(1)表面電容式(SurfaceCapacitiveTechnology)：

表面電容觸摸屏只采用單層的ITO，在觸摸屏四邊均鍍上狹長(zhǎng)的電極，在導(dǎo)電體內(nèi)形成一個(gè)低電壓交流電場(chǎng)。當(dāng)手指觸摸屏表面時(shí)，手指與導(dǎo)體層間會(huì)形成一個(gè)耦合電容，就會(huì)有一定量的電荷轉(zhuǎn)移到人體。為了恢復(fù)這些電荷損失，電荷從屏幕的四角補(bǔ)充進(jìn)來(lái)，各方向補(bǔ)充的電荷量和觸摸點(diǎn)的距離成比例，我們可以由此推算出觸摸點(diǎn)的位置。表面電容技術(shù)雖然生產(chǎn)容易，但需進(jìn)行校準(zhǔn)工作，也得克服難解的EMI及噪訊問(wèn)題。最大的限制則是，它無(wú)法實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)觸控功能，因電極尺寸過(guò)大，并不適合小尺寸手持設(shè)備設(shè)計(jì)。CTP電子培訓(xùn)

電容形成導(dǎo)體與導(dǎo)體導(dǎo)體與地電容平行板電容器C=εS/4πkd式中k為靜電力常量介電常數(shù)ε由兩極板之間介質(zhì)決定而此公式中的π就是那個(gè)圓周率π＝3.141592653589面積:正比距離:反比

電容被導(dǎo)體的影響插入孤立導(dǎo)體插入接地導(dǎo)體“地”與A,B是用一個(gè)地A/B之間的電容變大?變小?人體對(duì)電容的影響人體相當(dāng)于”地”人與地的電容較大電容變小投射電容式TP的原理(ProjectedCapacitiveTechnology)

1.玻璃/film上蝕刻的條形圖案組成感應(yīng)區(qū)域，此玻璃/film稱SENSOR:自電容self-capacitor1.利用單個(gè)電極自身的電容2.一端接地，另一端激勵(lì)或采樣電路3.測(cè)量信號(hào)線本身的電容4.優(yōu)點(diǎn)：簡(jiǎn)單，計(jì)算量小5.缺點(diǎn)：虛擬兩點(diǎn)互電容mutualcapacitor1.利用兩個(gè)電極傳輸電荷2.通常一端接激勵(lì)，另一端接采樣電路3.測(cè)量垂直相交的兩根信號(hào)之間的電容4.優(yōu)點(diǎn)：真實(shí)多點(diǎn)5.缺點(diǎn)：復(fù)雜，功耗大，成本高投射電容屏可分為自電容屏和互電容屏兩種類型投射電容式TP的結(jié)構(gòu)與原理(ProjectedCapacitiveTechnology)

自容self-capacitor

自電容驅(qū)動(dòng)/感應(yīng)特點(diǎn)M+N個(gè)電容M+N條連線“模擬”多點(diǎn)(2點(diǎn))自容self-capacitor

