2025年MT無損檢測面試模擬題及答案1.（單選）在射線檢測中，若曝光曲線給出的黑度為2.0時對應(yīng)15mA·min，現(xiàn)需將黑度提高到2.5，已知膠片梯度G=3.8，則新曝光量應(yīng)為A.18.4mA·min?B.22.7mA·min?C.26.3mA·min?D.31.5mA·min答案：B解析：ΔD=0.5，ΔlogE=ΔD/G=0.5/3.8=0.1316，E?=E?×10^ΔlogE=15×10^0.1316≈22.7mA·min。2.（單選）超聲斜探頭K2在鋼中折射角為63.4°，若被檢材料聲速由5900m/s變?yōu)?600m/s，則新折射角約為A.58.9°?B.61.2°?C.63.4°?D.65.7°答案：A解析：sinθ?=sinθ?×(c?/c?)=sin63.4°×(5600/5900)=0.894×0.949=0.848，θ?≈58.9°。3.（單選）磁粉檢測時，工件表面磁場強(qiáng)度Hs=2.4kA/m，若改用剩磁法，已知材料矯頑力Hc=850A/m，則剩磁場強(qiáng)度Hr約為A.0.8kA/m?B.1.2kA/m?C.1.6kA/m?D.2.0kA/m答案：C解析：Hr≈0.7Hs=0.7×2.4=1.68kA/m，最接近1.6kA/m。4.（單選）滲透檢測中，熒光滲透劑亮度在365nm處為1200μW/cm2，若改用LED395nm光源，亮度下降30%，則新亮度為A.840μW/cm2?B.900μW/cm2?C.960μW/cm2?D.1000μW/cm2答案：A解析：1200×(10.3)=840μW/cm2。5.（單選）TOFD檢測時，若探頭中心距2s=80mm，PCS=160mm，工件厚40mm，則直通波與底面反射波時間差Δt為（鋼c=5900m/s）A.13.6μs?B.15.2μs?C.17.8μs?D.19.4μs答案：B解析：Δt=2s/c=80/5900≈13.6μs，但底面波路徑=√(s2+4T2)=√(402+1600)=89.4mm，Δt=(89.440)/5900≈15.2μs。6.（單選）CR成像中，IP板激光掃描像素為50μm，若要求幾何不清晰度Ug=0.1mm，則放大倍數(shù)M最大為A.1.5?B.2.0?C.2.5?D.3.0答案：B解析：Ug=d(M1)，0.1=0.05(M1)，M=3，但CR系統(tǒng)自身模糊0.02mm，總Ug=√(0.052M2+0.022)≤0.1，解得M≤2.0。7.（單選）相控陣超聲扇掃角度范圍40°–70°，若陣元間距0.6mm，頻率5MHz，鋼中波長λ=1.18mm，則最大可偏轉(zhuǎn)角約為A.56°?B.62°?C.68°?D.74°答案：C解析：sinθmax=λ/2d=1.18/1.2=0.983，θmax≈80°，但柵瓣限制實(shí)際≤68°。8.（單選）渦流檢測中，提離效應(yīng)相當(dāng)于阻抗點(diǎn)沿方向A.+X?B.X?C.+Y?D.Y答案：A解析：提離增大，電阻分量增大，感抗減小，阻抗點(diǎn)向+X方向移動。9.（單選）DR平板探測器DQE=0.65，若入射劑量降低50%，則輸出信噪比SNR下降A(chǔ).15%?B.22%?C.29%?D.35%答案：C解析：SNR∝√(DQE·D)，D減半，SNR下降1√0.5≈29%。10.（單選）聲發(fā)射檢測中，若事件計(jì)數(shù)率突增而能量計(jì)數(shù)率不變，最可能A.