(12)發(fā)明專利專利權(quán)人國家電網(wǎng)有限公司趙書靜趙崢于苗劉思源張岐寧苑賓徐禮強劉釗汝周邦昊郭勇帆孟羽公司44202審查員李若男本發(fā)明公開了一種轉(zhuǎn)折晶閘管的擊穿電壓晶閘管的保護(hù)電壓-電容器容量的關(guān)系函數(shù)；其基于多對所述數(shù)據(jù)對，構(gòu)建所述轉(zhuǎn)折晶閘管的保護(hù)電壓-電容器容量的關(guān)系函數(shù)；其中，所述保護(hù)電壓包括：鉗位電壓或擊穿電壓；所述電容器容量包括：第一容量值和第二容量值；所述關(guān)系將預(yù)設(shè)電容器的容量值作為所述第二容量值，輸入至所述關(guān)系函數(shù)中，計算得到所述預(yù)設(shè)電容器對所述轉(zhuǎn)折晶閘管施壓時的目標(biāo)擊穿電壓；其中，所述第二容量值屬于毫法級容量2通過改變電容器模組的第一容量值，對轉(zhuǎn)折晶閘管進(jìn)行多次放電施壓測試，獲取多對第一容量值與對應(yīng)的鉗位電壓組成的數(shù)據(jù)對；其中，所述第一容量值屬于微法級容量；基于多對所述數(shù)據(jù)對，構(gòu)建所述轉(zhuǎn)折晶閘管的保護(hù)電壓-電容器容量的關(guān)系函數(shù)；其中，所述保護(hù)電壓包括：鉗位電壓或擊穿電壓；所述電容器容量包括：第一容量值和第二容量值；所述關(guān)系函數(shù)用于表征所述鉗位電壓與所述第一容量值之間的映射關(guān)系，或者所述擊穿電壓與所述第二容量值之間的映射關(guān)系；將預(yù)設(shè)電容器的容量值作為所述第二容量值，輸入至所述關(guān)系函數(shù)中，計算得到所述預(yù)設(shè)電容器對所述轉(zhuǎn)折晶閘管施壓時的目標(biāo)擊穿電壓；其中，所述第二容量值屬于毫法級容量。2.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)折晶閘管的擊穿電壓獲取方法，其特征在于，所述基于多對所述數(shù)據(jù)對，構(gòu)建所述轉(zhuǎn)折晶閘管的保護(hù)電壓-電容器容量的關(guān)系函數(shù)，包括：將多對所述數(shù)據(jù)對輸入至多項式擬合模型中進(jìn)行多項式系數(shù)求解，得到所述轉(zhuǎn)折晶閘管的鉗位電壓-第一容量值的多項式函數(shù)；將所述多項式函數(shù)作為保護(hù)電壓-電容器容量的關(guān)系函數(shù)。3.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)折晶閘管的擊穿電壓獲取方法，其特征在于，所述關(guān)系函數(shù)，具體為：4.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)折晶閘管的擊穿電壓獲取方法，其特征在于，所述通過改變電容器模組的第一容量值，對轉(zhuǎn)折晶閘管進(jìn)行多次放電施壓測試，獲取多對第一容量值與對應(yīng)的鉗位電壓組成的數(shù)據(jù)對，包括：基于指定電源電壓，對所述電容器模組進(jìn)行充電；充電完成后，通過所述電容器模組中內(nèi)置的開關(guān)單元對具有不同第一容量值的電容器單元進(jìn)行選擇；基于選擇的電容器單元對所述轉(zhuǎn)折晶閘管進(jìn)行放電施壓，獲取所述第一容量值對應(yīng)的5.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)折晶閘管的擊穿電壓獲取方法，其特征在于，所述第一容量值6.