太陽電池用多晶硅片檢測主講教師：目錄CONTENTS01.查詢國家檢測標(biāo)準(zhǔn)02.檢測原理及方案03.檢測組織實(shí)施04.檢測結(jié)果分析查詢國家標(biāo)準(zhǔn)PART01一、查詢國家標(biāo)準(zhǔn)檢測原理及方案PART02二、檢測原理及方案（一）檢測要求01多晶硅片外觀要求表面潔凈，無沾污、色斑、目視裂紋、孔洞等目視缺陷；02多晶硅片表面不可以有深度＞0.5mm，長度＞1.0mm，整片＞2處且無V缺口的崩邊缺陷；04多晶硅片表面不可以有深度＞0.5mm的邊緣缺陷，并且邊緣缺陷的累積長度應(yīng)≤10cm；05多晶硅片表面允許存在長度1cm的范圍內(nèi)晶粒的數(shù)量≤10個(gè)。03多晶硅片表面不可以有深度＞0.5mm，長度＞0.5mm，整片＞2處的缺角缺陷；二、檢測原理及方案（二）尺寸規(guī)格要求外形尺寸，mm±0.5倒角尺寸，mm1.5±0.5硅片厚度T，mm±10%TTV（總厚度變化）mm≤20%彎曲度bow，μm≤75相鄰兩邊的垂直度°90°±0.25°單條線痕Ry值mm≤15密集型線痕mm當(dāng)Ry≤10mm時(shí)無總數(shù)量限制，

當(dāng)Ry＞10mm

時(shí)硅片線痕數(shù)量應(yīng)≤10條二、檢測原理及方案（三）性能檢測太陽電池用多晶硅片電阻率范圍0.5-3.0Ω·cm。01導(dǎo)電類型：P型或由供需雙方協(xié)商。02氧含量：太陽電池用多晶硅片的間隙氧含量應(yīng)小于1×1018atoms/cm3；03碳含量：太陽電池用多晶硅片的代位碳含量應(yīng)小5×1017atoms/cm3

。04檢測組織實(shí)施PART03三、檢測組織實(shí)施（一）檢測方法01表面質(zhì)量檢驗(yàn)在430lx～650lx光強(qiáng)度的熒光燈或乳白燈下進(jìn)行；02外形尺寸檢驗(yàn)用游標(biāo)卡尺或相應(yīng)精度的量具進(jìn)行；04線痕深度取單條線痕最大處用表面粗糙度測試儀在垂直線痕左右5mm范圍內(nèi)測量該線痕的極差值（Ry），當(dāng)存在多條線痕時(shí)應(yīng)進(jìn)行多次測量取最大值；05太陽電池用多晶硅片彎曲度、厚度測量及TTV測量、電阻率、導(dǎo)電類型。03相鄰兩邊的垂直度檢驗(yàn)用萬能角尺或相應(yīng)精度的量具進(jìn)行；三、檢測組織實(shí)施（二）檢測規(guī)則每批應(yīng)由相同尺寸和相同電阻率范圍硅片組成。檢查和驗(yàn)收組批檢驗(yàn)項(xiàng)目抽樣及

檢驗(yàn)結(jié)果的判定三、檢測組織實(shí)施（二）檢測規(guī)則硅片檢驗(yàn)的項(xiàng)目有：導(dǎo)電類型、電阻率范圍、表面質(zhì)量、外形和幾何尺寸。檢查和驗(yàn)收組批檢驗(yàn)項(xiàng)目抽樣及

檢驗(yàn)結(jié)果的判定三、檢測組織實(shí)施（二）檢測規(guī)則硅片抽樣按GB/T2828.1正常檢查一次抽樣方案進(jìn)行，具體的抽樣項(xiàng)目、檢查水平和合格質(zhì)量水平。檢查和驗(yàn)收組批檢驗(yàn)項(xiàng)目抽樣及

檢驗(yàn)結(jié)果的判定三、檢測組織實(shí)施（三）檢驗(yàn)規(guī)則序號檢驗(yàn)項(xiàng)目檢查水平合格質(zhì)量水平（AQL）1外形尺寸Ⅱ1.02倒角尺寸Ⅱ1.03硅片厚度Ⅱ1.04總厚度變化Ⅱ1.05彎曲度Ⅱ1.06線痕深度Ⅱ1.07相鄰兩邊的垂直度Ⅱ1.08導(dǎo)電類型S-20.019電阻率范圍S-20.0110硅片外觀及表面質(zhì)量崩邊/缺口Ⅱ1.0硅片邊緣Ⅱ2.5表面質(zhì)量Ⅱ1.5累計(jì)-2.5檢測項(xiàng)目、檢查水平和合格質(zhì)量水平檢測結(jié)果分析PART04四、檢測結(jié)果分析（一）多晶硅片質(zhì)量檢測參數(shù)分類多晶硅片的檢測參數(shù)備注合格品等外片不合格片A級C級D級硅片尺寸邊長156±0.5mm156±0.5mm>156.5mm

