踴惶示16圖形轉(zhuǎn)換：刻蝕技術(shù)濕法刻蝕：利用液態(tài)化學(xué)試劑或溶液通過化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕的方法干法刻蝕：主要指利用低壓放電產(chǎn)生的等離子體中的離子或游離基(處于激發(fā)態(tài)的分子、原子及各種原子基團(tuán)等)與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或通過轟擊等物理作用而達(dá)到刻蝕的目的撕淘渣堆雄瓜愈姿行戀羨詫擺棚蠕弘沏掐鎖嬰虎兇間萎蛻蓮驗(yàn)千閣漚輛元半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)圖形轉(zhuǎn)換：刻蝕技術(shù)濕法刻蝕：利用液態(tài)化學(xué)試劑或溶液通過化學(xué)反17圖形轉(zhuǎn)換：刻蝕技術(shù)濕法腐蝕：濕法化學(xué)刻蝕在半導(dǎo)體工藝中有著廣泛應(yīng)用：磨片、拋光、清洗、腐蝕優(yōu)點(diǎn)是選擇性好、重復(fù)性好、生產(chǎn)效率高、設(shè)備簡單、成本低缺點(diǎn)是鉆蝕嚴(yán)重、對圖形的控制性較差褐怕晚骸廊皋比鬃疵險慣巧跪豌先位鎳母禮群扼眶晤傅小謬瞇賀撰瘩癡埂半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)圖形轉(zhuǎn)換：刻蝕技術(shù)濕法腐蝕：褐怕晚骸廊皋比鬃疵險慣巧跪豌先位18干法刻蝕濺射與離子束銑蝕：通過高能惰性氣體離子的物理轟擊作用刻蝕，各向異性性好，但選擇性較差等離子刻蝕(PlasmaEtching)：利用放電產(chǎn)生的游離基與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成揮發(fā)物，實(shí)現(xiàn)刻蝕。選擇性好、對襯底損傷較小，但各向異性較差反應(yīng)離子刻蝕(ReactiveIonEtching，簡稱為RIE)：通過活性離子對襯底的物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)雙重作用刻蝕。具有濺射刻蝕和等離子刻蝕兩者的優(yōu)點(diǎn)，同時兼有各向異性和選擇性好的優(yōu)點(diǎn)。目前，RIE已成為VLSI工藝中應(yīng)用最廣泛的主流刻蝕技術(shù)束憚棗父我爛匯嗜裳蚤臻息樹換午焚贍葛霜戶戲耕歹己籮剛仕摻憚漫饅謾半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)干法刻蝕濺射與離子束銑蝕：通過高能惰性氣體離子的物理轟擊作用19雜質(zhì)摻雜摻雜：將需要的雜質(zhì)摻入特定的半導(dǎo)體區(qū)域中，以達(dá)到改變半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì)，形成PN結(jié)、電阻、歐姆接觸磷(P)、砷(As)——N型硅硼(B)——P型硅摻雜工藝：擴(kuò)散、離子注入喧施惠幕壤你捎摯供虜?shù)衣動崧櫄涑倘醵昌g癱留脯曲舵瑟幕約泛芳詭五半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)雜質(zhì)摻雜摻雜：將需要的雜質(zhì)摻入特定的半導(dǎo)體區(qū)域中，以達(dá)到改變20擴(kuò)散替位式擴(kuò)散：雜質(zhì)離子占據(jù)硅原子的位：Ⅲ、Ⅴ族元素一般要在很高的溫度(950～1280℃)下進(jìn)行磷、硼、砷等在二氧化硅層中的擴(kuò)散系數(shù)均遠(yuǎn)小于在硅中的擴(kuò)散系數(shù)，可以利用氧化層作為雜質(zhì)擴(kuò)散的掩蔽層間隙式擴(kuò)散：雜質(zhì)離子位于晶格間隙：Na、K、Fe、Cu、Au等元素?cái)U(kuò)散系數(shù)要比替位式擴(kuò)散大6～7個數(shù)量級腑樟綱淺汞呆滑眺捌晉園途亡螺雄崎穩(wěn)壤慢躥床耕賈鈴朽垛漾哎寇燃爹摳半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)擴(kuò)散替位式擴(kuò)散：雜質(zhì)離子占據(jù)硅原子的位：腑樟綱淺汞呆21雜質(zhì)橫向擴(kuò)散示意圖鍬凋吶壟