2023年通信電子計算機技能考試-平板顯示技術考試考試歷年高頻考點試題含答案（圖片大小可自由調(diào)整）第1卷一.參考題庫(共50題)1.簡述無源矩陣驅(qū)動的原理。2.簡述疊層存儲電容的組成及等效電路。3.簡述有機材料和無機半導體材料的相同點和不同點。4.描述MVA技術如何實現(xiàn)的廣視角？5.分析COF工藝和COG工藝哪種更適合高分辨率顯示？為什么？6.簡述ELA技術制備LTPSTFT的缺點，針對ELA技術的問題有哪些解決方案？7.分析常見的LED電視、LED顯示和真LED電視的區(qū)別，哪一種顯示是大多數(shù)廠商極力推出的產(chǎn)品？8.簡述PECVD薄膜沉積的原理。9.源漏電極很多工廠采用的復層材料Mo/Al/Mo，試分析上下層Mo的作用。10.簡述激光光閥顯示的結構及顯示原理。11.簡述液晶的種類。12.試畫出9次光刻的多晶硅薄膜晶體管的等效電路圖。13.簡述偏移結構的制作過程。14.簡述小分子OLED與高分子PLED的優(yōu)缺點。15.LED是電壓型器件還是電流型器件，如何實現(xiàn)LED的亮度控制？16.簡述單像素雙疇FFS模式的實現(xiàn)的原理。17.簡述自對準結構的優(yōu)點。18.分析疊層存儲電容帶來的優(yōu)點和工藝特點。19.簡述有機材料的光致發(fā)光的過程。20.簡述MIS結構表面電荷的變化？21.主導TFT器件工作的半導體現(xiàn)象是什么？它的物理意義和主要影響參數(shù)？為提高TFT器件在液晶顯示器中的開關作用，從半導體的角度應該提高什么，降低什么？22.簡述電流復制型和電流鏡電路的驅(qū)動原理。23.簡述溝道切斷的作用。24.簡述真空熒光顯示的結構和原理。25.簡述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶體管的工藝流程與非晶硅薄膜晶體管的不同。26.簡述液晶顯示器閃爍形成的原因。27.簡述FFS技術與IPS技術的差別。28.簡述陣列工藝的基本工藝流程。29.簡述液晶相的分類。30.如何提高開口率？并舉例說明。31.為什么用限流電阻可改善微尖型FED電子發(fā)射的均勻性和穩(wěn)定性？32.試根據(jù)5次光刻的工藝流程繪制等效電路。33.簡述視角產(chǎn)生的原因。34.簡述PDP顯示面臨的問題？適合應用在哪些領域？35.簡述彩色顯示的原理。36.述5次光刻中第5次像素電極光刻形成的ITO的作用。37.簡述LED背光源的優(yōu)勢。38.簡述向列相液晶的特點39.分析n溝道2T1C驅(qū)動電路的缺點？并解釋為什么a-Si：HTFT驅(qū)動OLED會有困難？40.簡述VA技術如何實現(xiàn)光學補償?shù)摹?1.LED背光源采用的是白光LED，還是RGB三基色LED，哪種更有優(yōu)勢？42.簡述干法刻蝕的物理作用和化學作用。43.簡述濺射成膜的原理，并舉例說明哪種薄膜采用濺射方法成膜。44.簡述底發(fā)射型OLED的優(yōu)點。45.請畫出常白型TN液晶顯示器的顯示原理圖，并簡述顯示原理。46.試分析在背溝道阻擋結構的第二次光刻中，采用了背曝光為什么還要采用一次曝光？直接使用一次曝光不行嗎？47.分析要用七段式顯示一個數(shù)字“2”，需要加的波形信號，并說明段碼式驅(qū)動的缺點？48.簡述電阻式觸摸屏的工作原理。49.簡述電子紙的顯示原理。50.試分析如何減少絕緣膜的針孔及工業(yè)上采用的方法。