版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領
文檔簡介
2023-2025全國高考真題化學匯編
認識晶體(魯科版)
一、單選題
1.(2025廣東高考真題)聲波封印,材料是音樂存儲技術的基礎。下列說法錯誤的是
A.制作黑膠唱片使用的聚氯乙烯,其單體是CH3CH2CI
B.磁帶可由四氧化三鐵涂覆在膠帶上制成,F(xiàn)e3()4具有磁性
C.光碟擦寫過程中材料在晶態(tài)和非晶態(tài)間的可逆轉(zhuǎn)換,涉及物理變化
D.固態(tài)硬盤芯片常使用單晶硅作為基礎材料,單晶硅是一種共價晶體
2.(2025云南高考真題)(L^Lao-ScOs是優(yōu)良的固態(tài)電解質(zhì)材料,Ce,+取代部分La,+后產(chǎn)生空位,可
提升Li+傳導性能。取代后材料的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖(CP-未畫出)及其作為電解質(zhì)的電池裝置如下。下列說法
錯誤的是
?Sc3+
OLa3+或Li+或
Ce4+或空位
Z
X
A.每個晶胞中-個數(shù)為12
B.該晶胞在yz平面的投影為
C.Ce"取代后,該電解質(zhì)的化學式為(Lig5La°85_yCey)ScO3
D.若只有Li+發(fā)生遷移,外電路轉(zhuǎn)移的電子數(shù)與通過截面MNPQ的Li+數(shù)目相等
3.(2024安徽高考真題)研究人員制備了一種具有鋰離子通道的導電氧化物(LiJayTiOs),其立方晶胞和
導電時Li卡遷移過程如下圖所示。已知該氧化物中Ti為+4價,La為+3價。下列說法錯誤的是
*Ti
00
OLa或Li或空位
?Li
□空位
立方晶胞(LLLayTiO3)Li卡遷移過程示意圖
若與空位的數(shù)目相等
A.導電時,Ti和La的價態(tài)不變B.x=g,Li*
C.與體心最鄰近的。原子數(shù)為12D.導電時、空位移動方向與電流方向相反
4.(2024安徽高考真題)下列各組物質(zhì)的鑒別方法中,不可彳『的是
A.過氧化鈉和硫黃:加水,振蕩B.水晶和玻璃:X射線衍射實驗
C.氯化鈉和氯化鉀:焰色試驗D.苯和甲苯:滴加澳水,振蕩
5.(2024吉林高考真題)某鋰離子電池電極材料結(jié)構(gòu)如圖。結(jié)構(gòu)1是鉆硫化物晶胞的一部分,可代表其組
成和結(jié)構(gòu);晶胞2是充電后的晶胞結(jié)構(gòu);所有晶胞均為立方晶胞。下列說法錯誤的是
A.結(jié)構(gòu)1鉆硫化物的化學式為c。9s8B.晶胞2中S與S的最短距離為且a
2
C.晶胞2中距Li最近的S有4個D.晶胞2和晶胞3表不同一■晶體
6.(2023遼寧高考真題)晶體結(jié)構(gòu)的缺陷美與對稱美同樣受關注。某富鋰超離子導體的晶胞是立方體(圖
1),進行鎂離子取代及鹵素共摻雜后,可獲得高性能固體電解質(zhì)材料(圖2)。下列說法錯誤的是
圖1圖2
725
A.圖1晶體密度為Nxa?xl(y3。g.cm-3B.圖1中O原子的配位數(shù)為6
C.圖2表示的化學式為LiMgoOCLBr—D.Mg”取代產(chǎn)生的空位有利于巾+傳導
7.(2023天津高考真題)近年來我國航天事業(yè)發(fā)展迅速,下列對所涉及化學知識的敘述錯誤的是
A.“嫦娥五號”取回的月壤樣品中含有天然玻璃物質(zhì),玻璃是晶體
B.“天舟六號”殼體使用了鋁合金,合金是金屬材料
C.“長征七號”采用了液氧煤油發(fā)動機,煤油是混合物
D.“天宮”空間站新補充了一批沆推進劑,沆是稀有氣體
8.(2023河北高考真題)錯(Zr)是重要的戰(zhàn)略金屬,可從其氧化物中提取。下圖是某種錯的氧化物晶體的
立方晶胞,NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯誤的是
A.該氧化物的化學式為ZrO?
