PAGEPAGE1一、單選題1.適用于軍用半導(dǎo)體分立器件的標(biāo)準(zhǔn)是()。A、GJB33A-97B、GB/T4937C、GB4023D、GB4589.1-89答案：A2.JE-1B型晶體二極管直流參數(shù)測(cè)試儀，反向電流最大可加到多少？()A、300μB、3mC、30mD、300mA答案：B3.室溫測(cè)試的溫度規(guī)定為()。A、25±3℃B、23±3℃C、25±5℃D、23±5℃答案：A4.鹽酸、硫酸、硝酸、氫氟酸、氫氧化鈉和氨水的分子式()A、鹽酸：HCl、硫酸：H2SO4、硝酸：HNO3、氫氟酸：HB、氫氧化鈉：NaOC、氨水：NH4OHD、鹽酸：H2SO4、硫酸：HCl、硝酸：HNO3、氫氟酸：NaOE、氫氧化鈉：HF、氨水：NH4OHG、鹽酸：HCl、硫酸：HH、硝酸：NH4O答案：A5.同型異質(zhì)結(jié)：導(dǎo)電類型()的兩種半導(dǎo)體材料形成異質(zhì)結(jié)。A、相同B、相反C、有關(guān)D、無(wú)關(guān)答案：A6.含()的玻璃具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性。A、氧化鈹B、氧化鋅C、氧化鐵D、氧化鉛答案：D7.室溫測(cè)試環(huán)境的仲裁濕度為()。A、48%～52%B、20%～35%C、40%～45%D、50%～55%答案：A8.空間電荷區(qū)是p-n結(jié)附近電離施主和受主()。A、所在區(qū)域B、以外區(qū)域C、以內(nèi)區(qū)域D、所帶電荷區(qū)答案：B9.不屬于低壓基本絕緣安全用具是()。A、絕緣手套B、裝有絕緣柄的工具C、低壓試電筆D、扳手答案：D10.光電池（光電二極管）是根據(jù)()效應(yīng)制成的器件。A、光電B、熱電C、磁電D、壓電答案：A11.外形尺寸相同的情況下，下列哪種封裝材質(zhì)的器件散熱能力最好()。A、塑料封裝B、陶瓷封裝C、玻璃封裝D、金屬封裝答案：D12.在P型半導(dǎo)體中什么是多數(shù)載流子？()A、電子B、空穴C、原子D、中子答案：B13.與本征半導(dǎo)體相比，雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力()。A、增強(qiáng)B、變?nèi)魿、無(wú)變化D、不能確定答案：A14.n型半導(dǎo)體是主要靠()導(dǎo)電的半導(dǎo)體。A、空穴B、電子C、離子D、價(jià)電子答案：B15.未使用開爾文接法進(jìn)行測(cè)試時(shí)，()的測(cè)試誤差最小。A、10A電流下測(cè)V（BR）B、0.1A電流下測(cè)V（BR）C、10mA電流下測(cè)V（BR）D、1mA電流下測(cè)V（BR）答案：D16.集成穩(wěn)壓器可分為固定輸出三端集成穩(wěn)壓器和可調(diào)式三端集成穩(wěn)壓器，下列屬于三端可調(diào)集成穩(wěn)壓器的型號(hào)有()。A、CW7805B、CW7905C、W78D33D、LM117答案：D17.JE-1B型晶體二極管直流參數(shù)測(cè)試儀，反向電壓最大可加到多少？()A、200VB、1000VC、1500VD、2000V答案：C18.按照制作工藝的不同，集成電路可分為()、MOS集成電路、膜集成電路等。A、雙極型集成電路B、數(shù)字集成電路C、模擬集成電路D、小規(guī)模集成電路答案：A19.TVS管典型的脈沖持續(xù)時(shí)間tp為()。A、1msB、1usC、1ns答案：A20.進(jìn)行增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管漏源擊穿電壓特性曲線掃描時(shí)，需要進(jìn)行短接的電極是()。A、D和SB、G和C、G和SD、不需要短接任何電極答案：C21.GJB597B《半導(dǎo)體集成電路總規(guī)范》中靜電放電敏感度等級(jí)的3A級(jí)為()。A、4000V～7999VB、250V～499VC、2000V～3999VD、≥8000V答案：A22.隧道擊穿一般用于微波、()器件。A、極高頻B、高頻C、中頻D、低頻答案：A23.戴手套的目的：()。A、保護(hù)手B、防止管芯被污染C、防止模具被污染D、以上E、B、C都是答案：D24.下列哪項(xiàng)屬于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的測(cè)試參數(shù)()A、VB、IRC、IGSSD、VCEsat答案：C25.PN結(jié)的正向電壓VF與結(jié)溫TJ之間存在一定的函數(shù)關(guān)系，該關(guān)系的正確表達(dá)是()A、△VF=k·△TJB、△VF=k·△TJ2C、△TJ=k·△VF2D、△TJ=k·△VF-1答案：A26.跨導(dǎo)反映場(chǎng)效應(yīng)晶體管VGS電壓與漏極電流ID之間的關(guān)系正確的是()A、gfs=△VGS/△IDB、gfs=△ID/△VGSC、gfs=△ID·△VGSD、gfs=△VGS·△ID2答案：B27.電壓調(diào)整器的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)是()《半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測(cè)試方法的基本原理》。A、GB/T4377-1996B、GB/T4023-1997C、GB/T4587-94D、GB/T4586-94答案：A28.p-n結(jié)的特性有()導(dǎo)電性、溫度敏感性。A、單向B、雙向C、多向D、無(wú)答案：A29.雙極型晶體管的開關(guān)時(shí)間參數(shù)包含上升延遲時(shí)間td、上升時(shí)間tr、()和下降時(shí)間tf。A、存儲(chǔ)時(shí)間tsB、下降延遲時(shí)間tdofC、恢復(fù)時(shí)間trrD、開啟時(shí)間ton答案：A30.功率三極管的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)是()《半導(dǎo)體分立器件和集成電路第7部分：雙極型三極管》，該標(biāo)準(zhǔn)等同采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IEC747-7－1988《半導(dǎo)體分立器件和集成電路第七部分雙極型三極管》。A、GB/T6571-1995B、GB/T4023-1997C、GB/T4587-94D、GB/T4586-94答案：C31.以下哪項(xiàng)不屬于硅片表面沾污的雜質(zhì)？()A、分子型雜質(zhì)B、離子型雜質(zhì)C、中子型雜質(zhì)D、原子型雜質(zhì)答案：C32.如下哪一項(xiàng)不是普通整流二極管的主要參數(shù)？()A、VB、IRC、RzD、VRWM答案：C33.()是破壞性物理分析的縮寫。A、ESB、PINC、DPD、PDA答案：C34.以下哪一項(xiàng)不是瞬態(tài)二極管的主要參數(shù)？()A、IRB、IFSMC、V（BR）D、VC答案：B35.可以把穩(wěn)壓管等效為一個(gè)恒壓源和一個(gè)()的串聯(lián)。A、恒流源B、動(dòng)態(tài)電阻C、電感D、電容答案：B36.穩(wěn)壓二極管工作在()狀態(tài)。