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文檔簡介

遼寧冶金職業(yè)技術(shù)學院教案

課程名稱:電力電子技術(shù)

任課教師:____________________________________

開課系部:_______________自控系_______________

授課班級:___________________________________

開課教研室:自控教研室

開課學期:20xx?20xx學年度第一學期

遼寧冶金職業(yè)技術(shù)學院教案

課題名稱緒論、§1」電力電子器件概述、§1.2電力二極管

課次第(1)次課課時2

課型理論(Y);實驗();實習();、實務(wù)();習題課();討論();其他()

了解本課程的基本內(nèi)容及本課程在專業(yè)課中的作用;了解電力電子技術(shù)的

教學目標發(fā)展、應(yīng)用和分類。了解電力二極管的工作原理、基本特性和主要參數(shù);

了解晶閘管的結(jié)構(gòu),掌握晶閘管的導通條件、關(guān)斷條件及門極的作用;

重點:明確本課程在專業(yè)課學習中的作用和地位;晶閘管的工作原理、工

重點、難點及

作特性

解決方法

難點:晶閘管的雙晶體管理論

一、緒論

1、本課程在專業(yè)課學習中的作用和地位

2、電力電子技術(shù)的概念

3、電力電子技術(shù)的發(fā)展史

4、電力電子技術(shù)的應(yīng)用

二、電力電子器件概述

教學基本內(nèi)容1、電力電子器件

與教學設(shè)計2、電力電子器件的分類

三、電力二極管

1、工作原理;2、基本特性;3、主要參數(shù)

四、晶閘管

1、晶閘管的結(jié)構(gòu);

2、工作原理

教學方法講授法

教學手段

課外學習安排復(fù)習電子技術(shù)課程中的二極管、三極管內(nèi)容;預(yù)習電力二極管

參考資料電力電子技術(shù)浣喜明高等教育出版社2004.08

學習效果評測

課外學習

指導安排

教學后記

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教學內(nèi)容備注

--、

1、本課程在專業(yè)課學習中的作用和地位組織上課(2

供電-變流T系統(tǒng)分鐘)

專業(yè)基礎(chǔ)課:電路原理、電子技術(shù)、電機拖動、變流、自控原理、PLC等

專業(yè)課:電力傳動控制系統(tǒng)、供電、DCS、檢測技術(shù)

2、電力電子技術(shù)的概念理論教學(43

電力電子技術(shù)是應(yīng)用于電力領(lǐng)域的電子技術(shù)。就是利用電力電子器件對分鐘)

電能進行變換和控制的技術(shù)。包括電壓、電流、頻率、波形和相數(shù)的變換。

1)整流器:把交流電壓變?yōu)楣潭ǖ幕蚩烧{(diào)的直流電壓。(AC9DC,)

2)逆變器:把固定直流電壓變?yōu)楣潭ǖ幕蚩烧{(diào)的交流電壓。(DCfACf)

3)斬波器:把固定直流電壓變?yōu)榭烧{(diào)直流電壓。(DC9DCJ)

4)交流調(diào)壓器:把固定交流電壓變?yōu)榭烧{(diào)的交流電壓。(AC9AC,)

5)變頻器:把固定的交流頻率變?yōu)榭烧{(diào)的交流頻率。

3、電力電子技術(shù)的發(fā)展

1)晶閘管:

2)全控型器件:門極可關(guān)斷晶閘管(GTO);電力雙極型晶體管(BJT、

GTR);電力場效應(yīng)晶體管(電力MOSFET)

3)復(fù)合型器件:絕緣柵極雙極型晶體管(IGBT);MOS控制晶閘管(MCT);

集成門極換流晶閘管(IGCT);

4)功率集成電路(PIC)

4、電力電子技術(shù)的應(yīng)用

1)工業(yè)應(yīng)用:如調(diào)速、直流電源、中高頻感應(yīng)加熱電源等;2)交通運輸

二、電力電子器件概述

1、電力電子器件

>電功率的大小是其最主要的參數(shù)

>一般工作在開關(guān)狀態(tài)

>由信息電子電路來控制

>自身的功率損耗較大,一般要考慮器件的散熱

2、由力由子器件的分類

按照電力電子器件控制電路信號的程度分:

