高考總復(fù)習(xí)優(yōu)化設(shè)計二輪用書物理Y 選擇題專項(xiàng)練4_第1頁
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選擇題專項(xiàng)練(四)高考總復(fù)習(xí)優(yōu)化設(shè)計GAOKAOZONGFUXIYOUHUASHEJI202512345678910一、單項(xiàng)選擇題:本題共7小題,每小題4分,共28分。每小題只有一個選項(xiàng)符合題目要求。1.(2024廣東汕頭一模)半導(dǎo)體摻雜對于半導(dǎo)體工業(yè)有著舉足輕重的作用,其中一種技術(shù)是將摻雜源物質(zhì)與硅晶體在高溫(800到1250攝氏度)狀態(tài)下接觸,摻雜源物質(zhì)的分子由于熱運(yùn)動滲透進(jìn)硅晶體的表面,溫度越高摻雜效果越顯著,下列說法正確的是(

)A.這種滲透過程是自發(fā)可逆的B.硅晶體具有光學(xué)上的各向同性C.這種滲透過程是分子的擴(kuò)散現(xiàn)象D.溫度越高摻雜效果越好是因?yàn)闇囟壬邥r,所有分子的熱運(yùn)動速率都增加C12345678910解析

摻雜源物質(zhì)的分子由于熱運(yùn)動滲透進(jìn)硅晶體的表面,所以這種滲透過程是分子的擴(kuò)散現(xiàn)象,該過程為自發(fā)過程,其逆過程不能自發(fā)進(jìn)行,故A錯誤,C正確;由于硅晶體的晶格結(jié)構(gòu),硅晶體具有光學(xué)上的各向異性,故B錯誤;溫度越高摻雜效果越好是因?yàn)闇囟壬邥r,分子的平均速率增大,并不是所有分子的熱運(yùn)動速率都增加,故D錯誤。123456789102.某古法榨油中的一道工序是撞榨,即用重物撞擊楔子壓縮油餅。如圖所示,質(zhì)量為50kg的重物用一輕繩與固定點(diǎn)O連接,O與重物重心間的距離為4m,某次將重物移至輕繩與豎直方向成37°角處,由靜止釋放,重物運(yùn)動到最低點(diǎn)時與楔子發(fā)生碰撞,若碰撞后楔子移動的距離可忽略,重物反彈,上升的最大高度為0.05m,重物與楔子作用時間約為0.05s,重力加速度g取10m/s2,sin37°=0.6,整個過程輕繩始終處于伸直狀態(tài),則碰撞過程中重物對楔子的作用力約為(

)A.4000N

B.5000NC.6000N D.7000NB12345678910

123456789103.(2024山東泰安一模)如圖所示,A、B是圍繞地球運(yùn)轉(zhuǎn)的兩顆衛(wèi)星,其中A衛(wèi)星的軌道半徑為RA,B衛(wèi)星的軌道半徑為RB,經(jīng)過相同的時間,A衛(wèi)星與地心O的連線掃過的面積為SA,B衛(wèi)星與地心O的連線掃過的面積為SB,已知SB∶SA=1∶2,則RB∶RA的值為(

)A.1∶2 B.1∶3C.1∶4 D.1∶8C12345678910

123456789104.(2024山東聊城一模)如圖所示,正方體框架ABCD-A1B1C1D1的底面A1B1C1D1處于水平地面上。從頂點(diǎn)A沿不同方向水平拋出小球(可視為質(zhì)點(diǎn)),不計空氣阻力。關(guān)于小球的運(yùn)動,下列說法正確的是(

)A.落點(diǎn)在棱BB1上的小球,落在B1點(diǎn)時平拋的初速度最大B.落點(diǎn)在面A1B1C1D1內(nèi)的小球,落在C1點(diǎn)的運(yùn)動時間最長C.落點(diǎn)在三角形B1C1D1內(nèi)的小球,平拋初速度的最小值與最大值之比是1∶2D.落點(diǎn)在線B1D1上的小球,落地時重力的瞬時功率均不相同C12345678910

123456789105.放射性元素衰變時,通常會放出α、β、γ三種射線,這三種射線穿透本領(lǐng)的示意圖如圖所示,下列說法正確的是(

)A.射線x可能為γ射線B.射線x可以用來消除工業(yè)生產(chǎn)中的有害靜電C.射線y的速度約為光速的D.射線z的本質(zhì)為高速電子流B12345678910解析

α射線的穿透本領(lǐng)最弱,γ射線的穿透本領(lǐng)最強(qiáng),則射線x應(yīng)為α射線,射線z應(yīng)為γ射線,射線y應(yīng)為β射線,A項(xiàng)錯誤;α射線的電離本領(lǐng)最強(qiáng),可以用來消除有害靜電,B項(xiàng)正確;β射線的本質(zhì)為高速電子流,其速度可達(dá)光速的99%,即接近光速,C項(xiàng)錯誤;γ射線的本質(zhì)是高能光子,D項(xiàng)錯誤。123456789106.(2024湖南張家界二模)如圖所示,ABCD是邊長為l的正三棱錐,虛線圓為三角形ABD的內(nèi)切圓,M、N、P分別為BD、AB和AD邊與圓的切點(diǎn),O為圓心,正三棱錐的頂點(diǎn)A、B和D分別固定有電荷量為+Q、+Q和-Q的點(diǎn)電荷,則(

