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文檔簡介
遼寧冶金職業(yè)技術(shù)學院教案
課程名稱:電力電子技術(shù)
任課教師:____________________________________
開課系部:_______________自控系_______________
授課班級:___________________________________
開課教研室:自控教研室
開課學期:20xx?20xx學年度第一學期
遼寧冶金職業(yè)技術(shù)學院教案
課題名稱緒論、§1」電力電子器件概述、§1.2電力二極管
課次第(1)次課課時2
課型理論(Y);實驗();實習();、實務(wù)();習題課();討論();其他()
了解本課程的基本內(nèi)容及本課程在專業(yè)課中的作用;了解電力電子技術(shù)的
教學目標發(fā)展、應(yīng)用和分類。了解電力二極管的工作原理、基本特性和主要參數(shù);
了解晶閘管的結(jié)構(gòu),掌握晶閘管的導通條件、關(guān)斷條件及門極的作用;
重點:明確本課程在專業(yè)課學習中的作用和地位;晶閘管的工作原理、工
重點、難點及
作特性
解決方法
難點:晶閘管的雙晶體管理論
一、緒論
1、本課程在專業(yè)課學習中的作用和地位
2、電力電子技術(shù)的概念
3、電力電子技術(shù)的發(fā)展史
4、電力電子技術(shù)的應(yīng)用
二、電力電子器件概述
教學基本內(nèi)容1、電力電子器件
與教學設(shè)計2、電力電子器件的分類
三、電力二極管
1、工作原理;2、基本特性;3、主要參數(shù)
四、晶閘管
1、晶閘管的結(jié)構(gòu);
2、工作原理
教學方法講授法
教學手段
課外學習安排復(fù)習電子技術(shù)課程中的二極管、三極管內(nèi)容;預(yù)習電力二極管
參考資料電力電子技術(shù)浣喜明高等教育出版社2004.08
學習效果評測
課外學習
指導安排
教學后記
遼寧冶金職業(yè)技術(shù)學院講稿
教學內(nèi)容備注
--、
1、本課程在專業(yè)課學習中的作用和地位組織上課(2
供電-變流T系統(tǒng)分鐘)
專業(yè)基礎(chǔ)課:電路原理、電子技術(shù)、電機拖動、變流、自控原理、PLC等
專業(yè)課:電力傳動控制系統(tǒng)、供電、DCS、檢測技術(shù)
2、電力電子技術(shù)的概念理論教學(43
電力電子技術(shù)是應(yīng)用于電力領(lǐng)域的電子技術(shù)。就是利用電力電子器件對分鐘)
電能進行變換和控制的技術(shù)。包括電壓、電流、頻率、波形和相數(shù)的變換。
1)整流器:把交流電壓變?yōu)楣潭ǖ幕蚩烧{(diào)的直流電壓。(AC9DC,)
2)逆變器:把固定直流電壓變?yōu)楣潭ǖ幕蚩烧{(diào)的交流電壓。(DCfACf)
3)斬波器:把固定直流電壓變?yōu)榭烧{(diào)直流電壓。(DC9DCJ)
4)交流調(diào)壓器:把固定交流電壓變?yōu)榭烧{(diào)的交流電壓。(AC9AC,)
5)變頻器:把固定的交流頻率變?yōu)榭烧{(diào)的交流頻率。
3、電力電子技術(shù)的發(fā)展
1)晶閘管:
2)全控型器件:門極可關(guān)斷晶閘管(GTO);電力雙極型晶體管(BJT、
GTR);電力場效應(yīng)晶體管(電力MOSFET)
3)復(fù)合型器件:絕緣柵極雙極型晶體管(IGBT);MOS控制晶閘管(MCT);
集成門極換流晶閘管(IGCT);
4)功率集成電路(PIC)
4、電力電子技術(shù)的應(yīng)用
1)工業(yè)應(yīng)用:如調(diào)速、直流電源、中高頻感應(yīng)加熱電源等;2)交通運輸
二、電力電子器件概述
1、電力電子器件
>電功率的大小是其最主要的參數(shù)