第1卷參考答案一.參考題庫1.正確答案:當某一行要發(fā)光的像素加電壓，其他行接地；當某一列像素加負電壓，其他列接地，交叉處OLED就可以發(fā)光。2.正確答案:存儲電容由兩個并聯(lián)的存儲電容相疊構成，一個存儲電容Cs1為源漏金屬M2和金屬層M3，中間夾著的SiNx介質(zhì)層構成；另一個存儲電容Cs2由金屬層M3和像素電極ITO，中間夾著的第三介質(zhì)層構成。液晶像素電容Clc由陣列基板的像素電極ITO和彩膜基板上的共用電極構成，中間夾著液晶材料構成。 3.正確答案:相同點：1）有機材料中沒有類似于無機晶體中的能帶結構，但有LUMO和HOMO軌道，類似無機半導體中的導帶底和價帶頂； 2）有機材料也有兩種載流子—電子和空穴； 3）傳輸電子能力強的材料稱為n型有機半導體材料，把傳輸空穴能力強的材料稱為p型有機半導體材料。可以同時傳輸電子和空穴，稱為雙極型有機半導體材料。 不同點：1）有機半導體材料是短程有序的，不具有長程有序性； 2）分子間的作用力是范德華力； 3）在有機半導體材料中，載流子除了電子或空穴外，還有極化子； 4）有機材料的載流子遷移率低。4.正確答案:V字形直條三角棱狀的凸起物把每個子像素分成了四個疇，上下基板交錯排列。在方位Ⅱ處觀察，開態(tài)和關態(tài)，看到的都是接近液晶分子長軸的投影，顯示中灰階；在方位Ⅰ和Ⅲ處觀察，關態(tài)在屏幕的投影是短軸方向，顯示黑色；開態(tài)在屏幕投影是液晶分子長軸方向，顯示白色。因此，方位Ⅱ和Ⅲ處能同時看到高灰階和低灰階，混色后正好是中灰階。5.正確答案:受到液晶屏布線的限制，COF工藝的驅(qū)動IC芯片不占據(jù)液晶屏面積，同樣大小的面板在COF工藝要比COG工藝更適合高分辨率的顯示。由于COF工藝將液晶屏的驅(qū)動IC直接邦定到柔性電路板上。COF工藝解決了COG工藝在邦定中造成玻璃基板變形、難返修的困難；并且解決了TAB工藝采用三層有膠基板，柔忍性和穩(wěn)定性差的問題。6.正確答案:ELA技術的缺點是： 1）激光器昂貴、光學和機械系統(tǒng)復雜，制作成本高； 2）由于激光尺寸的限制，非晶硅薄膜按區(qū)域順序晶化，不可避免地在兩個晶化區(qū)域之間有一個晶化程度不同的接縫，載流子遷移率不同，TFT特性不勻均； 3）不均勻性隨著驅(qū)動基板尺寸的增大而放大，制作大尺寸面板難度大，大型化困難。 解決方案：1）通過增加冗余驅(qū)動電路的方法有望解決TFT特性不均勻的現(xiàn)象，應用到大尺寸的OLED面板中。 2）采用相鄰像素TFT驅(qū)動電路的方法，避開了使用激光束掃描范圍重疊部分的TFT驅(qū)動技術。7.正確答案:LED電視：實質(zhì)上還是液晶顯示器的一種，與傳統(tǒng)的CCFL背光源的液晶電視相比僅僅是背光源種類的不同。 LED顯示：是一種將數(shù)個小LED點陣拼接排列組合起來的顯示系統(tǒng)。 真LED電視：每個像素都由RGB三種顏色的LED自發(fā)光體組成，一個個做到像素級大小的LED點陣式電視，是完全不同于液晶顯示器的一種真LED電視，又叫作晶體LED顯示。 大多數(shù)廠商極力推出的產(chǎn)品是采用了LED背光源的液晶電視，即常說的LED電視。8.正確答案:薄膜的沉積原理包括三個基本的過程： 1）等離子體反應，是指等離子體通過與具有能量的電子、離子或者基團等粒子碰撞，使通入到反應室中的氣體分子分解的過程。