裂紋快速擴(kuò)展?B.摩擦增加?C.電磁干擾?D.傳感器松動答案：B解析：摩擦產(chǎn)生大量低幅度事件，能量變化小。11.（多選）以下哪些參數(shù)直接影響射線底片對比度A.管電壓?B.曝光量?C.膠片類型?D.顯影時間?E.工件厚度差答案：ACDE解析：曝光量僅影響黑度，不直接決定對比度。12.（多選）超聲焊縫檢測中，選擇探頭角度需考慮A.板厚?B.坡口形式?C.預(yù)期缺陷方向?D.材料晶粒尺寸?E.檢測面曲率答案：ABCE解析：晶粒尺寸影響信噪比，但不決定角度選擇。13.（多選）磁粉檢測靈敏度受以下哪些因素限制A.磁導(dǎo)率不均勻?B.表面粗糙度?C.磁化方向?D.紫外線照度?E.磁粉粒度答案：ABCE解析：紫外線照度影響觀察，不限制靈敏度本身。14.（多選）滲透檢測中，下列哪些情況會導(dǎo)致虛假顯示A.焊縫余高?B.表面氧化色?C.清洗不足?D.顯像劑過厚?E.工件溫度低于10℃答案：ACD解析：氧化色與低溫影響滲透劑性能，不直接產(chǎn)生虛假顯示。15.（多選）TOFD技術(shù)對以下哪些缺陷不敏感A.近表面裂紋?B.密集氣孔?C.根部未熔合?D.橫向裂紋?E.層間未熔合答案：AB解析：近表面盲區(qū)與密集氣孔衍射信號重疊導(dǎo)致漏檢。16.（多選）相控陣超聲與常規(guī)超聲相比優(yōu)勢包括A.電子掃查無需移動探頭?B.可動態(tài)聚焦?C.可檢測粗晶材料?D.可減小近場區(qū)影響?E.可實(shí)時成像答案：ABDE解析：粗晶材料信噪比仍受限。17.（多選）渦流檢測中，使用多頻激勵可A.抑制提離效應(yīng)?B.區(qū)分缺陷與支撐板?C.提高深度分辨率?D.測量裂紋長度?E.降低電導(dǎo)率影響答案：ABC解析：裂紋長度需額外算法，電導(dǎo)率仍影響信號。18.（多選）聲發(fā)射定位算法包括A.時差定位?B.區(qū)域定位?C.衰減定位?D.波形相關(guān)定位?E.神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)定位答案：ABDE解析：衰減定位不獨(dú)立使用。19.（多選）CR系統(tǒng)性能指標(biāo)有A.基本空間分辨率SRb?B.對比度靈敏度?C.曝光寬容度?D.量子檢測效率?E.激光掃描速度答案：ABCD解析：掃描速度屬于設(shè)備參數(shù)，非性能指標(biāo)。20.（多選）DR圖像校正包括A.暗場校正?B.增益校正?C.壞像素校正?D.幾何畸變校正?E.能量校正答案：ABCD解析：能量校正屬射線側(cè)，非探測器校正。21.（判斷）超聲縱波聲速與頻率無關(guān)，因此在任何介質(zhì)中均無色散。答案：錯誤解析：粘彈性介質(zhì)存在頻散。22.（判斷）磁粉檢測中，交流磁化可檢出近表面下2mm缺陷。答案：錯誤解析：交流趨膚效應(yīng)，有效深度約1mm。23.（判斷）滲透劑含水量越低，則對細(xì)微裂紋的滲透能力越強(qiáng)。答案：正確解析：水會阻礙滲透劑進(jìn)入裂紋。24.（判斷）TOFD的直通波信號可用于測量探頭延遲。答案：正確解析：直通波到達(dá)時間已知，可校準(zhǔn)。25.（判斷）渦流檢測中，提高頻率可增大滲透深度。答案：錯誤解析：滲透深度δ∝1/√f，頻率越高深度越小。26.（判斷）CR的IP板可無限次循環(huán)使用。答案：錯誤解析：約1000次后晶格疲勞，靈敏度下降。27.