>一般工作在開關(guān)狀態(tài)
>由信息電子電路來控制
>自身的功率損耗較大,一般要考慮器件的散熱
2、由力由子器件的分類
按照電力電子器件控制電路信號的程度分:
>不可控型器件:電力二極管
>半控型器件:晶閘管
>全控型器件(自關(guān)斷器件):
按照控制信號的性質(zhì)分:
>電流驅(qū)動型:GTR、GTO
>電壓驅(qū)動型:電力MOSFET、IGBT
按照器件內(nèi)部載流子參與導電的情況分為:
>單極型器件:電力MOSFET、靜電感應(yīng)晶體管(SIT)
>雙極型器件:電力二極管、晶閘管、GTO、GTR、靜電感應(yīng)晶閘管
(SITH)
>復(fù)合型(混合型)器件:IGBT、MCT
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教學內(nèi)容備注
三、電力二極管
1、工作原理:與普通二極管相同復(fù)習相關(guān)知識
2、基本特性:靜態(tài)特性和動態(tài)特性(5分鐘)
3、主要參數(shù):
正向平均電流IF,AV>、正向壓降UF、反向重復(fù)峰值電壓URRM等
四、晶閘管
1、晶閘管的結(jié)構(gòu):四層三端半導體器件理論教學(40
晶閘管是一種大功率的四層三端半導體器件。分鐘)
四層:由P、N、P、N四層半導體組成,依次構(gòu)成三個PN結(jié)。
三端:有三個接線端子(電極),即陽極A、陰極K、門極G
其內(nèi)部結(jié)構(gòu)和符號如圖所不
A
?K
_1_AP
K
Pl
G—
G
P2
-2
KA符'
晶閘管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
2、晶閘管的外形
常用晶閘管的外形有螺栓式和平板式兩種,其優(yōu)缺點女]下
螺栓式:安裝、更換方便,但散熱效果差。
平板式:散熱效果好,但安裝、更換比較麻煩。
3、基本特性:
靜態(tài)特性:
>晶閘管導通條件:應(yīng)同時具備正向陽極電壓和正向門上及電壓。
>晶閘管關(guān)斷條件:陽極電流小于管子的維持電流。
>具體實現(xiàn)方法:①陽極電壓減小到零或加反向電壓0
②增大回路負載電阻。
>晶閘管導通以后門極失去作用。
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課題名稱§1.3晶閘管
課次第(2)次課課時2
課型理論3);實驗();實習();、實務(wù)();習題課();討論();其他()
教學目標掌握晶閘管的工作特性和主要參數(shù)
重點、難點及
重點:晶閘管的工作原理、工作特性和主要參數(shù)
解決方法
晶閘管的伏安特性
晶閘管的主要參數(shù)
/額定電壓UTn
/額定電流IT(AV)
教學基本內(nèi)容/門極觸發(fā)電流IGT和門極觸發(fā)電壓UGT
與教學設(shè)計/通態(tài)平均電壓UT(AV)
/維持電流IH與掣住電流匕
(平均值、有效值、波形系數(shù)的計算)
晶閘管的型號
教學方法講授法
教學手段實物
課外學習安排作業(yè)3道題
參考資料電力電子技術(shù)浣喜明高等教育出版社2004.08
學習效果評測主要內(nèi)容下次課以提問方式進行復(fù)習,要求通過作業(yè)掌握
課外學習
指導安排
教學后記
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教學內(nèi)容備注
1、晶閘管的結(jié)構(gòu):四層三端半導體器件
2、晶閘管的外形組織上課,點
3、基本特性:名(2分鐘)
復(fù)習(5分鐘)
卜
%正向特性
理論教學(33
心>,G2>/GO=°
----------------—分鐘)
UROURRMH
/1
j___________________/"UB2%]UDRMt/()
rB
反向特性
晶閘管的伏安特性
圖中:
UBO---正向轉(zhuǎn)折電壓