>不可控型器件:電力二極管

>半控型器件:晶閘管

>全控型器件(自關(guān)斷器件):

按照控制信號的性質(zhì)分:

>電流驅(qū)動型:GTR、GTO

>電壓驅(qū)動型:電力MOSFET、IGBT

按照器件內(nèi)部載流子參與導電的情況分為:

>單極型器件:電力MOSFET、靜電感應(yīng)晶體管(SIT)

>雙極型器件:電力二極管、晶閘管、GTO、GTR、靜電感應(yīng)晶閘管

(SITH)

>復(fù)合型(混合型)器件:IGBT、MCT

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教學內(nèi)容備注

三、電力二極管

1、工作原理:與普通二極管相同復(fù)習相關(guān)知識

2、基本特性:靜態(tài)特性和動態(tài)特性(5分鐘)

3、主要參數(shù):

正向平均電流IF,AV>、正向壓降UF、反向重復(fù)峰值電壓URRM等

四、晶閘管

1、晶閘管的結(jié)構(gòu):四層三端半導體器件理論教學(40

晶閘管是一種大功率的四層三端半導體器件。分鐘)

四層:由P、N、P、N四層半導體組成,依次構(gòu)成三個PN結(jié)。

三端:有三個接線端子(電極),即陽極A、陰極K、門極G

其內(nèi)部結(jié)構(gòu)和符號如圖所不

A

?K

_1_AP

K

Pl

G—

G

P2

-2

KA符'

晶閘管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

2、晶閘管的外形

常用晶閘管的外形有螺栓式和平板式兩種,其優(yōu)缺點女]下

螺栓式:安裝、更換方便,但散熱效果差。

平板式:散熱效果好,但安裝、更換比較麻煩。

3、基本特性:

靜態(tài)特性:

>晶閘管導通條件:應(yīng)同時具備正向陽極電壓和正向門上及電壓。

>晶閘管關(guān)斷條件:陽極電流小于管子的維持電流。

>具體實現(xiàn)方法:①陽極電壓減小到零或加反向電壓0

②增大回路負載電阻。

>晶閘管導通以后門極失去作用。

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課題名稱§1.3晶閘管

課次第(2)次課課時2

課型理論3);實驗();實習();、實務(wù)();習題課();討論();其他()

教學目標掌握晶閘管的工作特性和主要參數(shù)

重點、難點及

重點:晶閘管的工作原理、工作特性和主要參數(shù)

解決方法

晶閘管的伏安特性

晶閘管的主要參數(shù)

/額定電壓UTn

/額定電流IT(AV)

教學基本內(nèi)容/門極觸發(fā)電流IGT和門極觸發(fā)電壓UGT

與教學設(shè)計/通態(tài)平均電壓UT(AV)

/維持電流IH與掣住電流匕

(平均值、有效值、波形系數(shù)的計算)

晶閘管的型號

教學方法講授法

教學手段實物

課外學習安排作業(yè)3道題

參考資料電力電子技術(shù)浣喜明高等教育出版社2004.08

學習效果評測主要內(nèi)容下次課以提問方式進行復(fù)習,要求通過作業(yè)掌握

課外學習

指導安排

教學后記

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教學內(nèi)容備注

1、晶閘管的結(jié)構(gòu):四層三端半導體器件

2、晶閘管的外形組織上課,點

3、基本特性:名(2分鐘)

復(fù)習(5分鐘)

%正向特性

理論教學(33

心>,G2>/GO=°

----------------—分鐘)

UROURRMH

/1

j___________________/"UB2%]UDRMt/()

rB

反向特性

晶閘管的伏安特性

圖中:

UBO---正向轉(zhuǎn)折電壓

UDSM一一正向阻斷不重復(fù)峰值電壓

UDRM——正向阻斷重復(fù)峰值電壓;等于90%UDSM

UR()——反向擊穿電壓

URSM---反向不重復(fù)峰值電壓

URRM——反向重復(fù)峰值電壓;等于90%URSM

動態(tài)特性:

>開通過程

>關(guān)斷過程

4、主要參數(shù)