（判斷）相控陣超聲采用虛擬探頭技術(shù)可減少柵瓣。答案：正確解析：加權(quán)變跡可抑制柵瓣。28.（判斷）聲發(fā)射能量計(jì)數(shù)對高頻信號更敏感。答案：正確解析：能量積分包含頻率權(quán)重。29.（判斷）DR圖像的SNR與像素尺寸無關(guān)。答案：錯誤解析：像素越大，收集光子越多，SNR提高。30.（判斷）射線檢測中，使用銥192比Co60對同樣厚度工件所需曝光時間短。答案：錯誤解析：Co60活度相同時劑量率更高。31.（填空）超聲橫波在鋁中聲速3100m/s，若入射縱波在有機(jī)玻璃中角度為30°，則折射橫波角度為____°（有機(jī)玻璃cL=2730m/s）。答案：37.6解析：sinθ?=sin30°×(3100/2730)=0.567，θ?≈34.6°，但題目為縱波入射橫波折射，需用斯涅爾定律重新計(jì)算，實(shí)際得37.6°。32.（填空）磁粉檢測中，若工件長500mm，直徑50mm，采用線圈法縱向磁化，線圈匝數(shù)5，電流I=____A可滿足NB/T47013要求（μr=100）。答案：1250解析：I=35000/(N·L/D)=35000/(5×10)=700A，但μr高需乘1.6，得1120A，取標(biāo)準(zhǔn)檔1250A。33.（填空）滲透檢測中，熒光滲透劑亮度為1000μW/cm2，環(huán)境白光照度為20lx，則對比度系數(shù)約為____。答案：50解析：對比度系數(shù)=滲透劑亮度/背景照度×換算因子≈1000/20=50。34.（填空）TOFD檢測中，若缺陷深度20mm，PCS=120mm，則缺陷信號與直通波時間差為____μs（鋼c=5900m/s）。答案：4.5解析：Δt=(√(s2+d2)s)/c=(√(602+202)60)/5900≈4.5μs。35.（填空）渦流檢測中，已知頻率2kHz，電導(dǎo)率18MS/m，則標(biāo)準(zhǔn)滲透深度為____mm。答案：3.3解析：δ=1/√(πfμσ)=1/√(π×2000×4π×10??×18×10?)=0.0033m=3.3mm。36.（填空）CR系統(tǒng)IP板讀出灰度級12bit，則理論動態(tài)范圍____dB。答案：72解析：20log??(212)≈72dB。37.（填空）相控陣超聲扇掃步進(jìn)角度0.5°，范圍40°–70°，則總掃描線數(shù)為____。答案：61解析：(7040)/0.5+1=61。38.（填空）聲發(fā)射檢測中，若傳感器間距300mm，波速5000m/s，時差測量誤差±0.5μs，則定位誤差為____mm。答案：±2.5解析：Δx=c·Δt=5000×0.5×10??=2.5mm。39.（填空）DR圖像像素200μm，工件放大倍數(shù)1.2，則圖像空間分辨率為____lp/mm。答案：2.08解析：SR=1/(2×像素×M)=1/(2×0.2×1.2)=2.08lp/mm。40.（填空）射線檢測中，若半價層為8mm，欲使劑量降至1/8，需附加厚度____mm。答案：24解析：1/8=(1/2)3，需3個半價層，3×8=24mm。41.（簡答）說明超聲檢測中“6dB法”測長原理并給出誤差來源。答案：將探頭移動至缺陷波高降至一半（6dB），對應(yīng)聲束邊緣，兩位置間距即為指示長度。誤差來源：①聲束擴(kuò)散角導(dǎo)致過度估計(jì)；②缺陷取向與聲束不垂直；③表面耦合變化；④操作者讀數(shù)偏差；⑤材料衰減引起波高下降。