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A.一個(gè)帶正電的點(diǎn)電荷形成

B.一個(gè)帶負(fù)電的點(diǎn)電荷形成

C.兩個(gè)分立的帶等量負(fù)電的點(diǎn)電荷形成

D.一帶負(fù)電的點(diǎn)電荷與帶正電的無(wú)限大平板形成答案:A9.2008年(上海卷物理)23.(12分)如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖。在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II,兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形(不計(jì)電子所受重力)。(1)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,求電子離開(kāi)ABCD區(qū)域的位置。(2)在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開(kāi),求所有釋放點(diǎn)的位置。(3)若將左側(cè)電場(chǎng)II整體水平向右移動(dòng)L/n(n≥1),仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(kāi)(D不隨電場(chǎng)移動(dòng)),求在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置。解析:(1)設(shè)電子的質(zhì)量為m,電量為e,電子在電場(chǎng)I中做勻加速直線運(yùn)動(dòng),出區(qū)域I時(shí)的為v0,此后電場(chǎng)II做類(lèi)平拋運(yùn)動(dòng),假設(shè)電子從CD邊射出,出射點(diǎn)縱坐標(biāo)為y,有解得y=,所以原假設(shè)成立,即電子離開(kāi)ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo)為(-2L,)(2)設(shè)釋放點(diǎn)在電場(chǎng)區(qū)域I中,其坐標(biāo)為(x,y),在電場(chǎng)I中電子被加速到v1,然后進(jìn)入電場(chǎng)II做類(lèi)平拋運(yùn)動(dòng),并從D點(diǎn)離開(kāi),有 解得xy=,即在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)滿足議程的點(diǎn)即為所求位置。(3)設(shè)電子從(x,y)點(diǎn)釋放,在電場(chǎng)I中加速到v2,進(jìn)入電場(chǎng)II后做類(lèi)平拋運(yùn)動(dòng),在高度為y′處離開(kāi)電場(chǎng)II時(shí)的情景與(2)中類(lèi)似,然后電子做勻速直線運(yùn)動(dòng),經(jīng)過(guò)D點(diǎn),則有 ,解得,即在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)滿足議程的點(diǎn)即為所求位置10.2008年(廣東卷物理)19.(16分)如圖16(a)所示,在光滑絕緣水平面的AB區(qū)域內(nèi)存在水平向左的電場(chǎng),電場(chǎng)強(qiáng)度E隨時(shí)間的變化如圖16(b)所示。不帶電的絕緣小球P2靜止在O點(diǎn)。t=0時(shí),帶正電的小球P1以速度v0從A點(diǎn)進(jìn)入AB區(qū)域。隨后與P2發(fā)生正碰后反彈,反彈速度是碰前的倍。P1的質(zhì)量為m1,帶電量為q,P2的質(zhì)量為m2=5m1,A、O間距為L(zhǎng)0,O、B間距為.已知,.(1)求碰撞后小球P1向左運(yùn)動(dòng)的最大距離及所需時(shí)間。(2)討論兩球能否在OB區(qū)間內(nèi)再次發(fā)生碰撞。解析:19.(1)P1經(jīng)t1時(shí)間與P2碰撞,則P1、P2碰撞,設(shè)碰后P2速度為v2,由動(dòng)量守恒:解得(水平向左)(水平向右)碰撞后小球P1向

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