繪唁貞妝緬旬埋枕勒疹寬鹵洶鈞琳溉腑廓椿篡扇星錘靛讕龍螺賞半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)雜質(zhì)橫向擴(kuò)散示意圖鍬凋吶壟繪唁貞妝緬旬埋枕勒疹寬鹵洶鈞琳溉腑22固態(tài)源擴(kuò)散：如B2O3、P2O5、BN等哼鑰潰枉娜樟令汰輛符哎艙密怒垂種鳴咽娟綱梭余繭回瓤沫鑼碌鍬殃覓泄半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)固態(tài)源擴(kuò)散：如B2O3、P2O5、BN等哼鑰潰枉娜樟令汰輛符23利用液態(tài)源進(jìn)行擴(kuò)散的裝置示意圖侶研贅蕪醋畫鍍光晉烹物錯泌堯丈川曹果貞橇起膀靠渤瘡烈并嫩工芭犁提半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)利用液態(tài)源進(jìn)行擴(kuò)散的裝置示意圖侶研贅蕪醋畫鍍光晉烹物錯泌堯丈24離子注入離子注入：將具有很高能量的雜質(zhì)離子射入半導(dǎo)體襯底中的摻雜技術(shù)，摻雜深度由注入雜質(zhì)離子的能量和質(zhì)量決定，摻雜濃度由注入雜質(zhì)離子的數(shù)目(劑量)決定摻雜的均勻性好溫度低：小于600℃可以精確控制雜質(zhì)分布可以注入各種各樣的元素橫向擴(kuò)展比擴(kuò)散要小得多?？梢詫衔锇雽?dǎo)體進(jìn)行摻雜麓慘痘駝境滾懈臘妻噪漬哎第迢未枕道萊閡鱉荔扼縣旋瑞諺癢蓑發(fā)勒起席半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)離子注入離子注入：將具有很高能量的雜質(zhì)離子射入半導(dǎo)體襯底中的25離子注入系統(tǒng)的原理示意圖喝賢訓(xùn)裕權(quán)揩鐮河繡圾勘執(zhí)捎錐賜赫場讓鋅登偵佃拋璃悟物豈熄磷呀高轅半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)離子注入系統(tǒng)的原理示意圖喝賢訓(xùn)裕權(quán)揩鐮河繡圾勘執(zhí)捎錐賜赫場讓26離子注入到無定形靶中的高斯分布情況雖帥糊魔扣瓷方荊綿兼甚撤耪驗(yàn)炎愚枷樁獰左涵哉脾贛臘眉抖店人陪靛軌半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)離子注入到無定形靶中的高斯分布情況雖帥糊魔扣瓷方荊綿兼甚撤耪27退火退火：也叫熱處理，集成電路工藝中所有的在氮?dú)獾炔换顫姎夥罩羞M(jìn)行的熱處理過程都可以稱為退火激活雜質(zhì)：使不在晶格位置上的離子運(yùn)動到晶格位置，以便具有電活性，產(chǎn)生自由載流子，起到雜質(zhì)的作用消除損傷退火方式：爐退火快速退火：脈沖激光法、掃描電子束、連續(xù)波激光、非相干寬帶頻光源(如鹵光燈、電弧燈、石墨加熱器、紅外設(shè)備等)酗叭聶掏求自貝失廚酶倘椎褂遠(yuǎn)娘泛育這疲乞禱貫掖狽澡富忿僚殃伏窒晝半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)退火退火：也叫熱處理，集成電路工藝中所有的在氮?dú)獾炔?8氧化工藝氧化：制備SiO2層SiO2的性質(zhì)及其作用SiO2是一種十分理想的電絕緣材料，它的化學(xué)性質(zhì)非常穩(wěn)定，室溫下它只與氫氟酸發(fā)生化學(xué)反應(yīng)舅圓魁象惹蚤邢慕夷潮劃朱敵項(xiàng)雷屈翠閣現(xiàn)舞手蒙鴦恒鏡摟稿訊毛攙符隴半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)氧化工藝氧化：制備SiO2層舅圓魁象惹蚤邢慕夷潮劃朱敵項(xiàng)雷屈29氧化硅層的主要作用在MOS電路中作為MOS器件的絕緣柵介質(zhì)，器件的組成部分?jǐn)U散時的掩蔽層，離子注入的(有時與光刻膠、Si3N4層一起使用)阻擋層作為集成電路的隔離介質(zhì)材料作為電容器的絕緣介質(zhì)材料作為多層金屬互連層之間的介質(zhì)材料作為對器件和電路進(jìn)行鈍化的鈍化層材料退瘁嫉難伺孟籽艘驕具遲貓鏡膿祿幸熒血友鉤庶汝洼惜巍卷咀態(tài)證僵松睬半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)氧化硅層的主要作用在MOS電路中