如權(quán)利要求4所述的轉(zhuǎn)折晶閘管的擊穿電壓獲取方法，其特征在于，所述指定電源電壓設(shè)置在以所述轉(zhuǎn)折晶閘管的1.3倍重復(fù)峰值電壓為中心的預(yù)設(shè)電壓范圍內(nèi)。7.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)折晶閘管的擊穿電壓獲取方法，其特征在于，所述放電施壓測試通過鉗壓測試電路執(zhí)行；其中，所述鉗壓測試電路包括：電容器充電模塊、所述電容器模組、放電開關(guān)和所述轉(zhuǎn)折晶閘管；所述電容器充電模塊，用于為所述電容器模組提供指定電源電壓進(jìn)行充電；所述電容器模組，用于通過內(nèi)置的開關(guān)單元對具有不同第一容量值的電容器單元進(jìn)行選擇；所述放電開關(guān)，用于控制選擇的電容器單元對所述轉(zhuǎn)折晶閘管的放電操作。38.如權(quán)利要求7所述的轉(zhuǎn)折晶閘管的擊穿電壓獲取方法，其特征在于，所述鉗壓測試電所述RC回路，用于在所述選擇的電容器單元放電時，控制所述轉(zhuǎn)折晶閘管的上升電壓。9.如權(quán)利要求7所述的轉(zhuǎn)折晶閘管的擊穿電壓獲取方法，其特征在于，所述電容器模組所述電容器單元與對應(yīng)的所述開關(guān)單元串聯(lián)，且所有所述電容器單元并聯(lián)。測試數(shù)據(jù)獲取模塊，用于通過改變電容器模組的第一容量值，對轉(zhuǎn)折晶閘管進(jìn)行多次放電施壓測試，獲取多對第一容量值與對應(yīng)的鉗位電壓組成的數(shù)據(jù)對；其中，所述第一容量值屬于微法級容量；關(guān)系函數(shù)構(gòu)建模塊，用于基于多對所述數(shù)據(jù)對，構(gòu)建所述轉(zhuǎn)折晶閘管的保護(hù)電壓-電容第一容量值和第二容量值；所述關(guān)系函數(shù)用于表征所述鉗位電壓與所述第一容量值之間的映射關(guān)系，或者所述擊穿電壓與所述第二容量值之間的映射關(guān)系；擊穿電壓計算模塊，用于將預(yù)設(shè)電容器的容量值作為所述第二容量值，輸入至所述關(guān)系函數(shù)中，計算得到所述預(yù)設(shè)電容器對所述轉(zhuǎn)折晶閘管施壓時的目標(biāo)擊穿電壓；其中，所述第二容量值屬于毫法級容量。4轉(zhuǎn)折晶閘管的擊穿電壓獲取方法及系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域[0001]本發(fā)明涉及電力半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種轉(zhuǎn)折晶閘管的擊穿電壓獲取方法及系統(tǒng)。背景技術(shù)[0002]在特高壓柔性直流輸電工程中，旁路開關(guān)的正常運行至關(guān)重要，它確保了整個電力系統(tǒng)的安全性與可靠性。為了克服旁路開關(guān)在關(guān)鍵時刻因自身原因引起的拒動問題，通過在功率模塊的交流端口配置精準(zhǔn)電壓的轉(zhuǎn)折晶閘管，以實現(xiàn)高可靠的旁路技術(shù)。該旁路技術(shù)有效地解決了柔直換流閥因單一模塊故障可能導(dǎo)致的電力系統(tǒng)閉鎖或跳閘難題。托其精準(zhǔn)的電壓轉(zhuǎn)折特性，能夠在電壓達(dá)到預(yù)設(shè)電壓值時迅速進(jìn)行硬轉(zhuǎn)折，形成可靠的短路保護(hù)。這樣不僅滿足了在故障情況下的旁路保護(hù)要求，還能滿足長期穩(wěn)定通流的工程要[0004]然而，實現(xiàn)這種高效的旁路保護(hù)需要精確標(biāo)定轉(zhuǎn)折晶閘管的擊穿電壓。若直接測量轉(zhuǎn)折晶閘管的擊穿電壓會造成器件的損傷。