姓名:_________________學(xué)號:_________________班級:_________________學(xué)校:_________________ 密封線 姓名:_________________學(xué)號:_________________班級:_________________學(xué)校:_________________ 密封線 密封線 高三下冊化學(xué)期末試卷題號一二三四五六閱卷人總分得分注意事項(xiàng):1.全卷采用機(jī)器閱卷，請考生注意書寫規(guī)范；考試時間為120分鐘。2.在作答前，考生請將自己的學(xué)校、姓名、班級、準(zhǔn)考證號涂寫在試卷和答題卡規(guī)定位置。

3.部分必須使用2B鉛筆填涂;非選擇題部分必須使用黑色簽字筆書寫，字體工整，筆跡清楚。

4.請按照題號在答題卡上與題目對應(yīng)的答題區(qū)域內(nèi)規(guī)范作答，超出答題區(qū)域書寫的答案無效:在草稿紙、試卷上答題無效。A卷（第I卷）(滿分:100分時間:120分鐘)一、單選題(下列各題的四個選項(xiàng)中，只有一個是符合題意的答案。)

1、化學(xué)和生活、生產(chǎn)密切相關(guān)。下列說法錯誤的是A．“碳中和”是指一定時期內(nèi)，二氧化碳排放量與吸收量相平衡的狀態(tài)，植樹造林捕獲和儲存大氣中的CO2的過程中涉及了氧化還原反應(yīng)B．冬奧會火炬名稱為“飛揚(yáng)”，其外殼含碳纖維，碳纖維為新型無機(jī)非金屬材料C．石墨晶體中存在范德華力，常用作潤滑劑D．75%的醫(yī)用酒精和84消毒液均可將新冠病毒氧化而達(dá)到消毒的目的

3、為防止水體富營養(yǎng)化，常用除去水體中過量氨氮(以表示)，氣體產(chǎn)物為。設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列有關(guān)敘述正確的是A．所含電子數(shù)均為B．的溶液中數(shù)目為C．反應(yīng)消耗，水體將增加個D．除氨氮過程中，當(dāng)生成時轉(zhuǎn)移電子數(shù)為

4、已知短周期元素M、N、P、Q最高價氧化物對應(yīng)水化物分別為X、Y、Z、W，M是短周期中原子半徑最大的元素，常溫下X、Z、W均可與Y反應(yīng)，M、P、Q的原子序數(shù)及0.1mol/LX、Z、W溶液的pH如圖所示。下列說法正確的是（

）

A．N原子的電子層數(shù)與最外層電子數(shù)相等B．M的離子半徑小于N的離子半徑C．P氫化物穩(wěn)定性大于Q氫化物穩(wěn)定性D．X、W兩物質(zhì)含有的化學(xué)鍵類型相同

5、下列有關(guān)敘述錯誤的是A．利用手性催化劑合成可只得到一種或主要得到一種手性分子B．氫鍵是一種特殊化學(xué)鍵，它廣泛地存在于自然界中C．互為手性異構(gòu)體的分子互為鏡像，且分子組成相同，性質(zhì)相似D．由酸性FCH2COOH>CH3COOH，可知酸性ClCH2COOH>CH3COOH

6、下列關(guān)于各實(shí)驗(yàn)裝置與對應(yīng)現(xiàn)象或結(jié)論的敘述均正確的是

A．裝置①：可用于分餾石油，在錐形瓶中能得到純凈物B．裝置②：可用于吸收NH3或HCl氣體，并防止倒吸C．裝置③：如果“a進(jìn)b出”可用于收集NO2，如果“b進(jìn)a出”可用于收集NH3D．裝置④：持續(xù)通入CO2氣體，現(xiàn)象是先出現(xiàn)白色沉淀，后變澄清

7、鈣元素的儲備是鋰的2500倍，能提供二電子反應(yīng)且動力學(xué)性能優(yōu)異。一項(xiàng)新研究構(gòu)建的新型鈣離子混合儲能器件如圖所示。在充電過程中，石墨電極發(fā)生陰離子插層反應(yīng)，鈣與錫電極形成合金，放電過程則相反。下列說法錯誤的是

A．放電時，和Ca2+分別從電極中脫出擴(kuò)散回電解質(zhì)B．放電時，負(fù)極的電極反應(yīng)為Ca7Sn6-14e-=6Sn+7Ca2+C．充電時，若與x相連極板增重1.6g轉(zhuǎn)移電子0.08molD．充電時，y與電源負(fù)極相連

7、常溫下，下列有關(guān)敘述不正確的是（

）A．若NH4Cl溶液的pH=6，則c(Cl-)—c(NH4+)=9.9×10-7mol/LB．CH3COONa和CaCl2混合溶液中：c(Na+)+c(Ca2+)=c(CH3COO－)+c(CH3COOH)+2c(Cl－)C．已知H2A的Ka1=4.17×10-7，Ka2=4.9×10-11，則NaHA溶液呈堿性D．常溫下pH相同的①NH4Cl②NH4Al(SO4)2③(NH4)2SO4三種溶液中c(NH4+)：①=③>②二、試驗(yàn)題