電壓定額、電流定額、動態(tài)參數(shù);

(平均值、有效值、波形系數(shù)的計算)

1)晶閘管的額定電壓Urn

DRM

>晶閘管的額定電壓Um是取U和URRM中較小的一個。

>選擇晶閘管的額定電壓時應(yīng)考慮安全余量(2-3倍),即選實際工作時

最大電壓的2~3倍。

2)晶閘管的額定電流IT(AV)

晶閘管的額定電流用一定條件下的最大通態(tài)平均電流來標定。

平均值

波形在一個周期內(nèi)的平均值

1I*萬Tm

Id=——[Imsincotd(a)t)=一

2兀TC

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教學內(nèi)容備注

有效值,即為“方均根”

J萬~j(Insiniy?)~d(cot)—

I二

波形系數(shù):有效值與平均值之比為波形系數(shù)。

理論教學(50

kf=—=1.51

Id分鐘)

注意:Id、IdT、IT(AV)及I、H、1Tn的區(qū)別

Id:負載電流平均值I:負載電流有效值

IdT:晶閘管平均電流IT:晶閘管有效電流

IT(AV):晶閘管的額定電流ITn:晶閘管的額定電流有效值

(舉例)

3)口極觸發(fā)電流IGT和口極觸發(fā)電壓UGT

在室溫下,晶閘管施加6V正相陽極電壓時,使元件完全開通所必須的

最小門極電流,稱為門極觸發(fā)電流,對應(yīng)于門極觸發(fā)電流時的門極(觸發(fā))

電壓,稱為門極觸發(fā)電壓。

4)通態(tài)平均電壓UT(AV)

晶閘管通以額定電流時,陽極和陰極間電壓降的平均值,稱為通態(tài)平均

電壓(管壓降)。

5)維持電流IH與掣住電流匕

維持電流IH:使晶閘管維持通態(tài)所必須的最小陽極電流。

掣住電流I,.:晶閘管從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài),并且移除觸發(fā)信號后能維持通態(tài)所

必須的最小電流。一般h=(2~4)%。

5、型號

K國圈一屆國

「通態(tài)平均電壓組別

?_,額定電壓等級(乘100即為額定電壓)

>P:普通型;K:快速型;S:雙向型;N:逆導型;G:可關(guān)斷型

衣小1刊派付|土

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課題名稱§1.4全控型電力電子器件

課次第(3)次課課時2

課型理論3);實驗();實習();、實務(wù)();習題課();討論();其他()

認識典型全控型器件,如GTO、GTR、IGBT等,重點掌握器件的工作特

教學目標

性和主要參數(shù)

重點、難點及

重點:器件的工作原理、工作特性和主要參數(shù)。

解決方法

一、門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)

1、結(jié)構(gòu)和工作原理

2、GTO的動態(tài)特性

3、GTO的主要參數(shù)

二、電力晶體管(GTR)

1、結(jié)構(gòu)和工作原理

2、GTR的基本特性:靜態(tài)特性和動態(tài)特性

教學基本內(nèi)容3、GTR的主要參數(shù)

與教學設(shè)計三、IGBT

1、IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理

2、IGBT的基本特性:靜態(tài)特性和動態(tài)特性

3、IGBT的主要參數(shù)

4、IGBT的鎖定效應(yīng)

教學方法講授法

教學手段

課外學習安排自學典型全控型器件的相關(guān)內(nèi)容

參考資料電力電子技術(shù)浣喜明高等教育出版社2004.08

學習效果評測

課外學習

指導安排

教學后記

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教學內(nèi)容備注

一、門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)

>GTO是一種具有自關(guān)斷能力的閘流特性功率半導體器件。組織上課,點

>既具有普通晶閘管的耐壓高、電流大的優(yōu)點,又具有GTR的一些優(yōu)名(2分鐘)

點,如具有自關(guān)斷能力、頻率較高、使用方便等。

>主要應(yīng)用在大功率直流斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域。

1.GTO的結(jié)構(gòu)及工作原理

GTO的結(jié)構(gòu)與普通晶閘管相似,也是PNPN四層三端半導體器件,三端

A、G和K分別表示GTO的陽極、門極和陰極。與普通

晶閘管不同的是,可以從門極抽出電流而使其關(guān)斷。人GTO(30分鐘)