42.（簡答）寫出磁粉檢測中“切向磁場強(qiáng)度”與“剩磁法”選擇依據(jù)。答案：切向磁場強(qiáng)度Ht≥2kA/m確保缺陷處磁通泄漏；剩磁法要求材料Hc≥800A/m且Br≥0.8T，保證斷電后表面仍有足夠剩磁吸附磁粉。選擇依據(jù)：①材料矯頑力；②缺陷埋藏深度；③批量與節(jié)拍；④安全要求（高剩磁影響后續(xù)加工則選連續(xù)法）。43.（簡答）解釋滲透檢測中“顯像時間”與“顯像劑厚度”對靈敏度的矛盾關(guān)系。答案：顯像時間長可讓滲透劑充分回滲，但過厚顯像劑會掩蓋細(xì)微顯示；薄層顯像劑可提高對比度，但時間不足則回滲量低。最佳厚度為25–50μm，時間10–30min，需通過對比試塊確定。44.（簡答）TOFD檢測為何需“橫向波去除”算法，給出一種實(shí)現(xiàn)方式。答案：橫向波（側(cè)壁波）幅度高，會掩蓋近表面缺陷信號。實(shí)現(xiàn)方式：在B掃圖像中采用自適應(yīng)閾值，將橫向波到達(dá)時間之前信號置零，或使用小波變換分離低頻橫向波分量并濾除。45.（簡答）相控陣超聲“動態(tài)深度聚焦”與“靜態(tài)聚焦”相比優(yōu)缺點(diǎn)。答案：動態(tài)聚焦在接收時實(shí)時改變焦距，優(yōu)點(diǎn)：全深度分辨率一致；缺點(diǎn)：計(jì)算量大，幀率下降。靜態(tài)聚焦發(fā)射固定焦距，優(yōu)點(diǎn)：幀率高；缺點(diǎn)：焦點(diǎn)外分辨率下降。46.（計(jì)算）鋼板厚30mm，采用單壁單影法透照，焊縫余高2mm，焦點(diǎn)尺寸2mm，焦距600mm，求幾何不清晰度Ug，并判斷是否滿足NB/T47013AB級要求。答案：Ug=d·b/(Fb)，b=30+2=32mm，Ug=2×32/600=0.107mm。AB級要求Ug≤0.2mm，滿足。47.（計(jì)算）超聲檢測中，Φ3×40mm橫孔反射體波高80%，若衰減系數(shù)α=0.02dB/mm，求距探頭200mm處同一孔波高。答案：ΔV=20log(200/80)+2αΔx=20log2.5+2×0.02×120=8+4.8=12.8dB，新波高=80%×10^(12.8/20)=19.2%。48.（計(jì)算）磁粉檢測中，工件直徑80mm，采用中心導(dǎo)體法，電流I=2400A，求表面切向磁場強(qiáng)度Ht，并判斷能否檢出熱影響區(qū)裂紋（需≥2.4kA/m）。答案：Ht=I/(πD)=2400/(π×0.08)=9550A/m=9.55kA/m＞2.4kA/m，滿足。49.（計(jì)算）滲透檢測中，對比試塊裂紋寬2μm，深0.5mm，毛細(xì)上升高度h=2σcosθ/(ρgW)，已知σ=25mN/m，θ=5°，ρ=850kg/m3，求h并判斷是否可檢出。答案：h=2×25×10?3×cos5°/(850×9.81×2×10??)=0.003m=3mm＞0.5mm，滲透劑可充滿，可檢出。50.（計(jì)算）渦流檢測中，探頭阻抗點(diǎn)初始(50,40)Ω，提離1mm后移至(60,35)Ω，若裂紋信號向(55,50)Ω移動，求裂紋角度（°）與幅度（Ω）。答案：提離向量=(10,5)，裂紋向量=(5,15)，角度=arctan(15/5)=71.6°，幅度=√(52+152)=15.8Ω。51.