電子元件測試系列晶體管性能測試題及答案一、選擇題（每題2分，共10題）1.晶體管的三個工作區(qū)分別是（）。A.放大區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)B.放大區(qū)、飽和區(qū)、反向區(qū)C.放大區(qū)、飽和區(qū)、反向放大區(qū)D.放大區(qū)、飽和區(qū)、反向截止區(qū)2.晶體管處于飽和狀態(tài)時，其集電極電流（）。A.最大B.最小C.零D.無法確定3.晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)時，其基極電流（）。A.最大B.最小C.零D.無法確定4.晶體管的電流放大系數(shù)β是指（）。A.集電極電流與基極電流之比B.基極電流與集電極電流之比C.發(fā)射極電流與基極電流之比D.集電極電流與發(fā)射極電流之比5.晶體管的輸入電阻是指（）。A.基極與發(fā)射極之間的電阻B.集電極與發(fā)射極之間的電阻C.基極與集電極之間的電阻D.基極與電源之間的電阻二、填空題（每空1分，共10空）1.晶體管是一種半導(dǎo)體器件，具有三個電極，分別是______、______和______。2.晶體管的工作區(qū)包括______、______和______。3.晶體管處于放大狀態(tài)時，其發(fā)射結(jié)和集電結(jié)分別處于______和______。4.晶體管處于飽和狀態(tài)時，其發(fā)射結(jié)和集電結(jié)分別處于______和______。5.晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)時，其發(fā)射結(jié)和集電結(jié)分別處于______和______。6.晶體管的電流放大系數(shù)β通常在______之間。7.晶體管的輸入電阻通常在______之間。8.晶體管的輸出電阻通常在______之間。9.晶體管的開關(guān)特性是指其在______和______狀態(tài)下的性能。10.晶體管的頻率特性是指其在______下的性能。三、簡答題（每題5分，共5題）1.簡述晶體管的放大原理。2.簡述晶體管的開關(guān)特性。3.簡述晶體管的頻率特性。4.簡述晶體管的溫度特性。5.簡述晶體管的偏置電路的作用。四、計算題（每題10分，共2題）1.某晶體管的電流放大系數(shù)β為100，基極電流IB為10μA，求集電極電流IC。2.某晶體管的輸入電阻為1kΩ，輸出電阻為50Ω，輸入電壓為1V，求輸出電壓。答案及解析一、選擇題答案及解析1.答案：A解析：晶體管的三個工作區(qū)分別是放大區(qū)、飽和區(qū)和截止區(qū)。放大區(qū)用于放大信號，飽和區(qū)用于開關(guān)電路，截止區(qū)用于關(guān)閉電路。2.答案：A解析：晶體管處于飽和狀態(tài)時，集電極電流達(dá)到最大值，接近電源電壓。3.答案：C解析：晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)時，基極電流為零，集電極電流也非常小，接近于零。4.答案：A解析：晶體管的電流放大系數(shù)β是指集電極電流與基極電流之比，表示晶體管放大信號的能力。5.答案：A解析：晶體管的輸入電阻是指基極與發(fā)射極之間的電阻，表示晶體管對輸入信號的阻礙程度。二、填空題答案及解析1.答案：基極、集電極、發(fā)射極解析：晶體管有三個電極，分別是基極、集電極和發(fā)射極。2.答案：放大區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)解析：晶體管的工作區(qū)包括放大區(qū)、飽和區(qū)和截止區(qū)。3.答案：正偏、反偏解析：晶體管處于放大狀態(tài)時，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。4.答案：正偏、正偏解析：晶體管處于飽和狀態(tài)時，發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都正偏。5.答案：反偏、反偏解析：晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)時，發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都反偏。6.答案：20-500解析：晶體管的電流放大系數(shù)β通常在20-500之間。7.答案：幾百歐姆到幾千歐姆解析：晶體管的輸入電阻通常在幾百歐姆到幾千歐姆之間。8.答案：幾十歐姆到幾百歐姆解析：晶體管的輸出電阻通常在幾十歐姆到幾百歐姆之間。9.答案：飽和、截止解析：晶體管的開關(guān)特性是指其在飽和和截止?fàn)顟B(tài)下的性能。10.答案：不同頻率解析：晶體管的頻率特性是指其在不同頻率下的性能。三、簡答題答案及解析1.答案：晶體管的放大原理是基于其內(nèi)部的載流子運(yùn)動。當(dāng)基極電流IB發(fā)生變化時，集電極電流IC也會相應(yīng)變化，且IC是IB的β倍。這種電流放大效應(yīng)是由于基極電流對發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的偏置狀態(tài)影響，從而控制了集電極電流的大小。2.答案：晶體管的開關(guān)特性是指其在飽和和截止?fàn)顟B(tài)下的性能。在飽和狀態(tài)下，晶體管相當(dāng)于一個閉合的開關(guān)，集電極電流接近最大值；在截止?fàn)顟B(tài)下，晶體管相當(dāng)于一個斷開的開關(guān)，集電極電流接近于零。3.答案：晶體管的頻率特性是指其在不同頻率下的性能。低頻時，晶體管的放大倍數(shù)較高，但隨著頻率的增加，放大倍數(shù)會逐漸下降。這是由于晶體管內(nèi)部的電容效應(yīng)和寄生參數(shù)的影響。4.答案：晶體管的溫度特性是指其性能隨溫度變化的特性。溫度升高時，晶體管的電流放大系數(shù)β會增大，輸入電阻會減小，輸出電阻會增大。這些變化會影響晶體管的工作狀態(tài)和性能。5.答案：晶體管的偏置電路的作用是為晶體管提供合適的直流工作點(diǎn)，使其能夠在放大區(qū)、飽和區(qū)或截止區(qū)穩(wěn)定工作。合理的偏置電路可以保證晶體管的性能和穩(wěn)定性。四、計算題答案及解析1.答案：集電極電流IC=βIB=10010μA=1mA解析：晶體管的電流放大系數(shù)β為100，基極電流IB為10μA，因此集電極電流IC=βIB=10010μA=1mA。2.答案：輸出電壓Vout=Vin(Rout/(Rin+Rout))=1V(50Ω/(1000Ω+50Ω))≈0.05V解析：晶體管的輸入電阻為1kΩ，輸出電阻為50Ω，輸入電