DB13T 5092-2019 太陽能級類單晶硅錠用方籽晶通 用技術(shù)要求_第1頁
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文檔簡介

DB13河北省市場監(jiān)督管理局發(fā)布I本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1-2009給本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：英利能源（中國）有限公司、保定天威英利新能源有本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：張莉沫、孟慶超、夏新中、劉磊1太陽能級類單晶硅錠用方籽晶通用技術(shù)要求本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽能級類單晶硅錠用方籽晶的技術(shù)要求和試本標(biāo)準(zhǔn)適用于將晶向?yàn)?lt;100>的單晶硅棒開方后按下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注3GB/T14264、GB/T304單晶硅棒在開方前相對于單晶硅棱線位置旋轉(zhuǎn)的角度(見2開方時(shí)因切割位置出現(xiàn)偏差導(dǎo)致方籽晶角部出現(xiàn)圓角,圓角弦長為開方切割線與晶棒的交點(diǎn)的直4.1外觀3h——正投影方向上的延伸度(垂直于缺口連線，與缺口內(nèi)部邊緣相交所能獲得的最大直4.2規(guī)格尺寸4.3.2晶面旋轉(zhuǎn)角α的范圍為10°~45°,允許的偏差為α±0.5°或由供需雙方商定。4.3.4間隙氧含量≤1.0×1018atoms/cm3。4.3.5代位碳含量≤5×1016atoms/cm44.3.6晶體完整性要求無星形結(jié)構(gòu)、無六角網(wǎng)絡(luò)、5.1外觀5.1.1崩邊、缺口、圓角弦長采用鋼直尺或相應(yīng)精度的儀器進(jìn)行。5.2規(guī)格尺寸

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