集成電路制造工藝 課件 5.6 離子注入的損傷與退火_第1頁
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集成電路制造工藝

--離子注入機(jī)的損傷與退火單位：江蘇信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院微電子教研室擴(kuò)散方法第五章?lián)诫s擴(kuò)散層的質(zhì)量參數(shù)與檢測離子注入的基本原理擴(kuò)散的基本原理離子注入機(jī)的組成及工作原理離子注入的損傷與退火本章要點擴(kuò)散方法第五章?lián)诫s擴(kuò)散層的質(zhì)量參數(shù)與檢測離子注入的基本原理擴(kuò)散的基本原理離子注入機(jī)的組成及工作原理離子注入的損傷與退火本章要點§5.6離子注入損傷與退火工藝消除晶格損傷撞離錯位的硅原子重新回到晶格位置。激活雜質(zhì)雜質(zhì)取代硅原子占據(jù)晶格點，成為施、受主雜質(zhì)。一、退火的作用：高溫?zé)嵬嘶穑?/p>

用高溫爐把硅片加熱至800-1000℃并保持30分鐘特點：方法簡單，設(shè)備兼容，但高溫長時間易導(dǎo)致雜質(zhì)的再擴(kuò)散快速熱退火RTA：用極快的升溫和在目標(biāo)溫度（一般是1000℃）短暫的持續(xù)時間對硅片進(jìn)行處理。注入硅片的火通常在通入Ar或N2的快速熱處理機(jī)中進(jìn)行。二、退火的方法：快速熱退火RTA特點：快速的升溫和短暫的持續(xù)時間能夠在晶格缺陷修復(fù)，激活雜

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