CVD

晶圓制造廠非常昂貴的因素之一，是需要一種無塵室，為什么需要無塵室

答：由于微小的粒子就能引發(fā)電子組件及電路的缺點

何謂半導(dǎo)體

答：半導(dǎo)體材料的電傳特性介于良導(dǎo)體如金屬(銅、鋁，以及鎢等)和絕緣和橡膠、塑料及干木頭之間。最慣用的半導(dǎo)體材料是硅及鍺。半導(dǎo)體最重要的性質(zhì)之一就是能夠藉由一種叫做摻雜的環(huán)節(jié)刻意參加某種雜質(zhì)并應(yīng)用電場來控制其之導(dǎo)電性。

慣用的半導(dǎo)體材料為什么

答：硅(Si)、鍺(Ge)和砷化家(AsGa)

何謂VLSI

答：VLSI(VeryLargeScaleIntegration)超大規(guī)模集成電路

在半導(dǎo)體工業(yè)中，作為絕緣層材料普通稱什幺

答：介電質(zhì)(Dielectric)

薄膜區(qū)機臺重要的功效為什么

答：沉積介電質(zhì)層及金屬層

何謂CVD(ChemicalVaporDep.)

答：CVD是一種運用氣態(tài)的化學(xué)源材料在晶圓外表產(chǎn)生化學(xué)沉積的制程

CVD分那幾個

答：PE-CVD(電漿增強型)及Thermal-CVD(熱耦式)

為什幺要用鋁銅(AlCu)合金作導(dǎo)線

答：良好的導(dǎo)體僅次于銅

介電材料的作用為什么

答：做為金屬層之間的隔離

何謂PMD(Pre-MetalDielectric)

答：稱為金屬沉積前的介電質(zhì)層，其界于多晶硅及第一種金屬層的介電質(zhì)

何謂IMD(Inter-MetalDielectric)

答：金屬層間介電質(zhì)層。

何謂USG

答：未摻雜的硅玻璃(UndopedSilicateGlass)

何謂FSG

答：摻雜氟的硅玻璃(FluorinatedSilicateGlass)

何謂BPSG

答：摻雜硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicateglass)

何謂TEOS

答：Tetraethoxysilane用途為沉積二氧化硅

TEOS在常溫時是以何種形態(tài)存在

答：液體

氟在CVD的工藝上，有何應(yīng)用

答：作為清潔反響室(Chamber)用之化學(xué)氣體

簡述Endpointdetector之作用原理.

答：clean制程時,運用生成物或反響物濃度的變化,因其特定波長光線被detector偵測到強度變強或變?nèi)?當(dāng)超出某一設(shè)定強度時,即定義制程完畢而該點為endpoint.

機臺使用的管件材料重要有那些

答：有不銹鋼制(StainlessSteal),黃銅制(Brass),塑膠制(PVC),特氟隆制(Teflon)四種.

機器維修時要放置停機維修通告牌目的為什么

答：告知全部的人勿操作機臺，避免危險

機臺維修最少兩人配合，有何目的

答：協(xié)助拆卸重物，并隨時戒備可能的意外發(fā)生

更換過任何氣體管路上的零件之后，一定要做何動作

答：用氦氣測漏機來做測漏

維修尚未降至室溫之反響室(Chamber)，應(yīng)配帶何種手套

答：石棉材質(zhì)之防熱手套并宜在80攝式度下始可動作

何為真空(Vacuum)半導(dǎo)體業(yè)慣用真空單位是什幺

答：半導(dǎo)體業(yè)普通用Torr作為真空的壓力單位,一大氣壓相稱760Torr,低于760Torr壓力的環(huán)境稱為真空.

真空Pump的作用？

答：減少反響室(Chamber)內(nèi)的氣體密度和壓力

何謂內(nèi)部連鎖(Interlock)

答：機臺上interlock有些屬于保護操作人員的平安,有些屬于水電氣等規(guī)格訊號,用以保護機臺.

機臺設(shè)定許多interlock有何作用

答：機臺上interlock重要避免人員操作錯誤及避免不有關(guān)人員動作.

WaferScrubber的功效為什么

答：移除芯片外表的污染粒子

ETCH

何謂蝕刻(Etch)

答：將形成在晶圓外表上的薄膜全部，或特定處所去除至必要厚度的制程。

蝕刻種類:

答：(1)干蝕刻(2)濕蝕刻

蝕刻對象依薄膜種類可分為:

答：poly,oxide,metal

半導(dǎo)體中普通金屬導(dǎo)線材質(zhì)為什么

答：鵭線(W)/鋁線(Al)/銅線(Cu)

何謂dielectric蝕刻(介電質(zhì)蝕刻)

答：Oxideetchandnitrideetch

半導(dǎo)體中普通介電質(zhì)材質(zhì)為什么

答：氧化硅/氮化硅

何謂濕式蝕刻

答：運用液相的酸液或溶劑;將不要的薄膜去除

何謂電漿Plasma

答：電漿是物質(zhì)的第四狀態(tài).帶有正,負(fù)電荷及中性粒子之總和;其中包含電子,正離子,負(fù)離子,中性分子,活性基及發(fā)散光子等,產(chǎn)生電漿的辦法可使用高溫或高電壓.

何謂干式蝕刻

答：運用plasma將不要的薄膜去除

何謂Under-etching(蝕刻缺少)

答：系指被蝕刻材料，在被蝕刻途中停止造成應(yīng)被去除的薄膜仍有殘留

何謂Over-etching(過蝕刻)

答：蝕刻過多造成底層被破壞

何謂Etchrate(蝕刻速率)

答：單位時間內(nèi)可去除的蝕刻材料厚度或深度

何謂Seasoning(陳化解決)

答：是在蝕刻室的清凈或更換零件后，為要穩(wěn)定制程條件，使用仿真〔dummy〕晶圓進展多次的蝕刻循環(huán)。

Asher的重要用途:

答：光阻去除

Wetbenchdryer功用為什么

答：將晶圓外表的水份去除

列舉現(xiàn)在Wetbenchdry辦法:

答：(1)SpinDryer(2)Marangonidry(3)IPAVaporDry

何謂SpinDryer

答：運用離心力將晶圓外表的水份去除

何謂MaragoniDryer

答：運用外表張力將晶圓外表的水份去除

何謂IPAVaporDryer

答：運用IPA(異丙醇)和水共溶原理將晶圓外表的水份去除

測Particle時,使用何種測量儀器

答：TencorSurfscan

測蝕刻速率時,使用何者量測儀器

答：膜厚計,測量膜厚差值

何謂AEI

答：AfterEtchingInspection蝕刻后的檢查

AEI目檢Wafer須檢查哪些工程:

答：(1)正面顏色與否異常及刮傷(2)有無缺角及Particle(3)刻號與否對的

金屬蝕刻機臺轉(zhuǎn)非金屬蝕刻機臺時應(yīng)如何解決

答：清機避免金屬污染問題

金屬蝕刻機臺Asher的功用為什么

答：去光阻及避免腐蝕

金屬蝕刻后為什么不可使用普通硫酸槽進展清洗

答：由于金屬線會溶于硫酸中

"HotPlate"機臺是什幺用途

答：烘烤

HotPlate烘烤溫度為什么

答：90~120度C

何種氣體為PolyETCH重要使用氣體

答：Cl2,HBr,HCl

用于Al金屬蝕刻的重要氣體為

答：Cl2,BCl3

用于W金屬蝕刻的重要氣體為

答：SF6

何種氣體為oxidevai/contactETCH重要使用氣體

答：C4F8,C5F8,C4F6

硫酸槽的化學(xué)成分為:

答：H2SO4/H2O2

AMP槽的化學(xué)成分為:

答：NH4OH/H2O2/H2O

UVcuring是什幺用途

答：運用UV光對光阻進展預(yù)解決以加強光阻的強度

"UVcuring"用于何種層次

答：金屬層

何謂EMO

答：機臺緊急開關(guān)

EMO作用為什么

答：當(dāng)機臺有危險發(fā)生之顧慮或已不可控制,可緊急按下

濕式蝕刻門上貼有那些警示標(biāo)示

答：(1)警告.內(nèi)部有嚴(yán)重危險.嚴(yán)禁翻開此門(2)機械手臂危險.嚴(yán)禁翻開此門(3)化學(xué)藥劑危險.嚴(yán)禁翻開此門

遇化學(xué)溶液泄漏時應(yīng)如何處置

答：嚴(yán)禁以手去測試漏出之液體.應(yīng)以酸堿試紙測試.并尋找泄漏管路.

遇IPA槽著火時應(yīng)如何處置

答：立刻關(guān)閉IPA輸送管路并以機臺之滅火器滅火及告知緊急應(yīng)變小組

BOE槽之主成分為什么

答：HF(氫氟酸)及NH4F(氟化銨).

