(19)國家知識產(chǎn)權(quán)局(71)申請人惠科股份有限公司地址518101廣東省深圳市寶安區(qū)石巖街道石龍社區(qū)工業(yè)二路1號惠科工業(yè)園層(74)專利代理機構(gòu)廣州三環(huán)專利商標代理有限公司44202專利代理師楊振禮(54)發(fā)明名稱顯示驅(qū)動電路和顯示面板一種顯示驅(qū)動電路和顯示面板，顯示驅(qū)動電路包括發(fā)光模塊、采集模塊和補償模塊，發(fā)光模塊包括掃描線、數(shù)據(jù)線和發(fā)光件，掃描線和數(shù)據(jù)線均與發(fā)光件電連接，發(fā)光件用于根據(jù)掃描線上的第一掃描信號和數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)信號發(fā)光，采集模塊與發(fā)光模塊電連接，補償模塊與發(fā)光模塊和采集模塊均電連接，掃描線和數(shù)據(jù)線之間具有寄生電容，當?shù)谝粧呙栊盘栕愿唠娖角袚Q為低電平時，寄生電容對數(shù)據(jù)信號分壓，以使發(fā)光件的工作電壓由第一電壓下降至第二電壓而產(chǎn)生偏移電壓，采集模塊用于根據(jù)偏移電壓向補償模塊輸出充電電壓，補償模塊用于根據(jù)充電電壓向發(fā)2發(fā)光模塊，包括掃描線、數(shù)據(jù)線和發(fā)光件，所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線均與所述發(fā)光件電連接，所述掃描線用于輸入第一掃描信號，所述數(shù)據(jù)線用于輸入數(shù)據(jù)信號，所述發(fā)光件用于根據(jù)所述第一掃描信號和所述數(shù)據(jù)信號發(fā)光；補償模塊，與所述發(fā)光模塊和所述采集模塊均電連接；其中，所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線之間具有寄生電容，當所述第一掃描信號自高電平切換為低電平時，所述寄生電容對所述數(shù)據(jù)信號分壓，以使所述發(fā)光件的工作電壓由第一電壓下降至第二電壓而產(chǎn)生偏移電壓，所述采集模塊用于根據(jù)所述偏移電壓向所述補償模塊輸出充電電壓，所述補償模塊用于根據(jù)所述充電電壓向所述發(fā)光件輸出補償電壓，所述補償電壓用于補償所述寄生電容導致所述發(fā)光件產(chǎn)生的壓降。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示驅(qū)動電路，其特征在于，所述發(fā)光模塊還包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第一存儲電容和電源線，所述第一薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線電連接，所述第一薄膜晶體管的柵極與所述掃描線電連接，所述第一薄膜晶體管的漏極與所述第二薄膜晶體管的柵極電連接，所述第二薄膜晶體管的漏極與所述發(fā)光件的陽極電連接，所述發(fā)光件的陰極與接地端連接，所述第二薄膜晶體管的源極與所述電源線電連接，所述第一存儲電容的一端與所述第二薄膜晶體管的柵極電連接，另一端與所述第二薄膜晶體管的源極電連接，所述采集模塊與所述第一薄膜晶體管的漏極、所述數(shù)據(jù)線、所述電源線和接地端均電連接，所述補償模塊的一端與所述發(fā)光件的陽極電連接，另一端與接地端連接；其中，所述電源線用于輸入電源信號，所述第一薄膜晶體管的漏極用于向所述采集模塊輸出所述偏移電壓。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示驅(qū)動電路，其特征在于，所述采集模塊包括第一運算模組、第二運算模組和第三運算模組，所述第一運算模組與所述第一薄膜晶體管的漏極、所述數(shù)據(jù)線和所述第三運算模組均電連接，所述第二運算模組與所述電源線、所述第三運算模組和接地端均電連接，所述第三運算模組與所述補償模塊電連接；其中，所述第一運算模組用于根據(jù)所述偏移電壓和所述數(shù)據(jù)信號向所述第三運算模組輸出第一中間信號，所述第二運算模組用于根據(jù)所述電源信號和所述發(fā)光件發(fā)射的光線向所述第三運算模組輸出第二中間信號，所述第三運算模組用于輸出所述充電電壓。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一運算模組包括第一走器，所述第三薄膜晶體管的源極與所述第一薄膜晶體管的漏極電連接，所述第三薄膜晶體管的柵極與所述第一走線電連接，所述第三薄膜晶體管的漏極與所述第一電容器的一端電連接，所述第一電阻串聯(lián)所述第一電容器的另一端和所述運算放大器的負輸入端，所述第二電阻串聯(lián)所述運算放大器的負輸入端和所述運算放大器的輸出端，所述第三電阻串聯(lián)所述運算放大器的輸出端和所述第三運算模組，所述第二電容器的一端與所述運算放大器的正輸入端和所述數(shù)據(jù)線均電連接，另一端與接地端電連接；其中，所述第一走線用于輸入第二掃描信號，所述運算放大器用于根據(jù)所述偏移電壓和所述數(shù)據(jù)信號向所述第三運算模組輸出所述第一中間信號。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示驅(qū)動電路，其特征在于，所述第二運算模組包括第二走3器，所述第一晶體三極管與所述發(fā)光件組成光電耦合器，所述第四電阻串聯(lián)所述第二薄膜晶體管的源極和所述第四薄膜晶體管的源極，所述第四薄膜晶體管的柵極與所述第二走線電連接，第四薄膜晶體管的漏極與所述第一晶體三極管的集電極、所述第二晶體三極管的集電極和所述運算減法器的負輸入端均電連接，所述第一晶體三極管的發(fā)射極與所述第二晶體三極管的基極電連接，所述第二晶體三極管的發(fā)射機與接地端電連接，所述第三電容器的一端與所述運算減法器的正輸入端電連接，所述第三電容器的另一端用于輸入所述第一電壓，所述運算減法器的輸出端與所述第三運算模組電連接；其中，所述第二走線用于輸入第三掃描信號，所述第一晶體三極管用于根據(jù)所述發(fā)光件發(fā)射的光線向所述第二晶體三極管的基極輸出光電信號，所述第二晶體三極管的集電極用于向所述運算減法器輸出第三中間信號，所述運算減法器用于根據(jù)所述第三中間信號和所述第一電壓輸出所述第二中間信號。