T/CECXXXX-20XX

電力芯片電磁干擾與溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)方法第3部分：電源芯片

1范圍

本文件描述了電源芯片的電磁干擾與溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)方法，包含試驗(yàn)條件、試驗(yàn)設(shè)備、試驗(yàn)布置、

試驗(yàn)程序和試驗(yàn)報(bào)告等。附錄給出了電源芯片電磁干擾與溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)的試驗(yàn)報(bào)告模板建議。

本文件適用于對(duì)電力場(chǎng)景下電源芯片電磁干擾與溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)及評(píng)價(jià)檢測(cè)活動(dòng)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

GB/T9178-1988集成電路術(shù)語

GB/T4365-2003電工術(shù)語電磁兼容

GB/T4937.23-2023半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第23部分：高溫工作壽命

GB/T17626.4-2018電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.5-2019電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.18-2016電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩波抗擾度試驗(yàn)

GB/T42968.1-2023集成電路電磁抗擾度測(cè)量第1部分：通用條件和定義

GB/T43034.3-2023集成電路脈沖抗擾度測(cè)量第3部分：非同步瞬態(tài)注入法

T/CECXXXX.1-20XX電力芯片電磁干擾與溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)方法第1部分：通用定義和條件

3術(shù)語和定義

GB/T9178-1988、GB/T4365-2003、GB/T42968.1-2023、GB/T43034.3-2023、GB/T4937.23-2023、

GB/T17626.4-2018、GB/T17626.5-2019、GB/T17626.18-2016和T/CECXXXX.1-20XX界定的以及下

列術(shù)語和定義適用于本文件。

3.1

電源芯片PowerIntegratedCircuits

在電子設(shè)備系統(tǒng)中擔(dān)負(fù)起對(duì)電能的變換、分配、檢測(cè)及其他電能管理的功能的芯片。

3.2

線性調(diào)整率LineRegulation

指在負(fù)載保持不變的情況下，輸入電壓變化導(dǎo)致輸出電壓變化的量。

3.3

負(fù)載調(diào)整率LoadRegulation

在輸入電壓一定的情況下，輸出電壓隨負(fù)載電流變化而產(chǎn)生的變化量。

1

T/CECXXXX-20XX

3.4

諧波抑制比PowerSupplyRejectionRatio

PSRR

抑制由輸入電壓波動(dòng)造成的輸出電壓波動(dòng)的能力。

3.5

功率轉(zhuǎn)化率PowerConversion

電源芯片將輸入電能轉(zhuǎn)換為輸出電能的效率。

4符號(hào)和縮略語

下列符號(hào)及縮略語適用于本文件。

DUT被測(cè)設(shè)備（DeviceUnderTest）

VCC電路供電電壓（VoltCurrentCondenser）

GND接地端（Ground）

VIN電壓輸入（VoltageInput）

VOUT電壓輸出（VoltageOutput）

EN使能（Enable）

5試驗(yàn)條件

5.1概述

試驗(yàn)條件應(yīng)滿足T/CECXXXX.1的要求。此外，還應(yīng)滿足下述要求。

5.2供電電壓

DUT的供電電壓需要根據(jù)電源芯片的功能類型進(jìn)行選擇，可參考制造商給出的建議以及實(shí)際應(yīng)用進(jìn)

行設(shè)置，一般設(shè)置為12V、5V、3.3V等實(shí)際應(yīng)用的典型值。

6試驗(yàn)設(shè)備

6.1概述

試驗(yàn)設(shè)備應(yīng)滿足T/CECXXXX.1-20XX中的規(guī)定，此外，還應(yīng)滿足下列要求。

6.2電磁溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)板

本試驗(yàn)方法需要使用電磁溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)板，試驗(yàn)板用于放置DUT、規(guī)定元件和必要的耦合去耦

網(wǎng)絡(luò)，除T/CECXXXX.1-20XX規(guī)定的功能外，還需具備為DUT提供功能實(shí)現(xiàn)電路、監(jiān)測(cè)DUT運(yùn)行狀態(tài)等

功能。

為實(shí)現(xiàn)在設(shè)定周期后的DUT功能性能檢測(cè)，需在試驗(yàn)板上設(shè)置芯片插座，便于DUT的插拔。

電源芯片電磁溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)測(cè)試板需具有高可靠性，在整個(gè)測(cè)試過程中其功能性能不發(fā)生退化。