BOE為那三個英文字縮寫

答：BufferedOxideEtcher。

有毒氣體之閥柜(VMB)功用為什么

答：當(dāng)有毒氣體外泄時可運用抽氣裝置抽走,并避免有毒氣體漏出

電漿的頻率普通13.56MHz,為什么不用其它頻率

何謂ESC(electricalstaticchuck)

答：運用靜電吸附的原理,將Wafer固定在極板(Substrate)上

Asher重要氣體為

答：O2

Asher機臺進展蝕刻最核心之參數(shù)為什么

答：溫度

簡述TURBOPUMP原理

答：運用渦輪原理,可將壓力抽至10-6TORR

熱交換器(HEATEXCHANGER)之功用為什么？

答：將熱能經(jīng)由介媒傳輸,以達到溫度控制之目地

簡述BACKSIDEHELIUMCOOLING之原理？

答：藉由氦氣之良好之熱傳導(dǎo)特性,能將芯片上之溫度均勻化

ORIENTER之用途為什么？

答：搜尋notch邊,使芯片進反響腔的位置都固定,可追蹤問題

簡述EPD之功用

答：偵測蝕刻終點;Endpointdetector運用波長偵測蝕刻終點

何謂MFC？

答：massflowcontroler氣體流量控制器;用于控制反響氣體的流量

GDP為什么

答：氣體分派盤(gasdistributionplate)

GDP有何作用？

答：均勻地將氣體分布于芯片上方

何謂isotropicetch

答：等向性蝕刻;側(cè)壁側(cè)向蝕刻的機率均等

何謂anisotropicetch

答：非等向性蝕刻;側(cè)壁側(cè)向蝕刻的機率少

何謂etch選擇比

答：不同材質(zhì)之蝕刻率比值

何謂AEICD

答：蝕刻后特定圖形尺寸之大小,特性尺寸(CriticalDimension)

何謂CDbias

答：蝕刻CD減蝕刻前黃光CD

簡述何謂田口式實驗方案法

答：運用混合變因安排輔以統(tǒng)計歸納分析

何謂反射功率

答：蝕刻過程中,所施予之功率并不會完全地被反響腔內(nèi)接受端所承受,會有部份值反射掉,此反射之量,稱為反射功率

LoadLock之功效為什么

答：Wafers經(jīng)由loadlock后再進出反響腔,確保反響腔維持在真空下不受粉塵及濕度的影響.

廠務(wù)供氣系統(tǒng)中何謂BulkGas

答：BulkGas為大氣中普遍存在之制程氣體,如N2,O2,Ar等.

廠務(wù)供氣系統(tǒng)中何謂InertGas

答：InertGas為某些特殊無強烈毒性的氣體,如NH3,CF4,CHF3,SF6等.

廠務(wù)供氣系統(tǒng)中何謂ToxicGas

答：ToxicGas為含有強烈危害人體的毒性氣體,如SiH4,Cl2,BCl3等.

機臺維修時,異常通告排及機臺控制權(quán)應(yīng)如何解決

答：將通告牌切至異常且將機臺控制權(quán)移至維修區(qū)以防有人誤動作

冷卻器的冷卻液為什么功用

答：傳導(dǎo)熱

Etch之廢氣有經(jīng)何種方式解決

答：運用水循環(huán)將廢氣溶解之后排放至廢酸槽

何謂RPM

答：即RemotePowerModule,系統(tǒng)總電源箱.

火災(zāi)異常解決程序

答：(1)立刻警告周邊人員.(2)嘗試3秒鐘滅火.(3)按下EMO停止機臺.(4)關(guān)閉VMBValve并告知廠務(wù).(5)撤離.

一氧化碳(CO)偵測器警報異常解決程序

答：(1)警告周邊人員.(2)按Pause鍵,暫止Run貨.(3)立刻關(guān)閉VMB閥,并告知廠務(wù).(4)進展測漏.

高壓電擊異常解決程序

答：(1)確認(rèn)平安無慮下,按EMO鍵(2)確認(rèn)受傷因素(誤觸電源,漏水等)(3)解決受傷人員

T/C(傳送TransferChamber)之功效為什么

答：提供一種真空環(huán)境,以利機器手臂在反響腔及晶舟間傳送Wafer,節(jié)省時間.

機臺PM時需佩帶面具否

答：是,防毒面具

機臺停滯時間過久run貨前需做何動作

答：Seasoning(陳化解決)

何謂日常測機

答：機臺日常檢點工程,以確認(rèn)機臺狀況正常

何謂WAC(WaferlessAutoClean)

答：無wafer自動干蝕刻清機

何謂DryClean

答：干蝕刻清機

日常測機量測etchrate之目的何在

答：由于要蝕刻到多少厚度的film,其中一種重要參數(shù)就是蝕刻率

操作酸堿溶液時,應(yīng)如何做好平安方法

答：(1)穿戴防酸堿手套圍裙平安眼鏡或護目鏡(2)操作區(qū)備有清水及水管以備不時之需(3)操作區(qū)備有吸酸棉及隔離帶

如何讓chamber達到設(shè)定的溫度

答：使用heater和chiller

Chiller之功效為什么

答：用以協(xié)助穩(wěn)定chamber溫度

如何在chamber建立真空

答：(1)首先確立chamberparts組裝完整(2)以drypump作第一階段的真空建立(3)當(dāng)圧力達到100mTＤ寺再以turbopump抽真空至1mT下列

真空計的功效為什么

答：偵測chamber的壓力,確保wafer在一定的壓力下process

Transfermodule之robot功用為什么

答：將wafer傳進chamber及傳出chamber之用

何謂MTBC(meantimebetweenclean)

答：上一次wetclean到這次wetclean所通過的時間

RFGenerator與否需要定時檢查

答：是需要定時校驗;假設(shè)未校正功率有可能會變化;如此將影響電漿的構(gòu)成

為什么需要對etchchamber溫度做監(jiān)控

答：由于溫度會影響制程條件;如etchingrate/均勻度

為什么需要注意drypumpexhaustpresure(pump出口端的氣壓)

答：由于氣壓假設(shè)太大會造成pump負(fù)荷過大;造成pump跳掉,影響chamber的壓力,直接影響到run貨品質(zhì)

為什么要做漏率測試(Leakrate)

答：(1)在PM后PUMPDown1~2小時后;為確保chamberRun貨時,無大氣進入chamble影響chamberGAS成分(2)在日常測試時,為確保chamber內(nèi)來自大氣的泄漏源,故需測漏

機臺發(fā)生Alarm時應(yīng)如何解決

答：(1)假設(shè)為火警,立刻圧下EMO(緊急按鈕),并滅火且告知有關(guān)人員及主管(2)假設(shè)是普通異常,請先檢查alarm訊息再鑒定異常因素,進而解決問題,假設(shè)未能解決應(yīng)立刻告知重要負(fù)責(zé)人

蝕刻機臺廢氣排放分為那幾類

答：普通無毒性廢氣/有毒酸性廢氣排放

蝕刻機臺使用的電源為多少伏特(v)

答：208V三相

干式蝕刻機臺分為那幾個部份

答：(1)Load/Unload端(2)transfermodule(3)Chamberprocessmodule(4)真空系統(tǒng)(5)GASsystem(6)RFsystemPHOTO

PHOTO流程

答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測

何為光阻？其功效為什么？其分為哪兩種？

答：Photoresist(光阻).是一種感光的物質(zhì)，其作用是將Pattern從光罩(Reticle)上傳遞到Wafer上的一種介質(zhì)。其分為正光阻和負(fù)光阻。

何為正光阻

答：正光阻，是光阻的一種，這種光阻的特性是將其曝光之后，感光局部的性質(zhì)會變化，并在之后的顯影過程中被曝光的局部被去除。

何為負(fù)光阻

答：負(fù)光阻也是光阻的一種類型，將其曝光之后，感光局部的性質(zhì)被變化，但是這種光阻的特性及正光阻的特性剛好相反，其感光局部在將來的顯影過程中會被留下，而沒有被感光的局部那么被顯影過程去除。

什幺是曝光？什幺是顯影？

答：曝光就是通過光照射光阻，使其感光；顯影就是將曝光完畢后的圖形解決，以將圖形清晰的顯現(xiàn)出來的過程。

何謂Photo

答：Photo=Photolithgraphy,光刻，將圖形從光罩上成象到光阻上的過程。

Photo重要流程為什么

答：Photo的流程分為前解決，上光阻，SoftBake,曝光，PEB，顯影，HardBake等。

何謂PHOTO區(qū)之前解決

答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先對Wafer外表進展一系列的解決工作，以使光阻能在背面的涂布過程中能夠被更可靠的涂布。前解決重要涉及Bake，HDMS等過程。其中通過Bake將Wafer外表吸取的水分去除，然后進展HDMS工作，以使Wafer外表更容易及光阻結(jié)合。

何謂上光阻

答：上光阻是為了在Wafer外表得到厚度均勻的光阻薄膜。光阻通過噴嘴〔Nozzle〕被噴涂在高速旋轉(zhuǎn)的Wafer外表，并在離心力的作用下被均勻的涂布在Wafer的外表。

何謂SoftBake

答：上完光阻之后，要進展SoftBake，其重要目的是通過SoftBake將光阻中的溶劑蒸發(fā)，并控制光阻的敏感度和將來的線寬，同時也將光阻中的剩余內(nèi)應(yīng)力釋放。