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示驅(qū)動電路，其特征在于，所述第三運算模組包括運算加法器，所述第三電阻串聯(lián)所述運算加法器的一個輸入端和所述運算放大器的輸出端，所述運算減法器的輸出端與所述運算加法器的另一個輸入端電連接，所述運算加法器用于根據(jù)所述第一中間信號和所述第二中間信號輸出所述充電電壓。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示驅(qū)動電路，其特征在于，所述采集模塊還包括停止模組，所述停止模組包括與門和第五薄膜晶體管，所述第五薄膜晶體管的漏極與所述運算加法器的一個輸入端電連接，所述第五薄膜晶體管的源極與所述第三電阻遠離所述運算放大器的一端電連接，所述第五薄膜晶體管的柵極與所述與門的輸出端電連接，所述與門的一個輸入端與所述運算減法器的輸出端電連接，所述與門的另一個輸入端與所述運算減法器的正輸入端電連接；其中，當所述第三中間信號與所述第一電壓相同時，所述與門輸出低電平以使所述第五薄膜晶體管關(guān)閉。8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示驅(qū)動電路，其特征在于，所述補償模塊包括第二存儲電容、第六薄膜晶體管、第五電阻和第三走線，所述第二存儲電容的一端與所述第二薄膜晶體管的漏極電連接，另一端與所述第六薄膜晶體管的漏極電連接，所述第五電阻的一端與接地端電連接，另一端與所述第六薄膜晶體管的源極電連接，所述第三走線與所述六薄膜晶體管的柵極電連接，所述第三走線用于輸入第四掃描信號。9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項所述的顯示驅(qū)動電路，其特征在于，所述顯示驅(qū)動電路包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述非顯示區(qū)環(huán)繞所述顯示區(qū)設(shè)置，所述發(fā)光模塊設(shè)置于所述顯示區(qū)所述采集模塊全部設(shè)置于所述顯示區(qū)內(nèi)，或者，所述采集模塊的至少部分設(shè)置于所述非顯示區(qū)內(nèi)；所述補償模塊全部設(shè)置于所述顯示區(qū)內(nèi)，或者，所述補償模塊的至少部分設(shè)置于所述非顯示區(qū)內(nèi)。10.一種顯示面板，其特征在于，包括陰極層和如權(quán)利要求1-9任一項所述的顯示驅(qū)動電路，所述陰極層構(gòu)成所述顯示驅(qū)動電路的接地端。4顯示驅(qū)動電路和顯示面板技術(shù)領(lǐng)域[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種顯示驅(qū)動電路和顯示面板。背景技術(shù)[0002]有機發(fā)光二極管(OrganicLightEmittingDisplay,OLED)顯示器通過由有機半導體材料和發(fā)光材料構(gòu)成的像素單元在電流驅(qū)動下發(fā)光并實現(xiàn)顯示，在現(xiàn)有技術(shù)中，由于掃描線和數(shù)據(jù)線之間的間距較小而存在寄生電容，掃描線上的高頻信號和數(shù)據(jù)線上的數(shù)字信號之間耦合會導致數(shù)據(jù)線的電壓偏移理論值，導致像素充電不足、亮度不均和閃頻的問發(fā)明內(nèi)容[0003]本發(fā)明的目的是提供一種顯示驅(qū)動電路和顯示面板，解決數(shù)據(jù)線的電壓偏移理論[0004]為實現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明提供了如下的技術(shù)方案：發(fā)光件，所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線均與所述發(fā)光件電連接，所述掃描線用于輸入第一掃描信號，所述數(shù)據(jù)線用于輸入數(shù)據(jù)信號，所述發(fā)光件用于根據(jù)所述第一掃描信號和所述數(shù)據(jù)信號發(fā)光；采集模塊，與所述發(fā)光模塊電連接；補償模塊，與所述發(fā)光模塊和所述采集模塊均電連接；其中，所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線之間具有寄生電容，當所述第一掃描信號自高電平切換為低電平時，所述寄生電容對所述數(shù)據(jù)信號分壓，以使所述發(fā)光件的工作電壓由第一電壓下降至第二電壓而產(chǎn)生偏移電壓，所述采集模塊用于根據(jù)所述偏移電壓向所述補償模塊輸出充電電壓，所述補償模塊用于根據(jù)所述充電電壓向所述發(fā)光件輸出補償電壓，所述補償電壓用于補償所述寄生電容導致所述發(fā)光件產(chǎn)生的壓降。[0005]一種實施方式中，所述發(fā)光模塊還包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第一存儲電容和電源線，所述第一薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線電連接，所述第一薄膜晶體管的柵極與所述掃描線電連接，所述第一薄膜晶體管的漏極與所述第二薄膜晶體管的柵極電連接，所述第二薄膜晶體管的漏極與所述發(fā)光件的陽極電連接，所述發(fā)光件的陰極與接地端連接，所述第二薄膜晶體管的源極與所述電源線電連接，所述第一存儲電容的一端與所述第二薄膜晶體管的柵極電連接，另一端與所述第二薄膜晶體管的源極電連接，所述采集模塊與所述第一薄膜晶體管的漏極、所述數(shù)據(jù)線、所述電源線和接地端均電連接，所述補償模塊的一端與所述發(fā)光件的陽極電連接，另一端與接地端連接；其中，所述電源線用于輸入電源信號，所述第一薄膜晶體管的漏極用于向所述采集模塊輸出所述偏移電壓。