1?3x1O30
B.該氧化物的密度為二;g-cnr3
NA,
Zr原子之間的最短距離為日apm
D.若坐標取向不變,將p點Zr原子平移至原點,則q點Zr原子位于晶胞xy面的面心
9.(2023湖南高考真題)科學家合成了一種高溫超導材料,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,該立方晶胞參數(shù)為
apm。阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列說法錯誤的是
源飛轆G
A.晶體最簡化學式為KCaB6c6
B.晶體中與K+最近且距離相等的Ca?+有8個
C.晶胞中B和C原子構(gòu)成的多面體有12個面
卜日心附…由二2.17x1032
D.晶體的密度為一一一g-cm-
C01X,I
10.(2023湖北高考真題)錮La和H可以形成一系列晶體材料LaH“,在儲氫和超導等領域具有重要應
用。LaH“屬于立方晶系,晶胞結(jié)構(gòu)和參數(shù)如圖所示。高壓下,LaH?中的每個H結(jié)合4個H形成類似C%
的結(jié)構(gòu),即得到晶體LaH.。下列說法錯誤的是
LaHx
A.LaH2晶體中La的配位數(shù)為8
B.晶體中H和H的最短距離:LaH2>LaHv
C.在LaH,晶胞中,H形成一個頂點數(shù)為40的閉合多面體籠
40_3
D.La凡單位體積中含氫質(zhì)量的計算式為(4.84x10-8)3x6.。2><1。^曲
二、多選題
11.(2023海南高考真題)近年來,我國航天科技事業(yè)取得了輝煌的成就。下列說法錯誤的是
A.我國科學家由嫦娥五號帶回的月壤樣品中,首次發(fā)現(xiàn)了天然玻璃纖維,該纖維中的主要氧化物
Si。?屬于離子晶體
B.某型長征運載火箭以液氧和煤油為推進劑,液氧分子間靠范德華力凝聚在一起
C.“嫦娥石”(Ca8Y)Fe(PC>4)7是我國科學家首次在月壤中發(fā)現(xiàn)的新型靜態(tài)礦物,該礦物中的Fe位于周
期表中的ds區(qū)
D.航天員出艙服中應用了碳纖維增強復合材料。碳纖維中碳原子雜化軌道類型是sp2
三、解答題
12.(2025北京高考真題)通過MgCl?和[Mg(NH3)61C12的相互轉(zhuǎn)化可實現(xiàn)NH3的高效存儲和利用。
(1)將Mg的基態(tài)原子最外層軌道表示式補充完整:
3s3p
(2)NH3分子中H—N—H鍵角小于109。28、從結(jié)構(gòu)角度解釋原因:
(3)[Mg(NH3)6]CL的晶胞是立方體結(jié)構(gòu),邊長為a”機,結(jié)構(gòu)示意圖如下。
①[Mg(NH3)6]CL的配體中,配位原子是o
②已知[Mg(NH3)61C12的摩爾質(zhì)量為Mg-mo「,阿伏加德羅常數(shù)為NA,該晶體的密度為g-cm。
(lnm=10-7cm)
(4)MgCl2和NH3反應過程中能量變化示意圖如下。
①室溫下,MgCL和NHs反應生成[MglNHs*].而不生成[Mg(NH3)]02。分析原因:。
②從平衡的角度推斷利于[Mg(NH3)6]Ck脫除NH3生成MgCl?的條件并說明理由:。
13.(2024廣西高考真題)廣西盛產(chǎn)甘蔗,富藏鎬礦。由軟鎰礦(Mu。?,含SiO2、Fe2O3,ALO3和CuO等
雜質(zhì))制備光電材料KMnF,的流程如下。回答下列問題:
甘蔗渣水解液CaCO,XNaHCO3
1.__.JL,__JL__,;,__,
軟鎰礦TWI-H過濾I—楠同一I過濾I沉淀H過濾I沉淀H過濾iMnCO「fKMnF、
〒〒亍
濾渣1濾清2濾著3
已知:
物質(zhì)Fe(OH)3A1(OH)3CU(OH)2Fe(OH)2Mn(OH)2
K.P2.8x1039L3X1()332.2x10-2。4.9xW171.9x10-3
(1)“甘蔗渣水解液”中含有還原性糖和H2sO,,其主要作用是。為提高“浸取”速率,可采取的措施是—
(任舉一例)。
(2)“濾渣1”的主要成分是(填化學式)。
(3)常溫下,用CaCC>3調(diào)節(jié)溶液pH至5~6時,可完全沉淀的離子有(填化學式)。
(4)“X”可選用。
A.H2SB.H2O2C.ZnD.(NHj,S
⑸若用Na2cO3替代NaHCOj沉錦,得到Mn?(OH)2co3沉淀。寫出生成Mr^OH)2cO3的離子方程
式。
(6)KMnF,立方晶胞如圖,晶胞參數(shù)為apm,該晶體中與一個緊鄰的K+有個。已知NA為阿伏加
德羅常數(shù)的值,晶體密度為g-cnr"用含a、NA的代數(shù)式表示)。
14.(2024廣東高考真題)錢(Ga)在半導體、記憶合金等高精尖材料領域有重要應用。一種從電解鋁的副
產(chǎn)品炭渣(含C、Na、Al、F和少量的Ga、Fe、K、Ca等元素)中提取錢及循環(huán)利用鋁的工藝如下。
碳素一一也冷尾氣6molL"
鋁錠處理鹽酸鋁片