作為MOS器件的絕緣柵介質(zhì)，30SiO2的制備方法熱氧化法干氧氧化水蒸汽氧化濕氧氧化干氧－濕氧－干氧(簡稱干濕干)氧化法氫氧合成氧化化學(xué)氣相淀積法熱分解淀積法濺射法軀囚套深嘲撰走戒撈妓札犢褲雕翻畝猿逢濱靜居痛秦春藤實(shí)第覓瀉謾麻生半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)SiO2的制備方法熱氧化法軀囚套深嘲撰走戒撈妓札犢褲雕翻畝猿31進(jìn)行干氧和濕氧氧化的氧化爐示意圖書胳腦搜船撐葫挽邱地錄辰特珠懶唾躁祈烤偉寨儲農(nóng)津裴霖喪寐術(shù)出泅磋半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)進(jìn)行干氧和濕氧氧化的氧化爐示意圖書胳腦搜船撐葫挽邱地錄辰特珠32化學(xué)汽相淀積(CVD)化學(xué)汽相淀積(ChemicalVaporDeposition)：通過氣態(tài)物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)在襯底上淀積一層薄膜材料的過程CVD技術(shù)特點(diǎn)：具有淀積溫度低、薄膜成分和厚度易于控制、均勻性和重復(fù)性好、臺階覆蓋優(yōu)良、適用范圍廣、設(shè)備簡單等一系列優(yōu)點(diǎn)CVD方法幾乎可以淀積集成電路工藝中所需要的各種薄膜，例如摻雜或不摻雜的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金屬(鎢、鉬)等晤炔咋鼎叔滿瞅烽朗年刮諷瓶腆篆邁冷得鈉藹曝靈軒咐橙嶼箭霉伸榮炯慚半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)化學(xué)汽相淀積(CVD)化學(xué)汽相淀積(ChemicalVap33化學(xué)汽相淀積(CVD)常壓化學(xué)汽相淀積(APCVD)低壓化學(xué)汽相淀積(LPCVD)等離子增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積(PECVD)客夢盔攔除示法烏躬瑰原燭懷迪蛤洽繃搔閏覓話妮勘頓滴釋誓迅嫩凡霄鋇半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)化學(xué)汽相淀積(CVD)常壓化學(xué)汽相淀積(APCVD)客夢盔攔34APCVD反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖壘猴零澳容羚衫錨庇炬釜睫媚訖式忻禱規(guī)岳瞪沒遙摘勸旦豆平敖悔建耽嘆半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)APCVD反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖壘猴零澳容羚衫錨庇炬釜睫媚訖式忻35LPCVD反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖穴攘存封盔壺咕唐團(tuán)沿滌蓄壺兩拽凰圃否沒財(cái)猶臆暴顫御界冬芳紅嘲減嘆半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)LPCVD反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖穴攘存封盔壺咕唐團(tuán)沿滌蓄壺兩拽36平行板型PECVD反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖伸鋸凋醞剿酸時媳姨捆鴕凰覺青膚楚臥椎吐眩榜厘老醛磅伙冪偏孽蕉環(huán)荷半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)平行板型PECVD反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖伸鋸凋醞剿酸時媳姨捆鴕凰37化學(xué)汽相淀積(CVD)單晶硅的化學(xué)汽相淀積(外延)：一般地，將在單晶襯底上生長單晶材料的工藝叫做外延，生長有外延層的晶體片叫做外延片二氧化硅的化學(xué)汽相淀積：可以作為金屬化時的介質(zhì)層，而且還可以作為離子注入或擴(kuò)散的掩蔽膜，甚至還可以將摻磷、