或<155.5mm

厚度200±20μm170-230um>250μm

或<170μm中心厚度230-250um倒角長度0.5-2.0mm0.5-2.0mm>2mm

或<0.5mm

TTV≤30μm≤50μm>50μm

四、檢測結(jié)果分析（一）多晶硅片質(zhì)量檢測參數(shù)表面質(zhì)量亮線無有有

線痕≤15μm≤50um>50um

密集線痕允許嚴(yán)重程度≤樣片10-50um>50um樣片白線無有有

斷線色差允許嚴(yán)重程度≤樣片有有樣片孿晶無無有

錯(cuò)位無無有

微晶無NANA

裂紋無無有

應(yīng)力無有NA

穿孔無無有

四、檢測結(jié)果分析（一）多晶硅片質(zhì)量檢測參數(shù)表面質(zhì)量崩邊長≤0.5mm，寬≤0.3mm，深≤1/3，N≤1個(gè)長＜2mm，寬≤1mm，相鄰兩個(gè)邊不得同時(shí)發(fā)生長≥2mm，寬＞1mm，允許鄰兩個(gè)邊同時(shí)發(fā)生缺口無長＜1mm，寬≤0.5mm，“V”型缺口不允許，N≤5個(gè)長≥1mm，寬＞0.5mm，允許“V”型缺口邊緣長度≤20mm，無寬度長＜2/3邊長，寬≤0.5mm，厚＜1/2硅片厚度長≥2/3邊長，寬＞0.5mm，厚≥1/2硅片厚度翹曲≤50μm≤70um>70um玷污無有NA導(dǎo)電類型PPN四、檢測結(jié)果分析（一）多晶硅片質(zhì)量檢測參數(shù)電學(xué)性能電阻率0.8~3.0Ω·cm0.5~10.0Ω·cm<0.5Ω·cm或>10.0Ω·cm

少子壽命

（未鈍化）≥2μs≥2μsNA硅錠掃描生長方式DSSDSSNA

雜質(zhì)含量摻雜型號/

摻雜元素p-type/Boronp-type/BoronNA

氧含量≤8.0E+17

atoms/cm3≤8.0E+17

atoms/cm3>8.0E+17

atoms/cm3

碳含量≤1.0E+18

atoms/cm3≤1.0E+18

atoms/cm3>1.0E+18

atoms/cm3

四、檢測結(jié)果分析（二）單晶硅片質(zhì)量檢測參數(shù)分類單晶硅片質(zhì)量檢驗(yàn)

參數(shù)合格片等外片A級C1級外觀不良C2級性能不良硅片

尺寸邊長S5L/S5C125±0.5mm125±0.5mm125±0.5mmS6C156±0.5mm156±0.5mm156±0.5mm對角線S5C150±0.5mm150±0.5mm150±0.5mmS5L165±0.5mm165±0.5mm165±0.5mmS6C200±0.5mm200±0.5mm200±0.5mm厚度S5L/S5C190±20μm160-210μm160-210μm180±20μm210-250μm210-250μmS6C200±20μm170-230μm170-230μm230-250μm230-250μm弦長差值S5L≤1.2mm≤1.2mm≤1.2mmS6C≤2mm≤2mm≤2mmTTVS5L/S5C/S6C≤30μm≤50um≤50um四、檢測結(jié)果分析（二）單晶硅片質(zhì)量檢測參數(shù)表面

質(zhì)量亮線S5L/S5C/S6C無有有有線痕S5L/S5C/S6C≤15μm≤50um≤50um>50um密集線痕S5L/S5C/S6C允許嚴(yán)重程度≤樣片10-50um10-50um>50um白線S5L/S5C/S6C無有有有斷線色差S5L/S5C/S6C允許嚴(yán)重程度≤樣片有有有孿晶S5L/S5C/S6C無無無有錯(cuò)位S5L/S5C/S6C無無無有應(yīng)力S5L/S5C/S6C無有有有穿孔S5L/S5C/S6C無無無有崩邊S5L/S5C/S6C長≤0.5mm，寬≤0.3mm，深≤1/3，N≤1個(gè)長＜2mm，寬≤1mm，相鄰兩邊不得同時(shí)發(fā)生長＜2mm，寬≤1mm，相鄰兩邊不得同時(shí)發(fā)生長≥2mm，寬＞2mm，允許相鄰兩邊同時(shí)發(fā)生四、檢測結(jié)果分析（二）單晶硅片質(zhì)量檢測參數(shù)表面

質(zhì)量缺口S5L/S5C/S6C無長＜1mm，寬≤0.5mm，“V”型缺口不允許，N≤5個(gè)長＜1mm，寬≤0.5mm，“V”型缺口不允許，N≤5個(gè)長≥1mm，寬＞0.5mm，允許“V”型缺口邊緣S5L/S5C/S6C長度≤20mm，無寬度長＜2/3邊長，寬≤0.5mm，厚＜1/2硅片厚度長＜2/3邊長，寬≤0.5mm，厚＜1/2硅片厚度長≥2/3邊長，寬＞0.5mm，厚≥1/2硅片厚度翹曲S5L/S5C/S6C≤50μm≤70um≤70um>70um沾污S5L/S5C/S6C無無無有導(dǎo)電類型S5L/S5C/S6CPPPN電阻率S5L/S5C/S6C1.0~3.0Ω·cm1.0~3.0Ω·cm0.5~10.0Ω·cm＜0.5Ω·cm或＞10.0Ω·cm四、檢測結(jié)果分析（二）單晶硅片質(zhì)量檢測參數(shù)電學(xué)

性能電阻率S5L/S5C/S6C1.0~3.0Ω·cm1.0~3.0Ω·cm0.5~10.0Ω·cm＜0.5Ω·cm或＞10.0Ω·cm少子壽命

（鈍化）S5L/S5C/S6C≥8μs2μs-8μs2μs-8μs＜2μs生長方式S5L/S5C/S6CCZCZCZNA摻雜型號/

摻雜元素S5L/S5C/S6Cp-type/Boronp-type/Boronp-type/BoronNA雜質(zhì)

含量氧含量S5L/S5C/S6C≤1.0E+18

atoms/cm3≤1.0E+18

atoms/cm3≤2.0E+18

atoms/cm3NA碳含量S5L/S5C/S6C