[0006]一種實施方式中，所述采集模塊包括第一運算模組、第二運算模組和第三運算模組，所述第一運算模組與所述第一薄膜晶體管的漏極、所述數(shù)據(jù)線和所述第三運算模組均電連接，所述第二運算模組與所述電源線、所述第三運算模組和接地端均電連接，所述第三運算模組與所述補償模塊電連接；其中，所述第一運算模組用于根據(jù)所述偏移電壓和所述5數(shù)據(jù)信號向所述第三運算模組輸出第一中間信號，所述第二運算模組用于根據(jù)所述電源信號和所述發(fā)光件發(fā)射的光線向所述第三運算模組輸出第二中間信號，所述第三運算模組用于輸出所述充電電壓。[0007]一種實施方式中，所述第一運算模組包括第一走線、第三薄膜晶體管、第一電容與所述第一薄膜晶體管的漏極電連接，所述第三薄膜晶體管的柵極與所述第一走線電連接，所述第三薄膜晶體管的漏極與所述第一電容器的一端電連接，所述第一電阻串聯(lián)所述第一電容器的另一端和所述運算放大器的負輸入端，所述第二電阻串聯(lián)所述運算放大器的負輸入端和所述運算放大器的輸出端，所述第三電阻串聯(lián)所述運算放大器的輸出端和所述第三運算模組，所述第二電容器的一端與所述運算放大器的正輸入端和所述數(shù)據(jù)線均電連接，另一端與接地端電連接；其中，所述第一走線用于輸入第二掃描信號，所述運算放大器用于根據(jù)所述偏移電壓和所述數(shù)據(jù)信號向所述第三運算模組輸出所述第一中間信號。[0008]一種實施方式中，所述第二運算模組包括第二走線、第四電阻、第四薄膜晶體管、第一晶體三極管、第二晶體三極管、運算減法器和第三電容器，所述第一晶體三極管與所述發(fā)光件組成光電耦合器，所述第四電阻串聯(lián)所述第二薄膜晶體管的源極和所述第四薄膜晶體管的源極，所述第四薄膜晶體管的柵極與所述第二走線電連接，第四薄膜晶體管的漏極與所述第一晶體三極管的集電極、所述第二晶體三極管的集電極和所述運算減法器的負輸入端均電連接，所述第一晶體三極管的發(fā)射極與所述第二晶體三極管的基極電連接，所述第二晶體三極管的發(fā)射機與接地端電連接，所述第三電容器的一端與所述運算減法器的正輸入端電連接，所述第三電容器的另一端用于輸入所述第一電壓，所述運算減法器的輸出端與所述第三運算模組電連接；其中，所述第二走線用于輸入第三掃描信號，所述第一晶體三極管用于根據(jù)所述發(fā)光件發(fā)射的光線向所述第二晶體三極管的基極輸出光電信號，所述第二晶體三極管的集電極用于向所述運算減法器輸出第三中間信號，所述運算減法器用于根據(jù)所述第三中間信號和所述第一電壓輸出所述第二中間信號。[0009]一種實施方式中，所述第三運算模組包括運算加法器，所述第三電阻串聯(lián)所述運算加法器的一個輸入端和所述運算放大器的輸出端，所述運算減法器的輸出端與所述運算加法器的另一個輸入端電連接，所述運算加法器用于根據(jù)所述第一中間信號和所述第二中間信號輸出所述充電電壓。[0010]一種實施方式中，所述采集模塊還包括停止模組，所述停止模組包括與門和第五薄膜晶體管，所述第五薄膜晶體管的漏極與所述運算加法器的一個輸入端電連接，所述第五薄膜晶體管的源極與所述第三電阻遠離所述運算放大器的一端電連接，所述第五薄膜晶體管的柵極與所述與門的輸出端電連接，所述與門的一個輸入端與所述運算減法器的輸出端電連接，所述與門的另一個輸入端與所述運算減法器的正輸入端電連接；其中，當所述第三中間信號與所述第一電壓相同時，所述與門輸出低電平以使所述第五薄膜晶體管關(guān)閉。[0011]一種實施方式中，所述補償模塊包括第二存儲電容、第六薄膜晶體管、第五電阻和第三走線，所述第二存儲電容的一端與所述第二薄膜晶體管的漏極電連接，另一端與所述第六薄膜晶體管的漏極電連接，所述第五電阻的一端與接地端電連接，另一端與所述第六薄膜晶體管的源極電連接，所述第三走線與所述六薄膜晶體管的柵極電連接，所述第三走線用于輸入第四掃描信號。6[0012]一種實施方式中，所述顯示驅(qū)動電路包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述非顯示區(qū)環(huán)繞所述顯示區(qū)設(shè)置，所述發(fā)光模塊設(shè)置于所述顯示區(qū)內(nèi)；所述采集模塊全部設(shè)置于所述顯示區(qū)內(nèi)，或者，所述采集模塊的至少部分設(shè)置于所述非顯示區(qū)內(nèi)；所述補償模塊全部設(shè)置于所述顯示區(qū)內(nèi)，或者，所述補償模塊的至少部分設(shè)置于所述非顯示區(qū)內(nèi)。[0013]第二方面，本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括陰極層和第一方面的各項實施方式中所述的顯示驅(qū)動電路，所述陰極層構(gòu)成所述顯示驅(qū)動電路的接地端。[0014]通過設(shè)置采集模塊和補償模塊，采集模塊與發(fā)光模塊電連接，補償模塊與發(fā)光模塊和采集模塊均電連接，其中，掃描線和數(shù)據(jù)線之間具有寄生電容，當?shù)谝粧呙栊盘栕愿唠娖角袚Q為低電平時，寄生電容對數(shù)據(jù)信號分壓，以使發(fā)光件的工作電壓由第一電壓下降至第二電壓而產(chǎn)生偏移電壓，采集模塊用于根據(jù)偏移電壓向補償模塊輸出充電電壓，補償模塊用于根據(jù)充電電壓向發(fā)光件輸出補償電壓，補償電壓用于補償寄生電容導致發(fā)光件產(chǎn)生的壓降，使得發(fā)光件充電正常而達到理論亮度，避免了亮度不均和閃頻的風險，提高了顯示效果。附圖說明[0015]為了更清楚地說明本發(fā)明實施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施方式，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。