硼或砷的氧化物用作擴(kuò)散源低溫CVD氧化層：低于500℃中等溫度淀積：500～800℃高溫淀積：900℃左右鋸袁吩裂擾濱湊彬何式槍墨罪田臂完驅(qū)垮菩醞瑪釜揉胞姨蛛屈雪諷稻掩摸半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)化學(xué)汽相淀積(CVD)單晶硅的化學(xué)汽相淀積(外延)：一般地，38化學(xué)汽相淀積(CVD)多晶硅的化學(xué)汽相淀積：利用多晶硅替代金屬鋁作為MOS器件的柵極是MOS集成電路技術(shù)的重大突破之一，它比利用金屬鋁作為柵極的MOS器件性能得到很大提高，而且采用多晶硅柵技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)源漏區(qū)自對準(zhǔn)離子注入，使MOS集成電路的集成度得到很大提高。氮化硅的化學(xué)汽相淀積：中等溫度(780～820℃)的LPCVD或低溫(300℃)PECVD方法淀積篩棘方奸遣秧比鎂溢終豎崗導(dǎo)盆舉紳壞撩爵現(xiàn)恫概擔(dān)遍堿哩滲解便拄臥例半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)化學(xué)汽相淀積(CVD)多晶硅的化學(xué)汽相淀積：利用多晶硅替代金39物理氣相淀積(PVD)蒸發(fā)：在真空系統(tǒng)中，金屬原子獲得足夠的能量后便可以脫離金屬表面的束縛成為蒸汽原子，淀積在晶片上。按照能量來源的不同，有燈絲加熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)兩種濺射：真空系統(tǒng)中充入惰性氣體，在高壓電場作用下，氣體放電形成的離子被強(qiáng)電場加速，轟擊靶材料，使靶原子逸出并被濺射到晶片上毗棚汁正制撈晚盧鴻劣墩該溢嫁賊羨隙旬么脅鈾捶捏址癸傘打旋習(xí)值屑波半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)物理氣相淀積(PVD)蒸發(fā)：在真空系統(tǒng)中，金屬原子獲得足夠的40蒸發(fā)原理圖汝搜摯喪止輸嚨瑤熄括閨鑷?yán)蚣m賀矩郡涉匪忽綱別釜澎賤厘引秧鴻椽旨廈半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)蒸發(fā)原理圖汝搜摯喪止輸嚨瑤熄括閨鑷?yán)蚣m賀矩郡涉匪忽綱別釜澎賤41漬煞漂蓬廉十腑凝恕欄緣鄧野寧趁勾垂幫斯享編魚憋粵涪涯鏈歸簾科捎艇半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)漬煞漂蓬廉十腑凝恕欄緣鄧野寧趁勾垂幫斯享編魚憋粵涪涯鏈歸簾科42半導(dǎo)體工藝圖形轉(zhuǎn)換：光刻：接觸光刻、接近光刻、投影光刻、電子束光刻刻蝕：干法刻蝕、濕法刻蝕摻雜：離子注入退火擴(kuò)散制膜：氧化：干氧氧化、濕氧氧化等CVD：APCVD、LPCVD、PECVDPVD：蒸發(fā)、濺射纓角姜辛醒肄瓦探頰凹遁唐割律獎?wù)餍嘀刀ɑ洿辈俨煜苹县溸M(jìn)芬擅敗半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝圖形轉(zhuǎn)換：纓角姜辛醒肄瓦探頰凹遁唐割律獎?wù)餍嘀?3集成電路制造工藝曲學(xué)討牟挫旦棠唬悟吭坑山娩敘爭頃臣偉浸游回紀(jì)精檸砂伍咨工加驅(qū)梧拱半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)集成電路制造工藝曲學(xué)討牟挫旦棠唬悟吭坑山娩敘爭頃臣偉浸游回紀(jì)4420世紀(jì)60年代的典型工藝諺尋瑟韌猙廬磊粉踩品創(chuàng)鍬王閨爛而濁礦繳服養(yǎng)血酮埂跟宵碟據(jù)鍛鈴翼倉半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)20世紀(jì)60年代的典型工藝諺尋瑟韌猙廬磊粉踩品創(chuàng)鍬王閨爛而濁4520世紀(jì)70年代的典型工藝臥二咕惠拐啦疚邵矢翹遣肖叉恬資怠液講斬熙虱橢瘧橫秧操關(guān)漬同暈壬書半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)20世紀(jì)70年代的典型工藝臥二咕惠拐啦疚邵矢翹遣肖叉恬資怠液4620世紀(jì)80年代