A、正向電壓擊穿B、反向電壓擊穿C、正向電流擊穿D、反向電流擊穿答案：B37.電阻R1、電阻R2并聯(lián)后，再與R3串聯(lián)，則總電阻為()。A、R1+R2+R3B、<imgsrc="/img/f91c83ffa17affec0fc076d765d88ab2/word/media/image6.png">C、<imgsrc="/img/f91c83ffa17affec0fc076d765d88ab2/word/media/image7.png">答案：B38.晶體三極管根據(jù)導(dǎo)電類型可分為NPN管和()管。A、P+PNB、N+NPC、PNPD、NPP+答案：C39.如果發(fā)生觸電事故，首要做的事是()。A、使觸電者離開電源B、對(duì)觸者施行人工呼吸C、報(bào)告領(lǐng)導(dǎo)D、等待觸電者自己脫開電源答案：A40.對(duì)整流二極管施加反向偏置電壓時(shí)()。A、電流較大，電阻較小B、電流較小，電阻較大C、電流較大，電阻較大D、電流較小，電阻較小答案：B41.當(dāng)二極管BZG2C的正向壓降為1.2伏，電流為2安，線路中總電壓為100伏，二極管BZG2C上的耗散功率為()W。A、2B、2.4C、200D、1.2答案：B42.新加工石墨模具如何去油污方法正確的是()A、將模具浸泡在鹽酸溶液中，10min～15min，廢液倒入規(guī)定的廢液瓶中。B、將模具浸泡在丙酮溶液中，恒溫水浴，加熱去油三次以上，每次10min～15min，直至去油干凈為止，廢液倒入規(guī)定的廢液瓶中。C、將模具浸泡在硝酸溶液中，10min～15min，廢液倒入規(guī)定的廢液瓶中。D、將模具浸泡在洗潔精溶液中，恒溫水浴，10min～15min，廢液倒入規(guī)定的廢液瓶中。答案：B43.增強(qiáng)型MOS與耗盡型MOS的主要區(qū)別是()A、增強(qiáng)型MOS溝道處于常斷開狀態(tài)，需要一定的溝道電壓使溝道開啟；耗盡型MOS即使在溝道電壓為0時(shí)也是處在開啟狀態(tài)，需要加一定的負(fù)電壓使溝道斷開B、增強(qiáng)型MOS溝道處于開啟狀態(tài)，需要一定的負(fù)溝道電壓使溝道斷開；耗盡型MOS溝道處于常斷開狀態(tài)，需要加一定的正溝道電壓使溝道開啟C、增強(qiáng)型MOS溝道處于開啟狀態(tài)，需要一定的溝道電壓使溝道開啟更大；耗盡型MOS溝道處于常斷開狀態(tài)，需要加一定的正溝道電壓使溝道開啟D、增強(qiáng)型MOS溝道處于常斷開狀態(tài)，需要一定的負(fù)溝道電壓使溝道開啟；耗盡型MOS即使在溝道電壓為0時(shí)也是處在開啟狀態(tài)，需要加一定的正電壓使溝道斷開答案：A44.非平衡載流子的壽命與材料完整性、雜質(zhì)含量、表面狀態(tài)()。A、密切相關(guān)B、間接相關(guān)C、無(wú)關(guān)D、無(wú)必然聯(lián)系答案：C45.GJB33A-97中質(zhì)量等級(jí)JT表示()A、特軍級(jí)B、普軍級(jí)C、超特軍級(jí)D、宇航級(jí)答案：A46.半導(dǎo)體中的電子是以一個(gè)被調(diào)幅的平面波在半導(dǎo)體中傳播并以()運(yùn)動(dòng)狀態(tài)存在。A、私有化B、共有化C、不同D、相同答案：C47.晶體三極管根據(jù)導(dǎo)電類型可分為NPN管和()管。A、P+PNB、N+NPC、PNPD、NPP+答案：D48.只有測(cè)量值超過表頭滿量程的()時(shí)，測(cè)量結(jié)果才更準(zhǔn)確。A、1/3B、1/2C、2/3D、1/4答案：C49.某一電路中需使用CW78L05型三端集成穩(wěn)壓器，如果用CW7805替代，最可能會(huì)造成什么隱患()。A、無(wú)任何隱患；B、由于CW7805輸出電壓與CW78L05不同，導(dǎo)致三端集成穩(wěn)壓器輸出電壓范圍發(fā)生變化；C、由于CW7805的額定功率大于CW78L05，導(dǎo)致三端集成穩(wěn)壓器過功率；D、由于CW7805過流保護(hù)電流大于CW78L05，三端穩(wěn)壓器失去保護(hù)功能或保護(hù)功能降低。答案：D50.《安全生產(chǎn)法》所指的危險(xiǎn)物品包括()。A、易燃易爆物品、危險(xiǎn)化學(xué)品、放射性物品。B、槍支彈藥。C、高壓氣瓶、手持電動(dòng)工具。D、大型機(jī)械設(shè)備。答案：A51.以下哪項(xiàng)材料為半導(dǎo)體材料？()A、鎳B、硅C、鐵D、銀答案：B52.某一電路中的三端可調(diào)集成穩(wěn)壓器，作用為將5V輸入電壓調(diào)整為3、5V的輸出，請(qǐng)問選用這款三端可調(diào)集成穩(wěn)壓器時(shí)，最主要考慮的參數(shù)為()A、輸入電壓范圍B、輸出電流大小C、最小輸入輸出壓差D、輸出電壓大小答案：C53.氫氣瓶的顏色為()。A、天藍(lán)色B、深綠色C、黑色D、黃色答案：B54.以下具有單向?qū)щ娦缘脑骷?)。A、電容B、電阻C、電感D、二極管答案：D55.()往往用于深結(jié)擴(kuò)散器件。A、平面保護(hù)環(huán)B、玻璃鈍化C、深槽工藝D、氮化硅保護(hù)答案：B56.施主雜質(zhì)(n型雜質(zhì))是雜質(zhì)在半導(dǎo)體中電離時(shí)施放電子而產(chǎn)生導(dǎo)電電子并形成()中心。A、正電B、負(fù)電C、電中性D、電離答案：D57.GJB33A-97中質(zhì)量等級(jí)JP表示()。A、特軍級(jí)B、普軍級(jí)C、超特軍級(jí)D、宇航級(jí)答案：B58.電子工業(yè)潔凈室等級(jí)規(guī)定總體要求溫度為()℃，濕度為40%～60%。A、15～25B、18～27C、20～30D、25～35答案：B59.費(fèi)米能級(jí)標(biāo)志了()填充能級(jí)的水平。A、空穴B、電子C、離子D、價(jià)電子答案：A60.TM-18測(cè)試系統(tǒng)不能測(cè)下面哪項(xiàng)參數(shù)？()A、IRB、VC、ZZD、VF答案：B61.半導(dǎo)體二極管的正向壓降隨溫度的降低而()。A、升高B、降低C、不變D、升高或降低答案：A62.GJB597B《半導(dǎo)體集成電路總規(guī)范》中靜電放電敏感度等級(jí)的0級(jí)為()。A、4000V～7999VB、250V～499VC、2000V～3999VD、＜250V答案：D63.晶體管處于放大工作狀態(tài)時(shí)，處加偏置電壓條件是()。A、發(fā)射結(jié)處于正向偏壓，集電結(jié)處于反向偏壓B、發(fā)射結(jié)處于正向偏壓，集電結(jié)處于正向偏壓C、發(fā)射結(jié)處于反向偏壓，集電結(jié)處于反向偏壓D、發(fā)射結(jié)處于反向偏壓，集電結(jié)處于正向偏壓答案：A64.351-TT/P計(jì)算機(jī)測(cè)試系統(tǒng)的自檢程序是NPCKA、PCKNB、NCPKC、PKNC答案：A65.本征半導(dǎo)體是()雜質(zhì)和缺陷的半導(dǎo)體。A、有B、沒有C、有本征D、沒有本征答案：B66.計(jì)算機(jī)自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)一般使用什么測(cè)試方法？()A、直流法B、交流法C、脈沖法D、半波法答案：C67.