UDSM一一正向阻斷不重復(fù)峰值電壓
UDRM——正向阻斷重復(fù)峰值電壓;等于90%UDSM
UR()——反向擊穿電壓
URSM---反向不重復(fù)峰值電壓
URRM——反向重復(fù)峰值電壓;等于90%URSM
動態(tài)特性:
>開通過程
>關(guān)斷過程
4、主要參數(shù)
電壓定額、電流定額、動態(tài)參數(shù);
(平均值、有效值、波形系數(shù)的計算)
1)晶閘管的額定電壓Urn
DRM
>晶閘管的額定電壓Um是取U和URRM中較小的一個。
>選擇晶閘管的額定電壓時應(yīng)考慮安全余量(2-3倍),即選實際工作時
最大電壓的2~3倍。
2)晶閘管的額定電流IT(AV)
晶閘管的額定電流用一定條件下的最大通態(tài)平均電流來標定。
平均值
波形在一個周期內(nèi)的平均值
1I*萬Tm
Id=——[Imsincotd(a)t)=一
2兀TC
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教學內(nèi)容備注
有效值,即為“方均根”
J萬~j(Insiniy?)~d(cot)—
I二
波形系數(shù):有效值與平均值之比為波形系數(shù)。
理論教學(50
kf=—=1.51
Id分鐘)
注意:Id、IdT、IT(AV)及I、H、1Tn的區(qū)別
Id:負載電流平均值I:負載電流有效值
IdT:晶閘管平均電流IT:晶閘管有效電流
IT(AV):晶閘管的額定電流ITn:晶閘管的額定電流有效值
(舉例)
3)口極觸發(fā)電流IGT和口極觸發(fā)電壓UGT
在室溫下,晶閘管施加6V正相陽極電壓時,使元件完全開通所必須的
最小門極電流,稱為門極觸發(fā)電流,對應(yīng)于門極觸發(fā)電流時的門極(觸發(fā))
電壓,稱為門極觸發(fā)電壓。
4)通態(tài)平均電壓UT(AV)
晶閘管通以額定電流時,陽極和陰極間電壓降的平均值,稱為通態(tài)平均
電壓(管壓降)。
5)維持電流IH與掣住電流匕
維持電流IH:使晶閘管維持通態(tài)所必須的最小陽極電流。
掣住電流I,.:晶閘管從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài),并且移除觸發(fā)信號后能維持通態(tài)所
必須的最小電流。一般h=(2~4)%。
5、型號
K國圈一屆國
「通態(tài)平均電壓組別
?_,額定電壓等級(乘100即為額定電壓)
>P:普通型;K:快速型;S:雙向型;N:逆導型;G:可關(guān)斷型
衣小1刊派付|土
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課題名稱§1.4全控型電力電子器件
課次第(3)次課課時2
課型理論3);實驗();實習();、實務(wù)();習題課();討論();其他()
認識典型全控型器件,如GTO、GTR、IGBT等,重點掌握器件的工作特
教學目標
性和主要參數(shù)
重點、難點及
重點:器件的工作原理、工作特性和主要參數(shù)。
解決方法
一、門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)
1、結(jié)構(gòu)和工作原理
2、GTO的動態(tài)特性
3、GTO的主要參數(shù)
二、電力晶體管(GTR)
1、結(jié)構(gòu)和工作原理
2、GTR的基本特性:靜態(tài)特性和動態(tài)特性
教學基本內(nèi)容3、GTR的主要參數(shù)
與教學設(shè)計三、IGBT
1、IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理
2、IGBT的基本特性:靜態(tài)特性和動態(tài)特性
3、IGBT的主要參數(shù)
4、IGBT的鎖定效應(yīng)
教學方法講授法
教學手段
課外學習安排自學典型全控型器件的相關(guān)內(nèi)容