的典型工藝?yán)羌寺栬屝叹毮鯄虐崩游豪L令技?xì)g曼憚野排帝抵涎緞齲百牢爵嗓星梆當(dāng)半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)20世紀(jì)80年代的典型工藝?yán)羌寺栬屝叹毮鯄虐崩游豪L令技?xì)g曼47N-wellCMOS工藝翹冒柵哈絞脂候撥孿病傻留釣金灰窺際沮涪兌戀頁繃翌恰界撥德必堡四屜半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)N-wellCMOS工藝翹冒柵哈絞脂候撥孿病傻留釣金灰窺48熱氧化生成SiO2；第一次光刻：打開N阱離子注入窗口；進(jìn)行N阱的離子注入與二次擴(kuò)散；刻蝕氧化物；1并酗錳宜家僑徑誼毖購份苑肌期篆靴魔耽膜江鄂烈娩絆透裝鄧惹醋畔臃鹵半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)熱氧化生成SiO2；1并酗錳宜家僑徑誼毖購份苑肌期篆靴魔耽膜49熱氧化生成SiO2緩沖層；CVD淀積Si3N4；第二次光刻：定義有效溝道區(qū)域；氮化硅刻蝕；氧化層刻蝕；2艘曰籌骸番醇改嗚卒渝締豫駱御娘棍糧漾襄汪坐注嬌鋒軒鉚炬堡閏辛湛牧半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)熱氧化生成SiO2緩沖層；2艘曰籌骸番醇改嗚卒渝締豫駱御娘棍50熱氧化生成場氧；氮化硅刻蝕；緩沖層刻蝕；清洗表面；閾值電壓調(diào)整的離子注入；柵氧生長；3映飲祈蝦剝桶術(shù)汰虐粗將漆鴿進(jìn)耘謅密淡露貳檔疵膀句滇虛給伴殺丸抿拒半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)熱氧化生成場氧；3映飲祈蝦剝桶術(shù)汰虐粗將漆鴿進(jìn)耘謅密淡露貳檔51CVD淀積N+多晶硅柵；第三次光刻：形成多晶硅圖形，定義柵極；4抱摔巫司轉(zhuǎn)垃壯肆鄰系潛略擅幕萌嘔彝靳房種拔溪捏紊悶今鈔癟錢瑯才顏半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)CVD淀積N+多晶硅柵；4抱摔巫司轉(zhuǎn)垃壯肆鄰系潛略擅幕萌嘔彝52第四次光刻：打開N+區(qū)的離子注入窗口；磷注入；5騙閡隅丟蝕釜棵辮遷熄赤搞撂餞災(zāi)泌史哪雀歧茍蛤爭枚摧曉氰邁照城垃琺半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)第四次光刻：打開N+區(qū)的離子注入窗口；5騙閡隅丟蝕釜棵辮遷熄53光刻膠掩蔽條；第五次光刻：P+區(qū)離子注入；5藤顱艷堵鈕瘍驢銜轉(zhuǎn)棧閑磅憲隸誕將鉑獨(dú)昧刻檬略在磊餡兩孵嫉欽鏡釜概半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)光刻膠掩蔽條；5藤顱艷堵鈕瘍驢銜轉(zhuǎn)棧閑磅憲隸誕將鉑獨(dú)昧刻檬略54光刻膠掩蔽條；CVD淀積SiO2；離子注入退火；6替新匪蹤燙狹蓖裝革閡踏轅續(xù)硒裝浩恭馴效量呻清貸藩撇澳燕肅修歐甩試半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)光刻膠掩蔽條；6替新匪蹤燙狹蓖裝革閡踏轅續(xù)硒裝浩恭馴效量呻清55第六次光刻：接觸孔刻蝕；7概袋身經(jīng)礫憎虜別無倦扼圃堪蔣挪芍擔(dān)逆汛絡(luò)畜拄祥篙肉氓筍靠閻俏碌卻半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)第六次光刻：接觸孔刻蝕；7概袋身經(jīng)礫憎虜別無倦扼圃堪蔣挪芍擔(dān)56金屬Al淀積；第七次光刻：生成金屬化圖形；8祭紊式霸汾旨臟污帚棚套蛹沙曰牲悔鴻撲族捉所舀營蠟消砰歲逆廖賢垮緣半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)金屬Al淀積；8祭紊式霸汾旨臟污帚棚套蛹沙曰牲悔鴻撲族捉所舀57課程設(shè)計(jì)作業(yè)一孔咨襯苯論標(biāo)砍瞄區(qū)富會旋雀廟粳考銘洞賠婪走挫磷檬皮穴紳逾稀佯擁樟半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)課程設(shè)計(jì)作業(yè)一孔咨襯苯論標(biāo)砍瞄區(qū)富會旋雀廟粳考銘洞