[0016]圖1是一種實施例的顯示驅(qū)動電路的電路圖；圖2是一種對比例的顯示驅(qū)動電路的電位圖；圖3是一種實施例的顯示驅(qū)動電路的電位圖；圖4是一種實施例的顯示驅(qū)動電路的面板示意圖；圖5是另一種實施例的顯示驅(qū)動電路的面板示意圖。[0017]附圖標記說明：100-顯示驅(qū)動電路；運算模組，T4-第四薄膜晶體管，K1-第一晶體三極管，K2-第二晶體三極管，R4-第四電阻，40-驅(qū)動電路板；7具體實施方式[0018]下面將結(jié)合本發(fā)明實施方式中的附圖，對本發(fā)明實施方式中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施方式僅僅是本發(fā)明一部分實施方式，而不是全部的實施方式?；诒景l(fā)明中的實施方式，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施方式，都屬于本發(fā)明保護的范圍。[0019]需要說明的是，當組件被稱為“固定于”另一個組件，它可以直接在另一個組件上或者也可以存在居中的組件。當一個組件被認為是“連接”另一個組件，它可以是直接連接到另一個組件或者可能同時存在居中組件。[0020]除非另有定義，本發(fā)明所使用的所有的技術(shù)和科學術(shù)語與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本發(fā)明中在說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本發(fā)明所使用的術(shù)語“及/或”包括一個或多個相關(guān)的所列項目的任意的和所有的組合。[0021]下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明的一些實施方式作詳細說明。在不沖突的情況下實施例及實施例中的特征可以相互組合。[0022]請參考圖1至圖3,本發(fā)明提供了一種顯示驅(qū)動電路100,包括發(fā)光模塊10、采集模塊20和補償模塊30,發(fā)光模塊10包括掃描線Gate、數(shù)據(jù)線S和發(fā)光件OLED,掃描線Gate和數(shù)據(jù)線S均與發(fā)光件OLED電連接，掃描線Gate用于輸入第一掃描信號G1,數(shù)據(jù)線S用于輸入數(shù)據(jù)信號，發(fā)光件OLED用于根據(jù)第一掃描信號G1和數(shù)據(jù)信號發(fā)光，采集模塊20與發(fā)光模塊10電連接，補償模塊30與發(fā)光模塊10和采集模塊20均電連接，其中，掃描線Gate和數(shù)據(jù)線S之間具有寄生電容Co,當?shù)谝粧呙栊盘朑1自高電平切換為低電平時，寄生電容Co對數(shù)據(jù)信號分壓，以使發(fā)光件OLED的工作電壓VO由第一電壓V1下降至第二電壓V2而產(chǎn)生偏移電壓V3,采集模塊20用于根據(jù)偏移電壓V3向補償模塊30輸出充電電壓，補償模塊30用于根據(jù)充電電壓向發(fā)光件OLED輸出補償電壓，補償電壓用于補償寄生電容Co導致發(fā)光件OLED產(chǎn)生的壓[0023]請參考圖2,圖2為一種對比例的顯示驅(qū)動電路100的電位圖，為了保證顯示面板設(shè)計的緊湊性，掃描線Gate和數(shù)據(jù)線S之間的間距較小而存在寄生電容Co,寄生電容Co會導致掃描線Gate上的第一掃描信號G1和數(shù)據(jù)線S上的數(shù)據(jù)信號相互干擾而發(fā)生信號失真，其中，第一掃描信號G1為高頻信號，數(shù)據(jù)信號包含快速變化的數(shù)字信號，且第一掃描信號G1的電壓通常大于數(shù)據(jù)信號的電壓，當?shù)谝粧呙栊盘朑1和數(shù)據(jù)信號由于寄生電容Co發(fā)生耦合時會導致工作電壓VO自第一電壓V1下降至第二電壓V2,進而導致發(fā)光件OLED充電不足，出現(xiàn)亮度不均和閃頻的問題。[0024]請參考圖3,圖3為本發(fā)明實施例中顯示驅(qū)動電路100的電位圖，當發(fā)光件OLED的電壓由第一電壓V1下降至第二電壓V2而產(chǎn)生偏移電壓V3,采集模塊20用于根據(jù)偏移電壓V3向補償模塊30輸出充電電壓，補償模塊30用于根據(jù)充電電壓向發(fā)光件OLED輸出補償電壓，補8償電壓用于補償寄生電容Co導致發(fā)光件OLED產(chǎn)生的壓降，以使發(fā)光件OLED保持正常顯示狀態(tài)。[0025]其中，第一電壓V1大于第二電壓V2,偏移電壓V3為第一電壓V1與第二電壓V2之差，工作電壓VO為第一電壓V1時，發(fā)光件OLED正常發(fā)光，當工作電壓VO為第二電壓V2時，發(fā)光件OLED的發(fā)光亮度小于工作電壓V0為第一電壓V1時的發(fā)光亮度?？蛇x的，充電電壓大于或等于補償電壓，補償電壓大于或等于偏移電壓V3,不做限制。[0026]通過設(shè)置采集模塊20和補償模塊30,采集模塊20與發(fā)光模塊10電連接，補償模塊30與發(fā)光模塊10和采集模塊20均電連接，其中，掃描線Gate和數(shù)據(jù)線S之間具有寄生電容Co,當?shù)谝粧呙栊盘朑1自高電平切換為低電平時，寄生電容Co對數(shù)據(jù)信號分壓，以使發(fā)光件OLED的工作電壓VO由第一電壓V1下降至第二電壓V2而產(chǎn)生偏移電壓V3,采集模塊20用于根據(jù)偏移電壓V3向補償模塊30輸出充電電壓，補償模塊30用于根據(jù)充電電壓向發(fā)光件OLED輸出補償電壓，補償電壓用于補償寄生電容Co導致發(fā)光件充電正常而達到理論亮度，避免了亮度不均和閃頻的風險，提高了顯示效果。