1GB/T9535.1.1—XXXX地面用光伏組件設(shè)計(jì)鑒定和定型第1-1部分：晶體硅光伏組件測(cè)試的特殊要求本文件規(guī)定了在露天氣候下長期運(yùn)行的地面光伏組件的設(shè)計(jì)鑒定和定型要求。組件的使用壽命是否達(dá)標(biāo)取決于其設(shè)計(jì)、環(huán)境和運(yùn)行條件。本文件適用于所有地面用晶體硅平面組件。本文件不適用于聚光組件，但可用于低倍率聚光組件（聚光比1-3）。對(duì)于低倍率聚光伏組件，所有測(cè)試應(yīng)在設(shè)計(jì)聚光條件下的輻照度、電流、電壓和功率等級(jí)下進(jìn)行。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T9535.1—202X和GB/T9535.2—202X的規(guī)范性參考文件無需修改即可適用。3術(shù)語和定義下列術(shù)語和定義適用于本文件。GB/T9535.1—202X的這一條款無需修改即可適用。4測(cè)試樣品GB/T9535.1—202X的這一條款無需修改即可適用。5標(biāo)記和文檔GB/T9535.1—202X的這一條款無需修改即可適用。6測(cè)試GB/T9535.1—202X的這一條款無需修改即可適用。7判定標(biāo)準(zhǔn)GB/T9535.1—202X的這一條款適用于下列修改：重復(fù)性的最大允許值設(shè)置為r=1.0%。測(cè)量不確定度的最大允許值設(shè)置為m1=3.0%。2GB/T9535.1.1—XXXX8外觀缺陷GB/T9535.1—202X的這一條款無需修改即可適用。9報(bào)告GB/T9535.1—202X的這一條款無需修改即可適用。GB/T9535.1—202X的這一條款無需修改即可適用。11測(cè)試流程和程序GB/T9535.1—202X的測(cè)試流程適用。11.1外觀檢查（MQT01）GB/T9535.1—202X的這一條款無需修改即可適用。11.2最大功率確定（MQT02）GB/T9535.1—202X的這一條款無需修改即可適用。11.3絕緣試驗(yàn)（MQT03）GB/T9535.1—202X的這一條款無需修改即可適用。11.4溫度系數(shù)的測(cè)量（MQT04）GB/T9535.1—202X的這一條款無需修改即可適用。11.5空白條款，原組件標(biāo)稱工作溫度（NMOT）GB/T9535.1—202X的本子條款無需進(jìn)行特定于技術(shù)修改。11.6標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下的性能(MQT06.1)GB/T9535.1—202X的這一條款無需修改即可適用。11.7低輻照度下的性能（MQT07）GB/T9535.1—202X的這一條款無需修改即可適用。11.8室外曝曬試驗(yàn)（MQT08）GB/T9535.1—202X的這一條款無需修改即可適用。11.9熱斑耐久試驗(yàn)（MQT09）GB/TXXXX-2:XXXX的相關(guān)子條款MQT09，無需修改即可適用。3GB/T9535.1.1—XXXXGB/TXXXX-2:XXXX的相關(guān)子條款MQT09，無需修改即可適用。11.9.2電池片連接分類GB/TXXXX-2:XXXX的相關(guān)子條款MQT09，無需修改即可適用。11.9.3設(shè)備GB/TXXXX-2:XXXX的相關(guān)子條款MQT09，無需修改即可適用。11.9.4程序根據(jù)GB/TXXXX-2:XXXX要求，執(zhí)行MQT09.1。11.9.5最終測(cè)量GB/TXXXX-2:XXXX的相關(guān)子條款MQT09，無需修改即可適用。11.9.6要求GB/TXXXX-2:XXXX的相關(guān)子條款MQT09，無需修改即可適用。