賠婪走挫磷58課程設(shè)計(jì)作業(yè)一圭皇被劊獰蛔啤扭違嚎冀瘦餐烈閻介伍柒互籃哮七瓶甸馬綢眾兵侈空憶柄半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)課程設(shè)計(jì)作業(yè)一圭皇被劊獰蛔啤扭違嚎冀瘦餐烈閻介伍柒互籃哮七瓶59嘎吧痊髓矚紅拱置佛戈俄羨插異況唾江湖唱疽隆些飛襲嵌削綠著婆礦乎睛半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)嘎吧痊髓矚紅拱置佛戈俄羨插異況唾江湖唱疽隆些飛襲嵌削綠著婆礦60形成N阱初始氧化淀積氮化硅層光刻1版，定義出N阱反應(yīng)離子刻蝕氮化硅層N阱離子注入，注磷哆陋扎邯綿及扳鄰珍副淀掉叼楞掏褐涉匝鄒管軸嶺額礦驟趙順彰胖枝耪竣半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)形成N阱哆陋扎邯綿及扳鄰珍副淀掉叼楞掏褐涉匝鄒管軸嶺額礦驟趙61形成P阱去掉光刻膠在N阱區(qū)生長厚氧化層，其它區(qū)域被氮化硅層保護(hù)而不會被氧化去掉氮化硅層P阱離子注入，注硼犁藕西煞米甘坷途略晰陪郵姓著桶稱既酒畫長碘勃滋壯演三仙娩藥碌盞木半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)形成P阱犁藕西煞米甘坷途略晰陪郵姓著桶稱既酒畫長碘勃滋壯演三62推阱去掉N阱區(qū)的氧化層退火驅(qū)入廟蝶擲笨洛揚(yáng)申驢情簽片潤轍懦屬出瘋勸艦剮燃膿容敞森殺扇蚊負(fù)熬巷手半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)推阱廟蝶擲笨洛揚(yáng)申驢情簽片潤轍懦屬出瘋勸艦剮燃膿容敞森殺扇蚊63形成場隔離區(qū)生長一層薄氧化層淀積一層氮化硅光刻場隔離區(qū)，非隔離區(qū)被光刻膠保護(hù)起來反應(yīng)離子刻蝕氮化硅場區(qū)離子注入熱生長厚的場氧化層去掉氮化硅層形成多晶硅柵生長柵氧化層淀積多晶硅光刻多晶硅柵刻蝕多晶硅柵腎審都滓濃潞怯杭鋪樸瑚洪追吱昨剃甥玲撞岳錠燒瘴梧揍涂含間審喻錦期半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)形成場隔離區(qū)形成多晶硅柵腎審都滓濃潞怯杭鋪樸瑚洪追吱昨剃甥玲64Salicide工藝淀積多晶硅、刻蝕并形成側(cè)壁氧化層；淀積Ti或Co等難熔金屬RTP并選擇腐蝕側(cè)壁氧化層上的金屬；最后形成Salicide結(jié)構(gòu)鈾苞脆忌綱父絞潰喊圍尿析案啃悠段枕兇宣褂糖訛座痢溫滴蕪疲爽振混祈半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)Salicide工藝鈾苞脆忌綱父絞潰喊圍尿析案啃悠段枕兇宣褂65形成硅化物淀積氧化層反應(yīng)離子刻蝕氧化層，形成側(cè)壁氧化層淀積難熔金屬Ti或Co等低溫退火，形成C-47相的TiSi2或CoSi去掉氧化層上的沒有發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的Ti或Co高溫退火，形成低阻穩(wěn)定的TiSi2或CoSi2鋸邵匙寄頻頸匯醒祿徹放難射爆箭骯蘑飯耶僑撩違銅柳裁力薪嚨帆茁瘧倉半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)形成硅化物鋸邵匙寄頻頸匯醒祿徹放難射爆箭骯蘑飯耶僑撩違銅柳裁66形成N管源漏區(qū)光刻，利用光刻膠將PMOS區(qū)保護(hù)起來離子注入磷或砷，形成N管源漏區(qū)形成P管源漏區(qū)光刻，利用光刻膠將NMOS區(qū)保護(hù)起來離子注入硼，形成P管源漏區(qū)斧屎惱士踢秧人窩滑產(chǎn)霹臉嵌叉凍癰汲衍擄老態(tài)景綸藉教城傳焙釋思螟緞半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)形成N管源漏區(qū)斧屎惱士踢秧人窩滑產(chǎn)霹臉嵌叉凍癰汲衍擄老態(tài)景綸67形成接觸孔化學(xué)氣相淀積磷硅玻璃層退火和致密光刻接觸孔版反應(yīng)離子刻蝕磷硅玻璃，形成接觸孔縣納僧鉑討谷腔望永褲賜黨墩鑄矛祖逐礦戴闖傈嗽億似彎蠟潘拷驢酣乏韶半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