其中等離子體包括自由基、原子和分子等中性粒子，以及離子和電子等非中性粒子。 2）輸送粒子到基板表面，等離子體產(chǎn)生的粒子以擴散方式或離子加速的形式輸運到基板表面。中性粒子受濃度梯度的驅(qū)動以擴散方式輸運到基板表面，陽離子受等離子和基板間的電位差驅(qū)動而離子加速運動到基板表面。 3）在表面發(fā)生反應，當粒子達到基板表面時，通過一系列吸附、遷移、反應，以及中間產(chǎn)物的解吸附過程形成要沉積的薄膜。襯底溫度對每一步都是致關重要的。9.正確答案:1）下層Mo的作用：Al直接與a-Si接觸很容易向a-Si擴散使漏電流增大，影響TFT的關態(tài)特性，所以在Al層下面要增加一層Mo。 2）上層Mo的作用：Al容易產(chǎn)生小丘，表面粗超度不好，且Al與上面層ITO直接接觸，容易還原ITO材料，降低ITO的電阻率，引起接觸不良，因此要在Al的上面增加一層Mo。10.正確答案:激光光閥顯示由液晶盒、激光尋址組件、光源部分、屏幕四部分組成。?顯示原理可以分為四個過程： 1）激光束尋址，激光器發(fā)出的激光經(jīng)調(diào)制后照射到分束鏡上，聚焦后投射到液晶盒上。 2）液晶分子的光學參數(shù)發(fā)生改變。光學參數(shù)與附近沒有受到激光照射部分的近晶相不同，被激光投射的部分呈現(xiàn)出液體的光散射狀態(tài)，沒有被激光束投射到的液晶分子仍保持垂直表面取向的透明結構。光源的光透射狀態(tài)不一樣，因此控制激光束的掃描，在整個畫面上形成為穩(wěn)定的光散射部分和光透過部分，顯示出相應的圖像。 3）圖像保持，激光束尋址掃描到下一點時，剛剛掃描的點液晶溫度開始下降，又出現(xiàn)相變過程。在降溫相變過程中，形成了一種光散射的焦錐結構，會一直保持圖像到下一次激光照射掃描，也就是可以保持一幀的畫面，類似有源矩陣液晶顯示器中存儲電容的功能。 4）擦除過程，在液晶盒內(nèi)的透明電極上施加高于液晶分子閾值電壓的電場，迫使液晶分子恢復到初始的透明狀態(tài)，為圖像的擦除過程。11.正確答案:從組成和產(chǎn)生液晶態(tài)的物理條件看，液晶可以分為熱致液晶和溶致液晶兩大類。按照剛性中心部分的形狀可以把液晶分成兩種類型：細長棒狀和扁平盤狀。12.正確答案:13.正確答案:制作過程為： 1）光刻刻蝕柵極，保留柵極上面的光刻膠； 2）利用帶著光刻膠的柵極圖形做掩膜對源區(qū)和漏區(qū)的低溫多晶硅進行自對準重摻雜； 3）在光刻膠的保護下對柵極進行再刻蝕。柵極金屬的側面沒有保護會有一定程度的刻蝕稱為側蝕，從左右兩側開始側蝕，柵極圖形變小，小于溝道的低溫多晶硅區(qū)，形成源區(qū)、漏區(qū)附近的一段沒有重摻雜的Los區(qū)域，阻抗很高，可以減小關態(tài)電流，但開態(tài)電流也跟著減小。14.正確答案:高分子PLED具有制備簡單、成本低廉以及聚合物薄膜能夠彎曲等特點，壽命已可達幾萬小時。但高分子聚合物的純度不易提高，在亮度和彩色方面不及小分子OLED。小分子OLED工藝較成熟，良率高，率先走在新一代顯示的前列。15.正確答案:16.正確答案:雙疇的FFS結構中，共用電極線在中間，把像素電極分成上下兩部分。條形電極的方向不同，分別與信號線成一定的角度。表面取向?qū)拥哪Σ练较?，平行信號線方向。不加電壓下，液晶分子沿摩擦方向排列。加電壓后，正性液晶分子平行電場方向排列。像素電極上部分的液晶分子順時針旋轉(zhuǎn)，像素電極下部分的液晶分子逆時針旋轉(zhuǎn)。