參考資料電力電子技術(shù)浣喜明高等教育出版社2004.08
學習效果評測
課外學習
指導安排
教學后記
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一、門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)
>GTO是一種具有自關(guān)斷能力的閘流特性功率半導體器件。組織上課,點
>既具有普通晶閘管的耐壓高、電流大的優(yōu)點,又具有GTR的一些優(yōu)名(2分鐘)
點,如具有自關(guān)斷能力、頻率較高、使用方便等。
>主要應(yīng)用在大功率直流斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域。
1.GTO的結(jié)構(gòu)及工作原理
GTO的結(jié)構(gòu)與普通晶閘管相似,也是PNPN四層三端半導體器件,三端
A、G和K分別表示GTO的陽極、門極和陰極。與普通
晶閘管不同的是,可以從門極抽出電流而使其關(guān)斷。人GTO(30分鐘)
GTO的觸發(fā)導通原理與普通晶閘管相似,當陽極加
正向陽極電壓、門極加觸發(fā)信號后可使GTO觸發(fā)導通。G[內(nèi)容主要以自
學為主
因此,通過門極加正觸發(fā)信號使GTO觸發(fā)導通,通過長
門極加負觸發(fā)信號使GTO關(guān)斷。伯粹號
GFO的付號
2.GTO的主要特性
GTO的陽極伏安特性與普通晶閘管相似
GTO的動態(tài)特性如圖所示,由圖可以看出,GTO的開通時間卻包括延
遲時間%和上升時間小其大小取決于器件特性、門極電流上升率以及門極
信號的幅值大小。GTO的關(guān)斷過程包含三個時間區(qū)間,即存儲時間小、下降
時間.和尾部時間小其中存儲時間4和下降時間〃的和定義為關(guān)斷時間卻『。
3.GTO的主要參數(shù)
GTO的基本參數(shù)與普通晶閘管大多相同,不同的主要參數(shù)敘述如下:
(1)最大可關(guān)斷陽極電流〃照
即管子的銘牌電流,在實際應(yīng)用中,它受如下因素的影響:門極關(guān)斷負
電流波形、陽極電壓上升率、工作頻率及電路參數(shù)的變化等。
(2)電流關(guān)斷增益亂.
為最大可關(guān)斷陽極電流心皿與門極最大負電流/GM之比。表示GTO的
關(guān)斷能力,聞H值越大,說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。
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二、電力晶體管(GTR)
>GTR是一種雙極型大功率晶體管,因此也稱為功率晶體管或雙極型內(nèi)容主要以自
學為主
晶體管(BJT)O
>具有控制方便、開關(guān)時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好等優(yōu)點;
>因此廣泛應(yīng)用在交直流調(diào)速、不間斷電源、中頻電源以及家用電器
等中小容量的變流裝置中。在中小功率應(yīng)用方面,是取代晶閘管的
自關(guān)斷器件之一。GTR(30分鐘)
1、結(jié)構(gòu)和工作原理
常用的電力晶體管有單管、達林頓管和達林頓晶體管模塊三大系列。
1)單管GTR:結(jié)構(gòu)有PNP和NPNr隹由印「
兩種。要求有足夠大的容量(大電流、
高電壓)、適當?shù)脑鲆?、較高的開關(guān)速度—「—I
和較低的功率損耗等,因此在GTR的制基極BbBJ
造過程中采取了特殊的措施以保證功率E發(fā)射極L
應(yīng)用的需要,如擴大結(jié)片的面積、采用PNPNPN
特殊形狀的管芯圖形、精細結(jié)構(gòu)等制造咨口-曾囪
工藝。
2)達林頓結(jié)構(gòu)的GTR:解決單管