[0027]請參考圖1至圖3,發(fā)光模塊10還包括第一薄膜晶體管T1、第二薄膜晶體管T2、第一存儲電容Cs1和電源線VDD,第一薄膜晶體管T1的源極與數(shù)據(jù)線S電連接，第一薄膜晶體管T1的柵極與掃描線Gate電連接，第一薄膜晶體管T1的漏極與第二薄膜晶體管T2的柵極電連接，第二薄膜晶體管T2的漏極與發(fā)光件OLED的陽極電連接，發(fā)光件OLED的陰極與接地端GND連接，第二薄膜晶體管T2的源極與電源線VDD電連接，第一存儲電容Cs1的一端與第二薄膜晶體管T2的柵極電連接，另一端與第二薄膜晶體管T2的源極電連接，采集模塊20與第一薄薄膜晶體管T1的漏極用于向采集模塊20輸出偏移電壓V3。[0028]可選的，電源信號的電壓為第一電壓V1,寄生電容Co通過第一薄膜晶體管T1的漏極向采集模塊20輸出偏移電壓V3。[0029]其中，當?shù)谝粧呙栊盘朑1為高電平時，第一薄膜晶體管T1打開，數(shù)據(jù)信號的第一電壓V1通過第一薄膜晶體管T1輸入至第一存儲電容Cs1和第二薄膜晶體管T2的柵極，以使第二薄膜晶體管T2打開且第一存儲電容Cs1充電至第一電壓V1,電源信號的第一電壓V1通過自高電平下降至低電平時，第一薄膜晶體管T1關(guān)閉，由于掃描線Gate和數(shù)據(jù)線S之間存在寄生電容Co,存儲電容的第一電壓V1被寄生電容Co分壓而下降至第二電壓V2,此時第二薄膜晶體管T2的打開程度降低，工作電壓VO自第一電壓V1下降至第二電壓V2,使得發(fā)光件OLED的亮度降低。但由于采集模塊20和補償模塊30根據(jù)偏移電壓V3向發(fā)光件0LED的陽極輸入補[0030]通過設(shè)置第一薄膜晶體管T1的源極與數(shù)據(jù)線S電連接，第一薄膜晶體管T1的柵極與掃描線Gate電連接，第一薄膜晶體管T1的漏極與第二薄膜晶體管T2的柵極電連接，第二二薄膜晶體管T2的源極與電源線VDD電連接，第一存儲電容Cs1的一端與第二薄膜晶體管T29的柵極電連接，另一端與第二薄膜晶體管T2的源極電連接，采集模塊20與第一薄膜晶體管管T1的漏極用于向采集模塊20輸出偏移電壓V3,使得采集模塊20可接收發(fā)光模塊10輸出的偏移電壓V3并根據(jù)偏移電壓V3向補償模塊30輸出充電電壓，進而使補償模塊30向發(fā)光件OLED輸出補償電壓，以使發(fā)光件OLED充電正常而達到理論亮度，避免了亮度不均和閃頻的[0031]請參考圖1至圖3,采集模塊20包括第一運算模組21、第二運算模組22和第三運算模組23,第一運算模組21與第一薄膜晶體管T1的漏極、數(shù)據(jù)線S和第三運算模組23均電連與補償模塊30電連接，其中，第一運算模組21用于根據(jù)偏移電壓V3和數(shù)據(jù)信號向第三運算模組23輸出第一中間信號，第二運算模組22用于根據(jù)電源信號和發(fā)光件OLED發(fā)射的光線向第三運算模組23輸出第二中間信號，第三運算模組23用于輸出充電電壓。[0032]具體的，第一運算模組21用于采集發(fā)光模塊10的偏移電壓V3并根據(jù)數(shù)據(jù)信號的第一電壓V1輸出第一中間信號，第二運算模組22用于采集發(fā)光件OLED的發(fā)光亮度并根據(jù)電源信號的第一電壓V1輸出第二中間信號，第三運算模組23根據(jù)第一中間信號和第二中間信號輸出對應(yīng)的充電電壓，以使補償模塊30充電并向發(fā)光件OLED輸出補償電壓。[0033]通過設(shè)置采集模塊20包括第一運算模組21、第二運算模組22和第三運算模組23,第一運算模組21與第一薄膜晶體管T1的漏極、數(shù)據(jù)線S和第三運算模組23均電連接，第二運算模組22與電源線VDD、第三運算模組23和接地端GND均電連接，第三運算模組23與補償模塊30電連接，其中，第一運算模組21用于根據(jù)偏移電壓V3和數(shù)據(jù)信號向第三運算模組23輸出第一中間信號，第二運算模組22用于根據(jù)電源信號和發(fā)光件OLED發(fā)射的光線向第三運算模組23輸出第二中間信號，第三運算模組23用于輸出充電電壓，使得采集模塊20可根據(jù)偏移電壓V3、第一電壓V1和發(fā)光件OLED的發(fā)光強度向補償模塊30輸出對應(yīng)的充電電壓，以使補償模塊30可向發(fā)光件OLED輸出對應(yīng)的補償電壓以使發(fā)光件OLED充電正常而達到理論亮[0034]請參考圖1至圖3,第一運算模組21包括第一走線L1、第三薄膜晶體管T3、第一電容管T3的源極與第一薄膜晶體管T1的漏極電連接，第三薄膜晶體管T3的柵極與第一走線L1電連接，第三薄膜晶體管T3的漏極與第一電容器C1的一端電連接，第一電阻R1串聯(lián)第一電容器C1的另一端和運算放大器Q1的負輸入端，第二電阻R2串聯(lián)運算放大器Q1的負輸入端和運算放大器Q1的輸出端，第三電阻R3串聯(lián)運算放大器Q1的輸出端和第三運算模組23,第二電容器C2的一端與運算放大器Q1的正輸入端和數(shù)據(jù)線S均電連接，另一端與接地端GND電連接，其中，第一走線L1用于輸入第二掃描信號G2,運算放大器Q1用于根據(jù)偏移電壓V3和數(shù)據(jù)信號向第三運算模組23輸出第一中間信號。其中，第一中間信號的電壓值為V1+(R2/R1)V3。[0035]具體的，當?shù)诙呙栊盘朑2為高電平時，第三薄膜晶體管T3打開，發(fā)光模塊10通過第三薄膜晶體管T3、第一電容器C1和第一電阻R1向運算放大器Q1的負輸入端輸入偏移電壓V3,運算放大器Q1的正輸入端輸入數(shù)據(jù)線S提供的第一電壓V1,運算放大器Q1根據(jù)偏移電壓V3和第一電壓V1輸出第一中間信號。第三運算模組23進而根據(jù)第一中間信號和第二中間信號輸出充電電壓。[0036]可選的，第一運算模組21可通過調(diào)節(jié)第一電阻R1的阻值和第二電阻R2的阻值來調(diào)節(jié)第一中間信號的電壓大小，以配合顯示驅(qū)動電路100的不同工作狀態(tài)。