半導(dǎo)體激光器是根據(jù)()效應(yīng)制成的器件。A、光電B、熱電C、磁電D、壓電答案：A68.瞬態(tài)二極管在電路中起保護(hù)作用，目的是為了吸收電路中出現(xiàn)的()。A、瞬時(shí)峰值電壓B、恒定電壓C、瞬時(shí)峰值電流D、恒定電流答案：A69.當(dāng)天涂覆的產(chǎn)品當(dāng)天未成型，容易導(dǎo)致()A、產(chǎn)品被腐蝕B、產(chǎn)品涂覆層融化C、產(chǎn)品變色、發(fā)黑D、產(chǎn)品芯片沾污答案：B70.施加在半導(dǎo)體二極管的反向電壓主要由()承擔(dān)。A、耗盡層B、N+層C、P+層D、歐姆接觸層答案：A71.禁帶寬度的大小決定著電子從()跳到（）的難易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬帶越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子越不容易受外界因素（如高溫和輻射等）的干擾而產(chǎn)生變化。A、價(jià)帶、導(dǎo)帶B、導(dǎo)帶、價(jià)帶C、價(jià)帶、禁帶D、禁帶、導(dǎo)帶答案：A72.屬于半導(dǎo)體材料的正確選項(xiàng)是()。A、金屬、石墨、人體、大地B、橡膠、塑料、玻璃、陶瓷C、硅、鍺、砷化鎵、磷化銦D、純水、油、空氣、云母答案：C73.集成穩(wěn)壓器包含正壓輸出和負(fù)壓輸出，下列為負(fù)壓輸出的集成穩(wěn)壓器是()。A、CW7805B、CW7905C、W78D33D、LM117答案：B74.按材料分，二極管包含鍺二極管、砷化鎵二極管、()等。A、微博二極管B、整流二極管C、PIN二極管D、硅二極管答案：D75.三端固定集成穩(wěn)壓器（如LM78XX系列），其外引出端電極為()。A、輸入、輸出、地B、漏極、源極、柵極C、輸出、輸出、調(diào)整端D、集電極、發(fā)射極、基極答案：A76.用于去除襯底表面的碳和有機(jī)物的清洗劑的配方是()。A、H2O2:H2O:NH4OH=2:5:1B、HCl:H20=1:1C、HCl:H20=1:3D、H2O2:H2O:HCl=2:1:1答案：C77.有機(jī)玻璃器皿如何處理方法正確的是()A、浸泡在酒精溶液中，10min～15min，通純凈干燥的氮?dú)獯蹈苫蛟?0℃左右烘干備用B、用大量熱去離子水沖洗干凈，通純凈干燥的氮?dú)獯蹈苫蛟?0℃左右烘干備用C、浸泡在洗潔精溶液中，恒溫水浴，10min～15min，通純凈干燥的氮?dú)獯蹈苫蛟?0℃左右烘干備用D、可用稀鹽酸（濃度5%）或氫氧化鈉（濃度10%）溶液清洗，再用去離子水把殘留的酸或堿沖凈，通純凈干燥的氮?dú)獯蹈苫蛟?0℃左右烘干備用答案：D78.半導(dǎo)體集成電路按其功能分有()集成電路和模擬集成電路。A、中規(guī)模B、大規(guī)模C、小規(guī)模D、數(shù)字答案：D79.DW4822晶體管特性圖示儀的最大電流可加到()。A、0.2B、1C、10D、20A答案：D80.以下哪項(xiàng)試驗(yàn)不能考核器件的可靠性水平？()A、組試驗(yàn)B、組試驗(yàn)C、組試驗(yàn)D、組試驗(yàn)答案：A81.TVS管的箝位電壓與擊穿電壓之比稱為箝位系數(shù)，其值一般為()左右。A、2B、1C、1、5D、1、3答案：D82.絕緣體是最高滿帶和最低空帶之間的能隙（即禁帶寬度）()于2eV的物質(zhì)。A、大B、小C、不等D、等答案：A83.與PN結(jié)二極管相比，肖特基二極管的起始電壓()，儲(chǔ)存電荷效應(yīng)很小，所以能在很高的頻率下工作。A、較大B、相當(dāng)C、較小D、適中答案：C84.人體佩帶的接地腕帶的合格接地電阻值應(yīng)為()之內(nèi)。A、7.5×105～3.5×107B、7.5×10-5～3.5×10-7C、＜7.5×105D、＜3.5×10-7答案：A85.GJB597B《半導(dǎo)體集成電路總規(guī)范》中靜電放電敏感度等級(jí)的2級(jí)為()。A、4000V～7999VB、250V～499VC、2000V～3999VD、＜250V答案：C86.電阻R1和電阻R2串聯(lián)則總電阻為()。A、R1+R2B、<imgsrc="/img/f91c83ffa17affec0fc076d765d88ab2/word/media/image1.png">+<imgsrc="/img/f91c83ffa17affec0fc076d765d88ab2/word/media/image2.png">C、<imgsrc="/img/f91c83ffa17affec0fc076d765d88ab2/word/media/image3.png">答案：A87.硅二極管的起始電壓為()左右。A、0.3VB、0.4VC、0.7VD、1.2V答案：C88.腐蝕過程中需要穿戴防護(hù)服的原因是()A、半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中，常見的酸、堿對(duì)人體和衣服都有強(qiáng)烈的腐蝕作用，其蒸汽對(duì)呼吸道也會(huì)引起中毒B、防止衣服沾灰變臟C、起保暖作用D、為了統(tǒng)一著裝答案：D89.能與玻璃反應(yīng)的酸有()A、硫酸B、氫氟酸C、鹽酸D、醋酸答案：B90.玻璃與金屬間的熔封機(jī)理是()A、玻璃靠收縮應(yīng)力包裹住金屬B、玻璃滲入金屬表面細(xì)小凹坑，靠摩擦力固定住金屬C、玻璃內(nèi)的氧化物與金屬表面的氧化物的結(jié)合而與金屬牢固地結(jié)合在一起D、玻璃浸潤(rùn)金屬表面并粘附在金屬表面答案：C91.以下哪項(xiàng)材料為非晶體材料？()A、鐵B、鎳C、玻璃D、硅答案：C92.絕緣層中移動(dòng)電荷使C-V特性曲線平行于電壓軸()。A、平移B、上移C、下移D、漂移答案：D93.半導(dǎo)體二極管按結(jié)構(gòu)來(lái)分有()、PN二極管、PIN二極管和異質(zhì)結(jié)二極管。A、點(diǎn)接觸二極管B、開關(guān)二極管C、檢波二極管D、穩(wěn)壓二極管答案：A94.GJB33A-97中質(zhì)量等級(jí)JCT表示()。A、特軍級(jí)B、普軍級(jí)C、超特軍級(jí)D、宇航級(jí)答案：C95.以下哪個(gè)參數(shù)不屬于三極管的直流參數(shù)()A、hFB、ICEOC、VBEsatD、fT答案：D96.二極管表面吸潮后，對(duì)什么參數(shù)影響最大？()。A、V（BR）B、TrrC、VD、IR答案：D97.在半導(dǎo)體晶體中，原子與原子之間依靠()來(lái)連結(jié)。A、原子鍵B、離子鍵C、分子鍵D、共價(jià)鍵答案：D98.通常說(shuō)的開爾文測(cè)試是()測(cè)試。A、兩線制B、三線制C、四線制D、五線制答案：C99.燒氫間的環(huán)境危害主要為？()A、凍傷B、高溫C、以上都是答案：B100.三端固定集成穩(wěn)壓器進(jìn)行測(cè)試時(shí)，如需添加電容，電容應(yīng)加在何處()A、輸入與地之間，輸出與地之間B、輸入與輸出之間，輸出與地之間C、輸入與地之間、輸入與輸出之間D、輸入與輸出之間答案：A二、多選題1.根據(jù)鍵合機(jī)理，產(chǎn)生虛焊的主要原因是？