GTO的觸發(fā)導通原理與普通晶閘管相似,當陽極加

正向陽極電壓、門極加觸發(fā)信號后可使GTO觸發(fā)導通。G[內(nèi)容主要以自

學為主

因此,通過門極加正觸發(fā)信號使GTO觸發(fā)導通,通過長

門極加負觸發(fā)信號使GTO關(guān)斷。伯粹號

GFO的付號

2.GTO的主要特性

GTO的陽極伏安特性與普通晶閘管相似

GTO的動態(tài)特性如圖所示,由圖可以看出,GTO的開通時間卻包括延

遲時間%和上升時間小其大小取決于器件特性、門極電流上升率以及門極

信號的幅值大小。GTO的關(guān)斷過程包含三個時間區(qū)間,即存儲時間小、下降

時間.和尾部時間小其中存儲時間4和下降時間〃的和定義為關(guān)斷時間卻『。

3.GTO的主要參數(shù)

GTO的基本參數(shù)與普通晶閘管大多相同,不同的主要參數(shù)敘述如下:

(1)最大可關(guān)斷陽極電流〃照

即管子的銘牌電流,在實際應(yīng)用中,它受如下因素的影響:門極關(guān)斷負

電流波形、陽極電壓上升率、工作頻率及電路參數(shù)的變化等。

(2)電流關(guān)斷增益亂.

為最大可關(guān)斷陽極電流心皿與門極最大負電流/GM之比。表示GTO的

關(guān)斷能力,聞H值越大,說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。

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教學內(nèi)容備注

二、電力晶體管(GTR)

>GTR是一種雙極型大功率晶體管,因此也稱為功率晶體管或雙極型內(nèi)容主要以自

學為主

晶體管(BJT)O

>具有控制方便、開關(guān)時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好等優(yōu)點;

>因此廣泛應(yīng)用在交直流調(diào)速、不間斷電源、中頻電源以及家用電器

等中小容量的變流裝置中。在中小功率應(yīng)用方面,是取代晶閘管的

自關(guān)斷器件之一。GTR(30分鐘)

1、結(jié)構(gòu)和工作原理

常用的電力晶體管有單管、達林頓管和達林頓晶體管模塊三大系列。

1)單管GTR:結(jié)構(gòu)有PNP和NPNr隹由印「

兩種。要求有足夠大的容量(大電流、

高電壓)、適當?shù)脑鲆?、較高的開關(guān)速度—「—I

和較低的功率損耗等,因此在GTR的制基極BbBJ

造過程中采取了特殊的措施以保證功率E發(fā)射極L

應(yīng)用的需要,如擴大結(jié)片的面積、采用PNPNPN

特殊形狀的管芯圖形、精細結(jié)構(gòu)等制造咨口-曾囪

工藝。

2)達林頓結(jié)構(gòu)的GTR:解決單管

GTR的電流增益較低的問題。達林頓GTR由兩個或多個晶體管復(fù)合而成,

可以是PNP型也可以是NPN型,其性質(zhì)由驅(qū)動管決定。與單管GTR相比,

達林頓GTR提高了電流增益,但飽和壓降增加,且開關(guān)時間增加。實用達

林頓電路是將達林頓結(jié)構(gòu)的GTR、穩(wěn)定電阻Ri、R2、加速二極管VDI和續(xù)

流二極管VD2等制作在一起。

3)GTR模塊:作為大功率開關(guān)應(yīng)用最多的還是GTR模塊。為了改善器

件的開關(guān)過程和并聯(lián)使用方便,中間級晶體管的基極均有引線引出。

2.GTR的主要特性

GTR的主要特性可分為靜態(tài)特性和動態(tài)特性。靜態(tài)特性中主要分析典型

的雙極型晶體管集電極輸出特性,即,A

集電極伏安特性,分為四個區(qū)域:截,///4

止區(qū)、放大區(qū)、臨界飽和區(qū)、飽和區(qū)。謂匆Z/”

