2025集成電路封裝技術(shù)1IntegratedCircuitPackagingTechnology晶圓減?。?）減薄1晶圓減薄的目的2晶圓減薄技術(shù)3晶圓減薄工序流程100mm125mm150mm200mm300mm12吋8吋6吋5吋4吋目前批量生產(chǎn)所用到的硅片尺寸都較大，為了硅片不易受到損害，在晶圓制造過程中其厚度會(huì)相應(yīng)地增加。而隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，集成電路芯片在集成度、速度和可靠性不斷提高的同時(shí)正向輕薄短小的方向發(fā)展。所以在封裝之前，要在晶圓背面進(jìn)行減薄操作。6吋晶圓厚度625um8吋晶圓厚度725um12吋晶圓厚度775um減?。和ㄟ^機(jī)械加工和化學(xué)反應(yīng)的方法對晶圓的背面的厚度進(jìn)行去除。1晶圓減薄的目的滿足劃片、壓焊等封裝工藝的要求；去掉晶圓背面的氧化物，保證芯片粘接時(shí)良好的黏結(jié)性；消除晶圓背面的擴(kuò)散層，防止寄生結(jié)的存在；減少串聯(lián)電阻和提高散熱性能，同時(shí)改善歐姆接觸。為什么要減薄減薄目的1晶圓減薄的目的散熱效率顯著提高，隨著芯片結(jié)構(gòu)越來越復(fù)雜，集成度越來越高，晶體管數(shù)量急劇增加，散熱已逐漸稱為影響芯片性能和壽命的關(guān)鍵因素。薄的芯片更有利于熱量從襯底導(dǎo)出。減小芯片封裝體積。微電子產(chǎn)品日益向輕薄短小的方向發(fā)展，厚度的減小也相應(yīng)地減小了芯片體積。減少芯片內(nèi)部應(yīng)力。芯片厚度越厚芯片工作過程中由于熱量的產(chǎn)生，使得芯片背面產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力。芯片熱量升高，基體層之間的熱差異性加劇，加大了芯片內(nèi)應(yīng)力，較大的內(nèi)應(yīng)力使芯片產(chǎn)生破裂。提高電氣性能。晶圓厚度越薄背面鍍金使地平面越近，器件高頻性能越好。提高劃片加工成品率。減薄硅片可以減輕封裝劃片時(shí)的加工量，避免劃片中產(chǎn)生崩邊、崩角等缺陷，降低芯片破損概率等。減薄后晶圓的優(yōu)點(diǎn)1晶圓減薄的目的通常要求晶圓厚度80um-300um功率MOSFET最小的的厚度可以達(dá)到15um晶圓的粗糙度一般在5~20nm晶圓的平整度：±3um減薄后晶圓的厚度1晶圓減薄的目的目前，硅片的背面減薄技術(shù)主要有磨削、研磨、化學(xué)機(jī)械拋光、干式拋光、電化學(xué)腐蝕、濕法腐蝕、等離子輔助化學(xué)腐蝕、常壓等離子腐蝕等。磨削研磨輪晶圓化學(xué)機(jī)械拋光晶圓研磨機(jī)械平臺(tái)研磨研磨輪晶圓背面減薄技術(shù)2晶圓減薄技術(shù)TAIKO（太鼓）工藝TAIKO工藝是增加硅片研磨后抗應(yīng)力作用機(jī)械強(qiáng)度的一種方法。在此工藝中對晶片進(jìn)行研削時(shí)，將保留晶片外圍的邊緣部分（約3mm），只對圓內(nèi)進(jìn)行研削薄型化。通過導(dǎo)入這項(xiàng)技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)降低薄型晶片的搬運(yùn)風(fēng)險(xiǎn)和減少翹曲的作用背面減薄技術(shù)2晶圓減薄技術(shù)設(shè)備減薄機(jī)：減薄機(jī)的關(guān)鍵位置便是它的減薄工作區(qū)，主要由載片臺(tái)、磨削砂輪組成，部分設(shè)備還會(huì)帶有修整砂輪，其功能是對磨削砂輪進(jìn)行精細(xì)修整。根據(jù)減薄機(jī)的自動(dòng)化程度，可以分為半自動(dòng)減薄機(jī)和全自動(dòng)減薄機(jī)。根據(jù)載片臺(tái)和磨削輪的相對位置和運(yùn)動(dòng)方向的不同，減薄機(jī)可以分為立式減薄機(jī)和臥式減薄機(jī)。