2026年衛(wèi)生專業(yè)技術資格考試（神經電生理（腦電圖）技術基礎知識與相關專業(yè)知識初級師代碼215）考前沖刺試題及答案解析1.單選題（每題1分，共40分）1.1腦電圖記錄時，國際10-20系統(tǒng)中C3電極位于A.左中央區(qū)，距Cz20%處B.左中央區(qū)，距Cz10%處C.右中央區(qū)，距Cz20%處D.左中央區(qū)，距Fz20%處答案：A解析：10-20系統(tǒng)規(guī)定C3位于左中央區(qū)，與Cz距離為總矢狀線長度的20%，即Cz向左20%處。1.2關于腦電放大器輸入阻抗的描述，正確的是A.應小于1kΩ以降低噪聲B.應大于10MΩ以減少信號衰減C.與電極阻抗無關D.越高越易引入50Hz干擾答案：B解析：高輸入阻抗（>10MΩ）可最大限度減少電極-皮膚界面分壓效應，保證微弱腦電信號不被衰減。1.3兒童思睡期最突出的節(jié)律是A.4-5Hzθ活動B.6-7Hzθ活動C.8-9Hzα節(jié)律D.14-16Hz紡錘波答案：B解析：3-10歲兒童在思睡期常出現(xiàn)6-7Hz中央-頂區(qū)優(yōu)勢θ節(jié)律，稱為“思睡θ”。1.4下列哪項不是β活動增多的生理狀態(tài)A.緊張焦慮B.苯二氮?類藥物使用C.深睡期D.睜眼狀態(tài)答案：C解析：深睡期以慢波為主，β功率顯著下降；其余選項均可致β活動增多。1.5腦電高頻振蕩（HFOs）的上限頻率通常定義為A.70HzB.100HzC.250HzD.500Hz答案：C解析：癲癇研究中將80-250Hz定義為γ高頻振蕩，>250Hz稱“極高頻”或“fastripple”。1.6參考電極導聯(lián)下，若參考電極脫落，最可能出現(xiàn)的圖形是A.全導聯(lián)低電壓B.全導聯(lián)高幅50HzC.一側導聯(lián)平坦D.全導聯(lián)等電位線答案：B解析：參考脫落使所有通道共模信號消失，放大器飽和，呈現(xiàn)高幅50Hz偽差。1.7關于腦電采樣率，下列說法正確的是A.滿足奈奎斯特定理即可，無需更高B.256Hz采樣可準確還原35Hz棘波C.512Hz采樣對相位同步研究更優(yōu)D.采樣率越高，文件體積越小答案：C解析：高采樣率減少相位誤差，利于同步分析；256Hz對35Hz信號僅剛滿足奈奎斯特，相位信息可能失真。1.8睡眠紡錘波最大振幅導聯(lián)通常為A.Fp1-Fp2B.C3-C4C.T5-T6D.O1-O2答案：B解析：紡錘波源于丘腦-皮質環(huán)路，中央區(qū)最突出。1.9腦電報告書寫中，“節(jié)律”與“活動”的主要區(qū)別在于A.頻率高低B.是否持續(xù)穩(wěn)定出現(xiàn)C.是否對稱D.是否病理答案：B解析：節(jié)律指持續(xù)穩(wěn)定、形態(tài)一致；活動為短暫、片段出現(xiàn)。1.10對閃光刺激（IPS）反應中，光肌源性反應屬于A.皮質源性B.視網膜源性C.肌肉源性D.血管源性答案：C解析：光肌源性反應為閃光誘發(fā)的面部肌肉電位，非腦電。1.11腦電圖中三相波的典型周期為A.0.5-1sB.1-2sC.2-3sD.3-4s答案：A解析：三相波周期約0.5-1s，即1-2Hz。1.12新生兒爆發(fā)-抑制圖形中，抑制段持續(xù)時間≥多少需警惕預后不良A.5sB.10sC.20sD.30s答案：C解析：抑制段>20s與重度神經發(fā)育障礙相關。1.13腦電導聯(lián)排列順序國際通用規(guī)則為A.從左到右、從前到后、先上后下B.從右到左、從后到前、先下后上C.從左到右、從后到前、先上后下D.從右到左、從前到后、先下后上答案：A解析：遵循“左-右、前-后、上-下”順序，便于閱讀。1.14腦電高頻濾波設為70Hz時，主要影響A.α節(jié)律B.β節(jié)律C.