何謂曝光

答：曝光是將涂布在Wafer外表的光阻感光的過程，同時將光罩上的圖形傳遞到Wafer上的過程。

何謂PEB(PostExposureBake)

答：PEB是在曝光完畢后對光阻進展控制精細(xì)的Bake的過程。其目的在于使被曝光的光阻進展充足的化學(xué)反響，以使被曝光的圖形均勻化。

何謂顯影

答：顯影類似于洗照片，是將曝光完畢的Wafer進展成象的過程，通過這個過程，成象在光阻上的圖形被顯現(xiàn)出來。

何謂HardBake

答：HardBake是通過烘烤使顯影完畢后殘留在Wafer上的顯影液蒸發(fā)，并且固化顯影完畢之后的光阻的圖形的過程。

何為BARC何為TARC它們分別的作用是什幺？

答：BARC=BottomAntiReflectiveCoating,TARC=TopAntiReflectiveCoating.BARC是被涂布在光阻下面的一層減少光的反射的物質(zhì)，TARC那么是被涂布在光阻上外表的一層減少光的反射的物質(zhì)。他們的作用分別是減少曝光過程中光在光阻的上下外表的反射，以使曝光的大局部能量都被光阻吸取。

何謂I-line？

答：曝光過程中用到的光，由MercuryLamp(汞燈)產(chǎn)生，其波長為365nm，其波長較長，因此曝光完畢后圖形的分辨率較差，可應(yīng)用在次重要的層次。

何謂DUV？

答：曝光過程中用到的光，其波長為248nm，其波長較短，因此曝光完畢后的圖形分辨率較好，用于較為重要的制程中。

I-line及DUV重要不同處為什么

答：光源不同，波長不同，因此應(yīng)用的場合也不同。I-Line重要用在較落后的制程〔0.35微米以上〕或者較先進制程〔0.35微米下列〕的Non-Criticallayer。DUV那么用在先進制程的Criticallayer上。

何為ExposureField

答：曝光區(qū)域，一次曝光所能覆蓋的區(qū)域

何謂Stepper其功效為什么

答：一種曝光機，其曝光動作為Stepbystep形式,一次曝整個exposurefield,一個一個曝過去

何謂Scanner其功效為什么

答：一種曝光機，其曝光動作為Scanningandstep形式,在一個exposurefield曝光時,先Scan完整個field,Scan完後再移到下一個field.

何為象差？

答：代表透鏡成象的能力,越小越好.

Scanner比Stepper優(yōu)點為什么？

答：ExposureField大，象差較小

曝光最重要的兩個參數(shù)是什幺？

答：Energy(曝光量),Focus(焦距)。如果能量和焦距調(diào)節(jié)的不好，就不能得到規(guī)定的分辨率和規(guī)定大小的圖形，重要體現(xiàn)在圖形的CD值超出規(guī)定的范疇。因此規(guī)定在生產(chǎn)時要時刻維持最對的的能量和焦距，這兩個參數(shù)對于不同的產(chǎn)品會有不同。

何為Reticle

答：Reticle也稱為Mask，翻譯做光掩模板或者光罩，曝光過程中的原始圖形的載體，通過曝光過程，這些圖形的信息將被傳遞到芯片上。

何為Pellicle

答：Pellicle是Reticle上為了避免灰塵(dust)或者微塵粒子(Particle)落在光罩的圖形面上的一層保護膜。

何為OPC光罩？

答：OPC(OpticalProximityCorrection)為了增加曝光圖案的真實性，做了某些修正的光罩，例如，0.18微米下列的Poly,Metallayer就是OPC光罩。

何為PSM光罩？

答：PSM(PhaseShiftMask)不同于Crmask,運用相位干預(yù)原理成象，現(xiàn)在大都應(yīng)用在contactlayer以及較小CD的Criticallayer〔如AA，POLY，METAL1〕以增加圖形的分辨率。

何為CRMask？

答：傳統(tǒng)的鉻膜光罩,只是運用光訊0與1干預(yù)成像,重要應(yīng)用在較不Critical的layer

光罩編號各位代碼都代表什幺？

答：例如003700-156AA-1DA,0037代表產(chǎn)品號，00代表Specialcode,156代表layer,A代表客戶版本，后一種A代表SMIC版本，1代表FAB1，D代表DUV(如果是J,那么代表I-line),A代表ASML機臺〔如果是C，那么代表Canon機臺〕

光罩室同時不能超出多少人在其中？

答：2人，為了避免產(chǎn)生更多的Particle和靜電而損壞光罩。

存取光罩的根本原那么是什幺？

答：(1)光罩盒翻開的狀況下，不準(zhǔn)進出MaskRoom,最多只準(zhǔn)保持2個人(2)戴上手套(3)輕拿輕放

如何避免靜電破壞Mask？

答：光罩夾子上連一導(dǎo)線到金屬桌面，能夠?qū)a(chǎn)生的靜電導(dǎo)出。

光罩POD和FOUP能放在一起嗎？它們之間最少應(yīng)當(dāng)保持多遠(yuǎn)距離？

答：不能放在一起，之間最少要有30公分的距離，避免搬動FOUP時碰撞光罩Pod而損壞光罩。

何謂Track

答：Photo制程中一系列環(huán)節(jié)的組合，其涉及：Wafer的前、后解決，Coating(上光阻)，和Develop(顯影)等過程。

In-lineTrack機臺有幾個Coater槽，幾個Developer槽？

答：均為4個

機臺上亮紅燈的解決流程？

答：機臺上紅燈亮起的時候闡明機臺處在異常狀態(tài)，此時已經(jīng)不能RUN貨，因此應(yīng)當(dāng)及時CallE.E進展解決。假設(shè)EE現(xiàn)在無法立刻解決，那么將機臺掛DOWN。

何謂WEE其功效為什么

答：WaferEdgeExposure。由于Wafer邊沿的光阻普通會涂布的不均勻，因此普通不能得到較好的圖形，并且有時還會因此造成光阻peeling而影響其它局部的圖形，因此將WaferEdge的光阻曝光，進而在顯影的時候?qū)⑵淙コ?，這樣便能夠消除影響。

何為PEB？其功效為什么？

答：PostExposureBake，其功效在于能夠得到質(zhì)量較好的圖形?！蚕齭tandingwaves〕

PHOTOPOLYIMIDE所用的光阻是正光阻還是負(fù)光阻

答：現(xiàn)在正負(fù)光阻都有，SMICFAB內(nèi)用的為負(fù)光阻。

RUN貨完畢后如何判斷與否有wafer被reject？

答：查看RUN之前l(fā)ot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFER與否有少掉，如果有少，那么進一步查看機臺與否有Reject統(tǒng)計。

何謂Overlay其功效為什么

答：迭對測量儀。由于集成電路是由諸多層電路重迭構(gòu)成的，因此必須確保每一層及前面或者背面的層的對準(zhǔn)精度，如果對準(zhǔn)精度超出規(guī)定范疇內(nèi)，那么可能造成整個電路不能完畢設(shè)計的工作。因此在每一層的制作的過程中，要對其及前層的對準(zhǔn)精度進展測量，如果測量值超出規(guī)定，那么必須采用對應(yīng)方法調(diào)節(jié)processcondition.

何謂ADICD

答：CriticalDimension，光罩圖案中最小的線寬。曝光過后，它的圖形也被復(fù)制在Wafer上，普通如果這些最小的線寬能夠成功的成象，同時曝光的其它的圖形也能夠成功的成象。因此普通測量CD的值來擬定process的條件與否適宜。

何謂CD-SEM其功效為什么

答：掃描電子顯微鏡。是一種測量用的儀器，普通能夠用于測量CD以及觀察圖案。

PRS的制程目的為什么？

答：PRS(ProcessReleaseStandard)通過選擇不同的條件〔能量和焦距〕對Wafer曝光，以選擇最對的的processcondition。

何為ADI？ADI需檢查的工程有哪些？

答：AfterDevelopInspection，曝光和顯影完畢之后，通過ADI機臺對所產(chǎn)生的圖形的定性檢查，看其與否正常，其檢查工程涉及：LayerID,LockingCorner,Vernier,PhotoMacroDefect

何為OOC,OOS，OCAP？

答：OOC=outofcontrol,OOS=OutofSpec,OCAP=outofcontrolactionplan

當(dāng)需要追貨的時候，與否需要將ETCH沒有下機臺的貨追回來？

答：需要。由于普通是process出現(xiàn)了異常，并且影響到了某些貨，因此為了減少損失，必須把還沒有ETCH的貨追回來，否那么ETCH之后就無法挽回?fù)p失。

PHOTOADI檢查的SITE是每片幾個點？

答：5點，Wafer中間一點，周邊四點。

PHOTOOVERLAY檢查的SITE是每片幾個點？

答：20

PHOTOADI檢查的片數(shù)普通是哪幾片？

答：#1，#6，#15，#24;統(tǒng)計隨機的考量

何謂RTMS，其重要功效是什幺？

答：RTMS(ReticleManagementSystem)光罩管理系統(tǒng)用于trace光罩的History,Status,Location,andInformation方便于光罩管理