電極tTX
氧化鋁隨4炭渣浸取液原料液
I
晶體一^一酶〒襦一?n
含F(xiàn)廢液
口室~
溶液一…一修
工藝中,LAEM是一種新型陰離子交換膜,允許帶負電荷的配離子從高濃度區(qū)擴散至低濃度區(qū)。用LAEM
提取金屬離子M"的原理如圖。已知:
LAEM
@pKa(HF)=3.2o
②Na3[AIR](冰晶石)的K.為4.0x10%
③浸取液中,Ga(III)和Fe(in)以[MClmr?(m=0~4)微粒形式存在,F(xiàn)e?+最多可與2個C1配位,其他金屬
離子與cr的配位可忽略。
(1)“電解,,中,反應的化學方程式為。
(2)“浸取"中,由Ga3+形成[GaelJ的離子方程式為。
(3)“還原”的目的:避免元素以(填化學式)微粒的形式通過LAEM,從而有利于Ga的分離。
(4)“LAEM提取"中,原料液的CL濃度越,越有利于Ga的提取;研究表明,原料液酸度過高,會降
低Ga的提取率。因此,在不提高原料液酸度的前提下,可向I室中加入(填化學式),以進一步提高
Ga的提取率。
⑸“調(diào)pH”中,pH至少應大于,使溶液中c(F>c(HF),有利于網(wǎng)耳「配離子及NaslAlR]晶體的生
成。若“結(jié)晶”后溶液中c(Na+)=0.10mol-L\貝匹All療-濃度為mol.L'o
(6)一種含Ga、Ni、Co元素的記憶合金的晶體結(jié)構(gòu)可描述為Ga與Ni交替填充在Co構(gòu)成的立方體體心,
形成如圖所示的結(jié)構(gòu)單元。該合金的晶胞中,粒子個數(shù)最簡比Co:Ga:Ni=,其立方晶胞的體積為—
nm3。
OCo
?Ga
%Ni
15.(2024北京高考真題)錫(Sn)是現(xiàn)代“五金”之一,廣泛應用于合金、半導體工業(yè)等。
(l)Sn位于元素周期表的第5周期第IVA族。寫出Sn的基態(tài)原子最外層軌道表示式:
(2)SnCl2和SnCL是錫的常見氯化物,SnCl2可被氧化得到SnC1。
①SnCl2分子的VSEPR模型名稱是o
②SnCl,的Sn—Cl鍵是由錫的軌道與氯的3P軌道重疊形成◎鍵。
(3)白錫和灰錫是單質(zhì)Sn的常見同素異形體。二者晶胞如圖:白錫具有體心四方結(jié)構(gòu);灰錫具有立方金剛
石結(jié)構(gòu)。
①灰錫中每個Sn原子周圍與它最近且距離相等的Sn原子有個。
②若白錫和灰錫的晶胞體積分別為%nm3和v2nm3,則白錫和灰錫晶體的密度之比是。
(4)單質(zhì)Sn的制備:將SnO2與焦炭充分混合后,于惰性氣氛中加熱至800(,由于固體之間反應慢,未明
顯發(fā)生反應。若通入空氣在800。(2下,SnO?能迅速被還原為單質(zhì)Sn,通入空氣的作用是=
16.(2024甘肅高考真題)我國科研人員以高爐渣(主要成分為CaO,MgO,Al?。?和Si。?等)為原料,對
煉鋼煙氣(CO?和水蒸氣)進行回收利用,有效減少了環(huán)境污染,主要流程如圖所示:
5
已知:Ksp(CaSO4)=4.9xIOKsp(CaCO3)=3.4x10。
(1)高爐渣與(NH4)2SO4經(jīng)焙燒產(chǎn)生的“氣體”是。
(2)“濾渣”的主要成分是Cas。4和。
(3)“水浸2”時主要反應的化學方程式為,該反應能進行的原因是o
(4)鋁產(chǎn)品NH4Al(SO4)2-12旦0可用于。
(5)某含鈣化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示,沿x軸方向的投影為圖乙,晶胞底面顯示為圖丙,晶胞參數(shù)
awc,a=p=Y=90。。圖丙中Ca與N的距離為Pm;化合物的化學式是,其摩爾質(zhì)量為
甲乙丙
17.(2024浙江高考真題)氧是構(gòu)建化合物的重要元素。請回答:
(1)某化合物的晶胞如圖1,CT的配位數(shù)(緊鄰的陽離子數(shù))為;寫出該化合物的化學式,寫出
該化合物與足量NH4cl溶液反應的化學方程式。
6^6°OQ
圖1
(2)下列有關單核微粒的描述正確的是。
A.Ar的基態(tài)原子電子排布方式只有一種
B.Na的第二電離能〉Ne的第一電離能
C.Ge的基態(tài)原子簡化電子排布式為[Ar]4s24P2
D.Fe原子變成Fe+,優(yōu)先失去3d軌道上的電子
(3)化合物HA、HB、HC和HD的結(jié)構(gòu)如圖2。
工S
=0o
OOHRYH
RO-C-OHRO-C-SH
O-H-BO
HAHCHD
圖2
①HA、HB和HC中羥基與水均可形成氫鍵(-O-H…0旦),按照氫鍵由強到弱對三種酸排序,請說明
理由_____?
②已知HC、HD鈉鹽的堿性NaC>NaD,請從結(jié)構(gòu)角度說明理由_____。
18.(2024山東高考真題)錦氧化物具有較大應用價值,回答下列問題:
(l)Mn在元素周期表中位于第周期族;同周期中,基態(tài)原子未成對電子數(shù)比Mn多的元素是.
