集成電路制造工藝 課件 第9章 潔凈技術(shù)_第1頁
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集成電路制造工藝

--潔凈技術(shù)等級第九章潔凈技術(shù)潔凈設(shè)備清洗技術(shù)本章要點(diǎn)潔凈技術(shù)等級標(biāo)準(zhǔn)純水制備第九章潔凈技術(shù)潔凈技術(shù)等級標(biāo)準(zhǔn)潔凈設(shè)備純水制備清洗技術(shù)本章要點(diǎn)潔凈技術(shù)(CRT:CleanRoomTechnology)是適應(yīng)實(shí)驗(yàn)研究與產(chǎn)品加工精密化、微型化、高純度、高質(zhì)量和高可靠性等要求誕生的一門新興技術(shù),可保證特別干凈清潔的生產(chǎn)和科研環(huán)境,以防止生產(chǎn)與研究工作受環(huán)境因素干擾和影響,保護(hù)產(chǎn)品不受有害物質(zhì)污染為核心內(nèi)容。一.潔凈技術(shù)的定義§9.1潔凈技術(shù)等級潔凈度的概念:用每立方英尺空氣中所含的直徑大于0.5微米的顆粒數(shù)來衡量立方英尺與升的換算:1英尺(foot)=12英寸,1英寸=2.54cm,1立方分米=1升,所以:1立方英尺=28.3立方分米=28.3升潔凈度美國標(biāo)準(zhǔn)級別塵埃壓力/Torr溫度粒徑(μm)

粒/ft3粒/l范圍推薦值誤差1000.51003.51.2519.4-2522.22.8100000.5

10000

3505.0652.3100000

0.510000035005.0700250.28潔凈度我國標(biāo)準(zhǔn)空氣潔凈度等級(N)大于或等于所標(biāo)粒徑的粒子最大濃度限值(pc/m3)0.1um0.2um0.3um0.5um1um5um1102

210024104

31,000237102358

4(十級)10,0002,3701,02035283

5(百級)100,00023,70010,2003,520832296(千級)1,000,000237,000102,00035,2008,3202937(萬級)

352,00083,2002,9308(十萬級)

3,520,000832,00029,3009(一百萬級)

35,200,0008,320,000293,000謝謝!集成電路制造工藝

--潔凈設(shè)備單位:江蘇信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院微電子教研室第九章潔凈技術(shù)潔凈設(shè)備清洗技術(shù)潔凈技術(shù)等級標(biāo)準(zhǔn)純水制備本章要點(diǎn)第九章潔凈技術(shù)潔凈設(shè)備清洗技術(shù)潔凈技術(shù)等級標(biāo)準(zhǔn)純水制備本章要點(diǎn)§9.2潔凈設(shè)備空氣初級過濾器鼓風(fēng)機(jī)亞高效過濾器高效過濾器出風(fēng)口收集口排放口凈化系統(tǒng)空氣過濾器空氣過濾器是主要凈化部件,沒有過濾器,特別是沒有高效過濾器,也就沒有潔凈技術(shù)。空氣過濾器是用來對空氣進(jìn)行凈化處理的設(shè)備,根據(jù)過濾效率的高低,通常分為初效(粗效)、中效和高效過濾器三種類型。為了便于更換,一般做成可拆卸模塊:為提高過濾器過濾效率和增大額定風(fēng)量,可做成袋式或抽屜式??諝膺^濾器形式初效過濾器初效過濾器又稱粗效過濾器,主要用于空氣初級過濾,過濾粒徑在10~100μm范圍的大顆?;覊m。中效過濾器用于過濾粒徑在1~10μm范圍灰塵,常采用中細(xì)孔泡沫塑料、玻璃纖維、無紡布等濾料制作。高效過濾器用于過濾粒徑1~5μm。常采用超細(xì)玻璃纖維和超細(xì)石棉纖維等濾料制作成紙狀。高效過濾器效率為99.91%,亞高效過濾器效率為90%~99.9%??諝膺^濾器分類空氣過濾器外觀使用注意事項(xiàng)對空氣過濾器的選用,應(yīng)主要依據(jù)凈化要求和室外空氣污染情況而定,通常是將幾種效率不同的過濾器串聯(lián)使用。空氣過濾器應(yīng)經(jīng)常拆換清洗,以免因?yàn)V料上積塵太多而使房間室內(nèi)空氣潔凈度達(dá)不到要求:清洗周期多個過濾器同時使用時要配合采用風(fēng)機(jī)供應(yīng)空氣,確保氣體能順利通過后續(xù)過濾器。潔凈工作室