PHOTO區(qū)的主機臺進展PM的周期？

答：一周一次

PHOTO區(qū)的控片重要有幾個類型

答：(1)Particle:作為Particlemonitor用的芯片,使用前測前需小於10顆(2)ChuckParticle:作為Scanner測試Chuck平坦度的專用芯片,其平坦度規(guī)定非常高(3)Focus:作為ScannerDailymonitorbest的wafer(4)CD:做為photo區(qū)dailymonitorCD穩(wěn)定度的wafer(5)PRthickness:做為光阻厚度測量的wafer(6)PDM:做為photodefectmonitor的wafer

當(dāng)TRACK剛顯示光阻用完時，其實機臺中尚有光阻嗎？

答：有少量光阻

當(dāng)TRACK剛顯示光阻用完時，其實機臺中尚有光阻嗎？

答：有少量光阻

WAFERSORTER有讀WAFER刻號的功效嗎？

答：有

光刻部的重要機臺是什幺它們的作用是什幺

答：光刻部的重要機臺是:TRACK(涂膠顯影機),Sanner(掃描曝光機)

為什幺說光刻技術(shù)最象日常生活中的攝影技術(shù)

答：Track把光刻膠涂附到芯片上就等同于底片,而曝光機就是一臺最高級的攝影機.光罩上的電路圖形就是"人物".通過對準(zhǔn),對焦,翻開快門,讓一定量的光照過光罩,其圖像呈現(xiàn)在芯片的光刻膠上,曝光后的芯片被送回Track的顯影槽,被顯影液浸泡,曝光的光刻膠被洗掉,圖形就顯現(xiàn)出來了.

光刻技術(shù)的英文是什幺

答：PhotoLithography

常據(jù)說的.18或點13技術(shù)是指什幺

答：它是指某個產(chǎn)品,它的最小"CD"的大小為0.18umor0.13um.越小集成度能夠越高,每個芯片上可做的芯片數(shù)量越多,難度也越大.它是代表工藝水平的重要參數(shù).

從點18工藝到點13工藝到點零9.難度在哪里

答：難度在光刻部,由于圖形越來越小,曝光機分辨率有限.

曝光機的NA是什幺

答：NA是曝光機的透鏡的數(shù)值孔徑;是光罩對透鏡張開的角度的正玹值.最大是1;先進的曝光機的NA在0.5---0.85之間.

曝光機分辨率是由哪些參數(shù)決定的

.

如何提高曝光機的分辨率呢

答：減短曝光的光波長,選擇新的光源;把透鏡做大,提高NA.

現(xiàn)在的生產(chǎn)線上,曝光機的光源有幾個,波長多少

答：有三種:高壓汞燈光譜中的365nm譜線,我們也稱其為I-line;KrF激光器,產(chǎn)生248nm的光;ArF激光器,產(chǎn)生193nm的光;

下一代曝光機光源是什幺

答：F2激光器.波長157nm

我們可否始終把波長縮短,以提高分辨率困難在哪里

答：不能夠.困難在透鏡材料.能透過157nm的材料是CaF2,其晶體很難生長.尚未發(fā)現(xiàn)能透過更短波長的材料.

為什幺光刻區(qū)采用黃光照明？

答：由于白光中包含365nm成分會使光阻曝光,因此采用黃光;就象洗像的暗房采用暗紅光照明.

什幺是SEM

答：掃描電子顯微鏡(ScanElectronicMicroscope)光刻部慣用的也稱道CDSEM.用它來測量CD

如何做Overlay測量呢

答：芯片(Wafer)被送進Overlay機臺中.先擬定Wafer的位置從而找到OverlayMARK.這個MARK是一種方塊IN方塊的構(gòu)造.大方塊是前層,小方塊是當(dāng)層;通過小方塊與否在大方塊中心來擬定Overlay的好壞.

生產(chǎn)線上最貴的機器是什幺

答：曝光機;5-15百萬美金/臺

曝光機貴在哪里

答：曝光機貴在它的光學(xué)成像系統(tǒng)(它的成像系統(tǒng)由15到20個直徑在200300MM的透鏡構(gòu)成.波面相位差只有最佳象機的5%.它有精細(xì)的定位系統(tǒng)(使用激光工作臺)

激光工作臺的定位精度有多高

答：現(xiàn)用的曝光機的激光工作臺定位的重復(fù)精度不大于10nm

曝光機是如何確保Overlay<50nm

答：曝光機要確保每層的圖形之間對準(zhǔn)精度<50nm.它首先要有一種精確的激光工作臺,它把wafer移動到精確的位置.再就是成像系統(tǒng),它帶來的圖像變形<35nm.

在WAFER上,什幺叫一種Field

答：光罩上圖形成象在WAFER上,最大只有26X33mm一塊(這一塊就叫一種Field),激光工作臺把WAFER移動一種Field的位置，再曝一次光，再移動再曝光。直到覆蓋整片WAFER。因此，一片WAFER上有約100左右Field.

什幺叫一種Die

答：一種Die也叫一種Chip;它是一種功效完整的芯片。一種Field可包含多個Die;

為什幺曝光機的綽號是“印鈔機〞

答：曝光機很貴；一天的折舊有3萬-9萬人民幣之多;因此必須充份運用它的產(chǎn)能,它一天可產(chǎn)出1600片WAFER。

Track和Scanner內(nèi)重要使用什幺手段傳遞Wafer：

答：機器人手臂(robot),Scanner的ROBOT有真空(VACCUM)來吸住WAFER.TRACK的ROBOT設(shè)計獨特,用邊沿HOLDWAFER.

可否用肉眼直接觀察測量Scanner曝光光源輸出的光

答：絕對制止;強光對眼睛會有傷害

為什幺黃光區(qū)內(nèi)只有Scanner應(yīng)用Foundation(底座)

答：Scanner曝光對穩(wěn)定性有極高規(guī)定(減震)

近代光刻技術(shù)分哪幾個階段

答：從80’S至今可分4階段:它是由曝光光源波長劃分的;高壓水銀燈的G-line(438nm),I-line(365nm);excimerlaserKrF(248nm),ArFlaser(193nm)

I-linescanner的工作范疇是多少

答：CD>0.35um以上的圖層(LAYER)

KrFscanner的工作范疇是多少

答：CD>0.13um以上的圖層(LAYER)

ArFscanner的工作范疇是多少

答：CD>0.08um以上的圖層(LAYER)

什幺是DUVSCANNER

答：DUVSCANNER是指所用光源為ＤeepUltraVoliet,超紫外線．即現(xiàn)用的248nm,193nmScanner

Scanner在曝光中能夠達到精確度宏觀理解：

答：Scanner是一種集機，光，電為一體的高精細(xì)機器；為控制iverlay<40nm,在曝光過程中，光罩和Wafer的運動要保持很高的同時性．在250nm/秒的掃描曝光時，兩者同時位置<10nm．相稱于兩架時速1000公里／小時的波音747飛機前后飛行，相距不大于10微米

光罩的構(gòu)造如何？

答：光罩是一塊石英玻璃，它的一面鍍有一層鉻膜〔不透光〕．在制造光罩時，用電子束或激光在鉻膜上寫上電路圖形〔把局部鉻膜刻掉，透光〕．在距鉻膜5mm的地方覆蓋一極薄的透明膜〔叫pellicle〕，保護鉻膜不受外界污染.

在超凈室〔cleanroom〕為什幺不能攜帶普通紙

答：普通紙張是由大量短纖維壓制而成，磨擦或撕割都會產(chǎn)生大量微小塵?！瞤article〕．進cleanroom要帶專用的CleanroomPaper.

如何做CD測量呢

答：芯片(Wafer)被送進CDSEM中.電子束掃過光阻圖形(Pattern).有光阻的地方和無光阻的地方產(chǎn)生的二次電子數(shù)量不同;解決此信號可的圖像.對圖像進展測量得CD.

什幺是DOF

答：DOF也叫DepthOfFocus,及攝影中所說的景深相似.光罩上圖形會在透鏡的另一側(cè)的某個平面成像,我們稱之為像平面(ImagePlan),只有將像平面及光阻平面重疊(InFocus)才干印出清晰圖形.當(dāng)離開一段距離后,圖像含糊.這一可清晰成像的距離叫DOF

曝光顯影后產(chǎn)生的光阻圖形〔Pattern〕的作用是什幺？

答：曝光顯影后產(chǎn)生的光阻圖形有兩個作用：一是作刻蝕的模板，未蓋有光阻的地方及刻蝕氣體反響，被吃掉．去除光阻后，就會有電路圖形留在芯片上．另一作用是充當(dāng)例子注入的模板．

光阻種類有多少？

答：光阻種類有諸多．可根據(jù)它所合用的曝光波長分為I-line光阻,KrF光阻和ArF光阻

光阻層的厚度大概為多少？

答：光阻層的厚度及光阻種類有關(guān)．I-line光阻最厚，0.7umto3um.KrF光阻0.4-0.9um.ArF光阻0.2-0.5um.