GTR作為開關(guān)使用時,交替工作在區(qū)恒放大區(qū)―r1增加

飽和區(qū)和截止區(qū),在狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程中陽—---..........-

必須快速地通過放大區(qū)和臨界飽和“一"-----------

/B=o

性。GTR的開通時間q、關(guān)斷時間心

GTR共射極電路的輸出特性曲線

及集電極電壓上升率d"/df是動態(tài)過

程中的重要參數(shù)。一般開通時間比關(guān)

斷時間短,容量越大,開關(guān)時間也越長,但仍比快速晶閘管短。為了抑制過

高的d〃/出對GTR的危害,使用時可在集-射極之間并聯(lián)阻容緩沖電路。

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教學內(nèi)容備注

3.GTR的額定參數(shù)

GTR的額定參數(shù)主要包括最高電壓額定值、最大電流額定值和最大散耗

功率。

(1)最高電壓額定值

最高電壓額定值即最高集電極電壓額定值,它的大小不僅與器件本身的

特性有關(guān),而且還取決于基極回路的接線方式。下圖所示為GTR的不同接

線方式,對應(yīng)的最高電壓額定值用BUg、BU8s、BUg、BU^和BUg表

示,一般情況下:

GTR的不同接線方式

在GTR產(chǎn)品目錄中BUg作為電壓額定值給出,實際應(yīng)用時必須考慮一

定的裕量,GTR的電壓額定應(yīng)滿足

BUg>(2~3)UM

式中UM為GTR實際承受的最高電壓。

(2)最大電流額定值

最大電流額定值即允許流過集電極的最大電流值。為了提高GTR的輸

出功率,集電極輸出電流應(yīng)盡可能地大,但是集電極電流大,則要求基極注

入的電流大,這將會使GTR的電氣性能變差,甚至損壞器件。因此在實際

應(yīng)用電路中,為了確保使用的安全與穩(wěn)定,GTR的最大電流額定值應(yīng)滿足

,CM>(2~3“0p

式中G為流過GTR的電流峰值。

同樣,基極電流也有最大額定值的規(guī)定,常用《表示,通常取

/BM=(1/2~1/6)/CMO

(3)最大散耗功率

最大散耗功率是指GTR在最高允許結(jié)溫時所對應(yīng)的散耗功率,它受

結(jié)溫的限制,其大小由集電極工作電壓和集電極電流的乘積決定。由于這部

分能量將轉(zhuǎn)化為熱能并使GTR發(fā)熱,因此,GTR在使用中的散熱條件是十

分重要的。

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教學內(nèi)容備注

三、IGBT

>IGBT是一種復(fù)合型器件。內(nèi)容主要以自

>它將MOSFET和GTR的優(yōu)點集于一身,既具有輸入阻抗高、工作學為主

速度快、熱穩(wěn)定性好和驅(qū)動電路簡單、驅(qū)動電流小等優(yōu)點,又具有

通態(tài)電壓低、耐壓高和承受電流大等優(yōu)點。

>在電機控制、中頻和開關(guān)電源以及要求快速、低損耗的領(lǐng)域,IGBT

已逐步取代功率MOSFET和GTRo

1.IGBT的結(jié)構(gòu)及工作原理

IGBT是在功率MOSFET的基礎(chǔ)上增加了一個P土層發(fā)射極,形成PN結(jié)

L,并由此引出集電極C,柵極G和發(fā)射極E。

IGBT(30分鐘)