因此，如何在不損毀轉(zhuǎn)折晶閘管的前提下準(zhǔn)確測量其擊穿電壓，成為當(dāng)前亟待解決的挑戰(zhàn)。發(fā)明內(nèi)容[0005]本發(fā)明實施例的目的在于，提供轉(zhuǎn)折晶閘管的擊穿電壓獲取方法及系統(tǒng)，通過測量小電容器的鉗位電壓，構(gòu)建保護(hù)電壓-電容器容量的關(guān)系函數(shù)，實現(xiàn)在不損毀轉(zhuǎn)折晶閘管的前提下，準(zhǔn)確地計算出大電容器對轉(zhuǎn)折晶閘管施壓時形成的擊穿電壓。[0006]本發(fā)明第一方面實施例提供了一種轉(zhuǎn)折晶閘管的擊穿電壓獲取方法，包括：[0007]通過改變電容器模組的第一容量值，對轉(zhuǎn)折晶閘管進(jìn)行多次放電施壓測試，獲取多對第一容量值與對應(yīng)的鉗位電壓組成的數(shù)據(jù)對；其中，所述第一容量值屬于微法級容量；[0008]基于多對所述數(shù)據(jù)對，構(gòu)建所述轉(zhuǎn)折晶閘管的保護(hù)電壓-電容器容量的關(guān)系函數(shù)；其中，所述保護(hù)電壓包括：鉗位電壓或擊穿電壓；所述電容器容量包括：第一容量值和第二容量值；所述關(guān)系函數(shù)用于表征所述鉗位電壓與所述第一容量值之間的映射關(guān)系，或者所述擊穿電壓與所述第二容量值之間的映射關(guān)系；[0009]將預(yù)設(shè)電容器的容量值作為所述第二容量值，輸入至所述關(guān)系函數(shù)中，計算得到所述預(yù)設(shè)電容器對所述轉(zhuǎn)折晶閘管施壓時的目標(biāo)擊穿電壓；其中，所述第二容量值屬于毫法級容量。[0010]可選地，所述基于多對所述數(shù)據(jù)對，構(gòu)建所述轉(zhuǎn)折晶閘管的保護(hù)電壓-電容器容量[0011]將多對所述數(shù)據(jù)對輸入至多項式擬合模型中進(jìn)行多項式系數(shù)求解，得到所述轉(zhuǎn)折晶閘管的鉗位電壓-第一容量值的多項式函數(shù)；[0012]將所述多項式函數(shù)作為保護(hù)電壓-電容器容量的關(guān)系函數(shù)。5[0016]可選地，所述通過改變電容器模組的第一容量值，對轉(zhuǎn)折晶閘管進(jìn)行多次放電施壓測試，獲取多對第一容量值與對應(yīng)的鉗位電壓組成的數(shù)據(jù)對，包括：[0018]充電完成后，通過所述電容器模組中內(nèi)置的開關(guān)單元對具有不同第一容量值的電容器單元進(jìn)行選擇；[0019]基于選擇的電容器單元對所述轉(zhuǎn)折晶閘管進(jìn)行放電施壓，獲取所述第一容量值對[0021]可選地，所述指定電源電壓設(shè)置在以所述轉(zhuǎn)折晶閘管的1.3倍重復(fù)峰值電壓為中心的預(yù)設(shè)電壓范圍內(nèi)。[0022]可選地，所述放電施壓測試通過鉗壓測試電路執(zhí)行；其中，所述鉗壓測試電路包[0023]所述電容器充電模塊，用于為所述電容器模組提供指定電源電壓進(jìn)行充電；[0024]所述電容器模組，用于通過內(nèi)置的開關(guān)單元對具有不同第一容量值的電容器單元進(jìn)行選擇；[0025]所述放電開關(guān)，用于控制選擇的電容器單元對所述轉(zhuǎn)折晶閘管的放電操作。[0027]所述RC回路，用于在所述選擇的電容器單元放電時，控制所述轉(zhuǎn)折晶閘管的上升[0029]所述電容器單元與對應(yīng)的所述開關(guān)單元串聯(lián)，且所有所述電容器單元并聯(lián)。