兩個方向旋轉(zhuǎn)的液晶分子形成了兩個不同的疇。17.正確答案:優(yōu)點是：1）利用自對準技術減少了光刻次數(shù)，可以降低成本； 2）能夠有效避免柵源和柵漏的交疊面積，提高對準精度，減小寄生電容。18.正確答案:優(yōu)點：疊層存儲電容由垂直堆疊的兩個并聯(lián)存儲電容構成，電容量是具有同樣面積的傳統(tǒng)電容的兩倍，且存儲電容在薄膜晶體管的上面，不用單獨占用像素區(qū)域，開口率明顯增大。 工藝流程為：首先在襯底基板上制作上一層襯底薄膜，如15nm左右的SiO2。在SiO2上面生長一層非晶硅薄膜，通過晶化形成多晶硅薄膜。接著形成柵極絕緣層和柵極，然后進行摻雜。對溝道兩側進行n型重摻雜后，與中間接近本征區(qū)形成了n溝道的p-SiTFT。像素結構中的薄膜晶體管一般也是n溝道的p-SiTFT。遮擋住n溝道的p-SiTFT，對驅(qū)動電路部分的另一個薄膜晶體管進行p型重摻雜，與中間的接近本征區(qū)形成了p溝道的p-SiTFT，形成CMOS驅(qū)動電路。19.正確答案:有機材料在光的激發(fā)下，入射光的能量與分子軌道的某個能級差一致時，有機材料吸收入射光的能量，使基態(tài)電子激發(fā)到更高的激發(fā)態(tài)能級上去，形成電子和空穴對，產(chǎn)生激子。激子可以輻射復合和非輻射復合退激發(fā)會到基態(tài)。當吸收入射光能量產(chǎn)生的激子以輻射復合發(fā)出光的形式釋放能量的過程稱為光致發(fā)光，可以產(chǎn)生熒光和磷光的輻射復合，還有一部分能量以熱的形式釋放的非輻射復合。20.正確答案:當在金屬與半導體之間加電壓后，在金屬和半導體相對的兩個面上就被充電，帶上等量異號的電荷。兩者載流子密度不同，電荷分布情況亦不相同。在金屬中自由電子密度很高，電荷基本上分布在一個原子層的厚度范圍之內(nèi)；在半導體中自由載流子密度要低得多，電荷必定分布在一定厚度的表面層內(nèi)，這個帶電的表面層稱為空間電荷區(qū)。在空間電荷區(qū)內(nèi)的電場逐漸減弱，到空間電荷區(qū)的另一端電場減小到零?？臻g電荷區(qū)內(nèi)電荷的分布情況隨金屬與半導體間所加的柵極電壓而變化，基本上可分為積累、耗盡、反型三種情況。21.正確答案:TFT器件中主要的半導體現(xiàn)象是電導現(xiàn)象。 在電場的作用下載流子會定向地運動，導電能力由電導率決定。電導率反映半導體材料導電能力的物理量，又由載流子密度和遷移率來決定。非晶硅半導體材料沒有進行摻雜，載流子密度很低。因此，決定薄膜晶體管性質(zhì)的主要參數(shù)是遷移率。 從半導體的角度應該提高遷移率，降低載流子濃度，或者降低暗電導率。22.正確答案:電流復制型驅(qū)動原理可以分為兩步信號電流寫入和復制發(fā)光兩步，以p溝道TFT為例。信號電流寫入階段，信號線輸入信號電流，同時要將驅(qū)動管T4流過的信號電流相應的柵源電壓VGS，存儲在儲存電容里；重新復制一樣或成比例的電流流過OLED發(fā)光。電流鏡驅(qū)動原理也是分為兩個過程，信號電流寫入、復制發(fā)光。23.正確答案:在源漏電極濕法刻蝕完后，要進行溝道切斷。利用源漏電極作掩膜，把溝道上的n+a-Si切斷，防止溝道之間的短路。24.正確答案:由玻璃基板、陰極、柵極、陽極和在陽極表面涂布的熒光體組成，屬于一種三電極結構。