2023-2025全國高考真題化學(xué)匯編

分子晶體與共價(jià)晶體

一、單選題

1.(2025廣東高考真題)聲波封印，材料是音樂存儲(chǔ)技術(shù)的基礎(chǔ)。下列說法錯(cuò)誤的是

A.制作黑膠唱片使用的聚氯乙烯，其單體是CH3CH2CI

B.磁帶可由四氧化三鐵涂覆在膠帶上制成，F(xiàn)e3()4具有磁性

C.光碟擦寫過程中材料在晶態(tài)和非晶態(tài)間的可逆轉(zhuǎn)換，涉及物理變化

D.固態(tài)硬盤芯片常使用單晶硅作為基礎(chǔ)材料，單晶硅是一種共價(jià)晶體

2.(2025云南高考真題)Be及其化合物的轉(zhuǎn)化關(guān)系如圖。下列說法錯(cuò)誤的是

HOHC1熔融電解

Be2c—2:~~>Be(OH)-------->BeCl?Be

22，

熔點(diǎn)2200。?NaOH熔點(diǎn)405℃導(dǎo)電皿

沸點(diǎn)488°C

Na2[Be(OH)4]

A.Be(OH)2是兩性氫氧化物

B.Be2c和BeCl?的晶體類型相同

C.Na2[Be(OH)J中Be原子的雜化方式為sp，

D.Be2c與Hq反應(yīng)：Be2C+4H2O=2Be(0H)2+CH4T

3.(2025甘肅高考真題)馬家窯文化遺址出土了大量新石器時(shí)代陶制文物，陶制文物的主要成分為硅酸

鹽，下列有關(guān)表述錯(cuò)誤的是

3s3p

A.基態(tài)Si原子的價(jià)層電子排布圖：----1----------

B.10的同位素;8?？勺鳛橛袡C(jī)反應(yīng)示蹤原子

C.SiCL的電子式為:：：：：

C??lS??iC??l

：：

C??1

D.Si。2的球棍模型為:

4.(2024天津高考真題)白磷(P,)在高溫下可分解為玲，即P,(g)=2P2(g)。已知P4中P-P的鍵能為

209kJ/mol,P?中P=P的鍵能為523kJ/mol。下列說法錯(cuò)誤的是

白磷（PJ

A.P4晶體為分子晶體B.P2分子中含有。鍵和兀鍵

C.巳與環(huán)互為同素異形體D.根據(jù)鍵能估算上述反應(yīng)的AH=-208kJ/mol

5.（2024天津高考真題）我國學(xué)者在碳化硅（SiC）表面制備出超高遷移率半導(dǎo)體外延石墨烯。下列說法正

確的是

A.SiC是離子化合物B.SiC晶體的熔點(diǎn)高、硬度大

C.核素14c的質(zhì)子數(shù)為8D.石墨烯屬于烯煌

6.（2024天津高考真題）我國學(xué)者在碳化硅（SiC）表面制備出超高遷移率半導(dǎo)體外延石墨烯。下列說法正

確的是

A.SiC是離子化合物B.SiC晶體的熔點(diǎn)高、硬度大

C.核素"C的質(zhì)子數(shù)為8D.石墨烯屬于烯煌

7.（2024廣西高考真題）白磷（PJ是不溶于水的固體，在空氣中易自燃。下列有關(guān)白磷的說法錯(cuò)誤的是

A.分子中每個(gè)P原子的孤電子對(duì)數(shù)均為1

B.常保存于水中，說明白磷密度大于lgynr3

C.難溶于水，是因?yàn)樗菢O性分子，巳是非極性分子

D.熔點(diǎn)低，是因?yàn)镻,分子內(nèi)的P-P鍵弱

8.（2024貴州高考真題）我國科學(xué)家首次合成了化合物［K（2,2,2-crypt）］5［K@Au12sb20］。其陰離子

［K@AU12sb20戶為全金屬富勒烯（結(jié)構(gòu)如圖），具有與富勒烯C60相似的高對(duì)稱性。下列說法錯(cuò)誤的是

A.富勒烯C60是分子晶體

B.圖示中的K+位于Au形成的二十面體籠內(nèi)