IGBT的開通和關(guān)斷是由柵極電壓來控制的。

柵極施以正電壓時,MOSFET內(nèi)形成溝道,并為PNP晶體管提供基極

電流,從而使IGBT導通。此時,從P+區(qū)注入到N-區(qū)的空穴對N-區(qū)進行電

導調(diào)制,減小N-區(qū)的電阻Rd”使高耐壓的IGBT也具有低的通態(tài)壓降。

在柵極上施以負電壓時,MOSFET內(nèi)溝道消失,PNP晶體管的基極電流

被切斷,IGBT關(guān)斷。

2.IGBT的工作特性

IGBT的工作特性包括靜態(tài)特性和動態(tài)特性。

1)靜態(tài)特性主要有輸出特性和轉(zhuǎn)移特性。

輸出特性表達了集電極電流及與集射極電壓UCE之間的關(guān)系,分正向阻

斷區(qū)、飽和區(qū)、放大區(qū)(有源區(qū))。飽和導通時管壓降一般為2~5V。IGBT

輸出特性的特點是集電極電流心由柵射極電壓UGE控制,UGE越大及越大。

在反向集射極電壓作用下器件呈反向阻斷特性。

IGBT的轉(zhuǎn)移特性表示了柵射極電壓對集電極電流L的控制關(guān)系。在

大部分范圍內(nèi),心與UGE呈線性關(guān)系,只有當UGE接近開啟電壓UGE刖時才呈

非線性關(guān)系。所以最大柵射極電壓應(yīng)受最大集電極電流如得限制,最佳值

為UGE=15V。

2)IGBT的動態(tài)特性也稱開關(guān)特性,包括開通和關(guān)斷兩個部分。

IGBT的的開通時間G由開通延遲時間5M和電流上升時間.兩部分組

成,通常開通時間為(0.5-1.2)侑。

開通延遲時間功皿:是指從驅(qū)動電壓UGE上升到其幅值電壓的10%的時

刻起,到集電極電流升到其幅值的10%的時刻止的這段區(qū)間;

上升時間小集電極電流從其幅值的10%升高到其幅值的90%所需的時

間為。

IGBT的關(guān)斷過程是從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)換到正向阻斷狀態(tài)的過程,關(guān)斷

時間喘也是由關(guān)斷延遲時間。(昕和電流下降時間"兩部分組成。

關(guān)斷延遲時間4。亦是指從驅(qū)動電壓。5下降到其幅值電壓的90%的時

刻起,到集電極電流降到其幅值的90%的時刻為止的這段區(qū)間;

下降時間小是指集電極電流從其幅值的90%降低到其幅值的10%所需

的時間。

在下降時間.內(nèi),集電極電流的波形分為之和t兩段,端對應(yīng)于IGBT

內(nèi)部MOSFET的關(guān)斷過程,在這段時間內(nèi)集電極電流下降較快;兀對應(yīng)于

IGBT內(nèi)PNP晶體管的關(guān)斷過程。通常關(guān)斷時間為(0.55~1.5)加。

3.IGBT的主要參數(shù)

(1)集射極擊穿電壓BUg是由器件內(nèi)部的PNP晶體管所能承受的擊

穿電壓確定的,它決定了IGBT的

最高工作電壓。

(2)開啟電壓UCfW是

IGBT導通所需的最低柵射極電

壓,它隨溫度升高而下降。

(3)通態(tài)壓降U6g通態(tài)壓

降決定了通態(tài)損耗,通常

IGBT的通態(tài)壓降為2~3V。

(4)最大柵射極電壓

為了限制故障情況下的電流和確

保長期使用的可靠性,應(yīng)將柵射極

電壓限制在20V以內(nèi),一般取15V

左右。

(5)集電極連續(xù)電流心和峰

值電流/皿集電極流過的最大連

續(xù)電流4即為IGBT的額定電流,

在不超過額定結(jié)溫的情況下,通常圖420IGBT的動態(tài)特性

峰值電流小為額定電流的2倍左

右。

4.IGBT的鎖定效應(yīng)

當集電極電流(大到一定程度時,NPN晶體管因過高的正偏置而導通,

造成寄生晶閘管開通,導致IGBT柵極失去控制作用,這就是鎖定效應(yīng),也

稱為擎住效應(yīng)。因心過大而產(chǎn)生的鎖定效應(yīng)稱為靜態(tài)鎖定。止匕外,在關(guān)斷過

程中由于d"^/dr過大而產(chǎn)生的鎖定效應(yīng)稱為動態(tài)鎖定,這種現(xiàn)象在負載為電

感性時更容易發(fā)生。

為了避免IGBT發(fā)生鎖定現(xiàn)象,必須規(guī)定集電極最大電流公,,由于動態(tài)