陰極采用絲狀直熱式氧化物，用于發(fā)射電子。柵極采用網(wǎng)狀或者絲狀結構，通過調(diào)整柵極相對于陰極的電位，電子可以通過柵極向陽極運動。陽極表面涂有熒光粉層。當柵極的電位為正，電子向柵極運動，一部分電子穿過柵極，另一部分電子會被柵極攔截而變成柵流，一般要求這部分電流越小越好。當陽極電壓也同時為正時，穿過柵極的電子可以到達陽極，激發(fā)熒光體發(fā)光。因此，VFD需要柵極和陽極同時加正壓時才可以發(fā)光。25.正確答案:8次光刻的多晶硅薄膜晶體管增加了CMOS驅(qū)動電路部分由p溝道TFT和n溝道TFT的制作工藝。工藝流程： 柵極→有源島→n-區(qū)和n+區(qū)摻雜→p+區(qū)摻雜→過孔→源漏電極→鈍化層→ITO像素電極 5次光刻的非晶硅薄膜晶體管的工藝流程： 柵極→a-Si：H有源島→源漏電極、n+a-Si溝道切斷→SiNx保護膜、過孔→ITO像素電極26.正確答案:液晶中慢態(tài)離子在長時間高于50mV以上的直流驅(qū)動下，引起離子的產(chǎn)生和移動。離子可以聚在取向?qū)又校鹨粋€補償電壓，在施加的直流驅(qū)動去除后，離子導致的補償電壓還會持續(xù)很久，引起殘像。27.正確答案:1）電場不同，IPS技術中一個電極是金屬電極，另一個電極是ITO像素電極，電極間距大。在FFS技術中兩個電極都是透明的ITO電極，電極間距小； 2）存儲電容面積不同，IPS技術用ITO的像素電極和金屬材料為條形結構，存儲電容面積小。FFS技術第一層ITO的共用電極制作成矩形，第二層像素電極ITO制作成長條形，存儲電容面積大。28.正確答案:29.正確答案:細長棒狀液晶根據(jù)液晶相分為：向列相、近晶相、膽甾相。30.正確答案:通過改變設計方案和工藝能力，縮小柵線、信號線寬度和TFT等大小可以提高開口率，但是提高程度有限。另外，通過改變線間距提高開口率的措施也是非常有效的，常用的有兩種，一種是BMonArray設計，另一種是有機膜絕緣層設計。 以BMonArray設計為例。BMonArray設計中，陣列基板在制作薄膜晶體管陣列之前，先制作一層黑矩陣，光刻出黑矩陣圖形正好可以遮擋住線間距，接著沉積一層隔離層。再按照正常工藝制作薄膜晶體管陣列。因為線間距被陣列基板上的黑矩陣遮擋住了，陣列基板和彩膜基板對盒時在像素電極上不用再交疊，開口率明顯提高。31.正確答案:場發(fā)射在空間上的均勻性和時間上的穩(wěn)定性方面較差，這是由發(fā)射原理決定的。在場發(fā)射中，為了產(chǎn)生有效發(fā)射，發(fā)射體表面電場非常強，不可能實現(xiàn)完全的空間電荷限制。發(fā)射電流不僅與陽極或柵極電壓有關，而且與發(fā)射體參數(shù)有關。微尖場發(fā)射過程中受表面形態(tài)變化、離子轟擊、氣體吸附等多種因素影響，造成發(fā)射電流起伏不定。 如果沒有自動反饋控制，場發(fā)射陰極很難正常工作。提高發(fā)射均勻性和穩(wěn)定性的一個常用方法是增加串聯(lián)電阻，其作用為： （1）限流作用。當個別發(fā)射體發(fā)射過大時，由于電阻的分壓作用使電流受限，從而均衡了各發(fā)射體的發(fā)射能力； （2）當個別發(fā)射微尖與柵極發(fā)射短路時，電阻承受了電壓降，其他微尖仍能正常工作。由于微尖數(shù)量極大，個別微尖的損失影響不大。如果沒有串聯(lián)電阻，整個發(fā)射陣列就會失效。32.