)A.同一帶正電的點(diǎn)電荷分別置于M、P兩點(diǎn)的電勢能不相等B.將質(zhì)子由C移動到M,電勢能減少C.將電子由P移動到N,電場力做正功D.M、P兩點(diǎn)的電場強(qiáng)度相同C12345678910解析

根據(jù)對稱性可知,M點(diǎn)和P點(diǎn)的電勢相等,則同一帶正電的點(diǎn)電荷分別置于M、P兩點(diǎn)的電勢能相等,故A錯誤;根據(jù)等量異種點(diǎn)電荷等勢面關(guān)系圖可知,若僅考慮B處和D處點(diǎn)電荷時,C點(diǎn)和M點(diǎn)的電勢相等,質(zhì)子由C移動到M,靠近A處的正點(diǎn)電荷,電場力做負(fù)功,電勢能增加,故B錯誤;在A處點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場中,N點(diǎn)和P點(diǎn)的電勢相等,在B處點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場中,N點(diǎn)的電勢大于P點(diǎn)的電勢,在D處點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場中,N點(diǎn)的電勢大于P點(diǎn)的電勢,所以N點(diǎn)的電勢高于P點(diǎn)的電勢,電子在N點(diǎn)的電勢能小于在P點(diǎn)的電勢能,則電子由P到N,電勢能減小,電場力做正功,故C正確;根據(jù)對稱性可知,M點(diǎn)和P點(diǎn)的電場強(qiáng)度大小相等,方向不同,故D錯誤。123456789107.(2024廣東深圳一模)如圖所示,整個空間存在一水平向右的勻強(qiáng)電場和垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場,光滑絕緣斜面固定在水平面上。一帶正電滑塊從斜面頂端由靜止下滑,下滑過程中始終沒有離開斜面,下滑過程中滑塊的位移s、受到的洛倫茲力F洛、加速度a與機(jī)械能E機(jī)等物理量的大小隨時間變化的圖像可能正確的是(

)B12345678910解析

滑塊下滑過程中始終沒有離開斜面,滑塊沿斜面受到的重力分力和電場力分力均保持不變,滑塊做勻加速直線運(yùn)動,則a-t圖像為一條與橫軸平行的直線;根據(jù)s-t圖像的斜率表示速度,可知s-t圖像的斜率逐漸增大,故A、C錯誤;由于滑塊由靜止做勻加速直線運(yùn)動,則有F洛=qvB=qBat∝t,可知F洛-t圖像為過原點(diǎn)的傾斜直線,故B正確;除重力做功外,還有電場力做功,則滑塊的機(jī)械能不守恒,故D錯誤。12345678910二、多項(xiàng)選擇題:本題共3小題,每小題6分,共18分。每小題有多個選項(xiàng)符合題目要求,全部選對得6分,選對但不全的得3分,有選錯的得0分。8.(2024廣東三模)音叉可以用來產(chǎn)生簡諧聲波,如圖所示,在水平桌面上將兩個音叉A和B間隔一定距離正對放置,下列說法正確的是(

)A.若只敲擊音叉A,音叉B也可能會發(fā)出聲音B.若音叉A的頻率大于音叉B的頻率,則音叉A發(fā)出的聲波波速較大C.若音叉A的頻率大于音叉B的頻率,則音叉A發(fā)出的聲波波長較短D.若同時敲擊音叉A和B,音叉A和B發(fā)出的聲波相遇時,一定會發(fā)生干涉現(xiàn)象AC12345678910解析

若音叉A和B完全相同,音叉A發(fā)出的聲波頻率等于音叉B的固有頻率,則音叉B會發(fā)生共振從而發(fā)聲,故A正確;兩音叉發(fā)出的聲波速度相同,根據(jù)v=fλ可知,若音叉A發(fā)出的聲波頻率大于音叉B發(fā)出的聲波頻率,則音叉A發(fā)出的聲波波長較短,故B錯誤,C正確;只有兩音叉發(fā)出的聲波頻率相等時,才會發(fā)生干涉現(xiàn)象,故D錯誤。12345678910

BD12345678910

1234567891010.(2024廣東佛山二模)手機(jī)無線充電工作原理如圖所示,其中送電線圈和受電線圈的匝數(shù)比n1∶n2=5∶1,兩個線圈中所接電阻的阻值均為R。當(dāng)ab間接上220V的正弦交變電流后,受電線圈中產(chǎn)生交變電流再通過轉(zhuǎn)換電路轉(zhuǎn)換成直流電實(shí)現(xiàn)給手機(jī)快速充電,這時轉(zhuǎn)換電路ef兩端的電壓為5V,受電線圈中的電流為2A。把裝置線圈視為理想變壓器,則(

)A.若ab間接入5V直流電壓,則轉(zhuǎn)換電路ef兩端的電壓為5VB.受電線圈中的頻率與送電線圈中的頻率相同C.快速充電時

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