11.10紫外預(yù)處理試驗(yàn)（MQT10）GB/TXXXX-2:XXXX的這一條款無需修改即可適用。11.11熱循環(huán)試驗(yàn)（MQT11）GB/TXXXX-2:XXXX的該項(xiàng)測(cè)試無需修改即可適用。對(duì)于單面組件，GB/TXXXX-2:XXXX中MQT11試驗(yàn)需要施加的特定技術(shù)電流應(yīng)為STC峰值功率電流。對(duì)于雙面組件，GB/TXXXX-2:XXXX中MQT11試驗(yàn)需要施加的特定技術(shù)電流應(yīng)為IEC61215-1條款3.12中定義的增強(qiáng)輻照度水平BSI下的峰值功率電流，輻照度BSI下的峰值功率電流(Imp-BSI)可以通過在輻照度BSI下測(cè)量(MQT06.1)確定，也可通過假設(shè)峰值功率電流與輻照度呈線性關(guān)系來確定。如假設(shè)為線性，則允許使用GateNo.1（Imp-STC和Imp-BNPI）測(cè)得的Imp值和相關(guān)等效輻照度：1000W/m2、GBNPI和GBSI，推算Imp-BSI的公式如下：上式中：等效輻照度按IECTS60904-1-2進(jìn)行計(jì)算，具體如下：GBNPI=1000Wm?2+φ×135W/m GBSI=1000Wm?2+φ×300W/m φ=Min(φIsc,φPmax） 11.12濕凍試驗(yàn)（MQT12）GB/TXXXX-2:XXXX的該項(xiàng)測(cè)試無需修改即可適用。4GB/T9535.1.1—XXXX11.13濕熱試驗(yàn)（MQT13）GB/TXXXX-2:XXXX的該項(xiàng)測(cè)試無需修改即可適用。在評(píng)估GateNo.2前，組件應(yīng)符合MQT19.2中的要求。11.14引線端強(qiáng)度試驗(yàn)（MQT14）GB/TXXXX-2:XXXX的這項(xiàng)測(cè)試無需修改即可適用。11.15濕漏電流試驗(yàn)（MQT15）GB/TXXXX-2:XXXX的這項(xiàng)測(cè)試無需修改即可適用。11.16靜態(tài)機(jī)械載荷試驗(yàn)（MQT16）GB/TXXXX-2:XXXX的這項(xiàng)測(cè)試無需修改即可適用。11.17冰雹試驗(yàn)（MQT17）GB/TXXXX-2:XXXX的這項(xiàng)測(cè)試無需修改即可適用。11.18旁路二極管試驗(yàn)（MQT18）GB/TXXXX-2:XXXX的這項(xiàng)測(cè)試無需修改即可適用。11.19穩(wěn)定性試驗(yàn)（MQT19）GB/TXXXX-2:XXXX的這項(xiàng)測(cè)試需以下修改后適用：11.19.1穩(wěn)定性的標(biāo)準(zhǔn)定義對(duì)于按照GB/TXXXX-2:XXXX測(cè)試MQT19的穩(wěn)定性定義，x=0,01應(yīng)用于晶體硅光伏組件。11.19.2光致穩(wěn)定性試驗(yàn)程序GB/TXXXX-2:XXXX的這項(xiàng)測(cè)試無需修改即可適用。11.19.3其他穩(wěn)定性程序GB/TXXXX-2:XXXX的這項(xiàng)測(cè)試無需修改即可適用。11.19.4初始穩(wěn)定性（MQT19.1）對(duì)于晶體硅光伏組件，應(yīng)先進(jìn)行輻照量≥10kWh/m2的曝曬（模擬器或自然光）。預(yù)處理之后，所有組件應(yīng)進(jìn)行STC下的功率測(cè)試(MQT06.1)。為滿足MQT19要求，需要至少兩次5kWh/m2的輻照。如果在室外進(jìn)行穩(wěn)定性試驗(yàn)，則對(duì)組件溫度沒有限制?？梢愿鶕?jù)GB/TXXXX-2:XXXX的MQT19使用經(jīng)過驗(yàn)證的替代程序。