7試驗(yàn)布置

2

T/CECXXXX-20XX

試驗(yàn)布置應(yīng)滿足T/CECXXXX.1-20XX的要求。

8試驗(yàn)程序

試驗(yàn)程序應(yīng)根據(jù)T/CECXXXX.1-20XX第9章的要求和下面的規(guī)定。

8.1引腳選擇方案

DUT的引腳，只要可能通過PCB走線（局部引腳）或外部線纜（全局引腳）連接至其它器件上，都

需要進(jìn)行試驗(yàn)。對(duì)于電源芯片，選取的引腳應(yīng)包含但不限于以下引腳：

——供電引腳，如VCC引腳、GND引腳；

——輸入/輸出功能引腳，如VIN、VOUT引腳；

——特殊功能引腳，如EN引腳、專業(yè)電源管理芯片的溫度檢測(cè)引腳等。

8.2DUT工況設(shè)置

DUT一般根據(jù)芯片制造商的建議及實(shí)際應(yīng)用設(shè)置為典型運(yùn)行狀態(tài)，建議使用數(shù)據(jù)手冊(cè)中所列的規(guī)定

元件，這些元件對(duì)于DUT的功能是必需的。DUT負(fù)載的選擇依據(jù)制造商建議的額定最大負(fù)載電流。

8.3DUT監(jiān)測(cè)

應(yīng)對(duì)DUT進(jìn)行監(jiān)測(cè)，目的是盡可能完整地確定其可靠性能。實(shí)施的監(jiān)測(cè)不應(yīng)影響DUT的可靠性能。

對(duì)于通用的電源芯片，取決于實(shí)現(xiàn)的功能或運(yùn)行模式，其可產(chǎn)生不同的響應(yīng)信號(hào)。應(yīng)監(jiān)測(cè)響應(yīng)信號(hào)

以表明電源芯片是否失效。響應(yīng)信號(hào)包括但不限于以下參數(shù)特性和功能特性：

——DUT的輸出電壓；

——DUT的電源電壓、電流；

——開關(guān)導(dǎo)通電阻；

——軟啟動(dòng)時(shí)間；

——DUT的線性調(diào)整率；

——DUT的負(fù)載調(diào)整率；

——DUT的諧波抑制比；

——DUT的功率轉(zhuǎn)化率。

對(duì)于某些監(jiān)測(cè)參數(shù)，需要將DUT冷卻至室溫進(jìn)行測(cè)試，可使用示波器、電壓表等進(jìn)行輔助監(jiān)測(cè)。

對(duì)于所監(jiān)測(cè)的響應(yīng)信號(hào)，必須按照數(shù)據(jù)手冊(cè)的要求，單獨(dú)定義電源芯片在電磁和熱應(yīng)力試驗(yàn)下的失

效判定準(zhǔn)則。

8.4失效判定

在DUT額定工作條件下多次測(cè)試其功能性能，若該DUT功能正常，至少一個(gè)監(jiān)測(cè)參數(shù)出現(xiàn)偏差，則

判定該芯片出現(xiàn)退化；若DUT功能喪失或所監(jiān)測(cè)參數(shù)超過規(guī)定允差，則判定該芯片失效。

9試驗(yàn)報(bào)告

試驗(yàn)報(bào)告應(yīng)根據(jù)T/CECXXXX.1-20XX第10章的要求，記錄所有必要信息來解釋和復(fù)現(xiàn)試驗(yàn)結(jié)果，

試驗(yàn)報(bào)告格式可參考本文件的附錄B。

3

T/CECXXXX-20XX

附錄A

（資料性）

電源芯片特征參數(shù)測(cè)量方法

本附錄的目的是給出電源芯片特征參數(shù)常用測(cè)量方法，用于用戶對(duì)電源芯片特征參數(shù)測(cè)量方法的參

考。本附錄所提及的特征參數(shù)均是在每一測(cè)試周期后，常溫常壓下測(cè)量的。

A.1測(cè)量設(shè)備及布置

測(cè)量電源芯片特征參數(shù)使用的設(shè)備主要有高精度直流電源、電子負(fù)載、萬用表、示波器、連接線纜

及夾具等。設(shè)備布置示意圖如圖A.1所示，高精度電源為電源芯片提供輸入電流與電壓，電子負(fù)載在與

電源芯片的輸出端相連，萬用表、示波器用于電源芯片輸出電壓的測(cè)量。

圖A.1試驗(yàn)布置

A.2電源芯片特征參數(shù)測(cè)量方法

A.2.1開關(guān)導(dǎo)通電阻

按照?qǐng)DA.1將待測(cè)芯片測(cè)試板與各設(shè)備連接，示波器通道1測(cè)量VIN引腳電壓V1，示波器通道2

測(cè)量VOUT引腳電壓V2，示波器通道3測(cè)量電感電流I。高精度直流電源為芯片供電，使電源芯片工作

在PWM電流連續(xù)模式。選擇電源芯片內(nèi)部MOS器件導(dǎo)通時(shí)的電壓（V1-V2）、電流I，電源芯片的開關(guān)導(dǎo)