工作室內(nèi)潔凈度達(dá)到生產(chǎn)所需潔凈度級別的工作室稱為潔凈工作室,工作室通常經(jīng)過三級過濾后可獲得所需潔凈等級,潔凈工作室分類:

斜流式、

水平層流式

垂直層流式

其中,斜流式結(jié)構(gòu)很少采用,水平層流式和垂直層流式應(yīng)用較為廣泛。潔凈室除塵設(shè)備風(fēng)淋室風(fēng)淋室可保證進(jìn)入潔凈室人員進(jìn)行人身潔凈和防止室外空氣侵入;主要分為停留式和通道式兩種。主要由風(fēng)機(jī)、過濾器和噴嘴組成。潔凈室除塵設(shè)備靜電自凈器的工作原理為極板金屬絲外加直流電壓,不均勻電場造成空氣電暈放電,產(chǎn)生的正離子吸附塵埃后向陽極集中被吸收,達(dá)到集塵效果。靜電自凈器潔凈室除塵設(shè)備真空收塵器-吸塵器通過一定方法在收塵器內(nèi)部形成一定負(fù)壓(真空),室內(nèi)空氣在壓力作用下通過吸塵管進(jìn)入收塵器內(nèi)部,經(jīng)三級過濾后排回室內(nèi)空間。真空收塵器-吸塵器穿好潔凈服,頭發(fā)不能外露不準(zhǔn)使用鉛筆和普通紙張,進(jìn)入要清潔嚴(yán)格注意個人清潔、養(yǎng)成良好衛(wèi)生習(xí)慣傳染病和呼吸道疾病患者,嚴(yán)禁入內(nèi)原則上不串門,限制室內(nèi)最高人數(shù)潔凈室操作人員注意事項(xiàng)潔凈工作臺潔凈室內(nèi)各處潔凈度要求不盡相同,不同工序要求的潔凈度標(biāo)準(zhǔn)不同,此時需要在保證潔凈室等級基礎(chǔ)上,滿足局部潔凈度要求。潔凈工作臺可分為循環(huán)式和直流式;亂流(紊流)式和平行流式每天打掃環(huán)境衛(wèi)生,使用前提前開啟風(fēng)機(jī)吹污操作區(qū)為層流區(qū)時,出風(fēng)面和加工面不能有阻擋物操作者嚴(yán)格按清潔規(guī)程做好個人衛(wèi)生清潔防塵簾輕拉輕放并定期清潔設(shè)備定期檢修:進(jìn)行風(fēng)速和泄漏檢查風(fēng)機(jī)噪聲控制在一定范圍內(nèi):60db潔凈工作臺使用注意事項(xiàng)謝謝!集成電路制造工藝