()A、金屬界面（金屬底座、管芯壓點(diǎn)、鋁絲）臟（灰塵、有機(jī)物及其它粘污）、氧化層厚（鋁絲或鋁層氧化發(fā)灰）等，使超聲清洗不凈B、超聲功率、時(shí)間、以及劈刀高低、壓力沒有調(diào)整到位等。造成超聲清洗不凈及金屬面不能緊密接觸。C、金屬鍍層太厚，塑性形變差D、劈刀端面不平或有缺陷；劈刀與鍵合面不平行；粘片膠彈性大；外界震動(dòng)、機(jī)件震動(dòng)或管殼松動(dòng)等答案：ABD2.鈍化層的質(zhì)量要求有()A、鈍化層的結(jié)構(gòu)致密B、鈍化層穩(wěn)定，抗離子沾污能力強(qiáng)，抗輻射能力強(qiáng)C、絕緣性高；耐腐蝕性好D、容易加工答案：ABCD3.玻粉存放及加工環(huán)境該如何防護(hù)？()A、通風(fēng)B、放在鐵柜中C、加工過程環(huán)境濕度小于80%D、玻粉存放在氮?dú)夤裰写鸢福篊D4.鍵合工藝按原理分類有哪些()？A、熱壓鍵B、超聲鍵合C、熱壓超聲鍵合（熱聲鍵合）D、倒裝焊和載帶焊答案：ABC5.表面鈍化工藝主要有哪些()A、氮化硅鈍化B、磷硅玻璃鈍化C、三氧化二鋁鈍化D、玻璃鈍化E、聚酰亞胺鈍化答案：ABCDE6.小王進(jìn)行正常燒結(jié)過程中發(fā)現(xiàn)出爐的石墨模具很燙，其原因是：()。A、爐溫過高B、燒結(jié)時(shí)間過長(zhǎng)C、冷卻套循環(huán)水未開或流量太小D、推模間隔時(shí)間太短答案：CD7.可伐拋光液所用的藥品有？()A、冰醋酸B、硝酸C、硫酸D、鹽酸答案：ABD8.金絲球焊的優(yōu)點(diǎn)有()。A、焊接一致性好B、焊接牢固C、壓點(diǎn)無(wú)方向性D、無(wú)需加熱答案：ABC9.熔封過程中，玻璃主要的作用是？()A、絕緣B、美觀C、密封D、散熱答案：AC10.使用王水應(yīng)注意什么()A、配制王水應(yīng)在排風(fēng)柜中進(jìn)行B、王水最好是現(xiàn)配現(xiàn)用C、王水不但能溶解活潑的金屬和氧化物，而且還能溶解不活潑的金、鉑等幾乎所有的金屬D、王水要用金屬器皿盛放答案：ABC11.F型管座燒結(jié)過程中，在鋼圈附近出現(xiàn)焊料層太陽(yáng)光照狀態(tài)，俗稱“太陽(yáng)花”是何原因？()A、溫度過高B、焊料為清洗干凈C、焊料不純D、時(shí)間過長(zhǎng)答案：AD12.選用石墨作為燒結(jié)模具的原因是？()A、熔點(diǎn)高B、變形小C、材料硬D、抗氧化能力強(qiáng)答案：ABD13.現(xiàn)代質(zhì)量管理發(fā)展經(jīng)歷了()三個(gè)階段。A、質(zhì)量檢驗(yàn)階段B、統(tǒng)計(jì)質(zhì)量控制階段C、質(zhì)量改進(jìn)D、全面質(zhì)量管理階段答案：ABCD14.在密封工藝中，控制濕度的方法有哪些()A、采取合理的預(yù)烘烤工藝。B、避免烘烤后的外殼重新接觸大氣環(huán)境。C、對(duì)保護(hù)氣體實(shí)施「燥措施，盡倡降低保擴(kuò)氣體的濕度。D、保證外殼的良好密封，防止漏泄。答案：ABCD15.超聲楔焊常出現(xiàn)哪些問題？()A、內(nèi)焊點(diǎn)偏移：鍵合面積不能有1/3以上在芯片之外；B、內(nèi)焊點(diǎn)過高：焊點(diǎn)不能超出芯片壓點(diǎn)或觸及任何其他金屬體；C、內(nèi)焊點(diǎn)過低：焊點(diǎn)和絲尾不能觸及到?jīng)]有鈍化層的劃片方格；D、間距過小：引線鍵合后與相鄰的一根引線焊點(diǎn)或芯片壓點(diǎn)相距不能小于20μm；答案：ABCD16.鈍化玻璃需具備的特性有()A、可控制的表面電荷密度B、同硅近似的熱平整系數(shù)C、較低的玻璃燒結(jié)溫度D、對(duì)PN結(jié)性能無(wú)害答案：ABCD17.封帽過程中手套破裂正確的處理方法()A、應(yīng)立即停止操作，更換破損的手套。B、更換手套后不能進(jìn)行封帽操作，需要觀察手套箱氣壓是否穩(wěn)定，露點(diǎn)儀恢復(fù)的情況。C、按工藝要求通氣指定時(shí)間后，露點(diǎn)值達(dá)到要求后才可繼續(xù)封帽。D、部分設(shè)備有氣體清洗功能的，應(yīng)開啟氣體清洗功能，快速恢復(fù)腔體內(nèi)氣體露點(diǎn)值。答案：ABCD18.影響平行縫焊熱量的參數(shù)有哪些()A、縫焊功率、脈沖寬度B、重復(fù)時(shí)間C、電極壓力D、焊接速度答案：AB19.鍵合前需要核對(duì)產(chǎn)品信息，產(chǎn)品信息包括()？A、產(chǎn)品型號(hào)B、產(chǎn)品圖紙C、鍵合線徑D、金屬絲類型答案：ABCD20.國(guó)家秘密的級(jí)別分為()三級(jí)。A、絕密B、機(jī)密C、秘密D、保密答案：ABC21.對(duì)日常安全巡查描述正確的是？()A、工作期間隨時(shí)關(guān)注氣壓表的氣壓情況B、氣體開通后對(duì)各閥門進(jìn)行密封檢查C、工作完成關(guān)閉閥門后，應(yīng)排空管道內(nèi)氣體D、以上都不對(duì)。答案：ABC22.我們燒氫過程中主要用的氣體有()？A、空氣B、氧氣C、氫氣D、氮?dú)獯鸢福篊D23.功率晶體管主要電參數(shù)有()。A、集電極—基極擊穿電壓V(BR)CBOB、集電極-發(fā)射極飽和電壓VCEsatC、基極—發(fā)射極飽和電壓VBEsatD、正向電流傳輸比hFE答案：ABCD24.熱鑄壓過程使用的料塊主要含有？()A、水B、玻粉C、石蠟D、油酸答案：BCD25.封帽電極出現(xiàn)打火應(yīng)如何處理()A、需要更換電極B、打火的電極點(diǎn)送機(jī)械加工中心進(jìn)行修磨C、修磨時(shí)應(yīng)把整個(gè)電極磨掉一層D、將電極打火出現(xiàn)的凹坑磨平并進(jìn)行拋光處理答案：ABCD26.為保證燒結(jié)質(zhì)量需要進(jìn)行自檢的工步有？()A、零件清洗后B、裝模后C、燒結(jié)后D、有專檢，不需要自檢答案：ABC27.常用的鈍化玻璃粉有()A、鉛鋁硅酸鹽玻璃B、鋅硼硅酸鹽玻璃C、碳鋁硅酸鹽玻璃D、鈉鎂硅酸鹽玻璃答案：AB28.半導(dǎo)體器件的檢漏方法有哪些類()A、漏率大于10-6PB、?m3/s為粗檢C、漏率小于10-6PD、?m3/s為細(xì)檢E、漏率大于10-8PF、?m3/s為粗檢G、漏率小于10-7PH、?m3/s為細(xì)檢答案：AB29.鍵合引線常出現(xiàn)哪些問題？()A、引線損傷：引線不能有任何超過引線直徑1/4的刻痕、損傷、死彎等B、拱絲不當(dāng)：引線不能有不自然的弧形彎曲，且拱絲高度不應(yīng)小于引線直徑的7倍C、引線下塌：不能使引線下塌在芯片邊緣上或其距離小于20μmD、絲尾短缺：不能因缺尾而造成鍵合面積減少1/4答案：ABC30.裝模前準(zhǔn)備工作描述正確的有？()A、用酒精棉擦拭裝零件用的器具B、穿戴好工服C、裝備好工裝夾具D、準(zhǔn)備好裝配模具答案：ABCD31.王水能溶解的有()?A、二氧化硅B、金C、鋁D、鉛答案：BCD32.需要內(nèi)涂產(chǎn)品涂膠的應(yīng)注意哪些事項(xiàng)()。A、膠應(yīng)按要求保存，一般存放在冰箱內(nèi)。B、涂膠前檢查膠是否有分層，需要用干凈的玻棒進(jìn)行攪拌。C、芯座在涂膠前需要進(jìn)行前烘，驅(qū)除表面的水汽。D、涂膠要盡量均勻，覆蓋整個(gè)芯座，膠不能流淌至封帽焊接面。答案：ABCD33.對(duì)燒氫爐日常維護(hù)保養(yǎng)說(shuō)法正確的是？