立式臥式2晶圓減薄技術(shù)工藝檢測設(shè)備2晶圓減薄技術(shù)測厚儀晶圓非接觸式測厚儀半導(dǎo)體用晶圓硅Si、GaAs砷化鎵等，玻璃、金屬、化合物等的高精度非接觸式測厚。通過空氣背壓法可以進(jìn)行非接觸式測厚，不會(huì)造成劃痕和污染等損壞。不依賴于薄膜和顏色光澤等材料。鏡面透明或半透明均可測量工藝檢測設(shè)備2晶圓減薄技術(shù)光學(xué)輪廓儀一款用于對各種精密器件表面進(jìn)行亞納米級(jí)測量的檢測儀器。在集成電路行業(yè)，光學(xué)輪廓儀可以測量硅晶片或陶瓷晶片表面粗糙度；光學(xué)輪廓儀來料整理原始厚度測量上蠟/貼膜二次厚度測量減薄去蠟/去膜質(zhì)量檢查完成該批次晶圓的減薄操作之后，退出減薄程序，結(jié)束本次作業(yè)。同時(shí)需要整理并清潔儀器，保持工位的整潔，準(zhǔn)備下一次作業(yè)。3晶圓減薄工序流程背面減薄后晶圓光滑、無損傷晶圓減薄的質(zhì)量要求1）晶圓完整性（無破損）2）晶圓厚度精度及超薄化能力要求3）晶圓表面TTV值要求4）晶圓表面粗糙度要求5）晶圓表面損傷層厚度（SSD）要求6）晶圓厚度一致性要求3晶圓減薄工序流程4任務(wù)項(xiàng)目名稱封裝產(chǎn)業(yè)調(diào)研任務(wù)名稱

封裝產(chǎn)品市場調(diào)研任務(wù)要求1.任務(wù)開展要求(1)任務(wù)開展方式為個(gè)人完成。(2)所需資料自行收集。2.完成封裝產(chǎn)品的資料收集與整理3.提交封裝產(chǎn)品市場調(diào)研報(bào)告任務(wù)準(zhǔn)備1.知識(shí)準(zhǔn)備(1)封裝的概念。(2)封裝的技術(shù)領(lǐng)域。(3)封裝的功能。2.設(shè)備支持在該任務(wù)實(shí)施過程中需要準(zhǔn)備的工具包括：(1)儀表：無。(2)工具：電腦，書籍資料，網(wǎng)絡(luò)。工作步驟同學(xué)們獨(dú)自實(shí)施任務(wù)總結(jié)與提高完成調(diào)研,提交”封裝產(chǎn)品調(diào)查表”總結(jié)為什么晶圓減薄減薄技術(shù)與設(shè)備減薄工序流程謝謝觀看20252025集成電路封裝技術(shù)17IntegratedCircuitPackagingTechnology晶圓減?。?）減薄1晶圓減薄的目的2晶圓減薄技術(shù)3晶圓減薄工序流程100mm125mm150mm200mm300mm12吋8吋6吋5吋4吋目前批量生產(chǎn)所用到的硅片尺寸都較大，為了硅片不易受到損害，在晶圓制造過程中其厚度會(huì)相應(yīng)地增加。而隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，集成電路芯片在集成度、速度和可靠性不斷提高的同時(shí)正向輕薄短小的方向發(fā)展。所以在封裝之前，要在晶圓背面進(jìn)行減薄操作。6吋晶圓厚度625um8吋晶圓厚度725um12吋晶圓厚度775um減?。和ㄟ^機(jī)械加工和化學(xué)反應(yīng)的方法對晶圓的背面的厚度進(jìn)行去除。1晶圓減薄的目的滿足劃片、壓焊等封裝工藝的要求；去掉晶圓背面的氧化物，保證芯片粘接時(shí)良好的黏結(jié)性；消除晶圓背面的擴(kuò)散層，防止寄生結(jié)的存在；減少串聯(lián)電阻和提高散熱性能，同時(shí)改善歐姆接觸。為什么要減薄減薄目的1晶圓減薄的目的散熱效率顯著提高，隨著芯片結(jié)構(gòu)越來越復(fù)雜，集成度越來越高，晶體管數(shù)量急劇增加，散熱已逐漸稱為影響芯片性能和壽命的關(guān)鍵因素。薄的芯片更有利于熱量從襯底導(dǎo)出。減小芯片封裝體積。微電子產(chǎn)品日益向輕薄短小的方向發(fā)展，厚度的減小也相應(yīng)地減小了芯片體積。減少芯片內(nèi)部應(yīng)力。芯片厚度越厚芯片工作過程中由于熱量的產(chǎn)生，使得芯片背面產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力。