哪些因素影響光阻厚度？

答：光阻厚度及芯片〔ＷＡＦＥＲ〕的旋轉(zhuǎn)速度有關(guān)，越快越薄，及光阻粘稠度有關(guān)．

哪些因素影響光阻厚度的均勻度？

答：光阻厚度均勻度及芯片〔ＷＡＦＥＲ〕的旋轉(zhuǎn)加速度有關(guān)，越快越均勻，及旋轉(zhuǎn)加減速的時間點有關(guān)．

當(dāng)顯影液或光阻不慎濺入眼睛中如何解決

答：大量清水沖洗眼睛，并查閱顯影液的ＣＳＤＳ〔ChemicalSafetyDataSheet〕,把它提供應(yīng)醫(yī)生，以協(xié)助治療FAC

根據(jù)工藝需求排氣分幾個系統(tǒng)

答：分為普通排氣〔General〕、酸性排氣〔Scrubbers〕、堿性排氣〔Ammonia〕和有機排氣〔Solvent〕四個系統(tǒng)。

高架地板分有孔和無孔作用

答：使循環(huán)空氣能流通，不起塵，確保干凈房內(nèi)的干凈度;防靜電；便于HOOK-UP。

離子發(fā)射系統(tǒng)作用

答：離子發(fā)射系統(tǒng)，避免靜電

SMIC干凈等級區(qū)域劃分

答：MaskShopclass1&100Fab1&Fab2Photoandprocessarea:Class100Cu-lineAl-LineOS1L3OS1L4testingClass1000

什幺是制程工藝真空系統(tǒng)(PV)

答：是提供廠區(qū)無塵室生產(chǎn)及測試機臺在制造過程中所需的工藝真空;如真空吸筆、光阻液涂布、吸芯片用真空源等。該系統(tǒng)提供一定的真空壓力(真空度不不大于80kpa)和流量，每天24小時運行

什幺是MAU(MakeUpAirUnit),新風(fēng)空調(diào)機組作用

答：提供干凈室所需之新風(fēng)，對新風(fēng)濕度，溫度，及干凈度進展控制，維持干凈室正壓和濕度規(guī)定。

HouseVacuumSystem作用

答：HV(HouseVacuum)系統(tǒng)提供干凈室制程區(qū)及回風(fēng)區(qū)清潔吸取微塵粒子之真空源，其真空度較低。使用辦法為運用軟管連接事先已安裝在高架地板下或柱子內(nèi)的真空吸孔，翻開運轉(zhuǎn)電源。此系統(tǒng)之運用可減低清潔時的污染。

FilterFanUnitSystem(FFU)作用

答：FFU系統(tǒng)確保干凈室內(nèi)一定的風(fēng)速和干凈度，由Fan和Filter(ULPA)構(gòu)成。

什幺是CleanRoom干凈室系統(tǒng)

答：干凈室系統(tǒng)供應(yīng)給制程及機臺設(shè)備所需之干凈度、溫度、濕度、正壓、氣流條件等環(huán)境規(guī)定。

Cleanroomspec:原則

Fab內(nèi)的safetyshower的日常維護及使用監(jiān)視由誰來負(fù)責(zé)

答：Fab內(nèi)的AreaOwner〔假設(shè)出現(xiàn)無水或大量漏水等可請廠務(wù)水課〔19105〕協(xié)助〕

工程師在正常跑貨用純水做rinse或做機臺維護時，要注意不能有酸或有機溶劑〔如IPA等〕進入純水回收系統(tǒng)中，這是由于：

答：酸會造成conductivity(導(dǎo)電率)升高，有機溶劑會造成TOC升高。兩者均會影響并減少純水回收率。

假設(shè)在Fab內(nèi)發(fā)現(xiàn)地面有水滴或殘留水等，應(yīng)如何解決或通報

答：先檢查與否為機臺漏水或做PM所致，假設(shè)為廠務(wù)系統(tǒng)那么告知廠務(wù)中控室〔12222〕

機臺假設(shè)因做PM或其它異常，而要大量排放廢溶劑或廢酸等應(yīng)首先如何通報

答：告知廠務(wù)主系統(tǒng)水課的值班〔19105〕

廢水排放管路中酸堿廢水/濃硫酸/廢溶劑等使用何種材質(zhì)的管路

答：酸堿廢水/高密度聚乙烯(HDPE)濃硫酸/鋼管內(nèi)襯鐵福龍(CS-PTFE)廢溶劑/不琇鋼管(SUS)

假設(shè)機臺內(nèi)的drain管有接錯或排放成分分類有誤，將會造成后端的主系統(tǒng)出現(xiàn)什幺問題

答：將會造成后端解決的主系統(tǒng)有關(guān)指標(biāo)解決不合格，從而可能造成公司排放口超標(biāo)排放的事故。

公司做水回收的意義如何

答：(1)節(jié)省用水，減少本錢。重在環(huán)保。(2)符合ISO可持續(xù)開展的精神和公司環(huán)保暨平安衛(wèi)生政策。

何種氣體歸類為特氣(SpecialtyGas)

答：SiH2Cl2

何種氣體由VMBStick點供到機臺

答：H2

何種氣體有自燃性

答：SiH4

何種氣體含有腐蝕性

答：ClF3

當(dāng)機臺用到何種氣體時，須安裝氣體偵測器

答：PH3

名詞解釋GC,VMB,VMP

答：GC-GasCabinet氣瓶柜VMB-ValveManifoldBox閥箱，合用于危險性氣體。VMP-ValveManifoldPanel閥件盤面，合用于惰性氣體。

原則大氣環(huán)境中氧氣濃度為多少？工作環(huán)靜氧氣濃度低于多少時人體會感覺不適？

答：21%

什幺是氣體的LELH2的LEL為多少？

答：LEL-LowExplosiveLevel氣體爆炸下限H2LEL-4%.

當(dāng)FAB內(nèi)氣體發(fā)生泄漏二級警報〔既LeakHiHi〕，氣體警報燈〔LAU〕會如何動作？FAB內(nèi)工作人員應(yīng)如何應(yīng)變？

答：LAU紅、黃燈閃爍、蜂鳴器叫聽從ERC播送命令，立刻疏散。

化學(xué)供應(yīng)系統(tǒng)中的化學(xué)物質(zhì)特性為什么

答：(1)Acid/Caustic酸性/腐蝕性(2)Solvent有機溶劑(3)Slurry研磨液

有機溶劑柜的安用保護裝置為什么

答：(1)Gas/Temp.detector;氣體/溫度偵測器(2)CO2extinguisher;二氧化碳滅火器

中芯有那幾類研磨液(slurry)系統(tǒng)

答：(1)Oxide(SiO2)(2)Tungsten(W)鵭

設(shè)備機臺總電源是幾伏特

答：208VOR380V

欲從事生產(chǎn)/測試/維護時,如無法就近獲得電源供應(yīng),能夠無限制使用延長線嗎

答：不能夠

如何選用電器器材

答：使用電器器材需采用通過認(rèn)證之正規(guī)品牌

機臺開關(guān)能夠任意分/合嗎

答：未經(jīng)確認(rèn)不可隨意分/合任何機臺開關(guān),以免造成生產(chǎn)損失及人員傷害.

欲從事生產(chǎn)/測試/維護時,如無法就近獲得電源供應(yīng),也不能無限制使用延長線,對嗎

答：對

假設(shè)斷路器啟斷容量為16安培導(dǎo)線線徑2.5mm2,電源供應(yīng)電壓單相220伏特,假設(shè)使用單相5000W電器設(shè)備會產(chǎn)生何種狀況

答：斷路器跳閘

當(dāng)供電局供電中斷時,人員仍可安心待在FAB中嗎

答：當(dāng)供電局供電中斷時,本廠因有緊急發(fā)電機設(shè)備,配合各有關(guān)監(jiān)視系統(tǒng),仍然能保持FAB之Safety,因此人員仍可安心待在FAB中.

WET

在半導(dǎo)體程制中,濕制程(wetprocessing)分那二大頪

答：(1)晶圓洗凈(wafercleaning)(2)濕蝕刻(wetetching).

晶圓洗凈(wafercleaning)的設(shè)備有那幾個

答：(1)Batchtype(immersiontype):a)carriertypeb)Cassettelesstype(2)Singlewafertype(spraytype)

晶圓洗凈(wafercleaning)的目的為什么

答：去除金屬雜質(zhì),有機物污染及微塵.

半導(dǎo)體制程有那些污染源

答：(1)微粒子(2)金屬(3)有機物(4)微粗糙(5)天生的氧化物

RCA清洗制程目的為什么

答：于微影照像后,去除光阻,清洗晶圓,并做到酸堿中和,使晶圓可進展下一種制程.