(填元素符號)。
(2)Mn如某種氧化物Mn。、的四方晶胞及其在xy平面的投影如圖所示,該氧化物化學式為
當MnO,晶體有O原子脫出時,出現(xiàn)O空位,Mn的化合價(填“升高”“降低"或‘不變"),O空位的產(chǎn)
生使晶體具有半導體性質(zhì)。下列氧化物晶體難以通過該方式獲有半導體性質(zhì)的是(填標號)。
A.CaOB.V2O5C.Fe203D.CuO
⑶[BMIMfB耳(見圖)是MnO*晶型轉(zhuǎn)變的誘導劑。BF,的空間構(gòu)型為;[BMIM「中咪陛環(huán)存在戒大
兀鍵,則N原子采取的軌道雜化方式為.
BF;
[BMIM]+BF;
(4)MnO,可作HMF轉(zhuǎn)化為FDCA的催化劑(見下圖)。FDCA的熔點遠大于HMF,除相對分子質(zhì)量存在差
異外,另一重要原因是
19.(2024全國高考真題)Ni(CO)J四莪合銀,沸點43℃)可用于制備高純銀,也是有機化合物段基化反
應的催化劑?;卮鹣铝袉栴}:
(l)Ni基態(tài)原子價電子的軌道表示式為。饃的晶胞結(jié)構(gòu)類型與銅的相同,晶胞體積為二,鎮(zhèn)原子半徑
為。
⑵Ni(CO)4結(jié)構(gòu)如圖甲所示,其中含有。鍵的數(shù)目為,Ni(COL晶體的類型為。
(3)在總壓分別為0.10、0.50、1.0、2.0MPa下,Ni⑸和CO(g)反應達平衡時,Ni(CO)4體積分數(shù)x與溫度的
關系如圖乙所示。反應Ni(s)+4CO(g)=Ni(CO)4(g)的AH0(填“大于”或“小于”)。從熱力學角度考
慮,有利于Ni(CO)4的生成(寫出兩點)。。3、10?!鏁rCO的平衡轉(zhuǎn)化率a=,該溫度下平衡常
數(shù)Kj(MPa)-3o
乙
⑷對于同位素交換反應Ni(C“'O)4+Ci8OfNiyolc^O+C"'。,20℃時反應物濃度隨時間的變化關系為
,6,6bl6
cf[Ni(CO)4]=c0[Ni(CO)4]e-(k為反應速率常數(shù)),則Ni(CO)4反應一半所需時間[=(用k表
示)。
20.(2024吉林高考真題)為實現(xiàn)氯資源循環(huán)利用,工業(yè)上采用Rut),催化氧化法處理HC1廢氣:
2HCl(g)+gc)2(g)=iC12(g)+H2O(g)AH尸57.2kJ-mo『ASK。將HCI和。?分別以不同起始流速通入
反應器中,在360℃、400℃和440℃下反應,通過檢測流出氣成分繪制HC1轉(zhuǎn)化率“)曲線,如下圖所示(較
低流速下轉(zhuǎn)化率可近似為平衡轉(zhuǎn)化率)。
90F90PZ27Z.
%%
/、
<8o<8o
7*
y▼
/解N
(0,10,80)
g7o?7o
oO
HH
6O/,7(HC1):〃(O2)=4:36Ow(HCl):n(O2)=4:4
M
(0.17,61)
88
)6
HQ流速/(mol/h)HQ流速/(mol/h)
圖1圖2
回答下列問題:
(1)AS_____0(填“〉”或“<");13=℃?
1
⑵結(jié)合以下信息,可知H2的燃燒熱AH=_____kJ-molo
1
H2O(l)=H2O(g)AH2=+44.0kJ-moF
1
H2(g)+Cl2(g)=2HCl(g)AH3=-184.6kJ-mol
(3)下列措施可提高M點HC1轉(zhuǎn)化率的是(填標號)
A.增大HC1的流速B.將溫度升高40℃
C.增大n(HCl):n(C)2)D.使用更高效的催化劑
(4)圖中較高流速時,磯T;)小于a(E)和研]),原因是。
(5)設N點的轉(zhuǎn)化率為平衡轉(zhuǎn)化率,則該溫度下反應的平衡常數(shù)K=(用平衡物質(zhì)的量分數(shù)代替平衡濃
度計算)
(6)負載在Tic)?上的RuO?催化活性高,穩(wěn)定性強,TiO2和Ruf)?的晶體結(jié)構(gòu)均可用下圖表示,二者晶胞體
積近似相等,RuOz與TiO?的密度比為L66,則Ru的相對原子質(zhì)量為(精確至1)。
21.(2023天津高考真題)銅及其化合物在生產(chǎn)生活中有重要作用。
(1)基態(tài)Cu原子的價層電子排布式是,Cu+與Q?+相比較,離子半徑較大的是
(2)銅的一種化合物的晶胞如圖所示,其化學式為o
⑶在H2O2作用下,銅與濃鹽酸的反應可用于制備CuC%,寫出該反應化學方程式:o反應中,H2O2
實際消耗量大于理論用量的原因是o氏。2電子式為o
(4)上述制備反應中,下列物質(zhì)均可替代H2O2作氧化劑,最適合的是是(填序號)。
a.硝酸b.。2c.Cl2
(5)Cu2+和r的反應可用于Cu含量的定量分析。向CuCb溶液中滴入KI溶液,生成一種碘化物白色沉淀,
且上層溶液可使淀粉溶液變藍。該白色沉淀的化學式為0反應中KI的作用為。