[0030]本發(fā)明第二方面實施例提供了一種轉(zhuǎn)折晶閘管的擊穿電壓獲取系統(tǒng)，包括：[0031]測試數(shù)據(jù)獲取模塊，用于通過改變電容器模組的第一容量值，對轉(zhuǎn)折晶閘管進(jìn)行多次放電施壓測試，獲取多對第一容量值與對應(yīng)的鉗位電壓組成的數(shù)據(jù)對；其中，所述第一容量值屬于微法級容量；[0032]關(guān)系函數(shù)構(gòu)建模塊，用于基于多對所述數(shù)據(jù)對，構(gòu)建所述轉(zhuǎn)折晶閘管的保護(hù)電壓-電容器容量的關(guān)系函數(shù)；其中，所述保護(hù)電壓包括：鉗位電壓或擊穿電壓；所述電容器容量包括：第一容量值和第二容量值；所述關(guān)系函數(shù)用于表征所述鉗位電壓與所述第一容量值之間的映射關(guān)系，或者所述擊穿電壓與所述第二容量值之間的映射關(guān)系；[0033]擊穿電壓計算模塊，用于將預(yù)設(shè)電容器的容量值作為所述第二容量值，輸入至所述關(guān)系函數(shù)中，計算得到所述預(yù)設(shè)電容器對所述轉(zhuǎn)折晶閘管施壓時的目標(biāo)擊穿電壓；其中，所述第二容量值屬于毫法級容量。[0034]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例提供了一種轉(zhuǎn)折晶閘管的擊穿電壓獲取方法及系統(tǒng)，所述方法包括：通過改變電容器模組的第一容量值，對轉(zhuǎn)折晶閘管進(jìn)行多次放電施壓測6試，獲取多對第一容量值與對應(yīng)的鉗位電壓組成的數(shù)據(jù)對；基于多對數(shù)據(jù)對，構(gòu)建轉(zhuǎn)折晶閘管的保護(hù)電壓-電容器容量的關(guān)系函數(shù)；其中，關(guān)系函數(shù)用于表征鉗位電壓與第一容量值之間的映射關(guān)系，或者擊穿電壓與第二容量值之間的映射關(guān)系；將預(yù)設(shè)電容器的容量值作為第二容量值，輸入至關(guān)系函數(shù)中，計算得到預(yù)設(shè)電容器對轉(zhuǎn)折晶閘管施壓時的目標(biāo)擊穿電壓。本發(fā)明能夠在不損毀轉(zhuǎn)折晶閘管的前提下，準(zhǔn)確地計算出大電容器對轉(zhuǎn)折晶閘管施壓時形成的擊穿電壓。附圖說明[0035]圖1是本發(fā)明提供的轉(zhuǎn)折晶閘管的擊穿電壓獲取方法的一個實施例的流程示意[0036]圖2是本發(fā)明提供的基于轉(zhuǎn)折晶閘管的鉗壓測試電路的一個實施例的結(jié)構(gòu)示意[0037]圖3是本發(fā)明提供的基于轉(zhuǎn)折晶閘管的鉗壓測試電路的另一個實施例的示意圖；[0038]圖4是本發(fā)明提供的基于轉(zhuǎn)折晶閘管的擊穿測試電路的一個實施例的示意圖；[0039]圖5是本發(fā)明提供的轉(zhuǎn)折晶閘管的擊穿電壓獲取系統(tǒng)的一個實施例的結(jié)構(gòu)示意具體實施方式[0040]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本技術(shù)領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。[0041]參見圖1,是本發(fā)明提供的轉(zhuǎn)折晶閘管的擊穿電壓獲取方法的一個實施例的流程示意圖。