基于HHGRACE90nmBCD工藝PDK分析綜述目錄TOC\o"1-3"\h\u24538基于HHGRACE90nmBCD工藝PDK分析綜述 1252651.1制備LDO版圖采用的layer 1152381.290nm器件工藝 225361.3版圖設(shè)計環(huán)境設(shè)置 4PDK全稱ProcessDesign，是生產(chǎn)芯片的廠家提供給IC設(shè)計公司的一種數(shù)據(jù)包，里面包含了工藝的模型和EDA工具所需要的從前端到后端的所有數(shù)據(jù)。其中包含了工藝庫、IP庫、數(shù)字標準單元庫和設(shè)計規(guī)則文件。其中設(shè)計規(guī)則文件又包括DRCrule、LVSrule、Antrule、Lep等規(guī)則檢查文件。DRC是用來檢查版圖的物理特性是否符合要求。而LVS是用來檢查電路圖是否與版圖一致。1.1制備LDO版圖采用的layer設(shè)計的LDO版圖用到了一下的layer與設(shè)計規(guī)則：ACT：1.用于互連的ACT的寬度為0.14um1.MOS寬度（Vcc=1.c5V，用于核心設(shè)備）為0.16um3.MOS寬度(Vcc=5.0V，用于TGO2區(qū)域)為0.5um4.ACT最小間距：①.ACT到ACT間距0.18um②.兩個一個平行長度為L>為1.5um的ACT與 至少一個對應(yīng)的ACT區(qū)域之間的空間寬度為 W>為0.3um（2）N-wellLayer(NW):1.最小NW寬度：①.1.5vNW為0.62um ②.用于5vNW為1um1.NW與NW的最小間距為1um（3）TGO2：1.最小TGO2寬度為1um1.NW的最小TGO2外包圍為1um3.最小距離NW為0.62nm（4）polylayer：1.最小poly寬度為0.12um1.最小通道長度：①.1.5vN/PMOS為0.12um②.5.0vN/PMOS為0.6umpoly最小面積為0.09um2PPLUS：1.P+區(qū)域的最小寬度為0.24um1.與NW區(qū)域的最小空間（未對接）：①.當在NW中，N+的ACT與PW的間距大于或等于0.22um時，最小空間為0.02um②.當在NW(不含TGO2)，N+ACT與PW的間距小于0.22um時，最小空間為0.12um（6）Contactlayer：1.CT的最小寬度和最大寬度為0.12um1.CT最小間距為0.16um（7）Metallayer：1.具有一個或兩個金屬線寬度的金屬線之間的最小間距 為0.19um（除金屬1為0.17）1.金屬的最大寬度為25um3.金屬的最小寬度為0.13um（8）MetalVIA（金屬接觸孔）：1.MetalVIA的最大寬度和最小寬度為0.13um1.MetalVIA到MetalVIA的最小間距0.17um1.290nm器件工藝由于之前所學(xué)的工藝為N阱（單阱）工藝，與本次課題研究的雙阱工藝有所差異，為了更好地了解版圖設(shè)計規(guī)則與工藝制備的條件與需求，也為了更好地將電路圖轉(zhuǎn)化為版圖，所以多工藝的剖面圖務(wù)必了解，才能進行下一步的分析。5V隔離NMOS如圖1.1所見為1.5V隔離時NMOS的版圖將于1.2所見的NMOS剖面圖就行對應(yīng)。圖1.1NMOS版圖圖1.2NMOS剖面圖將圖1.1與圖1.2進行對照學(xué)習，了解在工藝中雙阱形的NMOS管的結(jié)構(gòu)與版圖中雙阱形的NMOS管的結(jié)構(gòu)的關(guān)系，來了解與單阱形的NMOS管的區(qū)別。5V隔離PMOS如圖1.3與圖1.4所示，為別為1.5V隔離PMOS的版圖和1.5V隔離PMOS的剖面圖來進行對照學(xué)習。圖1.3PMOS版圖圖1.4PMOS剖面圖將圖1.3與圖1.4進行對照學(xué)習，了解在工藝中雙阱形的PMOS管的結(jié)構(gòu)與版圖中雙阱形的PMOS管的結(jié)構(gòu)的關(guān)系，來了解與單阱形的PMOS管的區(qū)別。1.3版圖設(shè)計環(huán)境設(shè)置首先先建立好規(guī)范的工作路徑，通過建立好規(guī)范的工作路徑，來減少失誤造成的數(shù)據(jù)錯誤和提高工作效率。其中王浩，盧曉冬，張立新等人所寫的“CMOS模擬集成電路單元版圖的設(shè)計”一書中，就向我們介紹了“一個優(yōu)秀的版圖設(shè)計工程師不僅要具有扎實的專業(yè)基礎(chǔ)知識積累設(shè)計技巧，還要具備良好的設(shè)計習慣”[2]。將cds.lib和display.dry兩個文件放在自己的工作路徑下，然后在該路徑下啟動Virtuoso。在本次課題采用的是IC61，Virtuoso的版本大概可以有兩種，一種是IC51，啟動命令為ICfb，另一種就是目前大多數(shù)公司都在采用的ic61，啟動命令為virtuoso，IC61的功能相比較IC51，更加齊全，工作效率也大大提高，省去了很多的繁瑣步驟。當