22.(2023重慶高考真題)銀及其化合物在催化與電化學等領域中具有重要應用。
(1)在銀催化下,乙烯與氧氣反應生成環(huán)氧乙烷(EO)和乙醛(AA)。根據(jù)圖所示,回答下列問題:
0
6
(
OIToo
VU
0P
詢
器OO
我-2
要
①中間體OMC生成吸附態(tài)EO(期的活化能為kJ/moK
②由EO(g)生成AA(g)的熱化學方程式為。
(2)一定條件下,銀催化劑表面上存在反應:Ag2O(s)^^2Ag(s)+1o2(g),該反應平衡壓強A與溫度T
的關系如下:
T/K401443463
Pc/kPa1051100
①463K時的平衡常數(shù)K0=(kPaA。
②起始狀態(tài)I中有Ag?。、Ag和經(jīng)下列過程達到各平衡狀態(tài):
已知狀態(tài)I和III的固體質(zhì)量相等,下列敘述正確的是(填字母)。
A.從I到H的過程AS>0
B.pc(II)>pc(III)
C.平衡常數(shù):K(II)>K(IV)
D.若體積V(III)=2V(I),則Q(I)=限㈣
E.逆反應的速率:v(I)>v(II)=v(III)>v(IV)
③某溫度下,向恒容容器中加入Ag2。,分解過程中反應速率v(C)2)與壓強P的關系為v(C>2)=k[l-£],
k為速率常數(shù)(定溫下為常數(shù))。當固體質(zhì)量減少4%時,逆反應速率最大。若轉(zhuǎn)化率為14.5%,則v(Oj=_
(用k表示)。
(3)a-AgI可用作固體離子導體,能通過加熱y-Agl制得。上述兩種晶體的晶胞示意圖如圖所示(為了簡
化,只畫出了碘離子在晶胞中的位置)。
y-Agl晶胞a-Agl晶胞
p-7.0g/cm3p=6.0g/cm3
①測定晶體結(jié)構(gòu)最常用的儀器是(填字母)。
A.質(zhì)譜儀B.紅外光譜儀C.核磁共振儀D.X射線衍射儀
②y-Agl與a-Agl晶胞的體積之比為。
③測定a-Agl中導電離子類型的實驗裝置如圖所示。實驗測得支管a中Agl質(zhì)量不變,可判定導電離子是
Ag+而不是「,依據(jù)是。
支管a支管b
23.(2023北京高考真題)硫代硫酸鹽是一類具有應用前景的浸金試劑。硫代硫酸根(S。;??煽醋魇?/p>
SO/中的一個O原子被S原子取代的產(chǎn)物。
(1)基態(tài)S原子價層電子排布式是=
(2)比較S原子和。原子的第一電離能大小,從原子結(jié)構(gòu)的角度說明理由:0
(3)sq;的空間結(jié)構(gòu)是。
(4)同位素示蹤實驗可證實S?。;中兩個S原子的化學環(huán)境不同,實驗過程為
SOH^SzO^T^AgzS+SO:。過程五中,S2ct斷裂的只有硫硫鍵,若過程i所用試劑是Na232so3
和35s,過程ii含硫產(chǎn)物是o
⑸MgSzOjGH?。的晶胞形狀為長方體,邊長分別為anm、bnm>cnm,結(jié)構(gòu)如圖所示。
99(科0)『
9S2O;
晶胞中的[MgWzOh『個數(shù)為o已知MgS'C^GH2。的摩爾質(zhì)量是Mg.mol1阿伏加德羅常數(shù)
為NA,該晶體的密度為g-cnT,0nm=10*cm)
(6)浸金時,S2。,作為配體可提供孤電子對與Au+形成38。3)2丁=分別判斷S?。,中的中心S原子和
端基S原子能否做配位原子并說明理由:O
24.(2023山東高考真題)鹵素可形成許多結(jié)構(gòu)和性質(zhì)特殊的化合物?;卮鹣铝袉栴}:
(1)YO℃時,F(xiàn)?與冰反應生成HOF和HF。常溫常壓下,HOF為無色氣體,固態(tài)HOF的晶體類型
為,HOF水解反應的產(chǎn)物為(填化學式)。
⑵cio?中心原子為ci,ciq中心原子為。,二者均為v形結(jié)構(gòu),但ci。,中存在大兀鍵(£)。co中ci
原子的軌道雜化方式;為O-C1-O鍵角Cl-O-C1鍵角(填“<”或"=")。比較CIO。與中
C1-O鍵的鍵長并說明原因—o
(3)一定條件下,CuCl2.K和旦反應生成KC1和化合物X。已知X屬于四方晶系,晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(晶胞
參數(shù)a=bwc,a=B=Y=90。),其中Cu化合價為+2。上述反應的化學方程式為—。若阿伏伽德羅常數(shù)的
值為NA,化合物X的密度P=g-cm'用含NA的代數(shù)式表示)。
25.(2023湖南高考真題)超純Ga(CHj)3是制備第三代半導體的支撐源材料之一,近年來,我國科技工作
者開發(fā)了超純純化、超純分析和超純灌裝一系列高新技術,在研制超純Ga(CH3)3方面取得了顯著成果,工
業(yè)上以粗錢為原料,制備超純Ga(CH3)3的工藝流程如下:
粗Ga
已知:①金屬
殘渣
Ga的化學性質(zhì)和A1相似,Ga的熔點為29.8C;
②Et?。(乙醛)和NR?(三正辛胺)在上述流程中可作為配體;
③相關物質(zhì)的沸點:
物質(zhì)Ga(CH3)3Et2OCH3INR3
沸點/℃55.734.642.4365.8
回答下列問題:
(1)晶體Ga(CH3)3的晶體類型是:
(2)“電解精煉”裝置如圖所示,電解池溫度控制在40-45。。的原因是,陰極的電極反應式為:
出料口陽極殘液出口
(3)“合成Ga(CH3)3(Et2。)”工序中的產(chǎn)物還包括Mgl2和CH^Mgl,寫出該反應的化學方程式::
(4)“殘渣”經(jīng)純水處理,能產(chǎn)生可燃性氣體,該氣體主要成分是;
⑸下列說法錯誤的是;
A.流程中Etq得到了循環(huán)利用
B.流程中,“合成Ga2Mg5”至“工序X”需在無水無氧的條件下進行
C.“工序X”的作用是解配Ga(CH3)3(NR3),并蒸出Ga(CH3%
D.用核磁共振氫譜不能區(qū)分Ga(CH3)3和CH3I
(6)直接分解Ga(CH3)3(EtQ)不能制備超純Ga(CH3%,而本流程采用“配體交換”工藝制備超純Ga(CH)
的理由是;
⑺比較分子中的C-Ga-C鍵角大小:Ga(CH3)3Ga(CH3)3(EtQ)(填,,“<”或"="),其原因
是O
26.(2023全國高考真題)氨是最重要的化學品之一,我國目前氨的生產(chǎn)能力位居世界首位?;卮鹣铝袉?/p>
題:
13
⑴根據(jù)圖1數(shù)據(jù)計算反應5N2(g)+]H2(g)=NH3(g)的=kJ-mol-1。
N(g)+3H(g)
(i)N2(g)+*^N2*
i6,
e(ii)N2*+*^2N*
寸
gNH(g)+2H(g)
9(iii)H2(g)+*^H2*
N(g)+1H(g)§
2(iv)凡*+*—2H*
NH2(g)+H(g)
八(v)N*+H*^^NH*+*
寸yN2(g)+yH2(g)專
NH3(g)(???)NH3*—NH3(g)+*
圖1能量轉(zhuǎn)換關系圖2反應機理
(2)研究表明,合成氨反應在Fe催化劑上可能通過圖2機理進行(*表示催化劑表面吸附位,N?*表示被吸附
于催化劑表面的N?)。判斷上述反應機理中,速率控制步驟(即速率最慢步驟)為(填步驟前的標號),
理由是o
(3)合成氨催化劑前驅(qū)體(主要成分為Fes。4)使用前經(jīng)H?還原,生成a-Fe包裹的Fes。,。已知a-Fe屬于立方
晶系,晶胞參數(shù)a=287pm,密度為7.8g-cm-則a-Fe晶胞中含有Fe的原子數(shù)為(列出計算式,阿伏
加德羅常數(shù)的值為/)。
(4)在不同壓強下,以兩種不同組成進料,反應達平衡時氨的摩爾分數(shù)與溫度的計算結(jié)果如下圖所示。其中
一種進料組成為Xj=075、xM=0.25,另一種為x%=0.675、x2=0.225、x—O.lO。(物質(zhì)i的摩爾分數(shù):
OLO-
1
560O91560
000000X00000070001000
77
77圖
圖3
①圖中壓強由小到大的順序為,判斷的依據(jù)是O
②進料組成中含有惰性氣體Ar的圖是o
③圖3中,當P2=20MPa、XNH,=0.20時,氮氣的轉(zhuǎn)化率a=。該溫度時,反應
13
1
-N2(g)+-H2(g)UNH3(g)的平衡常數(shù)Kp=(MPa)(化為最簡式)。
27.(2023全國甲卷高考真題)將醐菁一鉆鈦菁一三氯化鋁復合嵌接在碳納米管上,制得一種高效催化還
原二氧化碳的催化劑?;卮鹣铝袉栴}:
(1)圖1所示的幾種碳單質(zhì),它們互為,其中屬于原子晶體的是,C6。間的作用力是。
石墨
圖1
(2)酰菁和鉆酰菁的分子結(jié)構(gòu)如圖2所示。
圖2
醐菁分子中所有原子共平面,其中P軌道能提供一對電子的N原子是(填圖2酸菁中N原子的標
號)。鉆醐菁分子中,鉆離子的化合價為,氮原子提供孤對電子與鉆離子形成鍵。
(3)氣態(tài)A1CL通常以二聚體Al2cL的形式存在,其空間結(jié)構(gòu)如圖3a所示,二聚體中A1的軌道雜化類型
為-A1F,的熔點為1090℃,遠高于AlCk的192℃,由此可以判斷鋁氟之間的化學鍵為鍵。
A1月結(jié)構(gòu)屬立方晶系,晶胞如圖3b所示,F(xiàn)的配位數(shù)為o若晶胞參數(shù)為硬m,晶體密度夕=
g(列出計算式,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA)。
圖3aAl2ck的分子結(jié)構(gòu)圖3bAIF3的晶體結(jié)構(gòu)
28.(2023浙江高考真題)硅材料在生活中占有重要地位。請回答:
⑴Si(NHz)4分子的空間結(jié)構(gòu)(以Si為中心)名稱為,分子中氮原子的雜化軌道類型是o
Si(NHz)4受熱分解生成SisW和NH3,其受熱不穩(wěn)定的原因是o
(2)由硅原子核形成的三種微粒,電子排布式分別為:①[Ne]3s23P,、?[Ne]3s23p',③[Ne]3s23Pzs],有關
這些微粒的敘述,正確的是o
A.微粒半徑:③,①〉②
B.電子排布屬于基態(tài)原子(或離子)的是:①②
C.電離一個電子所需最低能量:①,②〉③
D.得電子能力:①〉②
(3)Si與P形成的某化合物晶體的晶胞如圖。該晶體類型是,該化合物的化學式為
參考答案
題號12345678910
答案ACBDBCABCC
題號11
答案AC
1.A
【詳解】A.聚氯乙烯的單體應為氯乙烯(CH2=CHC1),而選項中的CH3cH2cl是氯乙烷,單體錯誤,A
錯誤;
B.四氧化三鐵(Fe3C>4)具有磁性,常用于磁帶制作,B正確;
C.光碟擦寫時晶態(tài)與非晶態(tài)轉(zhuǎn)換屬于物理變化(無新物質(zhì)生成),C正確;
D.單晶硅為共價晶體(原子晶體),固態(tài)硬盤芯片使用單晶硅,D正確;
故選Ao
2.C
【詳解】A.由晶胞結(jié)構(gòu)可知,Sc原子分布在晶胞的8個棱心和4個面心,由均攤法算出其原子個數(shù)為
8xl+4xl=4,由晶體的化學式可知,0原子的個數(shù)是Sc的3倍,因此,每個晶胞中
-個數(shù)為12,A正確;
B.由晶胞結(jié)構(gòu)可知,該晶胞在yz平面的投影就是其前視圖B正確;
C.Ce4+取代La3+后,Li+數(shù)目減小并產(chǎn)生空位,因此,根據(jù)化合價的代數(shù)和為??芍?,取代后該電解質(zhì)的
化學式為(Lio吠yLa^yCejScOs,C錯誤;
D.Li+與電子所帶的電荷數(shù)目相同,只是電性不同,原電池中內(nèi)電路和外電路通過的電量相等,因此,若
只有Li+發(fā)生遷移,外電路轉(zhuǎn)移的電子數(shù)與通過截面MNPQ的Li+數(shù)目相等,D正確;
綜上所述,本題選C。
3.B
【詳解】A.根據(jù)題意,導電時Li+發(fā)生遷移,化合價不變,則Ti和La的價態(tài)不變,A項正確;
B.根據(jù)“均攤法”,1個晶胞中含Ti:8x(=1個,含O:12x[=3個,含La或Li或空位共:1個,若x=
1221
則La和空位共屋n(La)+n(空位)=§,結(jié)合正負化合價代數(shù)和為0,(+l)x-+(+3)xn(La)+(+4)xl+(-
2)x3=0,解得n(La)]、n(空位尸,L1+與空位數(shù)目不相等,B項錯誤;
C.由立方晶胞的結(jié)構(gòu)可知,與體心最鄰近的O原子數(shù)為12,即位于棱心的12個O原子,C項正確;
D.導電時Li+向陰極移動方向,即與電流方向相同,則空位移動方向與電流方向相反,D項正確;
答案選B。
【點睛】
4.D
【詳解】A.過氧化鈉可以與水發(fā)生反應生成可溶性的氫氧化鈉,硫不溶于水,A可以鑒別;
B.水晶為晶體,有獨立的晶格結(jié)構(gòu),玻璃為非晶體,沒有獨立的晶格結(jié)構(gòu),可以用X射線衍射實驗進行
鑒別,B可以鑒別;
C.鈉的焰色為黃色,鉀的焰色為紫色(需透過藍色鉆玻璃),二者可以用焰色試驗鑒別,C可以鑒別;
D.苯和甲苯都可以溶解濱水中的澳且密度都比水小,二者都在上層,不能用濱水鑒別苯和甲苯,D不可
以鑒別;
故答案選D。
5.B
11
【詳解】A.由均攤法得,結(jié)構(gòu)1中含有C。的數(shù)目為4+4丁3含有S的數(shù)目為1+12二=4'C°與
S的原子個數(shù)比為9:8,因此結(jié)構(gòu)1的化學式為Co9s8,故A正確;
B.由圖可知,晶胞2中S與S的最短距離為面對角線的晶胞邊長為a,即S與S的最短距離為:
‘故B錯誤;
晶胞3,晶胞2和晶胞3表不同一■晶體,故D正確;
故選Bo
6.C
【詳解】A.根據(jù)均攤法,圖1的晶胞中含Li:8x*l=3,0:2x1=1,Cl:4x1l,1個晶胞的質(zhì)量為
3x7+16+35.572.572.5
g=4一g,晶胞的體積為(axlO-iOcm)3=a3xl(y3Ocm3,則晶體的密度為
小
725
而寸丁g/cnP,A項正確;
B.圖1晶胞中,0位于面心,與0等距離最近的Li有6個,。原子的配位數(shù)為6,B項正確;
C.根據(jù)均攤法,圖2中Li:1,Mg或空位為8義;=2。O:2x1=l,Cl或Br:4x;=l,Mg的個數(shù)小于
2,根據(jù)正負化合價的代數(shù)和為0,圖2的化學式為LiMgOCKBri-x,C項錯誤;