[0042]本發(fā)明第一方面實施例提供了一種轉(zhuǎn)折晶閘管的擊穿電壓獲取方法，包括步驟S1至步驟S3,具體如下：[0043]步驟S1:通過改變電容器模組的第一容量值，對轉(zhuǎn)折晶閘管進(jìn)行多次放電施壓測試，獲取多對第一容量值與對應(yīng)的鉗位電壓組成的數(shù)據(jù)對；其中，所述第一容量值屬于微法級容量；[0044]步驟S2:基于多對所述數(shù)據(jù)對，構(gòu)建所述轉(zhuǎn)折晶閘管的保護(hù)電壓-電容器容量的關(guān)系函數(shù)；其中，所述關(guān)系函數(shù)用于表征所述鉗位電壓與所述第一容量值之間的映射關(guān)系，或者擊穿電壓與第二容量值之間的映射關(guān)系；[0045]步驟S3:將預(yù)設(shè)電容器的容量值作為所述第二容量值，輸入至所述關(guān)系函數(shù)中，計算得到所述預(yù)設(shè)電容器對所述轉(zhuǎn)折晶閘管施壓時的目標(biāo)擊穿電壓；其中，所述第二容量值屬于毫法級容量。[0046]需要說明的是，實際工程應(yīng)用中的大容量電容器在放電時，會直接擊穿轉(zhuǎn)折晶閘管。然而，發(fā)明人在小容量電容器(即電容器模組中的電容器單元)對轉(zhuǎn)折晶閘管進(jìn)行放電施壓測試時，發(fā)現(xiàn)在一定電壓范圍內(nèi)，轉(zhuǎn)折晶閘管會出現(xiàn)明顯的電壓鉗位現(xiàn)象，且不會被施加的電壓擊穿損壞。進(jìn)一步地，發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)，在不同電容值(第一容量值)的小電容器進(jìn)行7放電施壓測試中，轉(zhuǎn)折晶閘管的鉗位電壓值呈現(xiàn)出一定的規(guī)律性。[0047]此外，發(fā)明人還測試了大容量電容器放電擊穿轉(zhuǎn)折晶閘管的擊穿電壓，并根據(jù)多次實驗，發(fā)現(xiàn)小容量電容器(即電容器模組中的電容器單元)放電形成的鉗位電壓與大容量電容器(即預(yù)設(shè)電容器)放電導(dǎo)致的擊穿電壓之間存在相關(guān)性。具體而言，通過多對第一容量值與對應(yīng)的鉗位電壓組成的數(shù)據(jù)對，構(gòu)建小容量電容器的“鉗位電壓-第一容量值的映射函數(shù)”,該映射函數(shù)也可以表征為大容量電容器的“擊穿電壓-第二容量值的映射函數(shù)”。本發(fā)明實施例將上述映射函數(shù)統(tǒng)稱為“保護(hù)電壓-電容器容量的關(guān)系函數(shù)”;其中，保護(hù)電壓包[0048]具體實施時，首先通過改變電容器模組的第一容量值(即更換小容量電容器),獲得多對第一容量值與對應(yīng)的鉗位電壓組成的數(shù)據(jù)對；接著，基于這些數(shù)據(jù)對構(gòu)建保護(hù)電壓-電容器容量的關(guān)系函數(shù)；最后，將預(yù)設(shè)電容器的容量值輸入至關(guān)系函數(shù)中，準(zhǔn)確計算出預(yù)設(shè)電容器(即大容量電容器)對轉(zhuǎn)折晶閘管放電施壓時的擊穿電壓。基于此，本發(fā)明實施例能夠在不損毀轉(zhuǎn)折晶閘管的前提下，準(zhǔn)確地計算出大電容器對轉(zhuǎn)折晶閘管施壓時形成的擊穿[0049]在一個可選的實施例中，所述基于多對所述數(shù)據(jù)對，構(gòu)建所述轉(zhuǎn)折晶閘管的保護(hù)電壓-電容器容量的關(guān)系函數(shù)，包括：[0050]將多對所述數(shù)據(jù)對輸入至多項式擬合模型中進(jìn)行多項式系數(shù)求解，得到所述轉(zhuǎn)折晶閘管的鉗位電壓-第一容量值的多項式函數(shù)；[0051]將所述多項式函數(shù)作為保護(hù)電壓-電容器容量的關(guān)系函數(shù)。[0055]需要說明的是，保護(hù)電壓包括：鉗位電壓或擊穿電壓；電容器容量包括：第一容量值或第二容量值。小容量電容器(即電容器模組中的電容器單元)放電形成的鉗位電壓與大容量電容器(即預(yù)設(shè)電容器)放電導(dǎo)致的擊穿電壓與對應(yīng)的電容器容量之間貼合以下多項[0056];其中，Y表示小容量電容器(即電容器模組中的電容器單元)放電形成的鉗位電壓，或者大容量電容器(即預(yù)設(shè)電容器)放電導(dǎo)致的擊穿電壓。