2025年電子基礎(chǔ)試題及答案一、選擇題（每題3分，共30分）1.某線性電阻兩端電壓為12V時，通過電流為3A；若電壓降至6V時，該電阻的阻值為（）A.2ΩB.4ΩC.6ΩD.8Ω2.半導(dǎo)體PN結(jié)加正向偏置時，空間電荷區(qū)的寬度會（）A.變寬B.變窄C.不變D.先變寬后變窄3.共發(fā)射極放大電路中，輸入信號與輸出信號的相位關(guān)系為（）A.同相B.反相C.相差90°D.相差180°4.邏輯函數(shù)F=AB+AC的最簡與或表達式為（）A.A(B+C)B.AB+ACC.A+B+CD.ABC5.一階RC電路中，當(dāng)電容充電至電源電壓的63.2%時，所需時間為（）A.0.5τB.τC.2τD.3τ（τ為時間常數(shù)）6.集成運算放大器的輸入級通常采用（）A.共射放大電路B.差分放大電路C.共集放大電路D.乙類功放電路7.若某數(shù)字電路的輸入為三位二進制數(shù)，輸出為其對應(yīng)的十進制數(shù)值，則該電路屬于（）A.編碼器B.譯碼器C.數(shù)據(jù)選擇器D.加法器8.場效應(yīng)管（FET）的主要控制參數(shù)是（）A.基極電流B.柵源電壓C.集電極電壓D.發(fā)射極電流9.正弦交流電的三要素是（）A.幅值、頻率、相位B.幅值、周期、初相位C.有效值、頻率、相位差D.最大值、角頻率、初相位10.若TTL與非門的輸入全為高電平，則輸出為（）A.高電平B.低電平C.高阻態(tài)D.不確定二、填空題（每空2分，共20分）1.基爾霍夫電流定律（KCL）的本質(zhì)是________守恒。2.二極管的正向?qū)▔航?，硅管約為________V，鍺管約為________V。3.放大電路的靜態(tài)工作點由________、________和________三個參數(shù)決定。4.555定時器構(gòu)成多諧振蕩器時，其輸出波形為________。5.數(shù)字電路中，BCD碼是指用________位二進制數(shù)表示1位十進制數(shù)的編碼方式。6.電感元件對高頻信號的阻礙作用________（填“大”或“小”），電容元件對低頻信號的阻礙作用________（填“大”或“小”）。三、計算題（每題10分，共40分）1.如圖1所示電路，已知R1=2Ω，R2=3Ω，R3=6Ω，Us=12V，求：（1）電路的總電阻；（2）各支路電流I1、I2、I3；（3）R2消耗的功率。（注：圖1為R1與R2并聯(lián)后，再與R3串聯(lián)，接于電壓源Us兩端）2.某共射極放大電路中，三極管β=100，UBE=0.7V，RB=300kΩ，RC=3kΩ，VCC=12V。求：（1）靜態(tài)工作點IBQ、ICQ、UCEQ；（2）若輸入正弦信號后輸出波形出現(xiàn)底部失真，說明是截止失真還是飽和失真？應(yīng)如何調(diào)整RB以改善失真？3.一階RC串聯(lián)電路中，R=10kΩ，C=10μF，電源電壓U=10V，初始時電容未充電。求：（1）電路的時間常數(shù)τ；（2）充電過程中電容電壓uC(t)的表達式；（3）t=0.1s時，uC(t)的值（已知e≈2.718）。4.分析圖2所示邏輯電路，寫出輸出F的邏輯表達式，并化簡為最簡與或式，列出真值表。（注：圖2由兩個與門和一個或門組成，輸入A、B、C，第一個與門輸入A和B，第二個與門輸入A和C，或門輸入兩個與門的輸出）四、綜合題（每題15分，共30分）1.設(shè)計一個三人表決電路，要求：當(dāng)多數(shù)人（2人或3人）同意時，表決通過（輸出F=1）；否則不通過（F=0）。要求：（1）列出真值表；（2）寫出邏輯表達式并化簡；（3）用與非門實現(xiàn)該電路（畫出邏輯圖）。2.圖3為集成運放構(gòu)成的信號運算電路，已知R1=10kΩ，R2=20kΩ，Rf=40kΩ，C=1μF，ui1=0.5V，ui2=1V。求：（1）若開關(guān)S閉合，輸出uo的表達式及數(shù)值；（2）若開關(guān)S斷開，電路的名稱是什么？