自考專(zhuān)業(yè)(計(jì)算機(jī)應(yīng)用)??寄M試題帶答案詳解(黃金題型)_第1頁(yè)
自考專(zhuān)業(yè)(計(jì)算機(jī)應(yīng)用)模考模擬試題帶答案詳解(黃金題型)_第2頁(yè)
自考專(zhuān)業(yè)(計(jì)算機(jī)應(yīng)用)模考模擬試題帶答案詳解(黃金題型)_第3頁(yè)
自考專(zhuān)業(yè)(計(jì)算機(jī)應(yīng)用)??寄M試題帶答案詳解(黃金題型)_第4頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

自考專(zhuān)業(yè)(計(jì)算機(jī)應(yīng)用)??寄M試題考試時(shí)間:90分鐘;命題人:教研組考生注意:1、本卷分第I卷(選擇題)和第Ⅱ卷(非選擇題)兩部分,滿(mǎn)分100分,考試時(shí)間90分鐘2、答卷前,考生務(wù)必用0.5毫米黑色簽字筆將自己的姓名、班級(jí)填寫(xiě)在試卷規(guī)定位置上3、答案必須寫(xiě)在試卷各個(gè)題目指定區(qū)域內(nèi)相應(yīng)的位置,如需改動(dòng),先劃掉原來(lái)的答案,然后再寫(xiě)上新的答案;不準(zhǔn)使用涂改液、膠帶紙、修正帶,不按以上要求作答的答案無(wú)效。第I卷(選擇題55分)一、單選題(10小題,每小題5分,共計(jì)50分)1、(單選題)在可變分區(qū)管理中,采用最優(yōu)適應(yīng)分配算法時(shí),登記在空閑區(qū)表中的空閑區(qū)是()

A.按地址遞減順序排列的

B.按地址遞增順序排列的

C.按長(zhǎng)度遞減順序排列的

D.按長(zhǎng)度遞增順序排列的

正確答案:D

2、(單選題)EDI的通信網(wǎng)絡(luò)采用的是()

A.電話(huà)網(wǎng)

B.電視網(wǎng)

C.物聯(lián)網(wǎng)

D.增值網(wǎng)

正確答案:D

3、(單選題)如果按照文件的用途對(duì)文件分類(lèi),其中的類(lèi)別之一是()

A.庫(kù)文件

B.只讀文件

C.檔案文件

D.執(zhí)行文件

正確答案:A

4、(單選題)編號(hào)為0~15的l6個(gè)處理器,互連函數(shù)采用Shuffle(Shuffle)單級(jí)互連網(wǎng)絡(luò)互連,則與9號(hào)處理器連接的處理器號(hào)為()。

A.5

B.6

C.7

D.8

正確答案:B

5、(單選題)設(shè)備間地面不能使用()。

A.地板磚

B.地板閣

C.地毯

D.瓷磚

正確答案:C

6、(單選題)設(shè)備間內(nèi)要求無(wú)線(xiàn)電干擾場(chǎng)強(qiáng),頻率在()的范圍內(nèi)。

A.0.01~800MHz

B.0.1~1000MHz

C.1~2000MHz

D.10~5000MHz

正確答案:B

7、(單選題)用信號(hào)量s來(lái)管理一組臨界資源,S初值為4,若多次P、V操作后,s當(dāng)前值為-1,則表示當(dāng)前正在使用這些臨界資源的進(jìn)程共有

A.5個(gè)

B.4個(gè)

C.3個(gè)

D.2個(gè)

正確答案:B

8、(單選題)主存中的實(shí)際地址稱(chēng)為()

A.物理地址

B.邏輯地址

C.虛擬地址

D.相對(duì)地址

正確答案:A

9、(單選題)下列予尋址方式的三種面向的是()。

A.面向主存

B.面向輔存

C.面向寄存器

D.面向堆棧

正確答案:B

10、(單選題)測(cè)得工作在放大狀態(tài)的某三極管的三個(gè)極1、2、3對(duì)地電位分別如下:V1=0V,V2=-5V,V3=-0.3V,則可判斷()A.A.該管為NPN管,材料為硅,1極為集電極B.該管為NPN管,材料為鍺,2極為集電極C.該管為PNP管,材料為硅,1極為集電極D.該管為PNP管,材料為鍺,2極為集電極正確答案:D二、多選題(1小題,每小題5分,共計(jì)5分)1、(多選題)下列關(guān)于系統(tǒng)安全狀態(tài)的描述中,正確的是()。

A.不安全狀態(tài)是死鎖狀態(tài)的一個(gè)特例

B.系統(tǒng)處于安全狀態(tài)一定不會(huì)發(fā)生死鎖

C.系統(tǒng)處于不安全狀態(tài)一定會(huì)發(fā)生死鎖

D.系統(tǒng)處于不安全狀態(tài)可能會(huì)發(fā)生死鎖

E.系統(tǒng)處于不安全狀態(tài)不一定會(huì)發(fā)生死鎖

正確答案:BDE

第Ⅱ卷(非選擇題45分)三、填空題(5小題,每小題4分,共計(jì)20分)1、(填空題)MIPS指令流水線(xiàn)數(shù)據(jù)通路通常包括取指_____、譯碼、_____、_____和五段流水線(xiàn)。

正確答案:執(zhí)行、方存、寫(xiě)回

2、(填空題)針對(duì)開(kāi)發(fā)的CMMl是一個(gè)有關(guān)產(chǎn)品和服務(wù)的過(guò)程改善的成熟度模型,集成了3個(gè)源模型:____________、系統(tǒng)工程CMM和___________。

正確答案:軟件CMM、集成產(chǎn)品開(kāi)發(fā)CMM(或產(chǎn)品集成開(kāi)發(fā)CMM)

3、(填空題)適當(dāng)選擇好Cache的容量、塊的大小、組相聯(lián)的_______和組內(nèi)的_______,可以保證有較高的命中率。

正確答案:組數(shù)、塊數(shù)

4、(填空題)一個(gè)字節(jié)由____位二進(jìn)制數(shù)構(gòu)成,一個(gè)字節(jié)簡(jiǎn)記為_(kāi)___,一個(gè)字節(jié)可以表示____個(gè)信息。

正確答案:8、1B、256

5、(填空題)編譯時(shí)的多態(tài)性通過(guò)___函數(shù)實(shí)現(xiàn)。

正確答案:重載

四、判斷題(1小題,每小題5分,共計(jì)5分)1、(判斷題)在實(shí)際應(yīng)用的放大電路中很少引人負(fù)反饋。

正確答案:

錯(cuò)誤

五、計(jì)算題(1小題,每小題10分,共計(jì)10分)1、(計(jì)算題)射極偏置電路如圖所示,已知=60。(1)用估算法求Q點(diǎn);(2)求輸入電阻rbe;(3)用小信號(hào)模型分析法求電壓增益Av;(4)電路其他參數(shù)不變,如果要使VCEQ=4V,問(wèn)上偏流電阻為多大?

正確答案:

六、解答題(1小題,每小題10分,共計(jì)10分)1、(問(wèn)答題)簡(jiǎn)述SIMD系統(tǒng)的互連網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)目標(biāo)。

正確答案:答:⑴結(jié)構(gòu)不要過(guò)于復(fù)雜,以降低成本;

⑵互聯(lián)要靈活,以滿(mǎn)足算法和應(yīng)用的需求;

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