[0037]通過設(shè)置第一運算模組21包括第一走線L1源極與第一薄膜晶體管T1的漏極電連接，第三薄膜晶體管T3的柵極與第一走線L1電連接，第三薄膜晶體管T3的漏極與第一電容器C1的一端電連接，第一電阻R1串聯(lián)第一電容器C1的另一端和運算放大器Q1的負輸入端，第二電阻R2串聯(lián)運算放大器Q1的負輸入端和運算放大器Q1的輸出端，第三電阻R3串聯(lián)運算放大器Q1的輸出端和第三運算模組23,第二電容器C2的一端與運算放大器Q1的正輸入端和數(shù)據(jù)線S均電連接，另一端第一走線L1用于輸入第二掃描信號G2,運算放大器Q1用于根據(jù)偏移電壓V3和數(shù)據(jù)信號向第三運算模組23輸出第一中間信號，使得第一運算模組21可根據(jù)偏移電壓V3輸出第一中間信號，以使第三運算模組23可根據(jù)第一中間信號和第二中間信號輸出充電電壓，以使補償模塊30可向發(fā)光件OLED輸出對應(yīng)的補償電壓以使發(fā)光件0LED充電正常而達到理論亮度，避免了亮度不均和閃頻的風險，提高了顯示效果。[0038]請參考圖1至圖3,第二運算模組22包括第二走線L2、第四電阻R4、第四薄膜晶體管T4、第一晶體三極管K1、第二晶體三極管K2、運算減法器Q2和第三電容器C3,第一管K1與發(fā)光件OLED組成光電耦合器，第四電阻R4串聯(lián)第二薄膜晶體管T2的源極和第四薄膜晶體管T4的源極，第四薄膜晶體管T4的柵極與第二走線L2電連接，第四薄膜晶體管T4的漏極與第一晶體三極管K1的集電極、第二晶體三極管K2的集電極和運算減法器Q2的負輸入端均電連接，第一晶體三極管K1的發(fā)射極與第二晶體三極管K2的基極電連接，第二晶體三極管K2的發(fā)射機與接地端GND電連接，第三電容器C3的一端與運算減法器Q2的正輸入端電連接，第三電容器C3的另一端用于輸入第一電壓V1,運算減法器Q2的輸出端與第三運算模組23電連接，其中，第二走線L2用于輸入第三掃描信號G3,第一晶體三極管K1用于根據(jù)發(fā)光件OLED發(fā)射的光線向第二晶體三極管K2的基極輸出光電信號，第二晶體三極管K2的集電極用于向運算減法器Q2輸出第三中間信號，運算減法器Q2用于根據(jù)第三中間信號和第一電壓V1輸出第二中間信號。[0039]其中，第三中間信號的電壓值為βV1,第二中間信號的電壓值為βV1-V1,β為正數(shù)。具體的，當?shù)谌龗呙栊盘朑3為高電平時，第四薄膜晶體管T4打開，電源線VDD通過第四薄膜晶體管T4向第一晶體三極管K1的集電極輸出第一電壓V1,同時，第一晶體三極管K1根據(jù)發(fā)光件OLED發(fā)射的光線向第二晶體三極管K2的基極輸出光電信號，以使第一電壓V1經(jīng)過第一晶體三極管K1和第二晶體三極管K2的放大作用輸出為第三中間信號。其次，運算減法器Q2根據(jù)第一電壓V1和第三中間信號輸出第二中間信號，其中，第三中間信號的電壓大于第一電壓V1,第二中間信號為第三中間信號與第一電壓V1之差。第三運算模組23進而可根據(jù)第一中間信號和第二中間信號輸出充電電壓。晶體三極管K1、第二晶體三極管K2、運算減法器Q2和第三電容器C3,第一晶體三極管光件OLED組成光電耦合器，第四電阻R4串聯(lián)第二薄膜晶體管T2的源極和第四薄膜晶體管T4的源極，第四薄膜晶體管T4的柵極與第二走線L2電連接，第四薄膜晶體管T4的漏極與第一11晶體三極管K1的集電極、第二晶體三極管K2的集電極和運算減法器Q2的負輸入端均電連接，第一晶體三極管K1的發(fā)射極與第二晶體三極管K2的基極電連接，第二晶體三極管K2的發(fā)射機與接地端GND電連接，第三電容器C3的一電容器C3的另一端用于輸入第一電壓V1,運算減法器Q2的輸出端與第三運算模組23電連接，其中，第二走線L2用于輸入第三掃描信號G3,第一晶體三極管K1用于根據(jù)發(fā)光件OLED發(fā)射的光線向第二晶體三極管K2的基極輸出光電信號，第二晶體三極管K2的集電極用于向運算減法器Q2輸出第三中間信號，運算減法器Q2用于根據(jù)第三中間信號和第一電壓V1輸出第二中間信號，使得第二運算模組22可根據(jù)發(fā)光件OLED的光照強度輸出第二中間信號，以使第三運算模組23可根據(jù)第一中間信號和第二中間信號輸出充電電壓，以使補償模塊30可向發(fā)光件OLED輸出對應(yīng)的補償電壓以使發(fā)光件OLED充電正常而達到理論亮度，避免了亮度不[0041]請參考圖1至圖3,第三運算模組23包括運算加法器Q3,第三電阻R3串聯(lián)運算加法器Q3的一個輸入端和運算放大器Q1的輸出端，運算減法器Q2的輸出端與運算加法器Q3的另一個輸入端電連接，運算加法器Q3用于根據(jù)第一中間信號和第二中間信號輸出充電電壓。[0042]其中，充電電壓為第一中間信號和第二中間信號之和，具體的，充電電壓的電壓為[0043]通過設(shè)置第三運算模組23包括運算加法器Q3,第三電阻R3串聯(lián)運算加法器Q3的一個輸入端和運算放大器Q1的輸出端，運算減法器Q2的輸出端與運算加法器Q3的另一個輸入端電連接，運算加法器Q3用于根據(jù)第一中間信號和第二中間信號輸出充電電壓，使得采集模塊20可根據(jù)偏移電壓V3和發(fā)光件OLED的光照強度輸出對應(yīng)的充電電壓，以使補償模塊30可向發(fā)光件OLED輸出對應(yīng)的補償電壓以使發(fā)光件OLED充電正常而達到理論亮度，避免了亮度不均和閃頻的風險，提高了顯示效果。[0044]請參考圖1至圖3,采集模塊20還包括停止模組24,停止模組24包括與門Q4和第五薄膜晶體管T5,第五薄膜晶體管T5的漏極與運算加法器Q3的一個輸入端電連接，第五薄膜晶體管T5的源極與第三電阻R3遠離運算放大器Q1的一端電連接，第五薄膜晶體管T5的柵極與與門Q4的輸出端電連接，與門Q4的一個輸入端與運算減法器Q2的輸出端電連接，與門Q4的另一個輸入端與運算減法器Q2的正輸入端電連接，其中，當?shù)谌虚g信號與第一電壓V1相同時，與門Q4輸出低電平以使第五薄膜晶體管T5關(guān)閉。法器Q2向與門Q4和運算加法器Q3輸出的電壓均為0V(伏),進而使得第五薄膜晶體管T5關(guān)閉，以斷開第三運算模組23和第一運算模組21的電連接，使得運算加法器Q3輸出的充電電壓為0V,此時補償模塊30停止向發(fā)光件OLED輸出補償電壓。