D.進行鎂離子取代及鹵素共摻雜后,可獲得高性能固體電解質(zhì)材料,說明Mg2+取代產(chǎn)生的空位有利于
Li+的傳導,D項正確;
答案選C。
7.A
【詳解】A.玻璃是非晶體,A錯誤;
B.合金和金屬單質(zhì)是金屬材料,B正確;
C.煤油為碳原子數(shù)CH-C17的高沸點燃類混合物,主要成分是飽和烽類,還含有不飽和燒和芳香烽,煤
油為混合物,C正確;
D.債是第5周期。族元素,屬于稀有氣體,D正確;
故答案為:Ao
8.B
【詳解】A.根據(jù)“均攤法”,晶胞中含4個Zr、8x1+12x;+6xg+l=8個O,則立方氧化錯的化學式為
ZrO2,A正確;
91x4+16x8
B.結(jié)合A分析可知,晶體密度為8之加3-492又1。、,B錯誤;
103g3S
°一(axlO)-NA-a
C.Zr原子之間的最短距離為面對角線的一半,即,apm,C正確;
D.根據(jù)晶胞的位置可知,若坐標取向不變,將p點Zr原子平移至原點,則垂直向下,q點Zr原子位于晶
胞xy面的面心,D正確;
答案選B。
9.C
【詳解】A.根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知,其中K個數(shù):8x^=1,其中Ca個數(shù):1,其中B個數(shù):12x;=6,其中
C個數(shù):12xg=6,故其最簡化學式為KCaB6c6,A正確;
B.根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知,K+位于晶胞頂點,Ca2+位于體心,每個K+為8個晶胞共用,則晶體中與K*最近
且距離相等的Ca?+有8個,B正確;
C.根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知,晶胞中B和C原子構(gòu)成的多面體有14個面,C錯誤;
217
D.根據(jù)選項A分析可知,該晶胞最簡化學式為KCaB6c6,則1個晶胞質(zhì)量為:—g,晶胞體積為
217x1032
333
axl0-°cm,則其密度為,3zgymf,D正確;
a-NA
故選Co
10.c
【詳解】A.由LaH?的晶胞結(jié)構(gòu)可知,La位于頂點和面心,晶胞內(nèi)8個小立方體的中心各有1個H原
子,若以頂點La研究,與之最近的H原子有8個,則La的配位數(shù)為8,故A正確;
B.由LaH,晶胞結(jié)構(gòu)可知,每個H結(jié)合4個H形成類似CH&的結(jié)構(gòu),H和H之間的最短距離變小,則晶
體中H和H的最短距離:LaH2>LaHx,故B正確;
C.由題干信息可知,在LaH,晶胞中,每個H結(jié)合4個H形成類似Oi,的結(jié)構(gòu),這樣的結(jié)構(gòu)有8個,頂
點數(shù)為4x8=32,且不是閉合的結(jié)構(gòu),故C錯誤;
40
D.1個LaH,晶胞中含有5x8=40個H原子,含H質(zhì)量為晶胞的體積為(484.0x10-%111)3=(4.84義1(?
40_
8)3cm3,則LaH,單位體積中含氫質(zhì)量的計算式為懣標不嬴好心g,cm3,故D正確;
答案選C。
11.AC
【詳解】A
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 教師教學研討會工作總結(jié)報告
- 幼兒園兒歌教學設計與課堂活動方案
- 小學美術教學計劃設計與實施
- 2026年綜合布線與照明設計的關聯(lián)
- 小學四年級語文期末復習重點梳理
- 2026年自動化技術與建筑行業(yè)的轉(zhuǎn)型升級
- 蛛網(wǎng)膜下腔出血護理規(guī)范操作流程
- 高中畢業(yè)生評語參考模板
- 銀行資金清算操作流程標準手冊
- 電力線路登塔培訓課件
- 2024年中國燃氣具行業(yè)分析及2025年機會預測
- DB13T 1264-2010 遠程射霧技術應用規(guī)范
- 員工獎勵申請表格模板(可修改)
- 3.2+細胞器之間的分工合作課件高一上學期生物人教版(2019)必修1
- 水利電工程施工地質(zhì)規(guī)程
- JJF 2019-2022 液體恒溫試驗設備溫度性能測試規(guī)范
- DZ∕T 0153-2014 物化探工程測量規(guī)范(正式版)
- (高清版)TDT 1013-2013 土地整治項目驗收規(guī)程
- 國家開放大學電大《計算機應用基礎(本) 》 終結(jié)性考試試題答案(完整版)
- 《建筑基坑降水工程技術規(guī)程》DBT29-229-2014
- 2023年廣東學業(yè)水平考試物理??贾R點
評論
0/150
提交評論