γ及HFOsD.δ節(jié)律答案：C解析：70Hz高通濾波會衰減γ及以上頻率，影響HFOs檢測。1.15腦電圖中“缺口”偽差最常見原因為A.電極脫落B.高阻抗C.放大器飽和D.肌電干擾答案：B解析：阻抗驟升導致信號瞬時衰減，形成“缺口”。1.16對癲癇患者行剝奪睡眠激活，推薦剝奪時間為A.4hB.12hC.24hD.36h答案：C解析：24h剝奪可顯著提高癇樣放電陽性率，且安全可耐受。1.17腦電圖中“μ節(jié)律”頻率范圍與下列哪項最接近A.δB.θC.αD.β答案：C解析：μ節(jié)律為7-11Hz，與α頻率重疊，但分布與反應性不同。1.18腦電記錄時，電極-皮膚阻抗應控制在A.<1kΩB.<5kΩC.<10kΩD.<50kΩ答案：B解析：臨床要求阻抗<5kΩ，可最大限度降低偽差。1.19腦電圖中“慢α變異”頻率為A.4-5HzB.6-7HzC.8-9HzD.10-11Hz答案：B解析：慢α變異呈6-7Hz，分布與α相似，但頻率慢。1.20腦電圖中“偽差”定義的核心是A.非腦源性電位變化B.高幅電位C.非對稱電位D.節(jié)律性電位答案：A解析：凡非腦組織產生的電位均為偽差。1.21腦電圖中“棘波”時限標準為A.20-70msB.70-200msC.200-500msD.>500ms答案：A解析：棘波時限20-70ms，>70ms為尖波。1.22腦電圖中“多棘慢復合波”最常見于A.典型失神B.肌陣攣發(fā)作C.失張力發(fā)作D.局灶性發(fā)作答案：B解析：多棘慢為肌陣攣發(fā)作典型圖形。1.23腦電圖中“λ波”最突出的導聯(lián)為A.額極B.中央C.枕區(qū)D.顳區(qū)答案：C解析：λ波為掃視誘發(fā)枕區(qū)正相波。1.24腦電圖中“K復合波”出現(xiàn)睡眠期A.N1B.N2C.N3D.REM答案：B解析：K復合波為N2期標志。1.25腦電圖中“α昏迷”最常見病因A.藥物中毒B.低血糖C.缺氧后腦病D.肝性腦病答案：C解析：缺氧后腦病可見α頻帶廣泛分布、無調節(jié)的α昏迷。1.26腦電圖中“周期性一側癲癇樣放電（PLEDs）”最常見于A.肝性腦病B.低血糖C.急性腦梗死D.癲癇持續(xù)狀態(tài)答案：C解析：急性腦血管病致皮質損傷可致PLEDs。1.27腦電圖中“低電壓”定義為A.<10μVB.<20μVC.<30μVD.<50μV答案：B解析：成人清醒閉眼狀態(tài)下，全導聯(lián)<20μV稱低電壓。1.28腦電圖中“β昏迷”最常見于A.鎮(zhèn)靜藥物中毒B.缺氧C.肝性腦病D.尿毒癥答案：A解析：大劑量鎮(zhèn)靜藥可致廣泛β活動昏迷。1.29腦電圖中“6Hz幻影棘慢波”最常見狀態(tài)A.清醒B.思睡C.深睡D.REM答案：B解析：6Hz幻影棘慢波見于思睡期，低幅、廣泛。1.30腦電圖中“門狀棘波”最常見部位A.額極B.中央C.顳區(qū)D.枕區(qū)答案：C解析：門狀棘波為顳區(qū)睡眠良性圖形。1.31腦電圖中“手套波”最常見于A.帕金森病B.肝性腦病C.尿毒癥D.藥物中毒答案：A解析：手套波為帕金森病睡眠期圖形。1.32腦電圖中“爆發(fā)-抑制”與“爆發(fā)-暫停”主要區(qū)別A.頻率B.抑制段是否完全等電位C.是否對稱D.是否藥物相關答案：B解析：爆發(fā)-抑制抑制段可含極低電壓；爆發(fā)-抑制抑制段完全等電位。1.33腦電圖中“電靜息”定義為A.<5μVB.<10μVC.<20μVD.<2μV答案：D解析：電靜息<2μV，提示皮質電活動消失。1.34腦電圖中“α節(jié)律衰減”睜眼后降至原振幅A.10%B.30%C.50%D.70%答案：C解析：正常α節(jié)律睜眼衰減≥50%。1.35腦電圖中“光驅動”頻率≥多少稱“photoparoxysmal”A.8HzB.12HzC.16HzD.20Hz答案：C解析：≥16HzIPS誘發(fā)電癇樣放電稱photoparoxysmal。