集成電路制造工藝 課件 5.5 離子注入機的組成及工作原理_第1頁
集成電路制造工藝 課件 5.5 離子注入機的組成及工作原理_第2頁
集成電路制造工藝 課件 5.5 離子注入機的組成及工作原理_第3頁
集成電路制造工藝 課件 5.5 離子注入機的組成及工作原理_第4頁
集成電路制造工藝 課件 5.5 離子注入機的組成及工作原理_第5頁
已閱讀5頁，還剩8頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認領

文檔簡介

集成電路制造工藝

--離子注入機的組成及工作原理單位：江蘇信息職業(yè)技術(shù)學院微電子教研室擴散方法第五章?lián)诫s擴散層的質(zhì)量參數(shù)與檢測離子注入的基本原理擴散的基本原理離子注入機的組成及工作原理離子注入的損傷與退火本章要點擴散方法第五章?lián)诫s擴散層的質(zhì)量參數(shù)與檢測離子注入的基本原理擴散的基本原理離子注入機的組成及工作原理離子注入的損傷與退火本章要點§5.5離子注入機的組成及工作原理離子注入機結(jié)構(gòu)圖一.離子注入機臺種類：按機臺外形分類臥式機臺立式機臺按注入能量分類低能量60Kev中能量60kev-200kev高能量200kev以上產(chǎn)生所需要的雜質(zhì)離子和其他各種離子放電管：通過放電管使雜質(zhì)離化產(chǎn)生各種離子吸極：利用幾十千伏負高壓把放電管中的正離子吸引出來二.離子注入機各部分的原理與作用工作氣體源B2H6,BF3,PH3,AsH3等固態(tài)材料氣化1.離子源和吸極：2.磁分析器：利用強電場使離子加速獲得足夠的能量能夠穿躍整個系統(tǒng)并注入靶中加速管離子束+100kv注入深度取決于加速管的電場能量3.加速器：原理：利用帶電粒子在電場中運動產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)的原理。防止中性原子在硅片中產(chǎn)生熱斑使離子在X方向和Y方向上進行偏轉(zhuǎn)，以便對硅片進行掃描靜電掃描原理：利用帶電粒子在電場中的運動產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)的原理。掃描外半徑掃描內(nèi)半徑旋轉(zhuǎn)機械掃描原理4.中性束流陷阱：5.X/Y偏轉(zhuǎn)掃描系統(tǒng)：在機械掃描中，離子束固定，硅片機械移動。此法一般用于大電流注入機中，因為靜電很難使大電流高能離子束偏移。束斑尺寸約為1cm寬，3cm高，機械掃描過程中，一批硅片（200mm硅片最多25片）固定在一個大輪盤的外沿，大輪盤1000到1500rpmr的速度旋轉(zhuǎn)，同時上下移動，使離子束能均勻掃過硅片的內(nèi)沿和外沿。輪盤也能相對于離子束方向傾斜一定角度，防止發(fā)生穿過硅晶格間隙的溝道效應。5.X/Y偏轉(zhuǎn)掃描系統(tǒng)：-+帶硅片的掃描盤在盤上的取樣狹縫離子束抑制柵孔徑

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論