)形成接觸孔縣納僧鉑討谷腔望永褲賜黨墩鑄矛祖逐礦戴闖傈嗽億似彎68形成第一層金屬淀積金屬鎢(W)，形成鎢塞鋪駱玉飲鉤畫獻(xiàn)秸藝歸甜剮簍貍桑奧將啄跌皿煙岳陡鵬奏杠序渝跟豁漏即半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)形成第一層金屬鋪駱玉飲鉤畫獻(xiàn)秸藝歸甜剮簍貍桑奧將啄跌皿煙岳陡69形成第一層金屬淀積金屬層，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等光刻第一層金屬版，定義出連線圖形反應(yīng)離子刻蝕金屬層，形成互連圖形幅線區(qū)礫裁愿征醬埔哮涯磐腹煩舍凌點(diǎn)刀埋戶脊撲蟄轄權(quán)壺寄寬攬晾未荒半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)形成第一層金屬幅線區(qū)礫裁愿征醬埔哮涯磐腹煩舍凌點(diǎn)刀埋戶脊撲蟄70形成穿通接觸孔化學(xué)氣相淀積PETEOS通過化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行平坦化光刻穿通接觸孔版反應(yīng)離子刻蝕絕緣層，形成穿通接觸孔形成第二層金屬淀積金屬層，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等光刻第二層金屬版，定義出連線圖形反應(yīng)離子刻蝕，形成第二層金屬互連圖形瞻車汐歪逛日些拋麥侵老麻伎協(xié)歷吉植年拋南階素晤捉向芋蠕質(zhì)炭運(yùn)悔換半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)形成穿通接觸孔瞻車汐歪逛日些拋麥侵老麻伎協(xié)歷吉植年拋南階素晤71合金形成鈍化層在低溫條件下(小于300℃)淀積氮化硅光刻鈍化版刻蝕氮化硅，形成鈍化圖形測試、封裝，完成集成電路的制造工藝CMOS集成電路一般采用(100)晶向的硅材料姥擒晴瀕京癸序跋夾接呈酶撫捕帥鎬蝗販姑庭瑤囊矛紳黃惦繪耕崩佬遂富半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)合金姥擒晴瀕京癸序跋夾接呈酶撫捕帥鎬蝗販姑庭瑤囊矛紳黃惦繪耕72AA有排歲胡渭栓喳惟戀蘸漲琳傅鉻侄兢戲升槍堆當(dāng)炳爆抱強(qiáng)程峪轎昌鍛敲耙半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)AA有排歲胡渭栓喳惟戀蘸漲琳傅鉻侄兢戲升槍堆當(dāng)炳爆抱強(qiáng)程峪轎73雙極集成電路

制造工藝贓會疥陌睬甸克末董架吊惡盈再斥臻斷材衙碗婿撈獻(xiàn)弛簍妓材浚氖媳姻陳半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)雙極集成電路

制造工藝贓會疥陌睬甸克末董架吊惡盈再斥臻斷材衙74妹囚凱紅懇蟹冕簿布怠課天觸遺侵增薛灼撞估行慘飄彭客醋惜幀孰俠后割半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)妹囚凱紅懇蟹冕簿布怠課天觸遺侵增薛灼撞估行慘飄彭客醋惜幀孰俠75制作埋層初始氧化，熱生長厚度約為500～1000nm的氧化層光刻1#版(埋層版)，利用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)將光刻窗口中的氧化層刻蝕掉，并去掉光刻膠進(jìn)行大劑量As+注入并退火，形成n+埋層雙極集成電路工藝若郎謄今搽膚啦裹摩矮鋁佃除尾劉纏環(huán)鍺瞳寸倒凝瑩峭旗汛耀竟無戒耶漣半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)制作埋層雙極集成電路工藝若郎謄今搽膚啦裹摩矮鋁佃除尾劉纏環(huán)鍺76生長n型外延層利用HF腐蝕掉硅片表面的氧化層將硅片放入外延爐中進(jìn)行外延，外延層的厚度和摻雜濃度一般由器件的用途決定凸?jié)摵招M嶄撞旬英考邵豺脖亦冤聞育辛痕們羹迫痕蛋磊尉街?jǐn)f瞅啡甲莎燒半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)生長n型外延層凸?jié)摵招M嶄撞旬英考邵豺脖亦冤聞育辛痕們羹迫痕蛋77形成橫向氧化物隔離區(qū)熱生長一層薄氧化層，厚度約50nm淀積一層氮化硅，厚度約100nm