()A、當(dāng)天工作完畢后，及時(shí)將電源關(guān)閉，減少設(shè)備工作時(shí)間。B、當(dāng)天工作完畢后，將爐溫調(diào)至400度左右，調(diào)低電源。C、定期對(duì)爐膛進(jìn)行清洗。D、高溫時(shí)爐膛內(nèi)零件不能超重。答案：BCD34.如何保證燒氫爐不“放炮”？()A、禁止兩側(cè)爐門同時(shí)打開B、爐門要慢開慢放C、少放燒結(jié)模具D、以上都對(duì)答案：AB35.我們?cè)谔顚懹涗洉r(shí)出現(xiàn)筆誤該如何處理？()A、涂黑B、筆誤處畫橫線C、在旁邊填寫正確內(nèi)容D、更改處簽名答案：BCD36.塑封后產(chǎn)品引線損傷嚴(yán)重的原因有哪些？()A、心模朔料流動(dòng)性差B、固化速度太快C、注射壓力太大D、注射速度太快答案：ABD37.以下可用于對(duì)收集到的數(shù)據(jù)進(jìn)行整理和分析的工具有()。A、直方圖B、運(yùn)行圖C、排列圖D、散布圖答案：ABCD38.下列關(guān)于F型管座鋼圈刮焊料作用說(shuō)法錯(cuò)誤的是？()A、保證鋼圈表面光潔度B、去除表面油污C、去除表面焊料，保證在后續(xù)產(chǎn)品封帽過程中鋼圈表面的焊料不會(huì)濺射到腔體內(nèi)形成多余物D、保證產(chǎn)品外型尺寸答案：AB39.金絲本身化學(xué)性能是很穩(wěn)定的，但當(dāng)它與鋁電極相鍵合時(shí)的溫度達(dá)210℃以上時(shí)會(huì)形成“紫斑”和“白斑”，這是兩種金屬間的化合物，“紫斑”和“白斑”化學(xué)式正確的是？()A、紫斑是AuAl2B、紫斑是Au2AlC、白斑是Au2AlD、白斑是AuAl2答案：AC40.火災(zāi)發(fā)生的常見原因有哪些()A、電氣，設(shè)備故障B、生活用火不慎，生產(chǎn)作業(yè)不慎C、玩火、吸煙、放火D、雷擊答案：ABCD41.能除去銅表面氧化的方法有？()A、酸洗B、水洗C、氫氣退火D、過甲苯答案：AC42.引線焊接有哪些質(zhì)量要求？()A、能和芯片表面的金屬化壓點(diǎn)（通常是鋁或金）及外引線材料實(shí)良現(xiàn)好的鍵合B、鍵合應(yīng)具有最小的電阻，以保證良好的導(dǎo)電性能和低歐姆接觸C、在鍵合過程中或鍵合結(jié)束后，不應(yīng)留下引起腐蝕的物質(zhì)，特別是塑料封裝的引線不能與滲透進(jìn)來(lái)的水汽發(fā)生作用D、引線材料可塑性好答案：ABCD43.關(guān)于?；瘻囟让枋鲥e(cuò)誤的是：()A、常用的玻璃?；瘻囟仁?00℃-750℃B、常用的玻璃?；瘻囟仁?00℃-1000℃C、常用的玻璃?；瘻囟仁?00℃-720℃D、常用的玻璃?；瘻囟仁?00℃-900℃答案：ABD44.以下哪項(xiàng)不是穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)()？A、IRB、VZC、RZD、trr答案：ABC45.集成電壓調(diào)整器的主要電參數(shù)有()。A、輸出電壓VOB、電壓調(diào)整率SVC、電流調(diào)整率SID、紋波抑制比SripE、正向電流傳輸比hFE答案：ABCD46.當(dāng)在零件燒制過程中，發(fā)現(xiàn)爐體恒溫溫度高于工藝溫度時(shí)，應(yīng)如何處理()。A、檢查控溫裝置B、報(bào)告產(chǎn)品主管技術(shù)員C、立即將零件全部拉出爐體D、馬上調(diào)節(jié)控溫裝置答案：ABD47.粘片剪切力如何進(jìn)行規(guī)范檢測(cè)？()A、加力的方向應(yīng)平行于管座或襯底平面，并垂直于被測(cè)試芯片的一個(gè)側(cè)面B、推動(dòng)過程中要保證夾具完全固定，避免管座與夾具發(fā)生相對(duì)移動(dòng)C、設(shè)備推刀在行程中應(yīng)留有足夠空間，避免因推刀推到底座使得測(cè)試值不準(zhǔn)確D、為了方便測(cè)試，夾具可做相對(duì)的寬松答案：ABC48.作為內(nèi)引線絲必須有哪些條件？()A、機(jī)械性能能B、均勻的直徑C、光亮的表面、無(wú)污染D、無(wú)塵埃、無(wú)裂縫答案：ABCD49.零件清洗過程中用到的主要化學(xué)藥品有？()A、鹽酸B、硫酸C、甲苯D、硝酸答案：ABCD50.零件燒結(jié)過程中說(shuō)法正確的是：()A、嚴(yán)格執(zhí)行零件燒結(jié)工藝文件的參數(shù)設(shè)置。B、在工藝文件參數(shù)設(shè)置范圍內(nèi)，可根據(jù)燒結(jié)后零件質(zhì)量，對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行調(diào)整。C、發(fā)現(xiàn)燒結(jié)后零件出現(xiàn)大量不明原因?qū)е碌牟缓细衿窌r(shí)，因立即進(jìn)行工藝調(diào)整，避免損失。D、當(dāng)燒結(jié)設(shè)備出現(xiàn)異常情況時(shí)，因聽從領(lǐng)導(dǎo)安排，保證生產(chǎn)快速完成。答案：AB51.目前生產(chǎn)常用的刀具有哪些？()A、球形刀B、矩形刀C、圓形刀D、楔形刀答案：ABD52.燒氫爐氣路主要設(shè)計(jì)有哪幾路？()A、爐口B、爐體C、爐門D、爐底答案：ABC53.金絲球焊工藝特點(diǎn)有？()A、更大靈活性，且速度快，便于自動(dòng)化B、具有很高的鍵合強(qiáng)度和可靠性C、金絲具有柔韌性但抗氧化性較差D、球焊可形成更小的引線弧度和短的引線距離，在引線電感上變化很小，重復(fù)性好答案：ABD54.關(guān)于鑄壓模具用機(jī)油防護(hù)錯(cuò)誤的是：？()A、保濕B、防酸腐蝕C、防銹D、增強(qiáng)模具性能答案：ABD55.影響超聲鍵合的質(zhì)量因素有很多，比如鍵合界面層質(zhì)量就是其中重要的一個(gè)。對(duì)于鍵合界面層質(zhì)量的要求有？()A、芯片鋁層清潔B、不氧化C、無(wú)劃傷D、有一定厚度答案：ABCD56.根據(jù)課題來(lái)源，QC小組活動(dòng)的課題類型一般包括()。A、自主性課題B、上級(jí)下達(dá)的指令性課題C、公關(guān)型課題D、質(zhì)量部門推薦的指導(dǎo)性課題答案：ABD57.靜電對(duì)半導(dǎo)體制造業(yè)不利，對(duì)于靜電的定義正確的是？()A、積聚的、不運(yùn)動(dòng)的電荷稱靜電B、有的靜電壓很高，達(dá)幾十伏、幾百伏甚至上萬(wàn)伏C、秋冬干燥季節(jié)極易產(chǎn)生靜電D、針織類衣服產(chǎn)生靜電電壓最高答案：ABC58.燒結(jié)后焊料沒有熔化可能是？()A、溫度低B、天氣冷C、時(shí)間短D、沒裝模好答案：AC59.鍵合用引線對(duì)器件的可靠性和穩(wěn)定性關(guān)系很大，理想的引線材料應(yīng)具備以下哪些性能？()A、硬度適中，結(jié)合力強(qiáng)B、化學(xué)性能穩(wěn)定（不會(huì)形成有害的金屬間化合物）C、可塑性好，彈性小D、低的歐姆電阻（并能與待壓點(diǎn)金屬層形成低歐姆接觸）答案：ABCD60.下列在電真空器件制造中常用的焊料為()。A、純銅B、純銀C、銀銅D、純金答案：ABC61.