C.全金屬富勒烯和富勒烯C60互為同素異形體

D.睇（Sb）位于第五周期第VA族，則其基態(tài)原子價(jià)層電子排布式是5s25P3

9.（2024浙江高考真題）X、Y、Z、M四種主族元素，原子序數(shù)依次增大，分別位于三個(gè)不同短周期，Y

與M同主族，Y與Z核電荷數(shù)相差2,Z的原子最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的3倍。下列說法不jp國的是

A.鍵角：YX；>YX3B.分子的極性:Y2X2>X2Z2

C.共價(jià)晶體熔點(diǎn)：Y>MD.熱穩(wěn)定性：YX,>MX4

10.(2024河北高考真題)侯氏制堿法工藝流程中的主反應(yīng)為QR+YWS+XZZ+WRMQWXZS+YWK，其中

W、X、Y、Z、Q、R分別代表相關(guān)化學(xué)元素。下列說法正確的是

A.原子半徑：W<X<YB.第一電離能：X<Y<Z

C.單質(zhì)沸點(diǎn)：Z<R<QD.電負(fù)性：W<Q<R

11.(2024山東高考真題)下列物質(zhì)均為共價(jià)晶體且成鍵結(jié)構(gòu)相似，其中熔點(diǎn)最低的是

A.金剛石(C)B.單晶硅(Si)C.金剛砂(SiC)D.氮化硼(BN,立方相)

12.(2024吉林高考真題)下列化學(xué)用語或表述正確的是

A.中子數(shù)為1的氫核素：；HeB.SiO2的晶體類型：分子晶體

C.耳的共價(jià)鍵類型：p-pcr鍵D.PCL的空間結(jié)構(gòu)：平面三角形

13.(2023江蘇高考真題)元素C、Si,Ge位于周期表中IVA族。下列說法正確的是

A.原子半徑：r(C)>r(Si)>r(Ge)B.第一電離能：Z,(C)<(Si)<(Ge)

C.碳單質(zhì)、晶體硅、SiC均為共價(jià)晶體D.可在周期表中元素Si附近尋找新半導(dǎo)體材料

14.(2023山東高考真題)石墨與F2在450℃反應(yīng)，石墨層間插入F得到層狀結(jié)構(gòu)化合物(CF)x,該物質(zhì)仍

具潤滑性，其單層局部結(jié)構(gòu)如圖所示。下列關(guān)于該化合物的說法正確的是

A.與石墨相比，(CF)x導(dǎo)電性增強(qiáng)

B.與石墨相比，(CF)x抗氧化性增強(qiáng)

C.(CF)x中C—C的鍵長比C—F短

D.lmol(CF)x中含有2xmol共價(jià)單鍵

15.(2023浙江高考真題)下列物質(zhì)中屬于耐高溫酸性氧化物的是

A.CO2B.SiO2C.MgOD.Na2O

二、填空題

16.(2024天津高考真題)褚(Ge)、錫(Sn)和鉛(Pb)是第WA族元素，原子序數(shù)依次增大。

(1)三種元素中，第一電離能最大的是。

(2)基態(tài)Ge原子的價(jià)層電子排布式為。晶體Ge與金剛石具有類似的晶體結(jié)構(gòu)，其晶胞如圖。在

該晶胞中，Ge原子的數(shù)目為。

⑶粗錫常由St!。?還原制得。將炭與SnC)2混合，隔絕空氣加熱到1000C,無明顯反應(yīng)：但通入空氣，使炭

不完全燃燒，840c時(shí)Sil。？即可迅速轉(zhuǎn)化為Sn,推斷還原SnO?的物質(zhì)是。

(4)含鐵、鉛雜質(zhì)的粗錫進(jìn)行電解精煉時(shí)，純錫接電源的極，粗錫上發(fā)生反應(yīng)的電極反應(yīng)式

為。

⑸Pbl?和PbJ均為不易溶于水的強(qiáng)電解質(zhì)。已知一定溫度下，Pbl?的飽和溶液中

2+35

c(Pb)=1.0xl0-mol/L,PbCl2^Ksp=1.6xl0-o反應(yīng)PbI”2CrqbCL+2r在該溫度下的平衡常數(shù)為

K=o

三、解答題

17.(2024浙江高考真題)氮和氧是構(gòu)建化合物的常見元素。

請(qǐng)回答：

(1)某化合物的晶胞如圖，其化學(xué)式是,晶體類型是o

(2)下列說法正確的是o

A.電負(fù)性：B>N>OB.離子半徑：P3<S2<C1

C.第一電離能：Ge<Se<AsD.基態(tài)CJ+的簡化電子排布式：[Ar]3d"

