自考專業(yè)(計算機應(yīng)用)考試綜合練習(xí)考試時間：90分鐘；命題人：教研組考生注意：1、本卷分第I卷（選擇題）和第Ⅱ卷（非選擇題）兩部分，滿分100分，考試時間90分鐘2、答卷前，考生務(wù)必用0.5毫米黑色簽字筆將自己的姓名、班級填寫在試卷規(guī)定位置上3、答案必須寫在試卷各個題目指定區(qū)域內(nèi)相應(yīng)的位置，如需改動，先劃掉原來的答案，然后再寫上新的答案；不準使用涂改液、膠帶紙、修正帶，不按以上要求作答的答案無效。第I卷（選擇題55分）一、單選題（10小題，每小題5分，共計50分）1、（單選題）程序員編寫程序時使用的地址是()。

A.主存地址

B.邏輯地址

C.物理地址

D.有效地址

正確答案：B

2、（單選題）以下敘述正確的是（）。

A.微機的字長可以是8、16、24、32位

B.微機的字長可以是8、16、32、64位

C.微機的字長可以是8、16、24、32K

D.字長是指計算機處理數(shù)據(jù)的精度

正確答案：B

3、（單選題）操作系統(tǒng)中，統(tǒng)一管理信息資源的軟件是（）

A.存儲系統(tǒng)

B.文件系統(tǒng)

C.設(shè)備系統(tǒng)

D.進程系統(tǒng)

正確答案：B

4、（單選題）采用寄存器直接尋址方式的操作數(shù)在（）

A.指令中

B.通用寄存器中

C.內(nèi)存中

D.外存中

正確答案：B

5、（單選題）對于順序文件的特點，說法正確的是（）

A.不支持隨機存取

B.文件不能動態(tài)增長

C.有利于文件插入和刪除

D.提高了磁盤空間利用率

正確答案：B

6、（單選題）IEEE754單精度(32位)浮點數(shù)格式中指數(shù)的偏移常數(shù)為（）

A.127

B.128

C.1023

D.1024

正確答案：A

7、（單選題）設(shè)x=8，執(zhí)行語句Y=x++，則y等于（）

A.6

B.7

C.9

D.8

正確答案：D

8、（單選題）電流串聯(lián)負反饋具有()的性質(zhì)

A.電壓控制電壓源

B.電壓控制電流源

C.電流控制電壓源

D.電流控制電流源

正確答案：B

9、（單選題）下列屬于總線標準的是（）

A.電氣

B.速率

C.流量

D.吞吐率

正確答案：A

10、（單選題）以下基類中的成員函數(shù)表示純虛函數(shù)的是()

A.virtualvoidtt()=0

B.voidtt(int)=0

C.virtualvoidtt(int)

D.virtualvoidtt(int){}

正確答案：A

二、多選題（1小題，每小題5分，共計5分）1、（多選題）下列關(guān)于系統(tǒng)安全狀態(tài)的描述中，正確的是（）。

A.不安全狀態(tài)是死鎖狀態(tài)的一個特例

B.系統(tǒng)處于安全狀態(tài)一定不會發(fā)生死鎖

C.系統(tǒng)處于不安全狀態(tài)一定會發(fā)生死鎖

D.系統(tǒng)處于不安全狀態(tài)可能會發(fā)生死鎖

E.系統(tǒng)處于不安全狀態(tài)不一定會發(fā)生死鎖

正確答案：BDE

第Ⅱ卷（非選擇題45分）三、填空題（5小題，每小題4分，共計20分）1、（填空題）適當(dāng)選擇好Cache的容量、塊的大小、組相聯(lián)的_______和組內(nèi)的_______，可以保證有較高的命中率。

正確答案：組數(shù)、塊數(shù)

2、（填空題）C++中有兩種繼承：單繼承和___。

正確答案：多重繼承

3、（填空題）軟件開發(fā)的本質(zhì)概括為不同抽象層術(shù)語之間以及不同抽象層處理邏輯之間的_______________。

正確答案：映射

4、（填空題）處理模擬信號的電子電路稱為_______。

正確答案：模擬電路

5、（填空題）針對開發(fā)的CMMl是一個有關(guān)產(chǎn)品和服務(wù)的過程改善的成熟度模型，集成了3個源模型：____________、系統(tǒng)工程CMM和___________。

正確答案：軟件CMM、集成產(chǎn)品開發(fā)CMM(或產(chǎn)品集成開發(fā)CMM)

四、判斷題（1小題，每小題5分，共計5分）1、（判斷題）數(shù)集合上的不等關(guān)系(≠)可確定A的一個劃分。

正確答案：

錯誤

五、計算題（1小題，每小題10分，共計10分）1、（計算題）某反饋放大電路的方框圖如圖所示，試推導(dǎo)其閉環(huán)增益xo/xi的表達式。

正確答案：

六