2025年物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合測(cè)試題及答案一、選擇題（每小題3分，共45分）1.下列基態(tài)原子的價(jià)電子排布式中，未成對(duì)電子數(shù)最多的是（）A.Cr[Ar]3d?4s1B.Fe[Ar]3d?4s2C.Cu[Ar]3d1?4s1D.Mn[Ar]3d?4s22.已知短周期元素X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大，X的2p軌道半充滿，Y的第一電離能大于同周期相鄰元素，Z的單質(zhì)為黃綠色氣體。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）A.X的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物為強(qiáng)酸B.Y的簡(jiǎn)單氫化物分子間存在氫鍵C.Z的電負(fù)性大于X和YD.基態(tài)Z原子的電子排布式為[Ne]3s23p?3.下列分子中，鍵角由大到小排列正確的是（）①BF?②H?O③NH?④CH?A.①＞④＞③＞②B.④＞①＞③＞②C.①＞③＞④＞②D.④＞③＞①＞②4.某離子晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示（圖中未畫(huà)出），其中陽(yáng)離子A位于頂點(diǎn)和面心，陰離子B位于棱心和體心。已知晶胞參數(shù)為apm，A的摩爾質(zhì)量為M?g/mol，B的摩爾質(zhì)量為M?g/mol，阿伏伽德羅常數(shù)為N?。則該晶體的密度為（）A.(4M?+4M?)/(N?·a3×10?3?)g/cm3B.(3M?+M?)/(N?·a3×10?3?)g/cm3C.(M?+3M?)/(N?·a3×10?3?)g/cm3D.(2M?+2M?)/(N?·a3×10?3?)g/cm35.下列物質(zhì)中，分子間僅存在范德華力，且溶于水后可形成氫鍵的是（）A.CH?CH?OHB.HCHOC.CCl?D.HF6.關(guān)于CO?和CS?的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）A.兩者均為非極性分子B.CS?的沸點(diǎn)高于CO?，因?yàn)镃S?的相對(duì)分子質(zhì)量更大C.中心原子均為sp雜化D.分子中σ鍵與π鍵數(shù)目之比為1:17.某配合物的化學(xué)式為[Co(NH?)?(H?O)Cl]Cl?，下列說(shuō)法正確的是（）A.中心離子的配位數(shù)為4B.外界Cl?的數(shù)目為2C.1mol該配合物最多可與3molAgNO?反應(yīng)D.內(nèi)界中H?O的配位原子是H8.下列離子的極化能力由強(qiáng)到弱的順序是（）①M(fèi)g2?②Al3?③Na?④K?A.②＞①＞③＞④B.①＞②＞④＞③C.③＞④＞①＞②D.④＞③＞①＞②9.下列分子中存在手性碳原子的是（）A.CH?CH(OH)CH?CH?B.CH?Cl?C.CH?CH?CH?OHD.HOOCCH?COOH10.已知某元素M的逐級(jí)電離能（kJ/mol）為：I?=578，I?=1817，I?=2745，I?=11575。則M在化合物中常見(jiàn)的化合價(jià)為（）A.+1B.+2C.+3D.+411.下列晶體中，屬于原子晶體且含有非極性共價(jià)鍵的是（）A.SiO?B.SiCC.C??D.金剛石12.用分子軌道理論判斷，下列分子或離子中鍵級(jí)最大的是（）A.O?B.O??C.O??D.O?2?13.下列關(guān)于氫鍵的說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）A.鄰羥基苯甲醛的沸點(diǎn)低于對(duì)羥基苯甲醛B.冰中氫鍵的數(shù)目比液態(tài)水多C.NH?易溶于水與氫鍵有關(guān)D.氫鍵的強(qiáng)度與范德華力相當(dāng)14.已知某金屬晶體為面心立方堆積（FCC），原子半徑為r，則晶胞參數(shù)a與r的關(guān)系為（）A.a=2rB.a=2√2rC.a=4r/√3D.a=√3r15.下列電子躍遷中，釋放能量最多的是（）A.n=4→n=1（氫原子）B.n=3→n=1（氫原子）C.n=4→n=2（氫原子）D.n=5→n=2（氫原子）二、填空題（每空2分，共30分）16.基態(tài)釩（V）原子的價(jià)電子排布式為_(kāi)_____，其M能層有______個(gè)電子。17.比較下列物質(zhì)的熔沸點(diǎn)（填“＞”或“＜”）：①M(fèi)gO______NaCl（晶格能）；②H?S______H?O（分子間作用力）；③SiO?______CO?（晶體類型）。18.寫出ClO??的空間構(gòu)型______，中心原子的雜化方式為_(kāi)_____。19.某離子晶體的化學(xué)式為AB?，晶胞中A位于頂點(diǎn)和體心，B位于面心。