⑶①H2N-NH2+H+fH2N-NH；,其中-NH2的N原子雜化方式為；比較鍵角/HNHHK-NH?中的

-NH2H?N-NH；中的-NH：(填或"=")，請(qǐng)說明理由_____。

②將HNC?3與SO3按物質(zhì)的量之比1:2發(fā)生化合反應(yīng)生成A,測得A由2種微粒構(gòu)成，其中之一是NO；。

比較氧化性強(qiáng)弱：NO；HNC>3(填“>或"=")；寫出A中陰離子的結(jié)構(gòu)式。

18.(2023天津高考真題)工業(yè)上以硫黃為原料制備硫酸的原理示意圖如下，其過程包括I、II、III三個(gè)

階段。

臺(tái)至燃燒催化氧化濃硫酸吸收

硫黃一一so*so>HSO

一—I23III24

空氣―_

I.硫液化后與空氣中的氧反應(yīng)生成so2?

(1)硫磺(SJ的晶體類型是O

(2)硫的燃燒應(yīng)控制事宜溫度。若進(jìn)料溫服超過硫的沸點(diǎn)，部分燃燒的硫以蒸汽的形式隨so2進(jìn)入到下一階

段，會(huì)導(dǎo)致(填序號(hào))。

a.硫的消耗量增加b.S02產(chǎn)率下降c.生成較多S03

(3)SCh(g)氧化生成80gSO3(g)放出熱量98.3kJ,寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式。隨溫度升高，SCh的平

衡轉(zhuǎn)化率(填“升高”或“降低”)。

⑷從能量角度分析，帆催化劑在反應(yīng)中的作用為。

II.一定條件下，帆催化劑的活性溫度范圍是450?600℃。為了兼顧轉(zhuǎn)化率和反應(yīng)速率，可采用四段轉(zhuǎn)化

工藝：預(yù)熱后的SCh和02通過第一段的鋼催化劑層進(jìn)行催化氧化，氣體溫度會(huì)迅速接近600℃,此時(shí)立即

將氣體通過熱交換器，將熱量傳遞給需要預(yù)熱的SO2和完成第一段轉(zhuǎn)化。降溫后的氣體依次進(jìn)行后三

段轉(zhuǎn)化，溫度逐段降低，總轉(zhuǎn)化率逐段提高，接近平衡轉(zhuǎn)化率。最終反應(yīng)在450℃左右時(shí)，SO2轉(zhuǎn)化率達(dá)

至IJ97%。

(5)氣體經(jīng)過每段的鋼催化劑層，溫度都會(huì)升高，其原因是o升高溫度后的氣體都需要降溫，其目的

是O

(6)采用四段轉(zhuǎn)化工藝可以實(shí)現(xiàn)(填序號(hào))。

a.控制適宜的溫度，盡量加快反應(yīng)速率，盡可能提高S02轉(zhuǎn)化率

b.使反應(yīng)達(dá)到平衡狀態(tài)

c.節(jié)約能源

III.工業(yè)上用濃硫酸吸收S03。若用水吸收SO3會(huì)產(chǎn)生酸霧，導(dǎo)致吸收效率降低。

(7)SO3的吸收率與所用硫酸的濃度、溫度的關(guān)系如圖所示。

硫酸的濃度(％)

據(jù)圖分析，最適合的吸收條件；硫酸的濃度,溫度.