正確答案:1）第一次光刻柵線，工藝流程是：濺射前清洗→AlNd/Mo濺射→涂膠→曝光→顯影→顯影后檢查→濕法刻蝕→刻蝕后檢查→去膠→O/S檢查。 2）第二次光刻有源島，工藝流程是：成膜前清洗→3層CVD（SiNx，a-Si：H，n+a-Si）→3層后清洗→涂膠→曝光→顯影→顯影后檢查→干法刻蝕→刻蝕后檢查→去膠。 3）第三次光刻源漏電極，工藝流程是：濺射前清洗→MoAlMo濺射→MoAlMo后清洗→涂膠→曝光→顯影→顯影后檢查→MoAlMo濕刻→刻蝕后檢查→n+切斷PE刻蝕→刻蝕后檢查→去膠。 4）第四次鈍化層及過孔，工藝流程是：P-SiN前清洗→P-SiNCVD→涂膠→曝光→顯影→顯影后檢查→P-SiN?PE干法刻蝕→刻蝕后檢查→去膠。 5）第五次像素電極，工藝流程是：濺射前清洗→ITO濺射→ITO后清洗→涂膠→曝光→顯影→顯影后檢查→ITO濕刻→刻蝕后檢查→去膠→退火→陣列終檢→激光修復。 33.正確答案:1）液晶顯示器本身不能發(fā)光，是一種被動發(fā)光顯示器。 2）長條棒狀的向列相液晶，具有和晶體類似的雙折射現(xiàn)象； 3）當顯示不同灰階施加不同的電壓時，液晶分子的長軸方向與玻璃基板有不同的角度，不同方向看到的灰階不同； 4）入射的線偏振光，在扭曲的液晶分子作用下產(chǎn)生雙折射，導致通過液晶層的偏振光的光程差不同，引起不同程度的漏光； 5）存在不同程度的灰階逆轉(zhuǎn)現(xiàn)象。34.正確答案:面臨的問題：1）PDP顯示器中，存在等離子體對熒光粉的燒傷問題； 2）PDP顯示器中為防止像素間的放電干擾，必須采用障壁結構； 3）PDP的等離子體是在高壓下產(chǎn)生的，某些像素要獲得高亮度還需要更高的瞬時功率，成本高； 4）PDP顯示器的單元像素變小時，發(fā)光效率會降低，亮度也會下降。PDP的發(fā)光效率較CRT明顯低很多。 應用：只適用于比較大、清晰度較低的顯示器。35.正確答案:液晶顯示器利用紅、綠、藍三色彩膜的加法混色法獲得各種色彩。背光源的白光射入液晶層，通過不同程度地控制每個像素上液晶分子的扭曲，照射到彩膜上紅、綠、藍三基色染料的光不同程度地通過，形成不同顏色的光在人眼混合形成彩色圖像。36.正確答案:ITO的作用： 1）TFT處ITO，作像素電極用。與彩膜基板上的共用電極一起形成液晶像素的上下電極，控制液晶分子的旋轉(zhuǎn)實現(xiàn)顯示； 2）存儲電容上的ITO為存儲電容的另一個電極。與第一次光刻的金屬電極一起形成了存儲電容的上下電極，兩個電極之間的介質(zhì)層為絕緣層和鈍化層； 3）外引線處的ITO為柵線和信號線金屬的保護層。為防止金屬電極直接曝露在大氣下氧化，在外引線曝露金屬電極的部分覆蓋上ITO起到保護的作用。37.正確答案:1）更輕薄； 2）光衰期長； 3）效率高，耗電少； 4）色域廣； 5）環(huán)保。38.正確答案:向列相液晶由長徑比很大的棒狀分子組成。每一分子的位置雖無規(guī)則，但分子長軸基本保持平行，不能排列成層狀，可以上下、左右、前后滑動。各個分子容易順著長軸方向自由移動，粘度小，富于流動性。39.正確答案:n溝道2T1C驅(qū)動電路中，T2管的柵源電壓VGS由信號電壓和OLED電壓決定。該電路有兩個缺點： 1）一部分信號電壓施加到了OLED上，而不是全部施加到驅(qū)動TFT的柵極上。要獲得同p溝道相同的像素電流，需要更高的信號電壓； 2）驅(qū)動TFT的柵源電壓要受到OLED性質(zhì)的影響，可能會隨著制造工藝中OLED器件的不同而變化，也可能隨著OLED工作時間而變化。 