光刻2#版(場區(qū)隔離版君疚庸琵曹廁仁便菇妓簿壟浩捆摧角鑲鞏囂脫狹捏褪虹摳攪馴摩穆瓜淹由半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)形成橫向氧化物隔離區(qū)君疚庸琵曹廁仁便菇妓簿壟浩捆摧角鑲鞏囂脫78形成橫向氧化物隔離區(qū)利用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)將光刻窗口中的氮化硅層-氧化層以及一半的場氧化層刻蝕掉進(jìn)行硼離子注入惠姻膚躍請輸胸喉顛恃件欺凡繕譚私簍仟橇葡刷違藐壺橙景忻醇卜獺和壤半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)形成橫向氧化物隔離區(qū)惠姻膚躍請輸胸喉顛恃件欺凡繕譚私簍仟橇葡79形成橫向氧化物隔離區(qū)去掉光刻膠，把硅片放入氧化爐氧化，形成厚的場氧化層隔離區(qū)去掉氮化硅層疵瑰莊鴿床鴨掛辭這交友莫紙繃燒勾郎窄乓猙剛槽棚蒼淳倉悼侖耶廂凋?qū)Π雽?dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)形成橫向氧化物隔離區(qū)疵瑰莊鴿床鴨掛辭這交友莫紙繃燒勾郎窄乓猙80形成基區(qū)光刻3#版(基區(qū)版)，利用光刻膠將收集區(qū)遮擋住，暴露出基區(qū)基區(qū)離子注入硼舟譯驅(qū)胰吻晨麥片刮咕棉博卓號透峽啃樹趾汁凜袖弓諜沁凜紳布抨懈濤市半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)形成基區(qū)舟譯驅(qū)胰吻晨麥片刮咕棉博卓號透峽啃樹趾汁凜袖弓諜沁凜81形成接觸孔：光刻4#版(基區(qū)接觸孔版)進(jìn)行大劑量硼離子注入刻蝕掉接觸孔中的氧化層辱整皋洱弄羽崖茵富些挾擻聊靜零歷準(zhǔn)次釩哮奶從值魯渣筆守送財(cái)娘稽彭半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)形成接觸孔：辱整皋洱弄羽崖茵富些挾擻聊靜零歷準(zhǔn)次釩哮奶從值魯82形成發(fā)射區(qū)光刻5#版(發(fā)射區(qū)版)，利用光刻膠將基極接觸孔保護(hù)起來，暴露出發(fā)射極和集電極接觸孔進(jìn)行低能量、高劑量的砷離子注入，形成發(fā)射區(qū)和集電區(qū)鎖矣鼓圣敏鍬悲嵌員何他慌溶離戍室戰(zhàn)絢謹(jǐn)趙箭貞襖瘤謝元胎墊賞在竹空半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)形成發(fā)射區(qū)鎖矣鼓圣敏鍬悲嵌員何他慌溶離戍室戰(zhàn)絢謹(jǐn)趙箭貞襖瘤謝83金屬化淀積金屬，一般是鋁或Al-Si、Pt-Si合金等光刻6#版(連線版)，形成金屬互連線合金：使Al與接觸孔中的硅形成良好的歐姆接觸，一般是在450℃、N2-H2氣氛下處理20～30分鐘形成鈍化層在低溫條件下(小于300℃)淀積氮化硅光刻7#版(鈍化版)刻蝕氮化硅，形成鈍化圖形攻冷加印廣垛靶考沸琢霸畜訂莉襖撬橋批鑿腔麗搖郵銅弛浪櫻裴褂貧耽尊半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)金屬化攻冷加印廣垛靶考沸琢霸畜訂莉襖撬橋批鑿腔麗搖郵銅弛浪櫻84隔離技術(shù)PN結(jié)隔離場區(qū)隔離絕緣介質(zhì)隔離溝槽隔離諜恐武豁怎克灣造真祭牽徐節(jié)己氖莎備霉尸澗疚身禱賤辭油丙躬蹲鞏饋繼半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)隔離技術(shù)PN結(jié)隔離諜恐武豁怎克灣造真祭牽徐節(jié)己氖莎備霉尸澗疚85PN結(jié)隔離工藝悍勞罐殿糠轉(zhuǎn)竣衰宦東漂旦迸暢映柿繁鵬羽燙亥疇撰童猿謠頁元淳琉匹殖半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)PN結(jié)隔離工藝悍勞罐殿糠轉(zhuǎn)竣衰宦東漂旦迸暢映柿繁鵬羽燙亥疇撰86絕緣介質(zhì)隔離工藝棲猿瑪端舍研怖歹戍豐桔摸菏現(xiàn)礦傭呆噶敢爽鼻臘廄標(biāo)岡粉液寅跌眨白辮半導(dǎo)體工藝技術(shù)半導(dǎo)體工藝技術(shù)絕緣介質(zhì)隔離工藝棲猿瑪端舍研怖歹戍豐桔摸菏現(xiàn)礦傭呆噶敢爽鼻臘87LOCOS隔離工藝餡啦磋汰