8、常溫下將Cl2緩慢通入水中至飽和，然后改向其中滴加濃NaOH溶液至恰好完全反應(yīng)。上述整個實(shí)驗(yàn)過程中溶液的pH變化曲線如圖所示(不考慮次氯酸的分解以及溶液體積的變化)。

(1)氯原子最外層的軌道表示式是_______；次氯酸的電子式是_______。

(2)b點(diǎn)對應(yīng)的溶液中存在多個平衡，含氯元素的平衡是_______、_______。

(3)寫出c點(diǎn)對應(yīng)溶液中：c(Na+)_______c(Cl-)+c(ClO-)(填>、＜或=，下同)。比較c(Cl-)：b點(diǎn)_______c點(diǎn)。

(4)已知HClO的殺菌能力比ClO-強(qiáng)，氯水處理飲用水時，在夏季的殺菌效果比在冬季差，可能原因是_______。氯可形成多種含氧酸鹽，廣泛應(yīng)用于殺菌、消毒及化工領(lǐng)域。實(shí)驗(yàn)室中利用下圖裝置(部分裝置省略)制備KClO3和NaClO，探究其氧化還原性質(zhì)。

(5)a中的試劑為_______。

(6)推測b中化學(xué)反應(yīng)的離子方程式是_______。

(7)取少量KClO3和NaClO溶液分別置于1號和2號試管中，再分別滴加中性KI溶液。1號試管溶液顏色不變，2號試管溶液變?yōu)樽攸S色，加入苯后振蕩，靜置后的現(xiàn)象是_______，可知該條件下KClO3的氧化能力_______NaClO(填“大于”或“小于”)。三、工藝流程題

9、鎳及其化合物在工業(yè)上有廣泛用途，以某地紅土鎳礦(主要成分NiO、MgO、Al2O3、SiO2和鐵的氧化物為原料，采用酸溶法制取硫酸鎳和MgSO4●7H2O，工業(yè)流程如圖所示。

已知：①常溫下，NiSO4易溶于水，Ni(OH)2和NiOOH不溶于水，已知Ksp[Ni(OH)2]=1.0×10-15。

②在上述流程中，某些金屬離子開始沉淀和沉淀完全時的pH如下：沉淀物Ni(OH)2Fe(OH)2Fe(OH)3Al(OH)3Mg(OH)2開始沉淀時的pH7.17.62.73.49.2沉淀完全(c=1x10-5)時的pH9.09.63.24.711.1

回答下列問題：

(1)“浸取”時需將礦樣研磨的目的是___________，“濾渣1”的成分___________(填化學(xué)式)。

(2)濾液1中加入H2O2的作用___________(用反應(yīng)離子方程式表示)。

(3)操作II為達(dá)到實(shí)驗(yàn)?zāi)康?，由表中的?shù)據(jù)判斷通入NH3調(diào)節(jié)溶液pH的范圍是___________

(4)“濾液1”中是否存在Fe3+，可用___________(填試劑名稱)檢驗(yàn)，檢驗(yàn)存在Fe3+的實(shí)驗(yàn)方法是___________。

(5)“沉鎳”中pH調(diào)為8.5，則濾液中Ni2+的濃度為___________mol·L-1

(6)操作V是___________、過濾、洗滌。

(7)NiSO4在堿性溶液中用NaClO氧化，可制得堿性鎳鎘電池電極材料NiOOH，該反應(yīng)的離子方程式___________。四、原理綜合題

10、以黃鐵礦(主要成分為FeS2)為原料生產(chǎn)硫酸時，應(yīng)資源化綜合利用產(chǎn)出的爐渣(主要含F(xiàn)e2O3)和尾氣，減輕對環(huán)境的污染。回答下列問題：

(1)FeS2焙燒產(chǎn)生的SO2可用于制硫酸。

反應(yīng)Ⅰ：2SO2(g)+O2(g)2SO3(g)ΔH1=-196kJ/mol；

反應(yīng)Ⅱ：H2O(g)=H2O(l)ΔH2=-44kJ/mol；

反應(yīng)Ⅲ：2SO2(g)+O2(g)+2H2O(g)=2H2SO4(l)ΔH3=-545kJ/mol

則SO3(g)與H2O(l)反應(yīng)生成H2SO4(l)的熱化學(xué)方程式是_______。

(2)二氧化硫的催化氧化是工業(yè)上生產(chǎn)硫酸的主要反應(yīng)。

①在密閉容器中反應(yīng)：2SO2(g)+O2(g)2SO3(g)達(dá)到平衡時，由于條件改變而引起反應(yīng)速率和化學(xué)平衡的變化情況如圖所示，a→b過程中改變的條件可能是_______；b→c過程中改變的條件可能是_______。