a.Si：HTFT是n溝道的薄膜晶體管，不能制作出p溝道的TFT，要驅(qū)動OLED有一定的困難。而LPTSTFT可以制作成p溝道或者n溝道TFT，驅(qū)動OLED比較容易。底發(fā)射型OLED是傳統(tǒng)的結構，對OLED制備工藝的難度要求較低，OLED的性能好。40.正確答案:VA技術凸起物附近的液晶分子略有傾斜，分子狀態(tài)正好對稱。左右相鄰的液晶分子長軸方向分別指向不同的方向，分子狀態(tài)對稱。利用這種不同指向的液晶分子長軸方向來實現(xiàn)光學補償。41.正確答案:白色光LED背光源采用能發(fā)出白色光的LED光源代替原來的CCFL熒光管。結構與CCFL背光源基本一致，主要差別是CCFL是線光源，而LED是點光源。優(yōu)點是：結構簡單、亮度可動態(tài)調(diào)節(jié)、容易實現(xiàn)區(qū)域控制、對比度很高。由于白光LED不涉及背光源的調(diào)光，在電路結構方面要求不高。在成本上比RGB-LED背光源低。缺點是：在色彩顯示特性方面上不如RGB-LED電視，一般只能達到NTSC色域的70%左右。 RGB-LED背光源的優(yōu)點是： 1）高色彩表現(xiàn)力。采用RGB三原色獨立發(fā)光器件，能實現(xiàn)廣色域； 2）高動態(tài)對比度。RGB-LED電視可以支持背光區(qū)域調(diào)光技術，亮度調(diào)節(jié)更容易實現(xiàn)，對比度能夠達到千萬：1級，提高了電視的圖像質(zhì)量。RGB-LED背光源的缺點是：成本高；需要單獨的調(diào)光電路和更好的散熱結構；結構復雜，難以做到輕薄化。 從性能上比RGB三基色LED更有優(yōu)勢，從成本上比白光LED更有優(yōu)勢。42.正確答案:物理作用的刻蝕類似于濺射成膜的原理，利用惰性氣體的輝光放電產(chǎn)生帶正電的離子，在電場作用下加速吸引到下電極上面的基板上，轟擊刻蝕薄膜的表面，將薄膜原子轟擊出來的過程。常用的惰性氣體有氦氣（He）、氬氣（Ar）等。作用過程完全利用物理上能量的轉(zhuǎn)移進行的，具有很強的刻蝕方向性，可以獲得高的各向異性刻蝕斷面，線寬控制非常好。 化學作用的刻蝕是一種純粹的化學反應，利用各種源如射頻、微波等，將氣體電離產(chǎn)生化學活性極強的原子團、分子團等，擴散到刻蝕薄膜的表面與薄膜發(fā)生化學反應，生產(chǎn)易揮發(fā)的反應生成物，由真空泵抽離真空反應室。由于只有化學反應發(fā)生稱之為化學反應刻蝕，類似于濕法刻蝕。只是反應物和生成物都是氣態(tài)的，且由反應物的等離子體決定刻蝕速率。43.正確答案:在一定真空條件下，通過外加電、磁場的作用將惰性氣體電離，用加速的離子轟擊固體表面，離子和固體表面原子交換動量，使固體表面的原子離開固體并沉積在基板表面的過程。被轟擊的物體是用濺射薄膜的源材料組成的固體稱為靶材。 柵金屬材料有工藝穩(wěn)定性好的鉻Cr、鉬Mo、鉭Ta等；源漏材料有鉬/鋁/鉬Mo/Al/Mo、鉬氮/鋁鎳/鉬氮MoNx/AlNi/MoNx、鉬/鋁釹/鉬Mo/AlNd/Mo等三層材料；像素電極ITO薄膜材料都采用濺射方法成膜。44.正確答案:優(yōu)點是： 1）陰極可以采用蒸鍍的金屬電極，器件性能好； 2）工藝簡單，比較容易產(chǎn)業(yè)化。45.正確答案:常白模式液晶顯示器