輸出uo(t)的表達式（設(shè)t=0時電容電壓為0）；（3）當(dāng)S斷開且ui1=0.5sin(1000t)V時，uo(t)的波形特點。（注：圖3中運放為理想運放，反相輸入端接R1（ui1）、R2（ui2）和Rf、電容C并聯(lián)支路，同相輸入端接地，S控制Rf是否接入）答案及解析一、選擇題1.B（電阻是線性元件，阻值R=U/I=12/3=4Ω，與電壓無關(guān)）2.B（正向偏置時，外電場抵消內(nèi)電場，空間電荷區(qū)變窄）3.B（共射電路輸入輸出反相，相位差180°）4.A（提取公因子A，F(xiàn)=A(B+C)為最簡式）5.B（一階電路暫態(tài)過程中，τ時間達到穩(wěn)態(tài)值的63.2%）6.B（差分放大電路抑制零點漂移，適合作為輸入級）7.B（譯碼器將二進制碼轉(zhuǎn)換為對應(yīng)十進制信號）8.B（FET是電壓控制型器件，通過柵源電壓控制漏極電流）9.D（三要素為最大值、角頻率、初相位）10.B（與非門輸入全高則輸出低）二、填空題1.電荷2.0.7；0.33.IBQ（基極電流）；ICQ（集電極電流）；UCEQ（管壓降）4.矩形波（方波）5.46.大；大三、計算題1.（1）R并=R1∥R2=(2×3)/(2+3)=1.2Ω，總電阻R總=R并+R3=1.2+6=7.2Ω（2）總電流I1=Us/R總=12/7.2≈1.667A；I2=Us/(R1∥R2)×(R1/(R1+R2))=12/1.2×(2/5)=4A？更正：并聯(lián)部分電壓U并=I1×R并=1.667×1.2≈2V，故I2=U并/R2=2/3≈0.667A，I3=U并/R1=2/2=1A（原計算錯誤，正確應(yīng)為：總電流I=Us/R總=12/7.2≈1.667A，并聯(lián)部分電壓U并=I×R并=1.667×1.2=2V，因此I2=U并/R2=2/3≈0.667A，I3=U并/R1=2/2=1A，I1=I=1.667A）（3）P2=I22×R2=(0.667)2×3≈1.333W2.（1）IBQ=(VCC-UBE)/RB=(12-0.7)/300k≈0.0377mA；ICQ=β×IBQ=100×0.0377≈3.77mA；UCEQ=VCC-ICQ×RC=12-3.77×3≈0.69V（2）底部失真為飽和失真（輸出電壓底部被削平），需增大RB以減小IBQ，從而降低ICQ，退出飽和區(qū)。3.（1）τ=R×C=10k×10μ=0.1s（2）uC(t)=U(1-e^(-t/τ))=10(1-e^(-10t))V（t≥0）（3）t=0.1s時，uC=10(1-e^(-1))≈10×(1-1/2.718)≈6.32V4.邏輯表達式：F=AB+AC；最簡與或式已為F=A(B+C)；真值表：ABC|F000|0001|0010|0011|0100|0101|1110|1111|1四、綜合題1.（1）真值表（輸入A、B、C為三人同意，1=同意；輸出F=1通過）：ABC|F000|0001|0010|0011|1100|0101|1110|1111|1（2）邏輯表達式：F=ABC’+AB’C+A’BC+ABC=AB+AC+BC（化簡過程：提取公因子，F(xiàn)=AB(C+C’)+AC(B+B’)+BC(A+A’)=AB+AC+BC）（3）用與非門實現(xiàn)：F=AB+AC+BC=((AB)’·(AC)’·(BC)’)’，邏輯圖為三個與非門（先對AB、AC、BC取反，再對三者取反）。2.（1）S閉合時，電路為反相加法器，uo=-(Rf/R1·ui1+Rf/R2·ui2)=-(40/10×0.5+40/20×1)=-(2+2)=-4V（2）S斷開時，Rf支路被電容C替代，電路為積分器，uo(t)=-(1/(R1C))∫ui1dt-(1/(R2C))∫ui2dt（因ui1、ui2同時輸入）；代入數(shù)值：R1C=10k×1μ=0.01s，R2C=20k×1μ=0.02s，故uo(t)=-(1/0.01)∫0.5dt-(1/0.02)∫1dt=-50t-50t=-100tV（