通電阻參考下式，多次測(cè)量取平均值。

VV

R12

I

A.2.2軟啟動(dòng)時(shí)間

按照?qǐng)DA.1將待測(cè)芯片測(cè)試板與各設(shè)備連接，電源芯片工作在滿載條件下，示波器通道1測(cè)量電源

芯片輸出電壓，測(cè)量電源芯片上電啟動(dòng)后，其輸出電壓從目標(biāo)值的10%單調(diào)上升到90%所需的時(shí)間。

A.2.3線性調(diào)整率

按照?qǐng)DA.1將待測(cè)芯片測(cè)試板與各設(shè)備連接，電源芯片工作在滿載條件下，數(shù)字萬用表測(cè)量電源芯

片輸出電壓。調(diào)節(jié)電源芯片輸入端的可調(diào)電源，使輸入電壓達(dá)到下限值，并記錄對(duì)應(yīng)的輸出電壓V1；將

輸入電壓增加到額定值，并記錄此時(shí)的輸出電壓V0；將輸入電壓調(diào)節(jié)到上限值，并記錄此時(shí)的輸出電壓

V2，線性調(diào)整率為：

VV

LineRegulation=0100%

V0

4

T/CECXXXX-20XX

其中，V是V1和V2中相對(duì)V0變化較大的值。

A.2.4負(fù)載調(diào)整率

按照?qǐng)DA.1將待測(cè)芯片測(cè)試板與各設(shè)備連接，數(shù)字萬用表測(cè)量電源芯片輸出電壓。調(diào)節(jié)電子負(fù)載，

測(cè)量電源芯片空載時(shí)輸出電壓V1；負(fù)載調(diào)節(jié)至最大負(fù)載的50%，記錄輸出電壓V0；負(fù)載調(diào)節(jié)至最大負(fù)載，

記錄此時(shí)的輸出電壓V2，負(fù)載調(diào)整率為：

VV

LoadRegulation=12100%

V0

A.2.5諧波抑制比

按照?qǐng)DA.1將待測(cè)芯片測(cè)試板與各設(shè)備連接，高精度信號(hào)發(fā)生器通過線性注入器將掃頻信號(hào)注入至

電源芯片的VIN引腳，示波器的通道1與電源芯片的VIN引腳連接，測(cè)量輸入端紋波Vripple(in），示波器

的通道2與電源芯片的輸出電壓相連，測(cè)量輸出端紋波Vripple(out）。待測(cè)電源芯片的諧波抑制比為：

V（）

PSRR=20log（ripplein）

Vripple（out）

A.2.6功率轉(zhuǎn)化率

按照?qǐng)DA.1將待測(cè)芯片測(cè)試板與各設(shè)備連接，電源芯片工作在典型運(yùn)行狀態(tài)，使用數(shù)字萬用表測(cè)量

電源輸入端的電壓V1、電流I1，輸出端的電壓V2、負(fù)載電流I2。電源芯片在該運(yùn)行狀態(tài)下的功率轉(zhuǎn)化率

為：

VI

22100%

V1I1

5

T/CECXXXX-20XX

附錄B

（資料性）

試驗(yàn)報(bào)告

試驗(yàn)報(bào)告如表B.1所示。

表B.1試驗(yàn)報(bào)告

_______________電磁干擾與綜合溫度應(yīng)力試驗(yàn)

測(cè)試人樣品號(hào)

測(cè)試日期DUT信息名稱

測(cè)試地點(diǎn)廠家及型號(hào)

DUT功能確認(rèn)□已確認(rèn)

測(cè)試設(shè)備電磁干擾源□已校準(zhǔn)示波器□已校準(zhǔn)

狀態(tài)溫度控制系統(tǒng)□已校準(zhǔn)…□已校準(zhǔn)

監(jiān)測(cè)設(shè)備功能□正?！跻研?zhǔn)

試驗(yàn)結(jié)果記錄

DUT監(jiān)測(cè)

電磁條件溫度條件結(jié)束后測(cè)量

參數(shù)

序

軟啟電壓

號(hào)測(cè)試幅值注入時(shí)注入頻率溫度時(shí)間輸出

輸出電壓功能動(dòng)時(shí)調(diào)整…

引腳/V間/min/次/h/℃/h電壓

間率

1Pi/p>

2

3

…

━━━━━━━━━━━

6

ICS

CCS

備案號(hào)：T/CEC

中國電力企業(yè)聯(lián)合會(huì)標(biāo)準(zhǔn)