[0058]因此，本發(fā)明實施例通過小容量電容器在給轉(zhuǎn)折晶閘管施加電壓時，能夠在一定電壓范圍內(nèi)產(chǎn)生鉗位電壓而不致使其擊穿的特性，測試各小容量電容器的第一容量值與對應(yīng)的鉗位電壓組成的數(shù)據(jù)對，進(jìn)而得到保護(hù)電壓-電容器容量的關(guān)系函數(shù)，并推算出大容量電容器擊穿轉(zhuǎn)折晶閘管的擊穿電壓。[0059]在一個可選的實施例中，所述通過改變電容器模組的第一容量值，對轉(zhuǎn)折晶閘管進(jìn)行多次放電施壓測試，獲取多對第一容量值與對應(yīng)的鉗位電壓組成的數(shù)據(jù)對，包括：8[0061]充電完成后，通過所述電容器模組中內(nèi)置的開關(guān)單元對具有不同第一容量值的電容器單元進(jìn)行選擇；[0062]基于選擇的電容器單元對所述轉(zhuǎn)折晶閘管進(jìn)行放電施壓，獲取所述第一容量值對應(yīng)的鉗位電壓，并組成所述數(shù)據(jù)對。[0063]需要說明的是，對轉(zhuǎn)折晶閘管進(jìn)行多次放電施壓測試時，為電容器模組提供相同的指定電源電壓進(jìn)行充電。[0064]在一個可選的實施[0065]進(jìn)一步地，所述指定電源電壓設(shè)置在以所述轉(zhuǎn)折晶閘管的1.3倍重復(fù)峰值電壓為中心的預(yù)設(shè)電壓范圍內(nèi)。[0066]需要說明的是，發(fā)明人經(jīng)過多次實驗測試發(fā)現(xiàn)，當(dāng)電容器模組中電容器單元的第一容量值小于200μF,且其電容電壓在轉(zhuǎn)折晶閘管的1.3倍重復(fù)峰值電壓附近時，電容器單元在放電過程中對轉(zhuǎn)折晶閘管施加的電壓可以有效地產(chǎn)生鉗位電壓，而不至于導(dǎo)致晶閘管的擊穿損壞。此外，電容器單元的電容電壓由指定電源電壓提供。[0067]參見圖2,是本發(fā)明提供的基于轉(zhuǎn)折晶閘管的鉗壓測試電路的一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。[0068]在一個可選的實施例中，所述放電施壓測試通過鉗壓測試電路執(zhí)行；其中，所述鉗壓測試電路包括：電容器充電模塊100、所述電容器模組200、放電開關(guān)300和所述轉(zhuǎn)折晶閘管400;[0069]所述電容器充電模塊100,用于為所述電容器模組200提供指定電源電壓進(jìn)行充[0070]所述電容器模組200,用于通過內(nèi)置的開關(guān)單元對具有不同第一容量值的電容器單元進(jìn)行選擇；[0071]所述放電開關(guān)300,用于控制選擇的電容器單元對所述轉(zhuǎn)折晶閘管400的放電操[0072]需要說明的是，在轉(zhuǎn)折晶閘管400的鉗壓測試開始時，首先啟動電容器充電模塊100,為電容器模組200提供指定電源電壓，使得電容器模組200中的每個電容器單元的電壓能夠達(dá)到測試所需的電壓水平。在充電完成后，電容器模組200通過內(nèi)置的開關(guān)單元，靈活地選擇不同第一容量值的電容器單元進(jìn)行測試。在選定電容器單元后，放電開關(guān)300(通常為高速電子開關(guān))被觸發(fā)，控制電容器單元向轉(zhuǎn)折晶閘管400進(jìn)行放電。在放電過程中，電容器單元向轉(zhuǎn)折晶閘管400施加電壓，進(jìn)而導(dǎo)致晶閘管產(chǎn)生鉗位電壓。[0073]在一個可選的實施例中，所述鉗壓測試電路還包[0074]所述RC回路500,用于在所述選擇的電容器單元放電時，控制所述轉(zhuǎn)折晶閘管400的上升電壓。