(8)用32噸含S99%的硫磺為原料生成硫酸，假設(shè)硫在燃燒過程中損失2%,S02生成S03的轉(zhuǎn)化率是

97%,S03吸收的損失忽略不計(jì)，最多可以生產(chǎn)98%的硫酸噸。

參考答案

題號(hào)12345678910

答案ABDDBBDCBC

題號(hào)1112131415

答案BCDBB

1.A

【詳解】A.聚氯乙烯的單體應(yīng)為氯乙烯(CH2=CHC1),而選項(xiàng)中的CH3cH2cl是氯乙烷，單體錯(cuò)誤，A

錯(cuò)誤；

B.四氧化三鐵(Fe3C>4)具有磁性，常用于磁帶制作，B正確；

C.光碟擦寫時(shí)晶態(tài)與非晶態(tài)轉(zhuǎn)換屬于物理變化(無新物質(zhì)生成)，C正確；

D.單晶硅為共價(jià)晶體(原子晶體)，固態(tài)硬盤芯片使用單晶硅，D正確；

故選Ao

2.B

【詳解】A.由圖中轉(zhuǎn)化信息可知，Be(OH)2既能與鹽酸反應(yīng)生成鹽和水，又能與氫氧化鈉反應(yīng)生成鹽，

因此其是兩性氫氧化物，A正確；

B.由題中信息可知，Be2c的熔點(diǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于BeCl?的，因此Be2c不可能是分子晶體，而BeCL的熔點(diǎn)和沸

點(diǎn)均較低，其為分子晶體，因此兩者的晶體類型不相同，B錯(cuò)誤；

C.Na2[Be(OH)/中Be原子與4個(gè)羥基形成4個(gè)◎鍵，沒有孤電子對(duì)，只有4個(gè)成鍵電子對(duì)，因此，

其雜化方式為sp3,C正確；

D.Be2c中的Be化合價(jià)為+2,C的化合價(jià)為-4,因此其與H?。反應(yīng)生成Be(OH)2和CH,,該反應(yīng)的化學(xué)

方程式為Be2c+4Hq=2Be(OH)2+CH4T,D正確；

綜上所述，本題選B。

3.D

【詳解】A.Si為14號(hào)元素，其基態(tài)價(jià)電子排布式為3s23P2,故其基態(tài)價(jià)電子排布圖為

3s3p

叵]|f|t|pA項(xiàng)正確；

B.16。和18。為氧元素的兩種同位素，18。常用作同位素標(biāo)記，可作為有機(jī)反應(yīng)的示蹤原子，B項(xiàng)正確；

：C1：

C.SiC14為分子晶體，Si與C1形成一對(duì)共用電子對(duì)，故SiC14的電子式為：dl：6i：61：，C項(xiàng)正確；

D.Si02為共價(jià)晶體，其球棍模型應(yīng)為立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，不能表示SiO2,D項(xiàng)錯(cuò)誤；

故選D。

4.D

【詳解】A.白磷由白磷分子構(gòu)成，則P4晶體為分子晶體，A正確；

B.P中含有P三P鍵，三鍵中含有1個(gè)。鍵和2個(gè)兀鍵，B正確；

C.P’與巳是磷元素的兩種單質(zhì)，二者互為同素異形體，C正確；

D.反應(yīng)P4(g)=2P2(g)的AH=反應(yīng)物總鍵能一生成物總鍵能=209kJ/molx6-523kJ/molx2=+208kJ/mol,D

錯(cuò)誤；

故選D。

5.B

【詳解】A.SiC由非金屬元素Si和C通過共價(jià)鍵結(jié)合，屬于共價(jià)化合物而非離子化合物，A錯(cuò)誤；

B.SiC晶體結(jié)構(gòu)與金剛石類似，屬于共價(jià)晶體，因此熔點(diǎn)高、硬度大，B正確；

C.核素是碳的同位素，碳的質(zhì)子數(shù)為6,與中子數(shù)無關(guān)，C錯(cuò)誤；

D.石墨烯是碳的單質(zhì)，屬于無機(jī)物，而烯垃是含碳碳雙鍵的有機(jī)物，D錯(cuò)誤；

故選B。

6.B

【詳解】A.SiC晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似，屬于共價(jià)晶體，A錯(cuò)誤；

B.SiC晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似，屬于共價(jià)晶體，熔點(diǎn)高、硬度大，B正確；