GTR的電流增益較低的問題。達林頓GTR由兩個或多個晶體管復(fù)合而成,
可以是PNP型也可以是NPN型,其性質(zhì)由驅(qū)動管決定。與單管GTR相比,
達林頓GTR提高了電流增益,但飽和壓降增加,且開關(guān)時間增加。實用達
林頓電路是將達林頓結(jié)構(gòu)的GTR、穩(wěn)定電阻Ri、R2、加速二極管VDI和續(xù)
流二極管VD2等制作在一起。
3)GTR模塊:作為大功率開關(guān)應(yīng)用最多的還是GTR模塊。為了改善器
件的開關(guān)過程和并聯(lián)使用方便,中間級晶體管的基極均有引線引出。
2.GTR的主要特性
GTR的主要特性可分為靜態(tài)特性和動態(tài)特性。靜態(tài)特性中主要分析典型
的雙極型晶體管集電極輸出特性,即,A
集電極伏安特性,分為四個區(qū)域:截,///4
止區(qū)、放大區(qū)、臨界飽和區(qū)、飽和區(qū)。謂匆Z/”
GTR作為開關(guān)使用時,交替工作在區(qū)恒放大區(qū)―r1增加
飽和區(qū)和截止區(qū),在狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程中陽—---..........-
必須快速地通過放大區(qū)和臨界飽和“一"-----------
/B=o
性。GTR的開通時間q、關(guān)斷時間心
GTR共射極電路的輸出特性曲線
及集電極電壓上升率d"/df是動態(tài)過
程中的重要參數(shù)。一般開通時間比關(guān)
斷時間短,容量越大,開關(guān)時間也越長,但仍比快速晶閘管短。為了抑制過
高的d〃/出對GTR的危害,使用時可在集-射極之間并聯(lián)阻容緩沖電路。
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3.GTR的額定參數(shù)
GTR的額定參數(shù)主要包括最高電壓額定值、最大電流額定值和最大散耗
功率。
(1)最高電壓額定值
最高電壓額定值即最高集電極電壓額定值,它的大小不僅與器件本身的
特性有關(guān),而且還取決于基極回路的接線方式。下圖所示為GTR的不同接
線方式,對應(yīng)的最高電壓額定值用BUg、BU8s、BUg、BU^和BUg表
示,一般情況下:
GTR的不同接線方式
在GTR產(chǎn)品目錄中BUg作為電壓額定值給出,實際應(yīng)用時必須考慮一
定的裕量,GTR的電壓額定應(yīng)滿足
BUg>(2~3)UM
式中UM為GTR實際承受的最高電壓。
(2)最大電流額定值
最大電流額定值即允許流過集電極的最大電流值。為了提高GTR的輸
出功率,集電極輸出電流應(yīng)盡可能地大,但是集電極電流大,則要求基極注
入的電流大,這將會使GTR的電氣性能變差,甚至損壞器件。因此在實際
應(yīng)用電路中,為了確保使用的安全與穩(wěn)定,GTR的最大電流額定值應(yīng)滿足
,CM>(2~3“0p
式中G為流過GTR的電流峰值。
同樣,基極電流也有最大額定值的規(guī)定,常用《表示,通常取
/BM=(1/2~1/6)/CMO
(3)最大散耗功率
最大散耗功率是指GTR在最高允許結(jié)溫時所對應(yīng)的散耗功率,它受
結(jié)溫的限制,其大小由集電極工作電壓和集電極電流的乘積決定。由于這部
分能量將轉(zhuǎn)化為熱能并使GTR發(fā)熱,因此,GTR在使用中的散熱條件是十
分重要的。
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三、IGBT
>IGBT是一種復(fù)合型器件。內(nèi)容主要以自
>它將MOSFET和GTR的優(yōu)點集于一身,既具有輸入阻抗高、工作學為主
速度快、熱穩(wěn)定性好和驅(qū)動電路簡單、驅(qū)動電流小等優(yōu)點,又具有
通態(tài)電壓低、耐壓高和承受電流大等優(yōu)點。
