微電子概論（第3版）課件2-6-6A四種MOSFET的對比分析_第1頁
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文檔簡介

IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微電子概論》（第3版）郝躍賈新章史江一目錄1.MOSFET器件特點2.6.6MOSFET模型2.MOSFET符號4.MOSFET模型與模型參數(shù)3.四種MOSFET特性對比1.MOSFET器件特點①MOSFET是一種表面型器件，提高器件性能的關(guān)鍵是改善表面特性和縮小表面溝道幾何尺寸。②溝道電流IDS為多子漂移電流，所以MOSFET為單極器件由于電子遷移率比空穴遷移率高，因此NMOS性能優(yōu)于PMOS。③MOSFET是電壓控制器件：VGS控制IDS④柵、源間有柵介質(zhì)，柵電流極小，因此MOSFET是容性高輸入阻抗器件。⑤由于溝道和襯底之間構(gòu)成pn結(jié)，在同一襯底上形成的多個MOS晶體管之間具有自隔離的效果。1.MOSFET器件特點⑥MOSFET的IDS-VDS輸出特性曲線從原點“扇形”展開

飽和區(qū)指VDS↑增加溝道電流IDS基本不變的區(qū)域。

BJT的IC-VCE輸出特性曲線是從一條“包絡(luò)線”彈出

飽和區(qū)指集電極電流IC增加但是VCE基本不變的區(qū)域。JFET器件特性BJT器件特性2.MOSFET符號(1)基本符號

MOSFET分n溝MOSFET和p溝MOSFET兩類，每類均可采用耗盡型和增強型兩種工作模式，因此MOSFET器件一共分為四種。2.MOSFET符號(1)基本符號電路符號中，襯底電極上的箭頭方向代表源極-襯底之間電流的方向按照箭頭方向區(qū)分n溝與p溝器件。

D-S之間連線為實線表示零偏時已存在導(dǎo)電溝道，代表耗盡型器件。D-S之間連線為虛線表示零偏時不存在導(dǎo)電溝道，代表增強型器件。2.MOSFET符號

(2)電路中常用符號

CMOS數(shù)字IC中都采用增強型器件。而且襯底均與源極連接。借用數(shù)字電路中代表“低電平有效”的小圓圈區(qū)分n溝和p溝MOS器件符號。p溝MOS器件符號柵極帶有小圓圈表示柵極加低電平才能在半導(dǎo)體表面形成p型導(dǎo)電溝道。因此n溝和p溝MOS器件均只需一種符號。2.MOSFET符號

(2)電路中常用符號模擬IC中通常在源端加表示電流方向的箭頭區(qū)分n溝和p溝MOS器件符號。n溝MOS器件源端提供電子，對應(yīng)電流方向流出源極。p溝MOS器件源端提供空穴，對應(yīng)電流方向從源極流入。3.四種MOSFET特性對比(1)偏置條件3.四種MOSFET特性對比

(2)輸出直流特性增強型nMOS耗盡型nMOS增強型pMOS耗盡型pMOS

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