--清洗技術(shù)單位:江蘇信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院微電子教研室第九章潔凈技術(shù)潔凈設(shè)備清洗技術(shù)潔凈技術(shù)等級標(biāo)準(zhǔn)純水制備本章要點(diǎn)第九章潔凈技術(shù)潔凈設(shè)備清洗技術(shù)潔凈技術(shù)等級標(biāo)準(zhǔn)純水制備本章要點(diǎn)§9.3清洗技術(shù)沾污可能來源影響顆粒設(shè)備、環(huán)境、氣體、去離子水、化學(xué)試劑氧化層低擊穿、成品率低,圖形有缺陷有機(jī)殘余物室內(nèi)空氣、光刻膠、容器、化學(xué)試劑柵極氧化物耐壓不良,氧化速率改變,CVD膜和氧化膜產(chǎn)生偏差金屬離子設(shè)備、化學(xué)試劑、反應(yīng)離子刻蝕、人柵極氧化膜耐壓劣化,造成氧化層擊穿、PN結(jié)反向漏電增大、少數(shù)載流子壽命縮短、閾值電壓偏移自然氧化層環(huán)境濕氣、去離子水沖洗柵氧化層耐壓劣化、外延層質(zhì)量變差、接觸電阻增大、硅化物質(zhì)量差清洗要求制造年代20032004200520062007200820092010201220132015技術(shù)要點(diǎn)hp90hp65hp45hp32DRAM1/210090807065575045353225晶圓直徑/mm300450顆粒直徑/nm5045403532.528.52522.517.51612.5顆粒數(shù)/個5975976480546886155195155GOl表面金屬5.0×109(原子/cm2)其它表面金屬1.0×1010(原子/cm2)表面碳素(原子)/cm21.8×10131.6×10131.4×10131.3×10131.2×10131.0×10130.9×1013清洗的原則去除硅片表面的污染物。溶液應(yīng)具有高氧化能力,可將金屬氧化后溶解于清洗液中,同時將有機(jī)物氧化為CO2和H2O等物質(zhì);防止被除去的污染物再向硅片表面吸附。這就要求硅片表面和顆粒之間存在相斥作用。典型的清洗順序序號清洗液去除物質(zhì)溫度條件化學(xué)試劑濃度1SC-3去除光刻膠、有機(jī)物(和金屬)125℃NH4OH:29%H2O2:30%HCl:37%H2SO4:98%HF:49%NH4F:40%HNO3:67~70%2去離子水洗去SC-3溶液室溫3SC-1去除顆粒80~90℃4去離子水洗去SC-1溶液室溫5SC-2去除金屬80~90℃6去離子水洗去SC-2溶液室溫7DHF漂去自然氧化物室溫8去離子水洗去HF溶液室溫9甩干保持硅片表面無殘留溶液殘?jiān)退凼覝貪穹ㄇ逑矗篟CA清洗、超聲波清洗、兆聲波清洗干法清洗:等離子體清洗、氣相清洗、UV/O3清洗束流清洗清洗的方法RCA清洗常用的化學(xué)清洗液清洗液化學(xué)成分分子結(jié)構(gòu)清洗溫度/℃清除的對象SC-1(APM)氨水、過氧化氫、純水NH4OH/H2O2/H2O20-80顆粒、有機(jī)物SC-2(HPM)鹽酸、過氧化氫、純水HCl/H2O2/H2O20-80金屬SC-3(SPM)硫酸、過氧化氫H2SO4/H2O280-150金屬、有機(jī)物DHF氫氟酸純水HF/H2O20-25氧化膜2利用SC-1清洗液去除顆粒,同時去除部分有機(jī)物和金屬3利用氫氟酸(HF)或稀氫氟酸(DHF)清洗,去除表面氧化層4使用SC-2清洗液去除硅片表面的鈉、鐵、鎂等金屬沾污1利用SC-3清洗液在120~150℃清洗10min左右,去除有機(jī)物和部分金屬RCA清洗順序超聲波清洗超聲波清洗時,在強(qiáng)烈的超聲波作用下,機(jī)械振動傳到清洗槽內(nèi)的清洗中,使清洗液體內(nèi)交替出現(xiàn)疏密相間的振動,疏部產(chǎn)生近乎真空的空腔泡,當(dāng)空腔泡消失的瞬間,其附近便產(chǎn)生強(qiáng)大的局部壓力,使分子內(nèi)的化學(xué)鍵斷裂,因此使硅片表面的雜質(zhì)解吸。清洗常用的超聲波為20-40kHz清洗效果好,操作簡單,對于復(fù)雜的器件和容器也能清除,但該法也具有噪音較大、換能器易壞的缺點(diǎn)。兆聲波清洗兆聲波清洗也是利用聲能進(jìn)行清洗,但其振動頻率更高,約為850kHz,輸出能量密度為2~5W/cm2,僅為超聲波清洗能量密度的1/50。兆聲波清洗是由高能頻振效應(yīng)并結(jié)合化學(xué)清洗劑的化學(xué)反應(yīng)對硅片進(jìn)行清洗的。在清洗時,由換能器發(fā)出波長為1μm頻率為0.8兆赫的高能聲波。溶液分子在這種聲波的推動下作加速運(yùn)動,最大瞬時速度可達(dá)到30cm/s。旋轉(zhuǎn)噴淋法旋轉(zhuǎn)噴淋法是指利用機(jī)械方法將硅片以較高的速度旋轉(zhuǎn)起來,在旋轉(zhuǎn)過程中通過不斷向硅片表面噴液體(高純?nèi)ルx子水或其它清洗液)而達(dá)到清洗硅片目的的一種方法。該方法利用所噴液體的溶解(或化學(xué)反應(yīng))作用來溶解硅片表面的沾污,同時利用高速旋轉(zhuǎn)的離心作用,使溶有雜質(zhì)的液體及時脫離硅片表面,這樣硅片表面的液體總保持非常高的純度。同時由于所噴液體與旋轉(zhuǎn)的硅片有較高的相對速度,所以會產(chǎn)生較大的沖擊力達(dá)到清除吸附雜質(zhì)的目的。等離子清洗該法具有工藝簡單、操作方便、沒有廢料處理和環(huán)境污染等問題。等離子體去膠是指在反應(yīng)系統(tǒng)中通入少量的氧氣,在強(qiáng)電場作用下,使低氣壓的氧氣產(chǎn)生等離子體,其中活化氣(或稱活潑的原子態(tài)氣)占有適當(dāng)比例,可以迅速地使光刻膠氧化成為可揮發(fā)性氣體狀態(tài)被機(jī)械泵抽走,這樣把硅片上的光刻膠膜去除掉。等離子去膠操作方便、去膠效率高、表面干凈、無劃傷、硅片溫度低等優(yōu)點(diǎn),有利于確保產(chǎn)品的質(zhì)量。它不用酸、堿及有機(jī)溶劑等,成本低,又不會造成公害等,因此受到人們重視,在生產(chǎn)中已逐步采用。氣相干洗氣相清洗是指利用液體工藝中對應(yīng)物質(zhì)的氣相等效物(如去氧化物的HF)與硅片表面的沾污物質(zhì)相互作用而達(dá)到去除雜質(zhì)目的的一種清洗方法。HF氣相干洗技術(shù)成功地用于去除氧化膜、氯化膜和金屬后腐蝕殘余,并可減少清洗后自然生長的氧化膜量。一種方法是在常壓下使用HF氣體控制系統(tǒng)的濕度。另一種方法是在低壓下使HF揮發(fā)成霧。UV/O3清洗是指在氧存在的情況下,使用來自水銀石英燈的短波紫外線照射硅片表面,這是一種強(qiáng)有力的去除多種沾污的清洗方法。臭氧是非常強(qiáng)的氧化物質(zhì)??裳趸袡C(jī)沾污,如含碳的分子。此方法用于SC-I/SC-2/HF-H2O2之后,氧化工藝之前,可改善氧化層質(zhì)量。UV/O3清洗效果明顯,不用化學(xué)品,無機(jī)械損傷,之后無需干燥。如何改進(jìn)清洗技術(shù)——SC1清洗技術(shù)的改進(jìn)降低NH4OH組成比例兆聲波清洗添加表面活性劑加入HF,控制其pH值SC-1加入絡(luò)合劑清洗技術(shù)的改進(jìn)—DHFHF+H2O2清洗DHF+表面活性劑清洗DHF+陰離子表面活性劑清洗清洗技術(shù)的改進(jìn)—ACD