[0046]通過設(shè)置停止模組24,停止模組24包括與門Q4和第五薄膜晶體管T5,第五薄膜晶體管T5的漏極與運算加法器Q3的一個輸入端電連接，第五薄膜晶體管T5的源極與第三電阻R3遠離運算放大器Q1的一端電連接，第五薄膜晶體管T5的柵極與與門Q4的輸出端電連接，與門Q4的一個輸入端與運算減法器Q2的輸出端電連接，與門Q4的另一個輸入端與運算減法器Q2的正輸入端電連接，其中，當?shù)谌虚g信號與第一電壓V1相同時，與門Q4輸出低電平以使第五薄膜晶體管T5關(guān)閉，使得發(fā)光件OLED正常[0047]請參考圖1至圖3,補償模塊30包括第二存儲電容Cs2、第六薄膜晶體管T6、第五電阻R5和第三走線L3,第二存儲電容Cs2的一端與第二薄膜晶體管T2的漏極電連接，另一端與第六薄膜晶體管T6的漏極電連接，第五電阻R5的一端與接地端GND電連接，另一端與第膜晶體管T6的源極電連接，第三走線L3與六薄膜晶體管的柵極電連接，第三走線L3用于輸入第四掃描信號G4。[0048]具體的，當?shù)谒膾呙栊盘朑4為高電平時，第六薄膜晶體管T6打開，第二存儲電容Cs2接地以使第二存儲電容Cs2的電壓為0V。當?shù)谒膾呙栊盘朑4為低電平，且采集模塊20向第二存儲電容Cs2輸出充電電壓時，第二存儲電容Cs2充電，并對發(fā)光件OLED輸出補償電壓。[0049]可選的，可通過設(shè)置第一掃描信號G1為低電平，第四掃描信號G4為高電平以使第一薄膜晶體管T1關(guān)閉，且第六薄膜晶體管T6打開，進而使得工作電壓VO通過第二存儲電容[0050]通過設(shè)置補償模塊30包括第二存儲電容Cs2、第六薄膜晶體管T6、第五電阻R5和第三走線L3,第二存儲電容Cs2的一端與第二薄膜晶體管T2的漏極電連接，另一端與第六薄膜晶體管T6的漏極電連接，第五電阻R5的一端與接地端GND電連接，另一端與第六薄膜晶體管T6的源極電連接，第三走線L3與六薄膜晶體管的柵極電連接，第三走線L3用于輸入第四掃描信號G4,使得第二存儲電容Cs2可在接收充電電壓前進行電壓重置，提高了補償模塊30對[0051]請參考圖4和圖5,顯示驅(qū)動電路100包括顯示區(qū)DA和非顯示區(qū)NA,非顯示區(qū)NA環(huán)繞[0052]可選的，顯示驅(qū)動電路100還包括數(shù)據(jù)驅(qū)動單元SOC和掃描驅(qū)動單元GOA,掃描驅(qū)動單元GOA與掃描線Gate電連接，數(shù)據(jù)驅(qū)動單元SOC與輸出第一掃描信號G1,數(shù)據(jù)驅(qū)動單元SOC用于輸出數(shù)據(jù)信號。可選的，數(shù)據(jù)驅(qū)動單元SOC和掃[0053]可選的，顯示驅(qū)動電路100還包括第一信號驅(qū)動單元GDL和第三信號驅(qū)動單元GDL3,第一信號驅(qū)動單元GDL1與第一走線L1電連接，第一信號驅(qū)動單元GDL1用于向第一走線L1輸出第二掃描信號G2,第二信號驅(qū)動單元GDL2與第二走線L2電連接，第二信號驅(qū)動單元GDL2用于向第二走線L2輸出第三掃描信號G3,第三信號驅(qū)動單元GDL3與第三走線L3電連接，第三信號驅(qū)動單元GDL3用于向第三走線L3輸出第四掃描信號置于非顯示區(qū)NA內(nèi)。[0054]可選的，顯示驅(qū)動電路100還包括第一電源PS1,第一電源PS1與發(fā)光模塊10的電源括第二電源PS2,第二電源PS2與第二運算模組22的第三電容器C3電連接，第二電源PS2用于向第三電容器C3輸出第一電壓?？蛇x的，第一電源PS1和第二電源PS2均設(shè)置于非顯示區(qū)NA[0055]可選的，顯示驅(qū)動電路100還包括驅(qū)動電路板40,數(shù)據(jù)驅(qū)動單元SOC、第一信號驅(qū)動可集成設(shè)置于驅(qū)動電路板40內(nèi)，以提高顯示驅(qū)動電路100的集成度。示例性的，請參考圖4和圖5,數(shù)據(jù)驅(qū)動單元SOC和第二電源PS2均集成設(shè)置于驅(qū)動電路板40內(nèi)。示例性的，請參考圖驅(qū)動電路板40內(nèi)。[0056]可選的，當采集模塊20的至少部分設(shè)置于非顯示區(qū)NA時，采集模塊20位于非顯示區(qū)NA的部分可集成設(shè)置于驅(qū)動電路板40內(nèi)。可選的，當補償模塊30的至少部分設(shè)置于非顯示區(qū)NA時，補償模塊30位于非顯示區(qū)NA的部分可集成設(shè)置于驅(qū)動電路板40內(nèi)。[0057]下面對采集模塊20全部設(shè)置于顯示區(qū)DA或至少部分設(shè)置于非顯區(qū)進行詳細解釋。[0058]一種實施方式中，請參考圖4,采集模塊20全部設(shè)置于顯示區(qū)DA內(nèi)。具體的，采集模塊20包括第一運算模組21、第二運算模組22、第三運算模組23和停止模組24,第一運算模組21、第二運算模組22、第三運算模組23、停止模組24和補償模塊30均設(shè)置于顯示區(qū)選的，顯示區(qū)DA包括有效顯示區(qū)AA和非有效顯示區(qū)IA,非有效顯示區(qū)IA環(huán)繞有效顯示區(qū)AA設(shè)置，發(fā)光模塊10設(shè)置于有效顯示區(qū)AA,采集模塊20和補償模塊30均設(shè)置于非有效顯示區(qū)[0059]通過設(shè)置采集模塊20全部設(shè)置于顯示區(qū)DA內(nèi)，使得發(fā)光模塊10與采集模塊20的集成度高，以使采集模塊20可近距離檢測發(fā)光模塊10的實時電壓或信號，減少了傳輸損耗或噪聲干擾，提升了數(shù)據(jù)準確性和補償?shù)木_性，同時避免長走線延遲。[0060]另一種實施方式中，請參考圖5,采集模塊20的至少部分設(shè)置于非顯示區(qū)NA內(nèi)。可選的，采集模塊20的一部分位于顯示區(qū)DA,采集模塊20的另一部分位于非顯示區(qū)NA,或者，采集模塊20全部位于非顯示區(qū)NA。