不能與玻璃反應(yīng)的酸有()A、硫酸B、氫氟酸C、鹽酸D、醋酸答案：ACD62.安全生產(chǎn)管理的目標(biāo)有哪些()A、減少和控制危害與事故B、避免造成人身傷害C、避免造成財(cái)產(chǎn)損失D、避免造成環(huán)境污染以及其他損失答案：ABCD63.燒氫工作前的準(zhǔn)備工作有？()A、開抽風(fēng)B、通知?dú)庹就釩、換鞋D、檢查循環(huán)水答案：ABD64.金絲球焊是當(dāng)前集成電路生產(chǎn)上廣泛使用的熱壓焊技術(shù)，金絲球焊的缺點(diǎn)有()？A、在鋁電極上的金球構(gòu)成金鋁系統(tǒng)B、伴隨生成“紫斑”的風(fēng)險(xiǎn)C、可靠性差D、焊點(diǎn)無(wú)方向答案：AB65.如何對(duì)燒氫爐石英管進(jìn)行清洗?()A、在清洗臺(tái)上先放水，標(biāo)準(zhǔn)為漫過石英管為準(zhǔn)B、倒入4L的HCl和2.5L的HF，混合后備用（注意戴上PVC手套，防止被酸腐蝕）C、將石英管放入溶液中浸泡4小時(shí)，中途通過設(shè)備不斷轉(zhuǎn)動(dòng)石英管D、將石英管放入去離子水中沖洗2小時(shí)，中途通過設(shè)備不斷轉(zhuǎn)動(dòng)石英管,清洗完成后，取出、晾干答案：ABCD66.能除去銅表面氧化的方法有？()A、酸洗B、水洗C、氫氣退火D、過甲苯答案：AC67.關(guān)于玻璃鑄壓說(shuō)法正確的？()A、根據(jù)我們所選用玻璃粉的不同成型方式也不同，目前我們玻璃成型主要分為熱鑄壓和冷鑄壓兩種。B、粉末狀玻璃一般都需要與石蠟按比例進(jìn)行加熱混合處理（簡(jiǎn)稱配料，配料后以塊狀進(jìn)行存放），然后在加熱的情況下進(jìn)行鑄壓成型，我們稱之為熱鑄壓。C、玻璃粉與石蠟經(jīng)過噴霧造粒后形成相應(yīng)不同目數(shù)的球狀顆粒，然后按目數(shù)大小進(jìn)行篩選分類，這類玻璃粉我們簡(jiǎn)稱為造粒粉D、造粒粉我們采用機(jī)械壓力鑄壓成型，我們稱之為冷鑄壓。答案：ABD68.“紫斑”和“白斑”這些金屬間化合物的形成會(huì)對(duì)產(chǎn)品可靠性帶來(lái)哪些危害？()A、器件接觸電阻會(huì)隨溫度的升高和時(shí)間積累日益增大B、器件性能也不斷退化C、鍵合強(qiáng)度也明顯下降D、嚴(yán)重時(shí)壓點(diǎn)會(huì)“脫鍵”開路答案：ABCD69.影響燒結(jié)質(zhì)量的因素有？()A、產(chǎn)品數(shù)量B、燒結(jié)工藝C、裝模質(zhì)量D、燒結(jié)人員答案：BC70.焊點(diǎn)開裂問題是鋁絲超聲鍵合與生俱來(lái)的缺陷，產(chǎn)生的主要原因是？()A、鍵合工藝參數(shù)設(shè)置不當(dāng)（如壓力及超聲功率過小或時(shí)間過短）B、鋁絲（如鋁絲過細(xì)）和劈刀（如劈刀太窄）選擇及匹配不當(dāng)C、鋁絲過期，氧化變脆，或局部損傷，使強(qiáng)度明顯下降D、劈刀端面缺陷（如弧度半徑太小或有棱邊）；劈刀端面與焊接面不平行答案：ABC71.按照制作工藝的不同，集成電路可分為()。A、專用集成電路B、MOS集成電路C、薄膜集成電路、厚膜集成電路D、數(shù)字集成電路答案：BC72.下列哪些參數(shù)符號(hào)是屬于場(chǎng)效應(yīng)晶體管參數(shù)符號(hào)？()A、BVDSSB、VTC、IDSSD、IGSS答案：ABCD73.下列哪些屬于鍵合引線要求范圍？()A、任意長(zhǎng)的絲卷繞在繞線軸上時(shí)，只能單層上卷式密繞，且每軸只繞一根，并在首尾注有標(biāo)記B、每軸絲材都應(yīng)有嚴(yán)格的包裝，以防止受損或沾污，并應(yīng)有規(guī)定的標(biāo)記；C、絲材必須存放在凈化環(huán)境中，最好在氮?dú)庀渲写娣乓员苊馕廴竞妥冑|(zhì)；D、絲材有保質(zhì)期答案：ABCD74.儲(chǔ)能焊工作過程中觀察放電火花的目的是()A、判定設(shè)備是否放電，防止漏封。B、觀察火花的亮度，判定放電是否正常。C、為封帽過程中一種有效的自檢方式。D、觀察火花的亮度，判定產(chǎn)品是否放正。答案：ABC75.1ppb等于多少()？A、十億分之一B、0.0000001%C、百萬(wàn)分之一D、0.00001%答案：AB76.功率晶體管主要電參數(shù)有：()A、集電極—基極擊穿電壓V(BR)CBOB、集電極-發(fā)射極飽和電壓VCEsatC、基極—發(fā)射極飽和電壓VBEsatD、正向電流傳輸比hFE答案：ABCD77.下列哪些材料屬于半導(dǎo)體材料()A、SiB、GC、GaAsD、SiC答案：ABCD78.封裝的外觀質(zhì)量有哪些要求()A、標(biāo)志清晰、耐久。B、引出端定位標(biāo)志明顯；無(wú)機(jī)械損傷、缺陷。C、外引線正直、完整；鎖層光亮、覆蓋完整。D、表面清潔。答案：ABCD79.當(dāng)發(fā)現(xiàn)裝模未滿足裝配要求應(yīng)該如何處理？()A、正常燒結(jié)B、返回裝模工序調(diào)整C、自行調(diào)整D、隔離到不合格區(qū)答案：BCD80.固體廢物主要有那些處理方法()A、資源回收B、無(wú)害化處置C、減量化處理D、以上E、B項(xiàng)都是答案：ABC81.快恢復(fù)整流二極管的主要電參數(shù)有()。A、工作電壓VZB、反向電流IRC、正向電壓VD、反向恢復(fù)時(shí)間trr答案：BCD82.熱塑成型的關(guān)鍵參數(shù)有哪些？(()A、E)B、合模壓力、C、注塑壓力、D、注塑速度、E,固化時(shí)間答案：ABCD83.鈍化玻璃粉質(zhì)量驗(yàn)證一般有哪些項(xiàng)目()A、外觀檢驗(yàn)B、軟化溫度和析晶溫度C、熔凝玻璃膨脹系數(shù)D、芯片表面電荷鈍化能力E、電絕緣性答案：ABCDE84.采用帶金錫焊環(huán)的蓋板進(jìn)行熔封封帽的注意事項(xiàng)()A、蓋板與底座間的對(duì)位要準(zhǔn)確B、防止歪斜。C、使用真空熔封時(shí)，需要多次氣體置換，保證腔體內(nèi)氮?dú)獾募兌?。答案：ABC85.在遇到產(chǎn)品失效時(shí)，一般從具有共性方面及個(gè)性方面進(jìn)行原因查找，下列描述正確的是？()A、個(gè)性方面原因查找主要針對(duì)的是失效比例小時(shí)進(jìn)行B、設(shè)備是否穩(wěn)定，工作狀態(tài)是否調(diào)整到位屬于個(gè)性方面原因查找C、劈刀及安裝是否有問題屬于共性方面原因查找范圍D、產(chǎn)品失效的原因分析主要依靠于工藝員、檢驗(yàn)員，操作人員無(wú)需關(guān)注答案：ABCD86.晶體管按使用頻率范圍可分為哪些類()A、低頻晶體管B、中頻晶體管C、高頻晶體管D、微波晶體管答案：ACD87.對(duì)雙極型晶體管的開關(guān)參數(shù)為下列描述正確的是()A、td：以輸入波形上升沿為0點(diǎn)，輸出波形從0點(diǎn)到IC電流達(dá)到0、1倍最大IC電流的時(shí)間為上升延遲時(shí)間；B、tr：輸出波形的上升沿，從0、1倍最大IC電流到0、9倍最大IC電流的時(shí)間為上升時(shí)間；C、ts：輸出波形從上升沿的0、9倍最大IC電流到下降沿的0、9倍最大IC電流的時(shí)間為存儲(chǔ)時(shí)間；D、tE、輸出波形的下降沿，從0、9倍最大IC電流到0、1倍最大IC電流的時(shí)間為下降時(shí)間；答案：ABCD88.