鎖定所允許的集電極電流比靜態(tài)鎖定時要小,所以廠家所規(guī)定的小值是根

據(jù)避免動態(tài)鎖定而確定的。在設(shè)計時要考慮一定的安全裕量,以保證電流不

超過八。

遼寧冶金職業(yè)技術(shù)學院教案

課題名稱單相可控整流電路

課次第(4、6、9)次課課時6

課型理論(Y);實驗();實習();、實務(wù)();習題課();討論();其他()

熟悉各種單相可控整流電路,明白負載性質(zhì)對整流電路性能的影響;掌握

教學目標單相相控整流電路在不同性質(zhì)負載下的工作原理,控制角移相范圍,電流

有效值、平均值的計算;

重點:單相相控整流電路在不同性質(zhì)負載下的工作原理;有效值、平均值

重點、難點及

的計算;

解決方法

難點:不同負載整流電路波形分析

一、單相半波可控整流電路

電阻性負載、電感性負載、大電感性負載(接續(xù)流二極管)

(電路圖、工作原理、波形分析、電壓電流計算)

二、單相全波可控整流電路

電阻性負載、電感性負載、大電感性負載(接續(xù)流二極管)

(電路圖、工作原理、波形分析、電壓電流計算)

三、單相全控整流電路

教學基本內(nèi)容

電阻性負載、大電感性負載、反電動勢負載

與教學設(shè)計

(電路圖、工作原理、波形分析、電壓電流計算)

四、單相半控整流電路

大電感性負載、大電感性負載(接續(xù)流二極管)

(電路圖、工作原理、波形分析、電壓電流計算)

教學方法講授法

教學手段

課外學習安排作業(yè)題5道;思考題2道

參考資料電力電子技術(shù)浣喜明高等教育出版社2004.08

學習效果評測作業(yè)、上課提問、測驗方式

課外學習

晚自習輔導答疑

指導安排

教學后記

遼寧冶金職業(yè)技術(shù)學院講稿

教學內(nèi)容備注

一、單相半波可控整流電路

(-)電阻性負載組織上課,點名

1、電路圖(2分鐘)

理論教學(45分

鐘)

機動(3分鐘)

2、整流原理

(1)晶閘管導通狀態(tài)

此時必須滿足:a.U2為正半波(正向陽極電壓)。

b.看觸發(fā)脈沖(正向門極電壓)。

晶閘管導通時有如下關(guān)系:Ud=U2,UT=O,id=ud/Rd

(2)晶閘管截止狀態(tài)

共有以下兩種情況:

a.U2為正但無觸發(fā)脈沖。

b.U2為負。

此時有如下關(guān)系:ud=0,

id=ud/Rd=O,UT=U2

3、波形分析:根據(jù)如上分

析,可畫出波形如圖所示

遼寧冶金職業(yè)技術(shù)學院講稿

教學內(nèi)容備注

4、兩個重要角度和

:從晶閘管承受正向陽極電壓開始到晶閘管導通之間的電角度用表示,

稱為控制角(或移相角)。

:晶閘管在一個周期內(nèi)導通的電角度用表示,稱為晶閘管的導通角。

5、平均電壓Ud及U/U2與的關(guān)系

Ud=—J'V2t/2sincotd(cot)=0.45”

.手2

6、有效電壓

2

U=V2t/2sinat)d(cot)=t/2^^-sin2?+^y^

7、平均電流、有效電流及波形系數(shù)

平均電流Id:

,Ud?1+cos?Ui

Id-——=0.45-----------

Rd2Rd

有效電流I:usI1「…

波形系數(shù)kf:R<,2n

心I《Jrsin2a+27r(兀-a)

IdV2(l+cos?)