T/CECXXXX-20XX

電力芯片電磁干擾與溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)方

法

第3部分：電源芯片

Testmethodforelectromagneticinterferenceandtemperaturecomprehensivestress

ofelectricpowerchips

Part3：Powerintegratedcircuits

（征求意見稿）

20XX—XX—XX發(fā)布20XX—XX—XX實(shí)施

中國電力企業(yè)聯(lián)合會(huì)發(fā)布

T/CECXXXX-20XX

電力芯片電磁干擾與溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)方法第3部分：電源芯片

1范圍

本文件描述了電源芯片的電磁干擾與溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)方法，包含試驗(yàn)條件、試驗(yàn)設(shè)備、試驗(yàn)布置、

試驗(yàn)程序和試驗(yàn)報(bào)告等。附錄給出了電源芯片電磁干擾與溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)的試驗(yàn)報(bào)告模板建議。

本文件適用于對(duì)電力場(chǎng)景下電源芯片電磁干擾與溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)及評(píng)價(jià)檢測(cè)活動(dòng)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

GB/T9178-1988集成電路術(shù)語

GB/T4365-2003電工術(shù)語電磁兼容

GB/T4937.23-2023半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第23部分：高溫工作壽命

GB/T17626.4-2018電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.5-2019電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.18-2016電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩波抗擾度試驗(yàn)

GB/T42968.1-2023集成電路電磁抗擾度測(cè)量第1部分：通用條件和定義

GB/T43034.3-2023集成電路脈沖抗擾度測(cè)量第3部分：非同步瞬態(tài)注入法

T/CECXXXX.1-20XX電力芯片電磁干擾與溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)方法第1部分：通用定義和條件

3術(shù)語和定義

GB/T9178-1988、GB/T4365-2003、GB/T42968.1-2023、GB/T43034.3-2023、GB/T4937.23-2023、

GB/T17626.4-2018、GB/T17626.5-2019、GB/T17626.18-2016和T/CECXXXX.1-20XX界定的以及下

列術(shù)語和定義適用于本文件。

3.1

電源芯片PowerIntegratedCircuits

在電子設(shè)備系統(tǒng)中擔(dān)負(fù)起對(duì)電能的變換、分配、檢測(cè)及其他電能管理的功能的芯片。

3.2

線性調(diào)整率LineRegulation

指在負(fù)載保持不變的情況下，輸入電壓變化導(dǎo)致輸出電壓變化的量。

3.3

負(fù)載調(diào)整率LoadRegulation

在輸入電壓一定的情況下，輸出電壓隨負(fù)載電流變化而產(chǎn)生的變化量。

1

T/CECXXXX-20XX

3.4

諧波抑制比PowerSupplyRejectionRatio

PSRR

抑制由輸入電壓波動(dòng)造成的輸出電壓波動(dòng)的能力。

3.5

功率轉(zhuǎn)化率PowerConversion

電源芯片將輸入電能轉(zhuǎn)換為輸出電能的效率。

4符號(hào)和縮略語

下列符號(hào)及縮略語適用于本文件。

DUT被測(cè)設(shè)備（DeviceUnderTest）

VCC電路供電電壓（VoltCurrentCondenser）

GND接地端（Ground）

VIN電壓輸入（VoltageInput）

VOUT電壓輸出（VoltageOutput）

EN使能（Enable）

5試驗(yàn)條件

5.1概述

試驗(yàn)條件應(yīng)滿足T/CECXXXX.1的要求。此外，還應(yīng)滿足下述要求。

5.2供電電壓

DUT的供電電壓需要根據(jù)電源芯片的功能類型進(jìn)行選擇，可參考制造商給出的建議以及實(shí)際應(yīng)用進(jìn)

行設(shè)置，一般設(shè)置為12V、5V、3.3V等實(shí)際應(yīng)用的典型值。

6試驗(yàn)設(shè)備

6.1概述

試驗(yàn)設(shè)備應(yīng)滿足T/CECXXXX.1-20XX中的規(guī)定，此外，還應(yīng)滿足下列要求。

6.2電磁溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)板

本試驗(yàn)方法需要使用電磁溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)板，試驗(yàn)板用于放置DUT、規(guī)定元件和必要的耦合去耦

網(wǎng)絡(luò)，除T/CECXXXX.1-20XX規(guī)定的功能外，還需具備為DUT提供功能實(shí)現(xiàn)電路、監(jiān)測(cè)DUT運(yùn)行狀態(tài)等

功能。

為實(shí)現(xiàn)在設(shè)定周期后的DUT功能性能檢測(cè)，需在試驗(yàn)板上設(shè)置芯片插座，便于DUT的插拔。

電源芯片電磁溫度綜合應(yīng)力試驗(yàn)測(cè)試板需具有高可靠性，在整個(gè)測(cè)試過程中其功能性能不發(fā)生退化。

7試驗(yàn)布置

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