洗凈溶液APM(SC-1)-->NH4OH:H2O2:H2O的目的為什么

答：去除微粒子及有機物

洗凈溶液SPM-->H2SO4:H2O2:H2O的目的為什么

答：去除有機物

洗凈溶液HPM(SC-2)-->HCL:H2O2:H2O的目的為什么

答：去除金屬

洗凈溶液DHF-->HF:H2O(1:100~1:500)的目的為什么

答：去除自然氧化膜及金屬

洗凈溶液FPM-->HF:H2O2:H2O的目的為什么

答：去除自然氧化膜及金屬

洗凈溶液BHF(BOE)-->HF:NH4F的目的為什么

答：氧化膜濕式蝕刻

洗凈溶液熱磷酸-->H3PO4的目的為什么

答：氮化膜濕式蝕刻

0.25微米邏輯組件有那五種原則清洗辦法

答：(1)擴散前清洗(2)蝕刻后清洗(3)植入后清洗(4)沉積前洗清(5)CMP后清洗

超音波刷洗(ultrasonicscrubbing)目的為什么

答：去除不溶性的微粒子污染

何謂晶圓盒(POD)清洗

答：運用去離子水和界面活性劑(surfactant),除去晶圓盒外表的污染.

高壓噴灑(highpressurespray)或刷洗去微粒子在那些制程之后

答：(1)鋸晶圓(wafersaw)(2)晶圓磨薄(waferlapping)(3)晶圓拋光(waferpolishing)(4)化學(xué)機械研磨

晶圓濕洗凈設(shè)備有那幾個

答：(1)多槽全自動洗凈設(shè)備(2)單槽清洗設(shè)備(3)單晶圓清洗設(shè)備.

單槽清洗設(shè)備的優(yōu)點

答：(1)較佳的環(huán)境制程及微粒控制能力.(2)化學(xué)品及純水用量少.(3)設(shè)備調(diào)節(jié)彈性度高.

單槽清洗設(shè)備的缺點

答：(1)產(chǎn)能較低.(2)晶圓間仍有互相污染

單晶圓清洗設(shè)備將來有那些須要突破的地方

答：產(chǎn)能低及設(shè)備成熟度

1ActiveArea主動區(qū)〔工作區(qū)〕主動晶體管〔ACTIVETRANSISTOR〕被制造的區(qū)域即所謂的主動區(qū)〔ACTIVEAREA〕。在原則之MOS制造過程中ACTIVEAREA是由一層氮化硅光罩即等接氮化硅蝕刻之后的局部場區(qū)氧化所形成的，而由于運用到局部場氧化之環(huán)節(jié)，因此ACTIVEAREA會受到鳥嘴〔BIRD’SBEAK〕之影響而比原先之氮化硅光罩所定義的區(qū)域來的小，以長0.6UM之場區(qū)氧化而言，大概會有0.5UM之BIRD’SBEAK存在，也就是說ACTIVEAREA比原在之氮化硅光罩所定義的區(qū)域小0.5UM。

2ACTONE丙酮1.丙酮是有機溶劑的一種，分子式為CH3COCH3。2.性質(zhì)為無色，具刺激性及薄荷臭味之液體。3.在FAB內(nèi)之用途，重要在于黃光室內(nèi)正光阻之清洗、擦拭。4.對神經(jīng)中樞具中度麻醉性，對皮膚黏膜具輕微毒性，長久接觸會引發(fā)皮膚炎，吸入過量之丙酮蒸汽會刺激鼻、眼結(jié)膜及咽喉黏膜，甚至引發(fā)頭痛、惡心、嘔吐、目眩、意識不明等。5.允許濃度1000PPM。

3ADI顯影后檢查1.定義：AfterDevelopingInspection之縮寫2.目的：檢查黃光室制程；光阻覆蓋→對準(zhǔn)→曝光→顯影。發(fā)現(xiàn)缺點后，如覆蓋不良、顯影不良…等即予修改，以維護產(chǎn)品良率、品質(zhì)。3.辦法：運用目檢、顯微鏡為之。

4AEI蝕刻后檢查1.定義：AEI即AfterEtchingInspection，在蝕刻制程光阻去除前及光阻去除后，分別對產(chǎn)品實施全檢或抽樣檢查。2.目的：2-1提高產(chǎn)品良率，避免不良品外流。2-2達到品質(zhì)的一致性和制程之重復(fù)性。2-3顯示制程能力之指針2-4制止異常擴大，節(jié)省本錢3.普通AEI檢查出來之不良品，非必要時極少作修改，由于重去氧化層或重長氧化層可能造成組件特性變化可靠性變差、缺點密度增加，生產(chǎn)本錢增高，以及良率減少之缺點。

5AIRSHOWER空氣洗塵室進入干凈室之前，需穿無塵衣，因在外面更衣室之故，無塵衣上沾著塵埃，故進干凈室之前，需經(jīng)空氣噴洗機將塵埃吹掉。

6ALIGNMENT對準(zhǔn)1.定義：運用芯片上的對準(zhǔn)鍵，普通用十字鍵和光罩上的對準(zhǔn)鍵合對為之。2.目的：在IC的制造過程中，必須通過6~10次左右的對準(zhǔn)、曝光來定義電路圖案，對準(zhǔn)就是要將層層圖案精確地定義顯像在芯片上面。3.辦法：A.人眼對準(zhǔn)B.用光、電組合替代人眼，即機械式對準(zhǔn)。

7ALLOY/SINTER熔合Alloy之目的在使鋁及硅基(SiliconSubstrate)之接觸有Ohmic特性，即電壓及電流成線性關(guān)系。Alloy也可減少接觸的阻值。

8AL/SI鋁/硅靶此為金屬濺鍍時所使用的一種金屬合金材料運用Ar游離的離子，讓其撞擊此靶的外表，把Al/Si的原子撞擊出來，而鍍在芯片外表上，普通使用之構(gòu)成為Al/Si(1%)，將此當(dāng)作組件及外界導(dǎo)線連接。

9AL/SI/CU鋁/硅/銅金屬濺鍍時所使用的原料名稱，普通是稱為TARGET，其成分為0.5﹪銅，1﹪硅及98.5﹪鋁，普通制程普通是使用99﹪鋁1﹪硅，后來為了金屬電荷遷移現(xiàn)象〔ELECTROMIGRATION〕故滲加0.5﹪銅，以減少金屬電荷遷移。

10ALUMINUN鋁此為金屬濺鍍時所使用的一種金屬材料，運用Ar游離的離子，讓其撞擊此種材料做成的靶外表，把Al的原子撞擊出來，而鍍在芯片外表上，將此當(dāng)作組件及外界導(dǎo)線之連接。

11ANGLELAPPING角度研磨AngleLapping的目的是為了測量Junction的深度，所作的芯片前解決，這種采用光線干預(yù)測量的辦法就稱之AngleLapping。公式為Xj=λ/2NF即Junction深度等于入射光波長的二分之一及干預(yù)條紋數(shù)之乘積。但漸漸的隨著VLSI組件的縮小，精確度及精細(xì)度都無法因應(yīng)。如SRP(SpreadingResistancePrqbing)也是應(yīng)用AngleLapping的辦法作前解決，采用的辦法是以外表植入濃度及阻值的對應(yīng)關(guān)系求出Junction的深度，精確度遠(yuǎn)超出入射光干預(yù)法。

12ANGSTRON埃是一種長度單位，其大小為1公尺的百億分之一，約為人的頭發(fā)寬度之五十萬分之一。此單位慣用于IC制程上，表達其層〔如SiO2，Poly，SiN….〕厚度時用。

13APCVD〔ATMOSPRESSURE〕常壓化學(xué)氣相沉積APCVD為Atmosphere(大氣)，Pressure(壓力)，Chemical(化學(xué))，Vapor(氣相)及Deposition(沉積)的縮寫，也就是說，反響氣體〔如SiH4(g)，B2H6(g)，和O2(g)〕在常壓下起化學(xué)反響而生成一層固態(tài)的生成物〔如BPSG〕于芯片上。

14AS75砷自然界元素之一；由33個質(zhì)子，42個中子即75個電子所構(gòu)成。半導(dǎo)體工業(yè)用的砷離子〔As＋〕可由AsH3氣體分解得到。砷是N-TYPEDOPANT慣用作N-場區(qū)、空乏區(qū)及S/D植入。

15ASHING，STRIPPING電漿光阻去除1.電漿預(yù)解決，系運用電漿方式〔Plasma〕，將芯片外表之光阻加以去除。2.電漿光阻去除的原理，系運用氧氣在電漿中所產(chǎn)生只自由基〔Radical〕及光阻〔高分子的有機物〕發(fā)生作用，產(chǎn)生揮發(fā)性的氣體，再由幫浦抽走，達到光阻去除的目的。3.電漿光組的產(chǎn)生速率普通較酸液光阻去除為慢，但是假設(shè)產(chǎn)品通過離子植入或電漿蝕刻后，外表之光阻或發(fā)生碳化或石墨化等化學(xué)作用，整個外表之光阻均已變質(zhì)，假設(shè)以硫酸吃光阻，無法將外表已變質(zhì)之光阻加以去除，故均必須先以電漿光阻去除之方式來做。