組件穩(wěn)定后，后續(xù)測(cè)試的時(shí)間間隔并不重要。在相應(yīng)的時(shí)間范圍內(nèi)完成所有測(cè)量，并在報(bào)告中注明11.19.5最終穩(wěn)定性（MQT19.2）5GB/T9535.1.1—XXXX除了進(jìn)行MQT21電勢(shì)誘導(dǎo)衰減試驗(yàn)（F序列）或MQT13濕熱測(cè)試（E序列）的組件，其他組件不需要進(jìn)行最終穩(wěn)定性試驗(yàn)（MQT19.2）。最終穩(wěn)定性試驗(yàn)的要求取決于組件是否進(jìn)行了MQT13或MQT21。對(duì)于已完成MQT13濕熱試驗(yàn)（序列E中）的組件，可選擇“方法1”或“方法2”進(jìn)行最終穩(wěn)定試驗(yàn)：方法1).按照GB/TXXXX-2中定義的MQT19.3執(zhí)行。.在測(cè)試報(bào)告中記錄選擇了穩(wěn)定方法1）。.完成最終穩(wěn)定性試驗(yàn)后，繼續(xù)進(jìn)行GB/TXXXX-1中定義的測(cè)試流程，具體包括MQT06.1和GateNo.2。.方法2).執(zhí)行MQT06.1并評(píng)估GB/TXXXX-1中定義的GateNo.2公式。.如果組件通過了GateNo.2的判定，則最終穩(wěn)定性試驗(yàn)、MQT06.1和GateNo.2全部完成。在測(cè)試報(bào)告中，記錄穩(wěn)定方法2)、MQT06.1結(jié)果以及以下文字：“本組件未經(jīng)穩(wěn)定處理，由于不穩(wěn)定現(xiàn)象的影響，因此觀察到的衰減可能比組件穩(wěn)定后的衰減更大?！崩^續(xù)進(jìn)行GB/TXXXX-1中定義的測(cè)試流程的下一步，即MQT03。.如果組件沒有通過GateNo.2，記錄初始MQT06.1結(jié)果，然后執(zhí)行方法1)的每一步。對(duì)于已完成MQT21PID（序列F中）測(cè)試的組件，可選擇兩種最終穩(wěn)定方法，即“方法3”或“方方法3).組件應(yīng)暴露在(2.0±0.2)kWh/m2的輻照下。.暴露應(yīng)按照GB/TXXXX-2:XXXXMQT10進(jìn)行，溫度和光譜滿足其中規(guī)定的要求。在進(jìn)行加熱、暴露和冷卻過程中，應(yīng)使組件在40°C以上的時(shí)間少于24小時(shí)。對(duì)于方法3)與MQT10中的暴露條件，其差異僅在于總輻照量、組件的曝曬面以及增加了時(shí)間限制等方面。.對(duì)于雙面組件，輻照應(yīng)施加到背面，而對(duì)于單面組件，輻照應(yīng)施加到正面。.在MQT19.2中將CCC級(jí)太陽模擬器列為所需設(shè)備，其應(yīng)滿足IEC60904-9中描述的擴(kuò)展波長范圍至少短波長部分的C級(jí)光譜要求。.在測(cè)試報(bào)告中記錄選擇了穩(wěn)定方法3)。.完成最終穩(wěn)定性試驗(yàn)后，繼續(xù)進(jìn)行GB/TXXXX-1中定義的測(cè)試流程，具體包括MQT06.1和GateNo.2。方法4).執(zhí)行MQT06.1并評(píng)估GB/TXXXX-1中定義的GateNo.2公式。.如果組件通過了GateNo.2，則最終穩(wěn)定性試驗(yàn)、MQT06.1和GateNo.2全部完成。在測(cè)試報(bào)告中，記錄穩(wěn)定方法4)、MQT06.1結(jié)果以及以下文字：“本組件未經(jīng)穩(wěn)定處理，由于極化的原因，因此觀察到的衰減可能會(huì)比組件穩(wěn)定后的衰減更大”繼續(xù)進(jìn)行GB/TXXXX-1中定義的測(cè)試流程的下一步，即MQT03。.如果組件沒有通過GateNo.2，記錄初始MQT06.1結(jié)果，然后執(zhí)行方法3