自電容式觸摸屏的控制單指（Singlefinger）

x=(5*4+60*5+22*6)/(5+60+22)*319/9=184.1=184y=(2*6+66*7+2*8)/(2+66+2)*479/12=279.4=279重心法則如果是單點(diǎn)觸摸，則在X軸和Y軸方向的投影都是唯一的，組合出的坐標(biāo)也是唯一的；自電容數(shù)據(jù)的處理：1.X/Y分別計(jì)算2.無(wú)觸摸時(shí)的基準(zhǔn)3.X/Y方向各自的一維觸摸區(qū)域4.分別計(jì)算插值坐標(biāo)兩指（Twofingers）如果在觸摸屏上有兩點(diǎn)觸摸并且這兩點(diǎn)不在同一X方向或者同一Y方向，則在X和Y方向分別有兩個(gè)投影，則組合出4個(gè)坐標(biāo)。顯然，只有兩個(gè)坐標(biāo)是真實(shí)的,另外兩個(gè)就是俗稱的”鬼點(diǎn)”。因此，自電容屏無(wú)法實(shí)現(xiàn)真正的多點(diǎn)觸摸?；ト輒utualcapacitor互容mutualcapacitor互電容式觸摸屏的控制互容mutualcapacitor通過(guò)下圖標(biāo)記的數(shù)據(jù)可以計(jì)算出真實(shí)兩點(diǎn)的坐標(biāo)互電容數(shù)據(jù)的處理：1.記錄無(wú)觸摸時(shí)的基準(zhǔn)2.記錄實(shí)時(shí)的電容變化3.找出觸摸區(qū)域4.進(jìn)行坐標(biāo)插值計(jì)算互容vs自容條目互電容式自電容式多點(diǎn)觸摸真實(shí)多點(diǎn)模擬2點(diǎn),有”鬼點(diǎn)”現(xiàn)象控制電路相對(duì)復(fù)雜相對(duì)簡(jiǎn)單數(shù)據(jù)獲取速度并行處理,速度快串行處理,速度慢運(yùn)算數(shù)據(jù)量很大,M*N規(guī)模較小,M+N規(guī)模功耗較高較低TP本身SNR高,電容變化率可達(dá)20%;較低,電容變化率<5%;抗環(huán)境影響較高一般,易受GND變化的影響方案靈活性一般,TX和RX電路不能混淆高,通道可以靈活配置CTP硬件設(shè)計(jì)1.SENSORDESIGN

圖形、PITCH、GAP、DUMMY、ITO阻值結(jié)構(gòu)主要是：SITODITO2.FPCDESIGN

SENSOR線路的走線要求鋪地的要求virtualkey的圖形設(shè)計(jì)3.VIRTUALKEY

在sensor上設(shè)計(jì)在FPC上設(shè)計(jì)CTP調(diào)試1.跟IC有關(guān)2.硬件：USB/UART轉(zhuǎn)IIC/SPI/UART板等3.FW+AP4.FW5.AP6.REGISTER+APCTP調(diào)試

軟件調(diào)試

1.電容電阻等元件選擇

2.與硬件相關(guān)的設(shè)置3.軟件算法參數(shù)：THRESHOLD、濾波參數(shù)、邊緣處理參數(shù)、校準(zhǔn)參數(shù)、大面積、防水干擾、ESD、溫度補(bǔ)償?shù)?。目的：高的SNR、均勻一致性、靈敏度/穩(wěn)定性。4.應(yīng)用參數(shù)：IIC地址、報(bào)點(diǎn)數(shù)量、報(bào)點(diǎn)頻率、中斷方式、坐標(biāo)MAPPING、手勢(shì)定義、其他功能定義（壓力、面積、ID等）CTP檢驗(yàn)與測(cè)試

1.基本電氣參數(shù)

電壓、電流（工作、監(jiān)視、待機(jī)）寄存器讀寫(xiě)、工作狀態(tài)轉(zhuǎn)換

2.基本性能

1.解析度、2.報(bào)點(diǎn)頻率、3.響應(yīng)速度、4.靈敏度、5.線性度、6.準(zhǔn)確度、7.抖動(dòng)、8.相鄰指觸摸、9.大面積（palm和face）、10.抗水滴、11.防水、12.電磁干擾、13.ESD

生產(chǎn)過(guò)程檢驗(yàn)1.FPCA：檢測(cè)FPC是否存在短、斷路，IC及周邊元件是否貼正確。檢測(cè)的方法和軟硬件主要由IC方案商提供自電容方案互電容方案2.SENSOR探針、假壓的方式3.FOG4.成品測(cè)試流程圖圖中四個(gè)黃色框是良品檢測(cè)的關(guān)鍵步驟：1.未綁定的SENSOR功能檢查2.SMT后的FPCA功能檢查3.SENSOR和FPCA綁定后的FOG半成品功能檢查4.貼好CG后的成品功能檢查注：3、4可以共用測(cè)試架測(cè)試硬件連接示意圖CTPM包括SENSOR和FPCA壓合好的半成品或貼好LENS后的成品。SensorTest連接到SIU板+PCFPCT