>在電機控制、中頻和開關(guān)電源以及要求快速、低損耗的領(lǐng)域,IGBT
已逐步取代功率MOSFET和GTRo
1.IGBT的結(jié)構(gòu)及工作原理
IGBT是在功率MOSFET的基礎(chǔ)上增加了一個P土層發(fā)射極,形成PN結(jié)
L,并由此引出集電極C,柵極G和發(fā)射極E。
IGBT(30分鐘)
IGBT的開通和關(guān)斷是由柵極電壓來控制的。
柵極施以正電壓時,MOSFET內(nèi)形成溝道,并為PNP晶體管提供基極
電流,從而使IGBT導通。此時,從P+區(qū)注入到N-區(qū)的空穴對N-區(qū)進行電
導調(diào)制,減小N-區(qū)的電阻Rd”使高耐壓的IGBT也具有低的通態(tài)壓降。
在柵極上施以負電壓時,MOSFET內(nèi)溝道消失,PNP晶體管的基極電流
被切斷,IGBT關(guān)斷。
2.IGBT的工作特性
IGBT的工作特性包括靜態(tài)特性和動態(tài)特性。
1)靜態(tài)特性主要有輸出特性和轉(zhuǎn)移特性。
輸出特性表達了集電極電流及與集射極電壓UCE之間的關(guān)系,分正向阻
斷區(qū)、飽和區(qū)、放大區(qū)(有源區(qū))。飽和導通時管壓降一般為2~5V。IGBT
輸出特性的特點是集電極電流心由柵射極電壓UGE控制,UGE越大及越大。
在反向集射極電壓作用下器件呈反向阻斷特性。
IGBT的轉(zhuǎn)移特性表示了柵射極電壓對集電極電流L的控制關(guān)系。在
大部分范圍內(nèi),心與UGE呈線性關(guān)系,只有當UGE接近開啟電壓UGE刖時才呈
非線性關(guān)系。所以最大柵射極電壓應(yīng)受最大集電極電流如得限制,最佳值
為UGE=15V。
2)IGBT的動態(tài)特性也稱開關(guān)特性,包括開通和關(guān)斷兩個部分。
IGBT的的開通時間G由開通延遲時間5M和電流上升時間.兩部分組
成,通常開通時間為(0.5-1.2)侑。
開通延遲時間功皿:是指從驅(qū)動電壓UGE上升到其幅值電壓的10%的時
刻起,到集電極電流升到其幅值的10%的時刻止的這段區(qū)間;
上升時間小集電極電流從其幅值的10%升高到其幅值的90%所需的時
間為。
IGBT的關(guān)斷過程是從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)換到正向阻斷狀態(tài)的過程,關(guān)斷
時間喘也是由關(guān)斷延遲時間。(昕和電流下降時間"兩部分組成。
關(guān)斷延遲時間4。亦是指從驅(qū)動電壓。5下降到其幅值電壓的90%的時
刻起,到集電極電流降到其幅值的90%的時刻為止的這段區(qū)間;
下降時間小是指集電極電流從其幅值的90%降低到其幅值的10%所需
的時間。
在下降時間.內(nèi),集電極電流的波形分為之和t兩段,端對應(yīng)于IGBT
內(nèi)部MOSFET的關(guān)斷過程,在這段時間內(nèi)集電極電流下降較快;兀對應(yīng)于
IGBT內(nèi)PNP晶體管的關(guān)斷過程。通常關(guān)斷時間為(0.55~1.5)加。
3.IGBT的主要參數(shù)
(1)集射極擊穿電壓BUg是由器件內(nèi)部的PNP晶體管所能承受的擊
穿電壓確定的,它決定了IGBT的
最高工作電壓。
(2)開啟電壓UCfW是
IGBT導通所需的最低柵射極電
壓,它隨溫度升高而下降。
(3)通態(tài)壓降U6g通態(tài)壓
降決定了通態(tài)損耗,通常
IGBT的通態(tài)壓降為2~3V。
(4)最大柵射極電壓
為了限制故障情況下的電流和確
保長期使用的可靠性,應(yīng)將柵射極
電壓限制在20V以內(nèi),一般取15V
左右。
(5)集電極連續(xù)電流心和峰
值電流/皿集電極流過的最大連
續(xù)電流4即為IGBT的額定電流,
在不超過額定結(jié)溫的情況下,通常圖420IGBT的動態(tài)特性