C.C元素為6號(hào)元素，故核素14c的質(zhì)子數(shù)為6,C錯(cuò)誤；

D.石墨烯是碳元素構(gòu)成的單質(zhì)，不屬于烯煌，D錯(cuò)誤；

故選B。

7.D

【詳解】A.白磷的分子式為P4,空間構(gòu)型為正四面體，每個(gè)P原子采取sp3雜化，而每個(gè)P原子有5個(gè)

價(jià)電子，所以每個(gè)P原子還剩一對(duì)孤電子對(duì)，A正確；

B.白磷在空氣中容易自燃，保存于水中隔絕空氣，故其密度大于水，B正確；

C.白磷的分子式為P4,空間構(gòu)型為正四面體，為非極性分子，水為極性分子，根據(jù)相似相溶原理，白磷

難溶于水，C正確；

D.白磷的分子式為P4,為非極性分子，屬于分子晶體，分子間作用力較弱，故其熔點(diǎn)低，熔點(diǎn)低與其共

價(jià)鍵強(qiáng)弱無關(guān)，D錯(cuò)誤；

故選D。

8.C

【詳解】A.富勒烯C60是由C60分子通過范德華力結(jié)合形成的分子晶體，A正確；

B.由題圖可知，中心K+周圍有12個(gè)Au形成二十面體籠(每個(gè)面為三角形，上、中、下層分別有5、10、

5個(gè)面)，B正確；

C.全金屬富勒烯不是碳元素的單質(zhì)，因此其與富勒烯C60不能互為同素異形體，C錯(cuò)誤；

D.睇(Sb)位于第五周期第VA族，則根據(jù)元素位置與原子結(jié)構(gòu)關(guān)系可知：其基態(tài)原子價(jià)層電子排布式是

5s25P3,D正確；

故合理選項(xiàng)是c。

9.B

【分析】X、Y、Z、M四種主族元素，原子序數(shù)依次增大，分別位于三個(gè)不同短周期，Y與M同主族，Y

與Z核電荷數(shù)相差2,Z的原子最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的3倍，則Z為0元素，Y為C元素，X為H

元素，M為Si元素。

【詳解】A.YX；為CH；,其中C原子的雜化類型為sp2,CH；的空間構(gòu)型為平面正三角形，鍵角為120。；

YX3為CH「其中C原子的雜化類型為sp3,CH1的空間構(gòu)型為三角錐形，由于C原子還有1個(gè)孤電子

對(duì)，故鍵角小于109。28',因此，鍵角的大小關(guān)系為YX〉YX「A正確；

B.丫必2為C2H2,其為直線形分子，分子結(jié)構(gòu)對(duì)稱，分子中正負(fù)電荷的重心是重合的，故其為百極性分

子；凡0?分子結(jié)構(gòu)不對(duì)稱，分子中正負(fù)電荷的重心是不重合的，故其為極性分子，因此，兩者極性的大

小關(guān)系為YzXzVXzZ?,B不正確；

C.金則石和晶體硅均為共價(jià)晶體，但是由于C的原子半徑小于Si,因此，C—C鍵的鍵能大于Si—Si鍵

的，故共價(jià)晶體熔點(diǎn)較高的是金剛石，C正確；

D.元素的非金屬性越強(qiáng)，其氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性越強(qiáng)；C的非金屬性強(qiáng)于Si,因此，甲烷的穩(wěn)定熱穩(wěn)

定性較高，D正確；

綜上所述，本題選B。

10.C

【分析】侯氏制堿法主反應(yīng)的化學(xué)方程式為NaCl+NHs+CS+HzOnNaHCOsJ+NHWl,則可推出W、

X、Y、Z、Q、R分別為H元素、C元素、N元素、O元素、Na元素、C1元素。

【詳解】A.一般原子的電子層數(shù)越多半徑越大，電子層數(shù)相同時(shí)，核電荷數(shù)越大，半徑越小，則原子半

徑：H<N<C,故A錯(cuò)誤；

B.同周期從左到右元素第一電離能呈增大趨勢，IIA族、VA族原子的第一電離能大于同周期相鄰元

素，則第一電離能：C<O<N,故B錯(cuò)誤；

C.。小Cl?為分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，沸點(diǎn)越高，二者在常溫下均為氣體，Na在常溫下為固體，