芯片熱量升高，基體層之間的熱差異性加劇，加大了芯片內(nèi)應(yīng)力，較大的內(nèi)應(yīng)力使芯片產(chǎn)生破裂。提高電氣性能。晶圓厚度越薄背面鍍金使地平面越近，器件高頻性能越好。提高劃片加工成品率。減薄硅片可以減輕封裝劃片時(shí)的加工量，避免劃片中產(chǎn)生崩邊、崩角等缺陷，降低芯片破損概率等。減薄后晶圓的優(yōu)點(diǎn)1晶圓減薄的目的通常要求晶圓厚度80um-300um功率MOSFET最小的的厚度可以達(dá)到15um晶圓的粗糙度一般在5~20nm晶圓的平整度：±3um減薄后晶圓的厚度1晶圓減薄的目的目前，硅片的背面減薄技術(shù)主要有磨削、研磨、化學(xué)機(jī)械拋光、干式拋光、電化學(xué)腐蝕、濕法腐蝕、等離子輔助化學(xué)腐蝕、常壓等離子腐蝕等。磨削研磨輪晶圓化學(xué)機(jī)械拋光晶圓研磨機(jī)械平臺(tái)研磨研磨輪晶圓背面減薄技術(shù)2晶圓減薄技術(shù)TAIKO（太鼓）工藝TAIKO工藝是增加硅片研磨后抗應(yīng)力作用機(jī)械強(qiáng)度的一種方法。在此工藝中對晶片進(jìn)行研削時(shí)，將保留晶片外圍的邊緣部分（約3mm），只對圓內(nèi)進(jìn)行研削薄型化。通過導(dǎo)入這項(xiàng)技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)降低薄型晶片的搬運(yùn)風(fēng)險(xiǎn)和減少翹曲的作用背面減薄技術(shù)2晶圓減薄技術(shù)設(shè)備減薄機(jī)：減薄機(jī)的關(guān)鍵位置便是它的減薄工作區(qū)，主要由載片臺(tái)、磨削砂輪組成，部分設(shè)備還會(huì)帶有修整砂輪，其功能是對磨削砂輪進(jìn)行精細(xì)修整。根據(jù)減薄機(jī)的自動(dòng)化程度，可以分為半自動(dòng)減薄機(jī)和全自動(dòng)減薄機(jī)。根據(jù)載片臺(tái)和磨削輪的相對位置和運(yùn)動(dòng)方向的不同，減薄機(jī)可以分為立式減薄機(jī)和臥式減薄機(jī)。立式臥式2晶圓減薄技術(shù)工藝檢測設(shè)備2晶圓減薄技術(shù)測厚儀晶圓非接觸式測厚儀半導(dǎo)體用晶圓硅Si、GaAs砷化鎵等，玻璃、金屬、化合物等的高精度非接觸式測厚。通過空氣背壓法可以進(jìn)行非接觸式測厚，不會(huì)造成劃痕和污染等損壞。不依賴于薄膜和顏色光澤等材料。鏡面透明或半透明均可測量工藝檢測設(shè)備2晶圓減薄技術(shù)光學(xué)輪廓儀一款用于對各種精密器件表面進(jìn)行亞納米級(jí)測量的檢測儀器。在集成電路行業(yè)，光學(xué)輪廓儀可以測量硅晶片或陶瓷晶片表面粗糙度；光學(xué)輪廓儀來料整理原始厚度測量上蠟/貼膜二次厚度測量減薄去蠟/去膜質(zhì)量檢查完成該批次晶圓的減薄操作之后，退出減薄程序，結(jié)束本次作業(yè)。同時(shí)需要整理并清潔儀器，保持工位的整潔，準(zhǔn)備下一次作業(yè)。3晶圓減薄工序流程背面減薄后晶圓光滑、無損傷晶圓減薄的質(zhì)量要求1）晶圓完整性（無破損）2）晶圓厚度精度及超薄化能力要求3）晶圓表面TTV值要求4）晶圓表面粗糙度要求5）晶圓表面損傷層厚度（SSD）要求6）晶圓厚度一致性要求3晶圓減薄工序流程自學(xué)任務(wù)：1）自學(xué)晶圓減薄機(jī)的操作步驟和操作注意事項(xiàng)2）參考資料：教科書52頁~53頁或者網(wǎng)絡(luò)3）每個(gè)人在作業(yè)本上書寫完成“晶圓減薄操作注意事項(xiàng)”，注意要寫學(xué)號(hào)和姓名4）完成時(shí)間：20分鐘6）提交形式：拍照發(fā)到課程群3晶圓減薄工序流程4任務(wù)項(xiàng)目名稱封裝產(chǎn)業(yè)調(diào)研任務(wù)名稱

封裝產(chǎn)品市場調(diào)研任務(wù)要求1.任務(wù)開展要求(1)任務(wù)開展方式為個(gè)人完成。(2)所需資料自行收集。2.完成封裝產(chǎn)品的資料