峰值電流小為額定電流的2倍左
右。
4.IGBT的鎖定效應(yīng)
當集電極電流(大到一定程度時,NPN晶體管因過高的正偏置而導通,
造成寄生晶閘管開通,導致IGBT柵極失去控制作用,這就是鎖定效應(yīng),也
稱為擎住效應(yīng)。因心過大而產(chǎn)生的鎖定效應(yīng)稱為靜態(tài)鎖定。止匕外,在關(guān)斷過
程中由于d"^/dr過大而產(chǎn)生的鎖定效應(yīng)稱為動態(tài)鎖定,這種現(xiàn)象在負載為電
感性時更容易發(fā)生。
為了避免IGBT發(fā)生鎖定現(xiàn)象,必須規(guī)定集電極最大電流公,,由于動態(tài)
鎖定所允許的集電極電流比靜態(tài)鎖定時要小,所以廠家所規(guī)定的小值是根
據(jù)避免動態(tài)鎖定而確定的。在設(shè)計時要考慮一定的安全裕量,以保證電流不
超過八。
遼寧冶金職業(yè)技術(shù)學院教案
課題名稱單相可控整流電路
課次第(4、6、9)次課課時6
課型理論(Y);實驗();實習();、實務(wù)();習題課();討論();其他()
熟悉各種單相可控整流電路,明白負載性質(zhì)對整流電路性能的影響;掌握
教學目標單相相控整流電路在不同性質(zhì)負載下的工作原理,控制角移相范圍,電流
有效值、平均值的計算;
重點:單相相控整流電路在不同性質(zhì)負載下的工作原理;有效值、平均值
重點、難點及
的計算;
解決方法
難點:不同負載整流電路波形分析
一、單相半波可控整流電路
電阻性負載、電感性負載、大電感性負載(接續(xù)流二極管)
(電路圖、工作原理、波形分析、電壓電流計算)
二、單相全波可控整流電路
電阻性負載、電感性負載、大電感性負載(接續(xù)流二極管)
(電路圖、工作原理、波形分析、電壓電流計算)
三、單相全控整流電路
教學基本內(nèi)容
電阻性負載、大電感性負載、反電動勢負載
與教學設(shè)計
(電路圖、工作原理、波形分析、電壓電流計算)
四、單相半控整流電路
大電感性負載、大電感性負載(接續(xù)流二極管)
(電路圖、工作原理、波形分析、電壓電流計算)
教學方法講授法
教學手段
課外學習安排作業(yè)題5道;思考題2道
參考資料電力電子技術(shù)浣喜明高等教育出版社2004.08
學習效果評測作業(yè)、上課提問、測驗方式
課外學習
晚自習輔導答疑
指導安排
教學后記
遼寧冶金職業(yè)技術(shù)學院講稿
教學內(nèi)容備注
一、單相半波可控整流電路
(-)電阻性負載組織上課,點名
1、電路圖(2分鐘)
理論教學(45分
鐘)
機動(3分鐘)
2、整流原理
(1)晶閘管導通狀態(tài)
此時必須滿足:a.U2為正半波(正向陽極電壓)。
b.看觸發(fā)脈沖(正向門極電壓)。
晶閘管導通時有如下關(guān)系:Ud=U2,UT=O,id=ud/Rd
(2)晶閘管截止狀態(tài)
共有以下兩種情況:
a.U2為正但無觸發(fā)脈沖。
b.U2為負。
此時有如下關(guān)系:ud=0,
id=ud/Rd=O,UT=U2
3、波形分析:根據(jù)如上分
析,可畫出波形如圖所示
遼寧冶金職業(yè)技術(shù)學院講稿
教學內(nèi)容備注
4、兩個重要角度和
:從晶閘管承受正向陽極電壓開始到晶閘管導通之間的電角度用表示,
稱為控制角(或移相角)。
:晶閘管在一個周期內(nèi)導通的電角度用表示,稱為晶閘管的導通角。
5、平均電壓Ud及U/U2與的關(guān)系
Ud=—J'V2t/2sincotd(cot)=0.45”
.手2
6、有效電壓
2
U=V2t/2sinat)d(cot)=t/2^^-sin2?+^y^
7、平均電流、有效電流及波形系數(shù)
平均電流Id:
,Ud?1+cos?Ui
Id-——=0.45-----------
Rd2Rd
有效電流I:usI1「…
波形系數(shù)kf:R<,2n
心I《Jrsin2a+27r(兀-a)
IdV2(l+cos?)