②當(dāng)SO2、O2、N2(不參與反應(yīng))起始的物質(zhì)的量分?jǐn)?shù)分別為10%、15%和75%時，在0.5MPa、2.5MPa和5.0MPa下，SO2的平衡轉(zhuǎn)化率α隨溫度的變化如圖所示。反應(yīng)在0.5MPa、550℃時的α=_______，判斷的依據(jù)是_______。

③將起始的物質(zhì)的量分?jǐn)?shù)分別為10%、15%和75%的SO2、O2、N2(不參與反應(yīng))通入反應(yīng)器中，在恒溫T、恒壓p條件下進(jìn)行反應(yīng)。平衡時，若SO2的轉(zhuǎn)化率為α1，則SO3的分壓為_______，用p(SO2)、p(SO3)、p(O2)表示各氣體的分壓，用分壓代替濃度，則平衡常數(shù)Kp的表達(dá)式為_______。

(3)高爐煉鐵的尾氣中通常含有較多的SO2氣體。為減少污染，分離并回收氣體，工業(yè)上用堿性工業(yè)廢渣吸收SO2氣體，脫硫效率與溫度和尾氣中SO2的質(zhì)量濃度的關(guān)系如圖所示。依據(jù)圖中數(shù)據(jù)分析，脫硫最合適的溫度是_______℃；在上述溫度下，選擇合適的質(zhì)量濃度，經(jīng)測定40min內(nèi)共處理10m3廢氣，則40min內(nèi)平均脫硫速率為_______mg/min。

11、芯片作為科技產(chǎn)業(yè)，以及信息化、數(shù)字化的基礎(chǔ)，自誕生以來，就一直倍受關(guān)注，也一直蓬勃發(fā)展。芯片制造會經(jīng)過六個最為關(guān)鍵的步驟：沉積、光刻膠涂覆、光刻、刻蝕、離子注入和封裝。

(1)“沉積”是將導(dǎo)體、絕緣體或半導(dǎo)體材料薄膜沉積到純硅晶圓上。GaN、GaAs是制造芯片的新型半導(dǎo)體材料。

①鎵為第四周期元素，基態(tài)Ga原子的核外電子排布為：_______；

②GaN、GaP、GaAs的結(jié)構(gòu)類似于金剛石，熔點(diǎn)如表所示：試分析三者熔點(diǎn)變化的原因_______。物質(zhì)GaNGaPGaAs熔點(diǎn)/°C170014801238③將Mn摻雜到GaAs的晶體中替換部分Ga得到稀磁性半導(dǎo)體材料，晶體結(jié)構(gòu)如下甲圖。

圖中a、b的坐標(biāo)為(0、0、0)，(1、1、0)，則c點(diǎn)Mn的原子坐標(biāo)為_______，摻雜Mn之后，晶體中Mn、Ga、As的原子個數(shù)比為_______。

(2)“光刻膠涂覆”中用到一種701紫外正型光刻膠，結(jié)構(gòu)如上圖乙所示，其S的雜化方式為_______。

(3)“光刻”時，紫外負(fù)型光刻膠常含有-N3(疊氮基)，在紫外光下形成的陰離子的等電子體有______(填化學(xué)式，任寫一種)，其空間構(gòu)型為_______。

(4)“刻蝕”過程可能用到刻蝕劑HF，NH4BF4及清洗劑CH3CH(OH)CH3，三種物質(zhì)中除H外的各元素的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)開______，HF分子的極性_______(填“大于”等于”或“小于”)HCl，1mol氟硼酸銨NH4BF4中含有_______mol配位鍵。

(5)一種Ag2HgI4固體導(dǎo)電材料為四方晶系，其晶胞參數(shù)為apm、apm和2apm，晶胞沿x、y、z的方向投影(如圖所示)，A、B、C表示三種不同原子的投影。其中代表Hg原子是_______“A”、“B”、“C”)。設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，Ag2HgI4的摩爾質(zhì)量為Mg·mol-1，該晶體的密_______g·cm-3(用代數(shù)式表示)。

12、有機(jī)物M是一種制備液晶材料的重要中間體，其合成路線如圖：

已知：I．(格林試劑)

、Br、I

Ⅱ．

Ⅲ．

(1)合成高強(qiáng)度液晶纖維已廣泛應(yīng)用于制造__________(填兩種)。

(2)A→B的反應(yīng)方程式為__________。

(3)反應(yīng)中使用三甲基氯硅烷()的作用是__________，在本流程中起類似作用的有機(jī)物還有__________(填名稱)。

(4)L中的官能團(tuán)有_____