ICS77040

CCSH.21

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T32278—2025

代替GB/T30867—2014GB/T32278—2015

,

碳化硅單晶片厚度和平整度測(cè)試方法

Testmethodforthicknessandfltanessofmonocrystallinesiliconcarbidewafers

2025-08-01發(fā)布2026-02-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T32278—2025

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替碳化硅單晶片平整度測(cè)試方法和碳化硅單

GB/T32278—2015《》GB/T30867—2014《

晶片厚度和總厚度變化測(cè)試方法本文件以為主整合了的

》,GB/T32278—2015,GB/T30867—2014

內(nèi)容與相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性改動(dòng)外主要技術(shù)變化如下

,GB/T32278—2015,,:

更改了文件的適用范圍見(jiàn)第章的第章

a)(1,GB/T32278—20151);

增加了對(duì)中術(shù)語(yǔ)和定義的引用增加了碳化硅單晶片的術(shù)語(yǔ)和定義見(jiàn)第章

b)GB/T14264,“”(3);

刪除了局部厚度變化的術(shù)語(yǔ)和定義見(jiàn)的

c)“”(GB/T32278—20153.1);

增加了接觸式測(cè)試方法并將的有關(guān)內(nèi)容更改后納入見(jiàn)第章

d),GB/T30867—2014(4);

更改了非接觸式測(cè)試方法的測(cè)試光路示意圖見(jiàn)的第章

e)(5.1,GB/T32278—20154);

更改了非接觸式測(cè)試方法的干擾因素新增表面粗糙度的影響引用

f),,GB/T30656、GB/T43885

中關(guān)于表面粗糙度的要求見(jiàn)的第章

(5.2,GB/T32278—20156);

更改了非接觸式測(cè)試方法的試驗(yàn)條件見(jiàn)的第章

g)(5.3,GB/T32278—20157);

更改了非接觸式測(cè)試方法的儀器設(shè)備見(jiàn)的第章

h)(5.4,GB/T32278—20155);

更改了非接觸式測(cè)試方法的樣品要求見(jiàn)的第章

i)(5.5,GB/T32278—20158);

更改了非接觸式測(cè)試方法的試驗(yàn)步驟見(jiàn)的第章

j)(5.6,GB/T32278—20159);

更改了非接觸式測(cè)試方法的精密度要求見(jiàn)的第章

k)(5.7,GB/T32278—201510)。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專(zhuān)利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所

:、、

山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體股份有限公司廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司

、、、

南京盛鑫半導(dǎo)體材料有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司浙江晶瑞電子材料有限公司

、、、

連科半導(dǎo)體有限公司長(zhǎng)飛光纖光纜股份有限公司派恩杰半導(dǎo)體浙江有限公司

、、()。

本文件主要起草人佘宗靜彭同華何烜坤王大軍王波楊建賀東江吳殿瑞劉小平劉薇

:、、、、、、、、、、

黃宇程胡動(dòng)力汪傳勇趙文琪黃興

、、、、。

本文件于年首次發(fā)布本次為第一次修訂修訂時(shí)并入了碳化硅單晶片

2015,,GB/T30867—2014《

厚度和總厚度變化測(cè)試方法的內(nèi)容

》。

Ⅰ

GB/T32278—2025

碳化硅單晶片厚度和平整度測(cè)試方法

1范圍

本文件描述了碳化硅單晶片的厚度和平整度測(cè)試方法包括接觸式和非接觸式測(cè)試方法

,。

本文件適用于厚度為直徑為的

0.13mm~1mm,50.8mm、76.2mm、100mm、150mm、200mm

碳化硅單晶片厚度和平整度的測(cè)試

。

本文件也適用于碳化硅外延片厚度和平整度的測(cè)試

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第部分按粒子濃度劃分空氣潔凈度等級(jí)

GB/T25915.1—20211:

碳化硅單晶拋光片

GB/T30656

碳化硅外延片

GB/T43885

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

碳化硅單晶片monocrystallinesiliconcarbidewafers

從碳化硅單晶上切取的具有平行平面的薄片

。

注碳化硅單晶片包括切割片研磨片拋光片等

:、、。

4接觸式測(cè)試方法

41方法原理

.

采用物理接觸的方式進(jìn)行測(cè)量將測(cè)量頭放置在被測(cè)樣品的表面施加壓力以確保測(cè)量頭與被測(cè)樣

,,

品表面良好接觸當(dāng)被測(cè)樣品的厚度變化時(shí)測(cè)量頭會(huì)相應(yīng)地向內(nèi)或向外移動(dòng)測(cè)量頭的位移通過(guò)主

。,。

軸傳遞到傳感器傳感器將機(jī)械位移轉(zhuǎn)換為電信號(hào)并傳輸?shù)絻?nèi)部的處理電路處理電路對(duì)信號(hào)進(jìn)行放

,。

大和轉(zhuǎn)換計(jì)算出相應(yīng)的位移值根據(jù)位移值的變化即可得到厚度和總厚度變化的數(shù)值

,。。

該方法適用于碳化硅單晶片厚度和總厚度變化的測(cè)試