當=0時kf=1.57
8、變壓器二次側(cè)供給的有功功率、視在功率及功率因數(shù)
2
有功功率:P=IRd=UI
視在功率:S=U2I
功率因數(shù):P“n--------------
?g曰一,PUIU11.cJT-a班
=0時,cos取大cos0=—=---=——=』——sin2aH------為
0707SUilUiV4%21
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教學內(nèi)容備注
(二)電感性負載
1、電路圖
-?UT
理論教學(47分
鐘)
2、整流原理及波形分析
U2=UT+Ud=UT+UL+UR
①當OWt<tl
VT截止,Ud=O,UT=U2,id=O
②當t=tl時
晶閘管開始導通;
③twt<t2
VT導通,此時有:Ud=U2,UT=O,
從零上升;
id=—(U2+ei.)=—(U2-Ld—)
R(iRddt
④t=t2時,id達到最大
⑤t2<tWt3此時:Ud=U2,
uT==0,id逐漸下降
⑥t3<t<t4此時由于eL的
作用,繼續(xù)維持晶閘管導通,eL正
的在減少,U2負的在增大.Ud=U2
⑦t=t4此時,=\ui晶閘
管關(guān)斷,id=O
⑧14Vt<t5晶閘管截止,
u,i=OUT=U2id=O
遼寧冶金職業(yè)技術(shù)學院講稿
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教學內(nèi)容備注
二、單相全波可控整流電路
(-)電阻性負載組織上課,點
1、電路圖名(2分鐘)
理論教學(48
分鐘)
2、整流原理及波形分析
U2正半波時可觸發(fā)VT1導通
U2負半波時可觸發(fā)VT2導通
波形如右圖所示
3、計算電壓、電流值
〃If*1/、八八〃1+8Sa
Ud=-uid(cot)=0.9U2------------------
nJa2
T71.C冗一a
U=。21——sin2aH-----
,247T
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教學內(nèi)容備注
(二)電感性負載
1、電路圖
2、整流原理及波形分析
①當0°Wa<90°時,每一個晶閘管導通半個周期。
②當a=90°時(電感較大),此時Ud=0理論教學(48
③當90°<a時,負載上得到斷續(xù)的電流波形,每個晶閘管的導通角為分鐘)
(2n-2a),此時,“=0
結(jié)論:①單相全波可控整流電路負載為電感性負載時,移相范圍為(0°~90。)
②Ud計算公式為
Ud=—[T°y/2U2sincotd(cot)=0.9U2cosa
71%
布置作業(yè)(2
分鐘)
>cot
電感性負載大電感性負載加續(xù)流二極管
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教學內(nèi)容備注
三、單相全控橋式整流電路
(-)電阻性負載組織上課,點名
1、電路圖(2分鐘)
JZVT1——弋VT2
\Z
FVT44
理論教學(48分
fmz
鐘)
2、工作原理及波形分析.
VT1VT4同時加脈沖
VT2VT3同時加脈沖
V]VT2共陰極連接
VT\VT4共陽極連接
3、計算公式
Ud=0.9S1+
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教學內(nèi)容備注
(二)大電感性負載
1、電路圖
2、波形分析
理論教學(45分
鐘)
作業(yè)(5分鐘)
(三)反電動勢負載
1、電路圖
2、工作原理及波形
⑴只有WW>E時,觸發(fā)對應(yīng)的晶閘管才能使之導通,此時有%=k|
.\UJ[-E
-d=
Rd
⑵當時晶閘管截止,此時有
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教學內(nèi)容備注
四、單相半控橋式整流電路
(-)大電感性負載
1、電路圖
2、工作原理及波形分析
(1)U2為正半波時,VT|承受正壓
組織上課,點
a.VTi無脈沖時,ud=0
名(2分鐘)
b.VTi有脈沖時,uTi=O
(2)U2為負半波時,VT2承受正壓
由于負載是大電感性負載,電流波
形(id)為一直線保證電流連續(xù),波形
如圖所示
3、電路的工作特點
晶閘管在觸發(fā)時刻換流理論教學(48
二極管則在電源過零時刻換流分鐘)
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教學內(nèi)容備注
(-)大電感性負載接續(xù)流二極管時
1、電路圖
2、工作原理及波形分析J
/1\/
3電流值計算公式9/?\/
/?\/
晶閘管導通角0T=71-(X(i\/理論教學(45
i
由波形圖可以得到分鐘)
LIT=史?Id=-Id,
2萬27r川氯
作業(yè)(5分鐘)
r歷,優(yōu)一--A______Wt
aJ::1;/
,21v2711t/
IDD=^'ID=^ID=^IDUTJ
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令?cot
無工=歷
11I
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續(xù)流二極管承受的最大反向電壓..,111
1T11D2111
^<4;
為痣5,cot
iii
k:::
111
111
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