當=0時kf=1.57

8、變壓器二次側(cè)供給的有功功率、視在功率及功率因數(shù)

2

有功功率:P=IRd=UI

視在功率:S=U2I

功率因數(shù):P“n--------------

?g曰一,PUIU11.cJT-a班

=0時,cos取大cos0=—=---=——=』——sin2aH------為

0707SUilUiV4%21

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教學內(nèi)容備注

(二)電感性負載

1、電路圖

-?UT

理論教學(47分

鐘)

2、整流原理及波形分析

U2=UT+Ud=UT+UL+UR

①當OWt<tl

VT截止,Ud=O,UT=U2,id=O

②當t=tl時

晶閘管開始導通;

③twt<t2

VT導通,此時有:Ud=U2,UT=O,

從零上升;

id=—(U2+ei.)=—(U2-Ld—)

R(iRddt

④t=t2時,id達到最大

⑤t2<tWt3此時:Ud=U2,

uT==0,id逐漸下降

⑥t3<t<t4此時由于eL的

作用,繼續(xù)維持晶閘管導通,eL正

的在減少,U2負的在增大.Ud=U2

⑦t=t4此時,=\ui晶閘

管關(guān)斷,id=O

⑧14Vt<t5晶閘管截止,

u,i=OUT=U2id=O

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教學內(nèi)容備注

二、單相全波可控整流電路

(-)電阻性負載組織上課,點

1、電路圖名(2分鐘)

理論教學(48

分鐘)

2、整流原理及波形分析

U2正半波時可觸發(fā)VT1導通

U2負半波時可觸發(fā)VT2導通

波形如右圖所示

3、計算電壓、電流值

〃If*1/、八八〃1+8Sa

Ud=-uid(cot)=0.9U2------------------

nJa2

T71.C冗一a

U=。21——sin2aH-----

,247T

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教學內(nèi)容備注

(二)電感性負載

1、電路圖

2、整流原理及波形分析

①當0°Wa<90°時,每一個晶閘管導通半個周期。

②當a=90°時(電感較大),此時Ud=0理論教學(48

③當90°<a時,負載上得到斷續(xù)的電流波形,每個晶閘管的導通角為分鐘)

(2n-2a),此時,“=0

結(jié)論:①單相全波可控整流電路負載為電感性負載時,移相范圍為(0°~90。)

②Ud計算公式為

Ud=—[T°y/2U2sincotd(cot)=0.9U2cosa

71%

布置作業(yè)(2

分鐘)

>cot

電感性負載大電感性負載加續(xù)流二極管

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教學內(nèi)容備注

三、單相全控橋式整流電路

(-)電阻性負載組織上課,點名

1、電路圖(2分鐘)

JZVT1——弋VT2

\Z

FVT44

理論教學(48分

fmz

鐘)

2、工作原理及波形分析.

VT1VT4同時加脈沖

VT2VT3同時加脈沖

V]VT2共陰極連接

VT\VT4共陽極連接

3、計算公式

Ud=0.9S1+

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教學內(nèi)容備注

(二)大電感性負載

1、電路圖

2、波形分析

理論教學(45分

鐘)

作業(yè)(5分鐘)

(三)反電動勢負載

1、電路圖

2、工作原理及波形

⑴只有WW>E時,觸發(fā)對應(yīng)的晶閘管才能使之導通,此時有%=k|

.\UJ[-E

-d=

Rd

⑵當時晶閘管截止,此時有

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教學內(nèi)容備注

四、單相半控橋式整流電路

(-)大電感性負載

1、電路圖

2、工作原理及波形分析

(1)U2為正半波時,VT|承受正壓

組織上課,點

a.VTi無脈沖時,ud=0

名(2分鐘)

b.VTi有脈沖時,uTi=O

(2)U2為負半波時,VT2承受正壓

由于負載是大電感性負載,電流波

形(id)為一直線保證電流連續(xù),波形

如圖所示

3、電路的工作特點

晶閘管在觸發(fā)時刻換流理論教學(48

二極管則在電源過零時刻換流分鐘)

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教學內(nèi)容備注

(-)大電感性負載接續(xù)流二極管時

1、電路圖

2、工作原理及波形分析J

/1\/

3電流值計算公式9/?\/

/?\/

晶閘管導通角0T=71-(X(i\/理論教學(45

i

由波形圖可以得到分鐘)

LIT=史?Id=-Id,

2萬27r川氯

作業(yè)(5分鐘)

r歷,優(yōu)一--A______Wt

aJ::1;/

,21v2711t/

IDD=^'ID=^ID=^IDUTJ

/

令?cot

無工=歷

11I

k111

續(xù)流二極管承受的最大反向電壓..,111

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^<4;

為痣5,cot

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111

111

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