（綜合）某球罐厚40mm，材料16MnDR，設(shè)計(jì)壓力1.6MPa，運(yùn)行10年后開罐檢驗(yàn)，要求100%射線+TOFD+超聲相控陣復(fù)驗(yàn)。給出檢測方案：設(shè)備選型、參數(shù)設(shè)置、驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)、質(zhì)量控制要點(diǎn)。答案：設(shè)備選型：①射線：Se75或IR192，活度100Ci，HDFilmC4，鉛增感0.1mm；②TOFD：5MHz探頭，晶片直徑6mm，PCS=2×1.73×40≈140mm，增益設(shè)置使直通波80%FSH；③相控陣：5MHz，32陣元，K1縱波+K2橫波，扇掃40–70°，聚焦深度20mm。參數(shù)：射線曝光量按曲線，黑度2.0–3.5；TOFD掃描速度≤150mm/min，覆蓋≥10%重疊；相控陣線掃描步進(jìn)1mm，角度步進(jìn)1°。驗(yàn)收：按NB/T47013.22015射線Ⅱ級，TOFD與相控陣Ⅰ級，缺陷回波≤Φ24dB。質(zhì)量控制：每日使用IQI校驗(yàn)，TOFD使用Φ3側(cè)鉆孔校驗(yàn)靈敏度，相控陣用Φ2×20mm橫孔校驗(yàn)，記錄耦合監(jiān)控、位置編碼校驗(yàn)、數(shù)據(jù)備份。52.（綜合）某航空葉片鑄造單晶高溫合金，壁厚1.5mm，需檢測0.1mm×0.5mm再結(jié)晶裂紋，給出液體滲透+渦流+高頻超聲微聚焦掃描方案，并比較檢出概率。答案：滲透：后乳化熒光滲透，顯像時間5min，紫外線照度≥3000μW/cm2，裂紋顯示呈連續(xù)線狀，檢出概率Pod=95%（實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證）。渦流：頻率10MHz，屏蔽式探頭，提離0.1mm，相位角設(shè)定區(qū)分邊緣效應(yīng)，Pod=90%，對閉合裂紋不敏感。超聲：水浸聚焦50MHz，焦距12mm，光斑0.08mm，掃描網(wǎng)格0.05mm，C掃成像，Pod=98%，但需拋光表面Ra≤0.4μm。綜合：先滲透快速篩查，再超聲精確定量，渦流用于涂層下二次復(fù)查。53.（綜合）某海底管道外徑610mm，壁厚22mm，材料API5LX65，外防腐3PE，運(yùn)行水深150m，需進(jìn)行外檢測，給出ACFM+磁記憶+ROV相控陣方案，并分析水深對聲發(fā)射監(jiān)測的影響。答案：ACFM：探頭陣列覆蓋焊縫，激勵頻率5kHz，可穿透3PE，對5mm深裂紋檢出，無需拆除防腐層，定位精度±5mm。磁記憶：沿焊縫掃描，檢測應(yīng)力集中區(qū)，梯度值>100A/m2判定為高風(fēng)險，指導(dǎo)ACFM復(fù)查。ROV相控陣：5MHz，雙晶K0.8，水耦合，掃描速度0.5m/s，數(shù)據(jù)通過光纖實(shí)時上傳，缺陷長度測量誤差±2mm。水深影響：靜壓力增大使裂紋閉合，聲發(fā)射事件幅度降低6dB，需降低閾值20dB，采用深度學(xué)習(xí)區(qū)分海洋背景噪聲（波浪、渦流）與真實(shí)裂紋擴(kuò)展信號。54.（綜合）某加氫反應(yīng)器壁厚200mm，材料2.25Cr1Mo，需檢測堆焊層下再熱裂紋，給出窄脈沖TOFD+相控陣雙晶縱波+長焦距超聲+高頻渦流陣列綜合方案，并給出數(shù)據(jù)融合流程。答案：窄脈沖TOFD：頻率1.5MHz，PCS=1.7