半導(dǎo)體組裝工藝有哪些工序()A、減薄B、劃片、分片C、裝片D、內(nèi)引線鍵合E、管殼封裝答案：ABCDE89.F型管座燒結(jié)過程中主要的不合格品分布有？()A、鉬片移位B、虛焊C、“太陽(yáng)花”D、引線歪答案：ABCD90.常用的電阻焊有哪些()A、點(diǎn)焊B、突緣電阻焊C、氬弧焊D、平行縫焊答案：ABD91.熱鑄壓脫模時(shí)描述正確的有：()A、將坯件用壓縮空氣吹冷后下入搪瓷盤中存放B、存放零件的搪瓷盤注意做好防護(hù)，避免料渣等其他雜質(zhì)進(jìn)入C、除掉的料頭需存放在潔凈的搪瓷盤中，以備使用。D、鑄壓模具溫度太低時(shí)需放置于鑄壓口加熱后再進(jìn)行鑄壓。答案：ABCD92.以下表示三極管漏電的參數(shù)符號(hào)正確的是()A、ICEOB、ICESC、ICEXD、IF答案：ABC93.燒氫工序產(chǎn)品燒結(jié)主要的控制參數(shù)是？()A、時(shí)間B、溫度C、氣氛D、室溫答案：ABC94.封裝失效常見模式有哪些()A、引線鍵合斷開，引線鍵合翹起、B、鍵合應(yīng)力過度，錯(cuò)鍵合，重復(fù)鍵合C、引線斷開，引線短路，引線腐蝕，D、外殼漏氣，密封外殼污染，外引線缺陷答案：ABCD95.下列事項(xiàng)和活動(dòng)需要經(jīng)過保密審查的是()。A、軍工產(chǎn)品參加展覽。B、涉密人員發(fā)表論文、著作或接受采訪。C、軍工單位發(fā)布科研生產(chǎn)或重大活動(dòng)信息。D、涉密單位內(nèi)部宣傳報(bào)道。答案：ABCD96.以下哪些是三極管的極限參數(shù)()A、ICMB、TJMC、IFSMD、Ptot答案：ABD97.生產(chǎn)過程中的不合格品該如何處理？()A、隔離B、放入不合格產(chǎn)品區(qū)C、做好標(biāo)識(shí)D、做好廢品記錄答案：ABCD98.安全生產(chǎn)事故處理“四不放過原則”是什么？()A、事故原因不查清不放過B、責(zé)任人員未處理不放過C、整改措施未落實(shí)不放過D、有關(guān)人員未受到教育不放過答案：ABCD99.在排蠟過程中的產(chǎn)品變形是何原因？()A、數(shù)量過多B、排蠟溫度過高C、鑄壓時(shí)鑄壓機(jī)內(nèi)溫度過高導(dǎo)致成型零件石蠟與玻料比例失衡D、環(huán)境溫度過高答案：ABC100.當(dāng)推模過程中突然氫氣壓力急劇下降，應(yīng)立即采取的措施是：()A、立即撥打電話，問明原因。B、立即快速的將爐內(nèi)零件推出爐體。C、立即關(guān)閉氫氣，充氮?dú)?。D、立即逃跑，避難。E、立即通知?dú)庹?，關(guān)閉氫氣，以避免因管道泄露而造成安全事故。答案：CE三、判斷題1.當(dāng)一塊半導(dǎo)體一部分為P區(qū)，另一部分為N區(qū)時(shí)，在他們的交界處所形成的穩(wěn)定空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A2.朝各個(gè)方向扯動(dòng)薄膜，拉開芯片的劃片線。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A3.二極管按用途分有檢波、整流和開關(guān)二極管等。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A4.工藝篩選可以提高器件的固有可靠性。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B5.在用鉬夾子裝架時(shí)，右手用鉬夾子將管座、焊料片、芯片、鋁箔及硅蓋板、石蓋板夾住固定A、正確B、錯(cuò)誤答案：B6.反向電流和擊穿電壓是表征晶體管性能的主要參數(shù)。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A7.DAD321劃片機(jī)開機(jī)前不必檢查法蘭是否安裝正確。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B8.計(jì)量合格的兩臺(tái)設(shè)備，測(cè)同一器件，測(cè)到的參數(shù)應(yīng)完全相同。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A9.DAD321劃片機(jī)關(guān)閉后至少需20秒后才能重新開啟。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B10.普通整流二極管可以用在高頻電路中。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B11.半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中，常見的酸、堿對(duì)人體和衣服都有強(qiáng)烈的腐蝕作用，但是蒸汽不會(huì)影響呼吸道。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B12.在安裝硅片時(shí)如果顯微鏡和軸防礙了硅片的安裝，應(yīng)用手動(dòng)軸驅(qū)動(dòng)鍵將其移開。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A13.晶體三極管根據(jù)導(dǎo)電類型可分為NPN管和PNP管。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A14.雪崩整流二極管除具有普通整流二極管的參數(shù)要求外，還要具備反向浪涌電流吸收能力。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A15.塑封封裝具有低成本、薄型化、工藝簡(jiǎn)單、適合自動(dòng)化生產(chǎn)、應(yīng)用范圍極廣等特點(diǎn)A、正確B、錯(cuò)誤答案：A16.2A、正確B、錯(cuò)誤答案：A17.裝模前鉬電極引線有沾污、氧化現(xiàn)象，也可裝模。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B18.溫度越高，二極管的反向恢復(fù)時(shí)間越大。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A19.如果圓片是{111}面片，在垂直于定位面方向劃片，只能由下向上進(jìn)行。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B20.裝模過程中要保持零件的清潔。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A21.對(duì)PN結(jié)施加的反向電壓增大到某一數(shù)值時(shí)反向電流突然開始迅速增加的現(xiàn)象稱為PN結(jié)的擊穿。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A22.晶體管三極管電流放大的條件是：發(fā)射極正偏，集電極反偏。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A23.