則沸點(diǎn)：02<CL<Na,故C正確；

D.同周期元素，從左往右電負(fù)性逐漸增大，同族元素，從上到下電負(fù)性逐漸減小，電負(fù)性：Na<H<Cl,

故D錯(cuò)誤；

故選Co

11.B

【詳解】金剛石(C)、單晶硅(Si)、金剛砂(SiC)、立方氮化硼(BN),都為共價(jià)晶體，結(jié)構(gòu)相似，則原子半徑

越大，鍵長越長，鍵能越小，熔沸點(diǎn)越低，在這幾種晶體中，鍵長Si-Si>Si-C>B-N>C-C,所以熔點(diǎn)最低的

為單晶硅。

故選B。

12.C

【詳解】A.中子數(shù)為1的He核素其質(zhì)量數(shù)為1+2=3,故其表示應(yīng)為；He,A錯(cuò)誤；

B.SiCh晶體中只含有共價(jià)鍵，為共價(jià)晶體，B錯(cuò)誤；

C.兩個(gè)F原子的2P軌道單電子相互重疊形成p-p◎鍵，C正確；

D.PCb的中心原子存在1對(duì)孤電子對(duì)，其VSEPR模型為四面體型，PCb的空間結(jié)構(gòu)為三角錐型，D錯(cuò)

誤；

故答案選C。

13.D

【詳解】A.同主族元素原子半徑從上往下原子半徑增大，故原子半徑：r(C)<r(Si)<r(Ge),A錯(cuò)誤；

B.同周期主族元素，從上往下原子半徑增大，更易失電子，第一電離能：71(C)>71(Si)>/1(Ge),B錯(cuò)

誤；

C.晶體硅、SiC均為共價(jià)晶體，碳單質(zhì)中金剛石為共價(jià)晶體，而石墨為混合晶體，C60為分子晶體，C錯(cuò)

誤；

D.周期表中元素Si附近存在許多準(zhǔn)金屬，可在其周圍尋找半導(dǎo)體材料，D正確。

故選D。

【點(diǎn)睛】

14.B

【詳解】A.石墨晶體中每個(gè)碳原子上未參與雜化的1個(gè)2P軌道上電子在層內(nèi)離域運(yùn)動(dòng)，故石墨晶體能導(dǎo)

電，而(CF)x中沒有未參與雜化的2P軌道上的電子，故與石墨相比，(CF)x導(dǎo)電性減弱，A錯(cuò)誤;

B.(CF)x中C原子的所有價(jià)鍵均參與成鍵，未有未參與成鍵的孤電子或者不飽和鍵，故與石墨相比，

(CF)x抗氧化性增強(qiáng)，B正確；

C.已知C的原子半徑比F的大，故可知(CF)x中C-C的鍵長比C-F長，C錯(cuò)誤；

D.由題干結(jié)構(gòu)示意圖可知，在(CF)x中C與周圍的3個(gè)碳原子形成共價(jià)鍵，每個(gè)C-C鍵被2個(gè)碳原子共

用，和1個(gè)F原子形成共價(jià)鍵，即lmol(CF)x中含有2.5xmol共價(jià)單鍵，D錯(cuò)誤；

故答案為：Bo

15.B

【詳解】A.二氧化碳和堿反應(yīng)生成鹽和水，是酸性氧化物，但為分子晶體，不耐高溫，A錯(cuò)誤；

B.SiCh能跟堿反應(yīng)生成鹽和水：SiO2+2OH=SiO^+H2O,所以SiCh是酸性氧化物，為共價(jià)晶體，耐高

溫，B正確；

+2+

C.MgO能跟酸反應(yīng)生成鹽和水：MgO+2H=Mg+H2O,所以MgO是堿性氧化物，；C錯(cuò)誤；

D.NazO能跟酸反應(yīng)生成鹽和水，所以是堿性氧化物,；D錯(cuò)誤；

答案選B。

16.⑴Ge(或錯(cuò))