則每個(gè)晶胞中含A原子______個(gè)，B原子______個(gè)。20.寫出NH?與Cu2?形成的配離子的化學(xué)式______，該配離子中存在的化學(xué)鍵類型有______（填序號(hào)：①離子鍵②共價(jià)鍵③配位鍵）。21.已知HCN分子中σ鍵與π鍵數(shù)目之比為_(kāi)_____，分子的極性為_(kāi)_____（填“極性”或“非極性”）。22.某金屬晶體的堆積方式為體心立方堆積（BCC），其配位數(shù)為_(kāi)_____；若原子半徑為r，晶胞參數(shù)為a，則r與a的關(guān)系為_(kāi)_____。三、簡(jiǎn)答題（共30分）23.（6分）解釋N的第一電離能大于O的原因。24.（6分）比較CH?OH和CH?OCH?的熔沸點(diǎn)高低，并說(shuō)明理由。25.（6分）判斷NF?分子的極性，并解釋其與NH?鍵角差異的原因。26.（6分）已知[Fe(H?O)?]3?呈淡紫色，而[Fe(CN)?]3?呈血紅色，分析顏色差異的原因。27.（6分）解釋AgF易溶于水，而AgI難溶于水的原因（用離子極化理論）。四、計(jì)算題（共45分）28.（9分）某離子晶體的晶胞為立方體，邊長(zhǎng)為0.566nm，密度為3.99g/cm3。已知該晶體的化學(xué)式為AB（A為+2價(jià)，B為-2價(jià)），A的摩爾質(zhì)量為40g/mol，求B的摩爾質(zhì)量（N?=6.02×1023mol?1）。29.（9分）已知H-H鍵能為436kJ/mol，Cl-Cl鍵能為243kJ/mol，H-Cl鍵能為431kJ/mol。計(jì)算反應(yīng)H?(g)+Cl?(g)=2HCl(g)的ΔH。30.（9分）某元素原子的電子排布式為[Ar]3d?4s2，計(jì)算其第三電離能與第二電離能的比值（已知：失去4s電子的電離能為I?、I?，失去3d電子的電離能為I?）。31.（9分）用分子軌道理論計(jì)算O??的鍵級(jí)，并判斷其磁性（順磁或反磁）。32.（9分）已知Li?、Na?、K?的半徑分別為76pm、102pm、138pm，比較三者的水合熱（ΔH水合）大小，并說(shuō)明理由。答案一、選擇題1.D2.A3.A4.A5.B6.D7.B8.A9.A10.C11.D12.B13.D14.B15.A二、填空題16.3d34s2；1117.＞；＜；＞18.V形；sp319.2；320.[Cu(NH?)?]2?；②③21.1:1；極性22.8；a=4r/√3三、簡(jiǎn)答題23.N原子的2p軌道為半充滿（2p3），能量較低，更穩(wěn)定；O原子的2p軌道為2p?，失去1個(gè)電子后形成半充滿結(jié)構(gòu)，故N的第一電離能大于O。24.CH?OH＞CH?OCH?；CH?OH分子間存在氫鍵，而CH?OCH?分子間僅存在范德華力，氫鍵的作用力強(qiáng)于范德華力，故CH?OH熔沸點(diǎn)更高。25.NF?為極性分子（N-F鍵有極性，分子空間構(gòu)型為三角錐形，正負(fù)電荷中心不重合）；NF?中F的電負(fù)性大于N，成鍵電子對(duì)更靠近F，電子對(duì)間斥力減小，鍵角小于NH?（NH?中N的電負(fù)性大于H，成鍵電子對(duì)更靠近N，斥力較大）。26.兩種配離子的配體不同，CN?的場(chǎng)強(qiáng)大于H?O，導(dǎo)致[Fe(CN)?]3?的晶體場(chǎng)分裂能（Δ）更大，電子躍遷吸收的光波長(zhǎng)更短（能量更高），反射光波長(zhǎng)更長(zhǎng)（血紅色），而[Fe(H?O)?]3?吸收波長(zhǎng)較長(zhǎng)的光，反射淡紫色光。27.Ag?為18電子構(gòu)型，極化能力強(qiáng)；F?半徑小，變形性小，AgF以離子鍵為主，易溶于水；I?半徑大，變形性大，Ag?與I?間發(fā)生強(qiáng)烈極化，鍵型由離子鍵向共價(jià)鍵過(guò)渡，AgI共價(jià)性強(qiáng)，難溶于水。四、計(jì)算題28.晶胞體積V=(0.566×10??cm)3≈1.81×10?22cm3；晶胞質(zhì)量m=ρV=3.99g/cm3×1.81×10?22cm3≈7.22×10?22g；AB的摩爾質(zhì)量M=m×N?=7.22×10?22g×6.02×1023mol?1≈434.6g/mol；B的摩爾質(zhì)量=434.6-40=394.6g/mol（注：實(shí)際可能為數(shù)據(jù)設(shè)計(jì)問(wèn)題，合理即可）。29.ΔH=反應(yīng)物鍵能總和-提供物鍵能總和=(436+243)-2×431=679-862=-183kJ/mol。30.該元素為Fe，價(jià)電子排布為3d?4s2。I?、I?為失去4s電子的電離能（4s2→4s1→4s?），I?為失去3d電子的電離能（3d?→3d?）。由于3d軌道能量低于4s（填充后），且失去4s電子后，有效核電荷增大，I?＞I?，比值約為I?/I?≈2745/1817≈1.51（以F