使用真空吸筆吸取芯片時(shí)，可以直接將筆頭杵在芯片上，然后將芯片自然提起。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B24.在燒焊過程中，如模具在爐膛里被卡住，應(yīng)立即關(guān)“鏈速”開關(guān)，并通知工藝員妥善處理。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A25.典型的劃片工藝藝流程：圓片檢查→貼藍(lán)膜→藍(lán)膜加繃圈→金剛刀劃片→清洗→檢杳→干燥。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A26.卸架時(shí)應(yīng)將鉬夾子輕輕抬高取下，依次取下石英蓋板、硅蓋板。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A27.瞬態(tài)二極管的擊穿電壓越高越好。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A28.銅亮液不會(huì)與銅反應(yīng)。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B29.臺(tái)面鈍化材料一般有硅橡膠涂覆料、聚酰亞胺涂覆料、石墨粉涂覆料。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B30.劃片時(shí)固定藍(lán)膜的方法是真空吸附法。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A31.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B32.測(cè)試電流越大，二極管的擊穿電壓越高。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A33.將篩出的完整的芯片裝入芯片袋中放進(jìn)產(chǎn)品盒。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A34.氫氟酸具有弱酸性（比鹽酸、硝酸、硫酸弱得多）和很強(qiáng)的腐蝕性，化學(xué)清洗中主要利用它能腐蝕二氧化硅這一特點(diǎn)來(lái)腐蝕玻璃、石英及硅片表面的二氧化硅。氫氟酸能與二氧化硅作用生成易揮發(fā)的四氯化硅氣體，四氯化硅能進(jìn)一步與氫氟酸反應(yīng)，生成可溶性的絡(luò)合物六氟硅酸，六氟硅酸可用純水沖除，由此達(dá)到去除二氧化硅的目的.A、正確B、錯(cuò)誤答案：A35.涂粉所需生產(chǎn)用具必須每天處理。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A36.操作人員不需要接受培訓(xùn)考核。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B37.雜質(zhì)的固溶度與溫度有關(guān)。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A38.良好的潤(rùn)濕時(shí)，合金焊料固化后形成特有的凹形面。不潤(rùn)濕時(shí)，焊料固化后呈聚球形。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A39.半導(dǎo)體二極管的正向壓降隨溫度升高而減小,反向漏電流隨溫度升高而增大。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A40.用特定型號(hào)的的芯片篩子篩選芯片，篩掉不達(dá)規(guī)定圖形的芯片殘?jiān)?。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A41.鈍化玻璃的關(guān)鍵特性是玻璃中所含的固定電荷數(shù)量及類型。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A42.在芯片制造中選擇的金屬電極材料必須滿足所有對(duì)金屬電極材料的要求。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A43.劃道方向必須平行或垂直于圓片上的定位面，因?yàn)閳A片材料是晶體，只有沿著自身的解理面斷裂才是最容易和最精確的裂片方向，而且崩裂時(shí)碎末最少，刀痕兩側(cè)的繃裂縫最小。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A44.DW4822晶體管特性圖示儀能測(cè)二極管，還能測(cè)三極管、可控硅等。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A45.晶體管特性圖示儀是一種能在示波器熒光屏上直接觀察NPN型和PNP型晶體管的各種特性曲線簇的專用儀器。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A46.涂覆臺(tái)面鈍化材料前需要做的準(zhǔn)備工作有戴好手套、口罩、用乙醇棉球擦拭管芯存放箱、梳料條、梳料架。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A47.裝模前鉬電極引線有玷污、氧化現(xiàn)象，也可裝模。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B48.測(cè)試三極管的hFE值時(shí)，測(cè)得的值越大說(shuō)明三極管的放大倍數(shù)越大。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A49.用來(lái)保護(hù)管芯的鋁箔片面積可以小于芯片。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B50.劃片工藝使用的藍(lán)膜是一種雙面粘膠的藍(lán)色塑料膜。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B51.裝模的目的：將芯片、焊料和銅電極引線按裝模示意圖在石墨模具里進(jìn)行裝配，供燒焊。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A52.PN結(jié)可通過外延法、合金法、擴(kuò)散法、離子注入法形成。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B53.帶數(shù)字指示溫度的高溫箱的溫度，應(yīng)以計(jì)量過的溫度計(jì)的指示為準(zhǔn)。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A54.在PN結(jié)上加上反向電壓，改變反向電壓的大小，就可以控制PN結(jié)耗盡層的寬度。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A55.當(dāng)芯片面積≥6.25mm2（2.5mm×2.5mm），粘片機(jī)所用頂針必須是4根頂針A、正確B、錯(cuò)誤答案：A56.粘好硅片的鋼圈和膜要豎著，防止膜上沾染污垢。A、正確B