2

(2)4s4P28

(3)CO(或一氧化碳)

(4)負(fù)Fe-2e=Fe",Sn-2e=Sn2+

(5)2.5xl04

【詳解】(1)同主族元素，從上至下，元素的第一電離能逐漸減小，錯(cuò)(Ge)、錫出口和鉛⑴切是第印人族

元素，三種元素中，第一電離能最大的是錯(cuò)(Ge)；

(2)Ge的原子序數(shù)為32,基態(tài)Ge原子的價(jià)層電子排布式為4s24P2；由圖可知，Ge原子位于頂點(diǎn)和面

心，其數(shù)目為8x—i-6x—1-4=8；

82

(3)粗錫常由SnOa還原制得，將炭與SnC)2混合，隔絕空氣加熱到1000℃,無明顯反應(yīng)，說明C不能還

原SnC>2,但通入空氣，使炭不完全燃燒，生成CO,840℃時(shí)SnO?即可迅速轉(zhuǎn)化為Sn,由此推斷還原

SnO?的物質(zhì)是CO；

(4)含鐵、鉛雜質(zhì)的粗錫進(jìn)行電解精煉時(shí)，與銅的電解精煉類似，純錫接電源的負(fù)極，粗錫上發(fā)生反應(yīng)

的電極反應(yīng)式為Fe-2e「=F*、Sn-2e-=SiV+;

(5)已知一定溫度下，Pbl?的飽和溶液中c(Pb2+)=10xl(y3mol/L,貝I]

2+2

K甌[PbI2]=c(PZ>)?c(r)=1.0xKM(2.0xIQsJ=4*io",該反應(yīng)的平衡常數(shù)K=

。2(「)c2(「)c(加+)K"2)4xl(f9

=2.5xl0-4?

e2(cr)-c2(cr)c(p&2+)-K，Pbj)1.6x10-5

17.(1)CrCl2-4H2O分子晶體

(2)CD

(3)sp3<-NH?有孤電子對(duì)，孤電子對(duì)對(duì)成鍵電子排斥力大，鍵角變小>

Oo

Hn

S-o-S

HH

OO

【詳解】(1)由晶胞圖可知，化學(xué)式為CrCl「4Hz。；由晶胞圖可知構(gòu)成晶胞的粒子為CrCUYHQ分子，

故為分子晶體；

(2)A同一周期，從左到右，電負(fù)性依次增強(qiáng)，故順序?yàn)镺>N>B,A錯(cuò)誤；

B核外電子排布相同，核電荷數(shù)越大，半徑越小，故順序?yàn)閜3>s2->cr,B錯(cuò)誤；

C同一周期，從左到右，電離能增大的趨勢，VA族和VIA族相反，故順序?yàn)镚e〈Se<As,C正確；

D基態(tài)Cr的簡化電子排布式：[Ar]3d54s'Cd+的簡化電子排布式為[Ar]3d3D正確；

故選CD；

5_i3

(3)①-NH?的價(jià)層電子對(duì)數(shù)3+二尸x=4,故雜化方式為sp3；-NH?價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,有一對(duì)孤電子

5—1—1x4

對(duì)，-NH；價(jià)層電子對(duì)數(shù)4+，:‘=4,無孤對(duì)電子，又因?yàn)楣码娮訉?duì)對(duì)成鍵電子的排斥力大于成鍵電

子對(duì)成鍵電子的排斥力，故鍵角ZHNHHzN-NH?中的-NH?<H2N-NH；中的-NH；；

②將HNO3與SO3按物質(zhì)的量之比1:2發(fā)生化合反應(yīng)生成A,測得A由2種微粒構(gòu)成，其中之一是NO；,

則A為NO2Hs2。7,NO；為硝酸失去一個(gè)OH-,得電子能力更強(qiáng)，氧化性更強(qiáng)，故氧化性強(qiáng)弱：NO；>

OO

HH

SS

；陰離子為根據(jù)己知可知其結(jié)構(gòu)式為

HNO3HS2O7HH

OO

18.(1)分子晶體

(2)ab

(3)2SO2(g)+O2(g)=2SO3(g)AH=-196.6kJ/mol降低

(4)