在標(biāo)準(zhǔn)的AC清洗中,將同時使用純水、HF、O3,表面活性劑與兆聲波清洗技術(shù)的改進(jìn)—單片式處理開發(fā)多品種小批量生產(chǎn)清洗系統(tǒng)關(guān)鍵在于如何加快循環(huán)時間。因此出現(xiàn)了旋轉(zhuǎn)噴淋式清洗工藝。采用單片方式很容易變換藥液和清洗順序,提高了工程的自由度。并能實(shí)施對每片晶圓的精細(xì)管理,也稱單片管理。單片式使?jié)駳飧g的均勻性提高,干燥后,不需放置,可直接進(jìn)行成膜處理,這種連續(xù)處理可以防止氣體中有機(jī)物等沾污附著和自身氧化膜的形成。謝謝!集成電路制造工藝

--純水制備單位:江蘇信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院微電子教研室第九章潔凈技術(shù)潔凈設(shè)備清洗技術(shù)潔凈技術(shù)等級標(biāo)準(zhǔn)純水制備本章要點(diǎn)第九章潔凈技術(shù)潔凈設(shè)備清洗技術(shù)潔凈技術(shù)等級標(biāo)準(zhǔn)純水制備本章要點(diǎn)§9.4純水制備去離子水中雜質(zhì)及有機(jī)物標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目電阻率塵埃量最大塵埃顆粒總電解度有機(jī)物要求≥18MΩ?cm(25℃)≤100-150個/ml≤0.5μmNaCl:≤35×10-9≤1×10-6項(xiàng)目溶存氣體SiO2氧化物硝酸根磷酸根要求≤200×10-6≤2×10-9≤≤0.2×10-9≤0.5×10-9≤0.5×10-9項(xiàng)目

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