[0075]需要說明的是，RC回路500通過調(diào)整電阻和電容的設(shè)置，調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)折晶閘管400的電壓上升率，從而確保晶閘管能承受電壓的快速變化而不被損壞，即避免了電壓突然上升可能對晶閘管造成的電氣沖擊。[0076]為了電容器模組200能夠通過內(nèi)置的開關(guān)單元對具有不同第一容量值的電容器單元進(jìn)行選擇：[0077]在第一種實施方式中，電容器模組200包括：N個所述電容器單元和1個多路開關(guān)；9其中，多路開關(guān)包括但不限于開關(guān)管、開關(guān)陣列和多路選擇器等。[0078]在第二種實施方式中，所述電容器模組200包括：N個所述電容器單元和N個所述開[0079]所述電容器單元與對應(yīng)的所述開關(guān)單元串聯(lián)，且所有所述電容器單元并聯(lián)。[0080]為了進(jìn)一步體現(xiàn)本發(fā)明提供的一種轉(zhuǎn)折晶閘管的擊穿電壓獲取方法所達(dá)到的技術(shù)效果，下面結(jié)合發(fā)明人在研發(fā)過程中獲取轉(zhuǎn)折晶閘管的擊穿電壓的應(yīng)用實例，對本發(fā)明的技術(shù)效果進(jìn)行闡述。[0081]參見圖3,是本發(fā)明提供的基于轉(zhuǎn)折晶閘管的鉗壓測試電路的另一個實施例的示意圖。圖3中的①為電容器充電模塊100,②為電容器模組200(即并聯(lián)電容器切換組件),③為放電開關(guān)300(即高速電子開關(guān)/快速隔離開關(guān)),④為RC回路500,⑤為轉(zhuǎn)折晶閘管400。[0082]轉(zhuǎn)折晶閘管的鉗壓測試步驟如下：[0083]步驟一：在結(jié)溫下測試轉(zhuǎn)折晶閘管的重復(fù)峰值電壓VO。[0084]步驟二：調(diào)節(jié)電源電壓U1等于1.3倍的VO;開通S1,斷開S2、S3和S4,將C1電容器接入放電回路；在結(jié)溫下開始測試轉(zhuǎn)折晶閘管，觸發(fā)快速隔離開關(guān)，C1電容器放電給轉(zhuǎn)折晶閘C2電容器接入放電回路；在結(jié)溫下開始測試轉(zhuǎn)折晶閘管，觸發(fā)快速隔離開關(guān)，C2電容器放電，測試轉(zhuǎn)折晶閘管兩端鉗位電壓值VB2。[0086]步驟四：重復(fù)步驟三，依次測試出C3電容器放電對應(yīng)轉(zhuǎn)折晶閘管兩端鉗位電壓值VB3;類似地，測試出C4電容器放電對應(yīng)轉(zhuǎn)折晶閘管兩端鉗位電壓值VB4。和對應(yīng)的電容器容量，計算出大容量電容器放電擊,解出多項式系數(shù)A、B、C和D,得到擬合多項式，并作為保護(hù)電壓-電容器容量的關(guān)系函數(shù)。[0089](2)將預(yù)設(shè)電容器(大容量電容器)的第二容量值代入最終的關(guān)系函數(shù)中，得到預(yù)設(shè)電容器對轉(zhuǎn)折晶閘管施壓時的目標(biāo)擊穿電壓VBD計算。[0091]測出轉(zhuǎn)折晶閘管2uF電容器放電對應(yīng)轉(zhuǎn)折晶閘管兩端鉗位電壓值VB1=4263V;[0092]測出轉(zhuǎn)折晶閘管10uF電容器放電對應(yīng)轉(zhuǎn)折晶閘管兩端鉗位電壓值VB2=4269V;[0093]測出轉(zhuǎn)折晶閘管50uF電容器放電對應(yīng)轉(zhuǎn)折晶閘管兩端鉗位電壓值VB3=4278V;[0094]測出轉(zhuǎn)折晶閘管100uF電容器放電對應(yīng)轉(zhuǎn)折晶閘管兩端鉗位電壓值