部設(shè)置于非顯示區(qū)NA內(nèi)時，第一運算模組21可通過不同的導線與發(fā)光模塊10的第一薄膜晶體管T1的漏極和數(shù)據(jù)線S一一對應(yīng)電連接?？蛇x的，當?shù)谝贿\算模組21的部分設(shè)置于非顯示區(qū)NA內(nèi)時，第一運算模組21中與發(fā)光模塊10直接連接的部分可設(shè)置于顯示區(qū)DA內(nèi)，其余部分可設(shè)置于非顯示區(qū)NA內(nèi)。示例性的，第三薄膜晶體管T3和/或第二電容器C2設(shè)置于顯示區(qū)[0062]可選的，第二運算模組22的部分設(shè)置于非顯示區(qū)NA內(nèi)。具體的，第二運算模組22包算減法器Q2和第三電容器C3,由于第一晶體三極管K1與發(fā)光件OLED組成光電耦合器，因此第一晶體三極管K1設(shè)置于顯示區(qū)DA內(nèi)，第二走線L2、第四電阻R4、第四薄膜晶體管T4、第二晶體三極管K2、運算減法器Q2和第三電容器C3中的至少一者設(shè)置于非顯示區(qū)NA內(nèi)，不做限[0063]可選的，第三運算模組23包括運算加法器Q3,運算加法器Q3可設(shè)置于非顯示區(qū)NA[0064]可選的，停止模組24包括與門Q4和第五薄膜晶體管T5,與門Q4和第五薄膜晶體管T5均可設(shè)置于顯示區(qū)DA內(nèi)，或者，與門Q4和第五薄膜晶體管T5均設(shè)置于非顯示區(qū)NA內(nèi)，或者，與門Q4和第五薄膜晶體管T5中的一者設(shè)置于顯示區(qū)DA內(nèi)，另一者設(shè)置于非顯示區(qū)NA內(nèi)，不做限制。示例性的，與門Q4和第五薄膜晶體管T5均設(shè)置于非顯示區(qū)NA內(nèi)。示例性的，與門[0065]通過設(shè)置采集模塊20的至少部分設(shè)置于非顯示區(qū)NA內(nèi)，減少了顯示區(qū)DA的電路占用，提高了面板透光率和分辨率，同時非顯示區(qū)NA的空間較大，有益于集成電路的設(shè)[0066]下面對補償模塊30全部設(shè)置于顯示區(qū)DA或至少部分設(shè)置于非顯區(qū)進行詳細解釋。[0067]一種實施方式中，請參考圖4,補償模塊30全部設(shè)置于顯示區(qū)DA內(nèi)。具體的，補償模塊30包括第二存儲電容Cs2、第六薄膜晶體管T6、第五電阻R5和第三走線L3,第二存儲電容Cs2、第六薄膜晶體管T6、第五電阻R5和第三走線L3均設(shè)置于顯示區(qū)DA內(nèi)。示例性的，第二存儲電容Cs2、第六薄膜晶體管T6、第五電阻R5和第三走線L3,第二存儲電容Cs2、第六薄膜晶體管T6、第五電阻R5和第三走線L3均設(shè)置于非有效顯示區(qū)IA。[0068]通過設(shè)置補償模塊30全部設(shè)置于顯示區(qū)DA內(nèi)，使得補償模塊30與發(fā)光模塊10的集成度較高，可快速響應(yīng)電壓波動，提升顯示均勻性，同時避免了補償電壓長距離傳輸，降低了噪聲耦合風險。[0069]另一種實施方式中，請參考圖5,補償模塊30的至少部分設(shè)置于非顯示區(qū)NA內(nèi)。[0070]可選的，當補償模塊30全部設(shè)置于非顯示區(qū)NA內(nèi)時，補償模塊30可通過不同的導線與發(fā)光模塊10一一對應(yīng)電連接，并通過不同的導線與采集模塊20電連接?？蛇x的，當補償模塊30部分設(shè)置于非顯示區(qū)NA內(nèi)時，補償模塊30中與發(fā)光模塊10直接連接的部分可設(shè)置于[0071]可選的，當?shù)诙鎯﹄娙軨s2設(shè)置于顯示區(qū)DA時，可與第一存儲電容Cs1共用結(jié)構(gòu)以提高顯示驅(qū)動電路100的集成度，同時減少了傳輸損耗或噪聲干擾，提升了數(shù)據(jù)準確性和補償?shù)木_性，同時避免長走線延遲?？蛇x的，當?shù)诙鎯﹄娙軨s2設(shè)置于非顯示區(qū)NA時，減少了顯示區(qū)DA的電路占用，提高了面板透光率和分辨率。[0072]可選的，當?shù)诹∧ぞw管T6設(shè)置于顯示區(qū)DA時，便于在發(fā)光模塊10中直接集成第六薄膜晶體管T6,同時避免長走線延遲?？蛇x的，當?shù)诹∧ぞw管T6設(shè)置于非顯示區(qū)NA于非顯示區(qū)NA時，減少了顯示區(qū)DA的電路占用，提高了面板透光率和分辨率。[0073]通過設(shè)置補償模塊30的至少部分設(shè)置于非顯示區(qū)NA內(nèi)，減少了顯示區(qū)DA的電路占用，提高了面板透光率和分辨率，同時非顯示區(qū)NA的空間較大，有益于集成電路的設(shè)計和生行上的M個發(fā)光模塊10均電連接。[0075]一種實施方式中，請參考圖4,每一個發(fā)光模塊10對應(yīng)設(shè)置有一個采集模塊20和一個補償模塊30時，采集模塊20和補償模塊30均為NM個，且采集模塊20和補償模塊30均位于顯示區(qū)DA,有益于提高顯示驅(qū)動電路100的集成度、補償響應(yīng)速度和顯示均勻性?？蛇x的，采集模塊20和補償模塊30也均可至少部分設(shè)置于非顯示區(qū)NA,以減少顯示區(qū)DA的電路占用。[0076]可選的，第一信號驅(qū)動單元GDL1、第二信號驅(qū)動單元GDL2和第三信號驅(qū)動單元GDL3均為N個，每一個第一信號驅(qū)動單元GDL1與每一行上的多條第一走線L1均電連接，每一個第二信號驅(qū)動單元GDL2與每一行上的多條第二走線L2均電連接，每一個第三信號驅(qū)動單元GDL3與每一行上的多條第三走線L3均電連接。置于驅(qū)動電路板40內(nèi)其中一個采集模塊20和一個補償模塊30,采集模塊20和補償模塊30位于顯示區(qū)DA的部分未示出，顯示驅(qū)動電路100還包括未圖光模塊10輸出的偏移電壓V3,并向補償模塊30輸出多個偏移電壓V3的平均值或中位值，以[0081]請參考圖1至