16ASSEMBLY晶粒封裝以樹酯或陶瓷材料，將晶粒包在其中，以達到保護晶粒，隔絕環(huán)境污染的目的，而此一連串的加工過程，即稱為晶粒封裝〔Assembly〕。封裝的材料不同，其封裝的作法亦不同，我司幾乎都是以樹酯材料作晶粒的封裝，制程涉及：芯片切割→晶粒目檢→晶粒上「架」〔導(dǎo)線架，即Leadframe〕→焊線→模壓封裝→穩(wěn)定烘烤〔使樹酯物性穩(wěn)定〕→切框、彎腳成型→腳沾錫→蓋印→完畢。以樹酯為材料之IC，普通用于消費性產(chǎn)品，如計算機、計算器，而以陶瓷作封裝材料之IC，屬于高性賴度之組件，普通用于飛彈、火箭等較精細(xì)的產(chǎn)品上。

17BACKGRINDING晶背研磨運用研磨機將芯片背面磨薄方便測試包裝，著重的是厚度均勻度及背面之干凈度。普通6吋芯片之厚度約20mil～30mil左右，為了便于晶粒封裝打線，故需將芯片厚度磨薄至10mil～15mil左右。

18BAKE,SOFTBAKE,HARDBAKE烘烤，軟烤，預(yù)烤烘烤〔Bake〕：在集成電路芯片上的制造過程中，將芯片至于稍高溫〔60℃～250℃〕的烘箱內(nèi)或熱板上均可謂之烘烤，隨其目的的不同，可辨別微軟烤〔Softbake〕及預(yù)烤〔Hardbake〕。軟烤〔Softbake〕：其使用時機是在上完光阻后，重要目的是為了將光阻中的溶劑蒸發(fā)去除，并且可增加光阻及芯片之附著力。預(yù)烤〔Hardbake〕：又稱為蝕刻前烘烤〔pre-etchbake〕，重要目的為去除水氣，增加光阻附著性，特別在濕蝕刻〔wetetching〕更為重要，預(yù)烤不全長會造成過蝕刻。

19BF2二氟化硼·一種供做離子植入用之離子?！F2＋是由BF3＋氣體晶燈絲加熱分解成：B10、B11、F19、B10F2、B11F2。經(jīng)Extract拉出及質(zhì)譜磁場分析后而得到?！な且环NP-type離子，普通用作VT植入〔閘層〕及S/D植入。

20BOAT晶舟Boat原意是單木舟，在半導(dǎo)體IC制造過程中，常需要用一種工具作芯片傳送、清洗及加工，這種承載芯片的工具，我們稱之為Boat。普通Boat有兩種材質(zhì)，一是石英、另一是鐵氟龍。石英Boat用在溫度較高〔不不大于300℃〕的場合。而鐵氟龍Boat那么用在傳送或酸解決的場合。

21B.O.E緩沖蝕刻液BOE是HF及NH4F依不同比例混合而成。6:1BOE蝕刻即表達HF：NH4F=1：6的成分混合而成。HF為重要的蝕刻液，NH4F那么作為緩沖劑使用。運用NH4F固定〔H＋〕的濃度，使之保持一定的蝕刻率。HF會浸蝕玻璃及任何含硅石的物質(zhì)，對皮膚有強烈的腐蝕性，不小心被濺到，應(yīng)用大量水沖洗。

22BONDINGPAD焊墊焊墊－晶運用以連接金線或鋁線的金屬層。在晶粒封裝〔Assembly〕的制程中，有一種環(huán)節(jié)是作“焊線〞，即是用金線〔塑料包裝體〕或鋁線〔陶瓷包裝體〕將晶粒的線路及包裝體之各個接腳依焊線圖〔BondingDiagram〕連接在一起，如此一來，晶粒的功效才干有效地應(yīng)用。由于晶粒上的金屬線路的寬度即間隙都非常窄小，〔現(xiàn)在SIMC所致的產(chǎn)品約是微米左右的線寬或間隙〕，而用來連接用的金線或鋁線其線徑現(xiàn)在由于受到材料的延展性即對金屬接線強度規(guī)定的限制，祇能做到1.0～1.3mil〔25.4～33j微米〕左右，在此狀況下，要把二、三十微米的金屬線直接連接到金屬線路間距只有3微米的晶粒上，一定會造成多條鋁線的接橋，故晶粒上的鋁路，在其末端皆設(shè)計成一種約4mil見方的金屬層，此即為焊墊，以作為接線使用。焊墊普通分布再晶粒之四個外圍上〔以粒封裝時的焊線作業(yè)〕，其形狀多為正方形，亦有人將第一焊線點作成圓形，以資辨識。焊墊由于要作接線，其上得護層必須蝕刻掉，故可在焊墊上清晰地看到“開窗線〞。而晶粒上有時亦可看到大塊的金屬層，位于晶粒內(nèi)部而非四周，其上也看不到開窗線，是為電容。

23BORON硼自然元素之一。由五個質(zhì)子及六個中子所構(gòu)成。因此原子量是11。另外有同位素，是由五個質(zhì)子及五個中子所構(gòu)成原子量是10〔B10〕。自然界中這兩種同位素之比例是4：1，可由磁場質(zhì)譜分析中看出，是一種P-type的離子〔B11＋〕，用來作場區(qū)、井區(qū)、VT及S/D植入。

24BPSG含硼及磷的硅化物BPSG乃介于Poly之上、Metal之下，可做為上下兩層絕緣之用，加硼、磷重要目的在使回流后的Step較平緩，以避免Metalline濺鍍上去后，造成斷線。

25BREAKDOWNVOLTAGE崩潰電壓反向P-N接面組件所加之電壓為P接負(fù)而N接正，如為此種接法那么當(dāng)所加電壓通在某個特定值下列時反向電流很小，而當(dāng)所加電壓值不不大于此特定值后，反向電流會急遽增加，此特定值也就是吾人所謂的崩潰電壓〔BREAKDOWNVOLTAGE〕普通吾人所定義反向P＋-N接面之反向電流為1UA時之電壓為崩潰電壓，在P＋-N或N＋-P之接回組件中崩潰電壓，隨著N〔或者P〕之濃度之增加而減小。

26BURNIN預(yù)燒實驗「預(yù)燒」〔Burnin〕為可靠性測試的一種，旨在檢查出哪些在使用早期即損壞的產(chǎn)品，而在出貨前予以剔除。預(yù)燒實驗的作法，乃是將組件〔產(chǎn)品〕至于高溫的環(huán)境下，加上指定的正向或反向的直流電壓，如此殘留在晶粒上氧化層及金屬層之外來雜質(zhì)離子或腐蝕性離子將容易游離而使故障模式〔FailureMode〕提早顯現(xiàn)出來，達到篩選、剔除「早期夭折」產(chǎn)品之目的。預(yù)燒實驗分為「靜態(tài)預(yù)燒」〔StaticBurnin〕及「動態(tài)預(yù)燒」〔DynamicBurnin〕兩種，前者在實驗時，只在組件上加上額定的工作電壓即消耗額定的功率，而后者除另外并有仿真實際工作狀況的訊號輸入，故較靠近實際狀況，也較嚴(yán)格。根本上，每一批產(chǎn)品在出貨前，皆須作百分之百的預(yù)燒實驗，馾由于本錢及交貨其等因素，有些產(chǎn)品舊祇作抽樣〔局部〕的預(yù)燒實驗，通過后才出貨。另外對于某些我們認(rèn)為它品質(zhì)夠穩(wěn)定且夠水準(zhǔn)的產(chǎn)品，亦能夠抽樣的方式進展，固然，含有高信賴度的產(chǎn)品，皆須通過百分之百的預(yù)燒實驗。

27CAD計算機輔助設(shè)計CAD：ComputerAidedDesign計算機輔助設(shè)計，此名詞所包含的范疇很廣，可泛稱一切計算機為工具，所進展之設(shè)計；因此不僅在IC設(shè)計上用得到，建筑上之設(shè)計，飛機、船體之設(shè)計，都可能用到。在以往計算機尚未廣泛應(yīng)用時，設(shè)計者必須以有限之記憶、經(jīng)一向進展設(shè)計，可是有了所謂CAD后，我們把某些慣用之規(guī)那么、經(jīng)歷存入計算機后，背面的設(shè)計者，變可節(jié)省不少從頭探索的工作，如此不僅大幅地提高了設(shè)計的精確度，使設(shè)計的領(lǐng)域進入另一新天地。

28CDMEASUREMENT微距測試CD:CriticalDimension之簡稱。普通于某一種層次中，為了控制其最小線距，我們會制作某些代表性之量測圖形于晶方中，普通置于晶方之邊沿。簡言之，微距測量長當(dāng)作一種重要之制程指針，可代表黃光制程之控制好壞。量測CD之層次普通是對線距控制較重要之層次，如氮化硅、POLY、CONT、MET…等，而現(xiàn)在較慣用于測量之圖形有品字型，L-BAR等。

℃、沸點118℃。及水、酒精、乙醚互溶?？扇肌１姿崾?9.8﹪以上之純化物，有別于水容易的醋酸食入或吸入純醋酸有中檔的毒性，對皮膚及組織有刺激性，危害性不大，被濺到用水沖洗。

30CHAMBER真空室,反響室專指一密閉的空間，常有特殊的用途：諸如抽真空、氣體反響或金屬濺度等。針對此特殊空間之種種外在或內(nèi)在環(huán)境：例如外在粒子數(shù)〔particle〕、濕度及內(nèi)在溫度、壓力、氣體流量、粒子數(shù)等加以控制。達到芯片最對的反響條件。

31CHANNEL信道當(dāng)在MOS晶體管的閘極上加上電壓〔PMOS為負(fù)，NMOS為正〕，那么閘極下的電子或電洞會被其電場合吸引或排斥而使閘極下之區(qū)域形成一反轉(zhuǎn)層〔InversionLayer〕，也就是其下之半導(dǎo)體P-type變成N-typeSi，N-type變成P-typeSi，而及源極和汲極，我們舊稱此反轉(zhuǎn)層為“信道〞。信道的長度“ChannelLength〞對MOS組件的參數(shù)有著極重要的影響，故我們對POLYCD的控制需要非常謹(jǐn)慎。

32CHIP,DIE晶粒一片芯片〔OR晶圓，即Wafer〕上有許多同樣的方形小單位，這些小單位及稱為晶粒。同一芯片上每個晶粒都是同樣的構(gòu)造，含有同樣的功效，每個晶粒經(jīng)包裝后，可制成一顆顆我們?nèi)粘Ｉ钪谐Ｒ姷腎C，故每一芯片所能制造出的IC數(shù)量是很可觀的，從幾百個到幾千個不等。同樣地，如果因制造的疏忽而產(chǎn)生的缺點，往往就會涉及成百成千個產(chǎn)品。

34CMOS互補式金氧半導(dǎo)體金屬氧化膜半導(dǎo)體〔MOS，METAL-OXIDESEMICONDUCTOR〕其制程程序及先在單晶硅上形成絕緣氧化膜，再沉積一層復(fù)晶硅〔或金屬〕作為閘極，運用家到閘極的電場來控制MOS組件的開關(guān)〔導(dǎo)電或不導(dǎo)電〕。按照導(dǎo)電載子的種類，MOS，又可分成兩種類型：NMOS〔由電子導(dǎo)電〕和PMOS〔由電洞導(dǎo)電〕。而互補式金氧半導(dǎo)體〔CMOSCOMPLEMENTARYMOS〕那么是由NMOS及PMOS組合而成，含有省電、抗噪聲能力強、α-PARTICLE免疫力好等許多優(yōu)點，是超大規(guī)模集成電路〔VLSI〕的主流。

35COATING光阻覆蓋將光阻劑以浸泡、噴霧、刷怖、或滾壓等辦法加于芯片上，稱為光阻覆蓋?，F(xiàn)在效果最對的的辦法為旋轉(zhuǎn)法；旋轉(zhuǎn)法乃是將芯片以真空吸附于一種可旋轉(zhuǎn)的芯片支持器上，適量的光阻劑加在芯片中央，然后芯片開場轉(zhuǎn)動，芯片上的光阻劑向外流開，很均勻的散在芯片上。要得到均勻的光阻膜，旋轉(zhuǎn)速度必須適中穩(wěn)定。而旋轉(zhuǎn)速度和光阻劑黏滯性絕應(yīng)所鍍光阻劑的厚度。光阻劑加上后，必須通過軟烤的環(huán)節(jié)，以除去光阻劑中過多的溶劑，進而使光阻膜較為堅硬，同時增加光阻膜及芯片的接合能力的重要辦法就是在于合適調(diào)節(jié)軟烤溫度及時間。通過了以上的鍍光阻膜即軟烤過程，也就是完畢了整個光阻覆蓋的環(huán)節(jié)。

36CROSSSECTION橫截面IC的制造根本上是由一層一層的圖案堆積上去，而為了理解堆積圖案的構(gòu)造，以改善制程或解決制程問題，經(jīng)常會運用破壞性切割方式以電子顯微鏡〔SEM〕來觀察，而切割橫截面、觀察橫截面的方式是其中較為普遍之一種。

37C-VPLOT電容,電壓圓譯意為電容、電壓圖：也就是說當(dāng)組件在不同狀況下，在閘極上施以某一電壓時，會產(chǎn)生不同之電容值〔此電壓可為正或負(fù)〕，如此組件為抱負(fù)的組件；也就是閘極和汲極間幾乎沒有雜質(zhì)在里面〔COMTAMINATION〕。當(dāng)外界環(huán)境變化時〔溫度或壓力〕，并不太會影響它的電容值，運用此可MONITORMOS組件之好壞，普通△V＜0.2為正常。

38CWQC全公司品質(zhì)管制以往有些經(jīng)營者或老板，始終都認(rèn)為品質(zhì)管制是品管部門或品管主管的責(zé)任，碰到品質(zhì)管制做不好時，即立刻指責(zé)品質(zhì)主管，這是不對的。品質(zhì)管制不是品質(zhì)部門或某一單位就能夠做好的，而是全公司每一部門全體人員都參及才干做好。固品質(zhì)管制為達到經(jīng)營的目的，必須結(jié)合公司內(nèi)全部部門全體人員合力合作，構(gòu)成一種能共同認(rèn)識，亦于實施的體系，并使工作原則化，且使所定的多種事項確實實施，使自市場調(diào)查、研究、開發(fā)、設(shè)計、采購、制造、檢查、實驗、出貨、銷售、效勞為止的每一階段的品質(zhì)都能有效的管理，這就是所謂的全公司品質(zhì)管制〔CompanyWideQualityControl〕。實施CWQC的目的最重要的就是要改善公司體質(zhì)；即察覺問題的體質(zhì)、重視方案的體質(zhì)、重點指向的體質(zhì)、重視過程的體質(zhì)，以及全員有體系導(dǎo)向的體質(zhì)。

39CYCLETIME生產(chǎn)周期時間指原料由投入生產(chǎn)線到產(chǎn)品于生產(chǎn)線產(chǎn)生所需之生產(chǎn)/制造時間。在TI-ACER，生產(chǎn)周期有兩種解釋：一為“芯片產(chǎn)出周期時間〞〔WAFER-OUTCYCLETIME〕，一為“制程周期時間〞〔PROCESSCYCLETIME〕“芯片產(chǎn)出周期時間〞乃指單一批號之芯片由投入到產(chǎn)出所需之生產(chǎn)/制造時間。“制程周期時間〞那么指全部芯片于單一工站平均生產(chǎn)/制造時間，而各工站〔從頭至尾〕平均生產(chǎn)/制造之加總極為該制程之制程周期時間?，F(xiàn)在TI-ACERLINEREPORT之生產(chǎn)周期時間乃采用“制程周期時間〞。普通而言，生產(chǎn)周期時間能夠下列公式概略推算之：生產(chǎn)周期時間=在制品〔WIP〕/產(chǎn)能〔THROUGHOUT〕

40CYCLETIME生產(chǎn)周期IC制造流程復(fù)雜，且其程序很長，自芯片投入至晶圓測試完畢，謂之CycleTime。由于IC生命周期很短，自開發(fā)、生產(chǎn)至銷售，需要快速且能掌握時效，故CycleTime越短，競爭能力就越高，能掌握產(chǎn)品上市契機，就能獲取最大的利潤。由于CycleTime長，不允許生產(chǎn)中的芯片因故報廢或重做，故各項操作過程都要根據(jù)原則進展，且要做好故障排除讓產(chǎn)品流程順利，早日出FIB上市銷售。

41DEFECTDENSITY缺點密度〝缺點密度〞系指芯片單位面積上〔如每平方公分、每平方英吋等〕有多少〝缺點數(shù)〞之意，此缺點數(shù)普通可分為兩大類：A.可視性缺點B.不可視性缺點。前者可藉由普通光學(xué)顯微鏡檢查出來〔如橋接、斷線〕，由于芯片制造過程甚為復(fù)雜漫長，芯片上缺點數(shù)越少，產(chǎn)品量率品質(zhì)必然越佳，故〝缺點密度〞常備用來當(dāng)作一種工廠制造的產(chǎn)品品質(zhì)好壞的指針。

42DEHYDRATIONBAKE去水烘烤目的：去除芯片外表水分，增加光阻附著力。以免芯片外表曝光顯影后光阻掀起。辦法：在光阻覆蓋之前，運用高溫〔120℃或150℃〕加熱方式為之。

43DENSIFY密化CVD沉積后，由于所沈積之薄膜〔THINFILM之密度很低〕，故以高溫環(huán)節(jié)使薄膜中之分子重新結(jié)合，以提高其密度，此種高溫環(huán)節(jié)即稱為密化。密化普通以爐管在800℃以上的溫度完畢，但也可在快速升降溫機臺〔RTP；RAPIDTHERMALPROCESS〕完畢。

44DESCUM電漿預(yù)解決1.電漿預(yù)解決，系運用電漿方式〔Plasma〕，將芯片外表之光阻加以去除，但其去光阻的時間，較普通電漿光阻去除〔Strippi