1.36腦電圖中“中線θ節(jié)律”最常見于A.兒童B.青年C.老年D.癡呆答案：A解析：中線θ為兒童正常變異。1.37腦電圖中“缺口節(jié)律”最常見于A.額區(qū)B.中央區(qū)C.顳區(qū)D.枕區(qū)答案：C解析：顳骨缺損致缺口節(jié)律。1.38腦電圖中“14&6Hz正相爆發(fā)”最常見狀態(tài)A.清醒B.思睡C.N2D.REM答案：B解析：14&6Hz見于思睡期。1.39腦電圖中“極度紡錘”頻率A.10-12HzB.12-14HzC.14-16HzD.16-18Hz答案：C解析：極度紡梭14-16Hz，見于苯二氮?。1.40腦電圖中“θ點”最常見部位A.FzB.CzC.PzD.Oz答案：B解析：θ點為Cz區(qū)短暫θ，正常變異。2.共用題干單選題（每題1分，共10分）【題干】患者男，28歲，發(fā)作性意識喪失伴抽搐，VEEG監(jiān)測示：圖1：發(fā)作期全導聯(lián)突然去同步化低電壓→約18Hz快節(jié)律→波幅漸高頻率漸慢→演變?yōu)?0Hz節(jié)律→θ-δ活動；持續(xù)約90s后恢復背景。2.1該發(fā)作期圖形最可能診斷為A.典型失神B.局灶性發(fā)作繼發(fā)全面C.全面性強直-陣攣發(fā)作D.肌陣攣發(fā)作答案：C解析：去同步化→快節(jié)律→頻率減慢→θ-δ，為GTCS典型演變。2.2發(fā)作前背景可見4-5Hzθ活動，對稱，量中等，該背景最可能狀態(tài)A.清醒放松B.思睡C.N1D.N2答案：B解析：對稱4-5Hzθ提示思睡。2.3若發(fā)作期出現(xiàn)肌電干擾，下列哪項處理最佳A.降低高頻濾波至30HzB.提高高頻濾波至100HzC.讓患者咬牙D.重新固定電極答案：A解析：降低高頻濾波可衰減肌電高頻成分。2.4發(fā)作后背景見廣泛δ，持續(xù)5min，應報告為A.發(fā)作后抑制B.發(fā)作后慢波C.電靜息D.爆發(fā)-抑制答案：B解析：發(fā)作后短暫δ為常見慢波。2.5若患者發(fā)作期心率由80次升至150次，應判斷為A.竇性心動過速B.室上速C.室速D.偽差答案：A解析：GTCS常伴竇性心動過速。3.多選題（每題2分，共10分）3.1下列哪些屬于腦電圖中“良性變異”A.6Hz幻影棘慢波B.門狀棘波C.中線θ節(jié)律D.三相波E.14&6Hz正相爆發(fā)答案：A、B、C、E解析：三相波為代謝性腦病表現(xiàn)，非良性。3.2關于腦電高頻振蕩（HFOs）描述正確的是A.頻率80-250HzB.與癲癇灶定位相關C.可被睡眠紡錘掩蓋D.需≥1000Hz采樣E.可用帶通濾波提取答案：A、B、D、E解析：紡錘頻率低，不掩蓋HFOs。3.3腦電圖中“偽差”來源包括A.心電B.肌電C.電極線擺動D.出汗E.眼動答案：A、B、C、D、E3.4新生兒腦電圖中“爆發(fā)-抑制”可見于A.缺氧缺血性腦病B.代謝性腦病C.苯巴比妥過量D.早發(fā)癲癇腦病E.早產腦成熟延遲答案：A、B、C、D3.5腦電圖中“光驅動”反應特點A.頻率與閃光一致B.枕區(qū)最明顯C.可呈諧波D.可誘發(fā)癇樣放電E.僅見于癲癇答案：A、B、C、D4.判斷題（每題1分，共10分）4.1α節(jié)律頻率與年齡呈負相關。答案：√解析：兒童α慢，老年略慢。4.2腦電放大器共模抑制比越高越易引入50Hz。答案：×解析：CMRR越高，抑制共模干擾越強。4.3新生兒腦電圖中“δ刷”為異常圖形。答案：×解析：δ刷為早產兒正常。4.4腦電圖中“手套波”為癲癇樣放電。答案：×解析：手套波為帕金森睡眠圖形。4.5腦電圖中“缺口節(jié)律”需與癲癇灶鑒別。答案：√解析：缺口節(jié)律高幅，可誤為癇樣。4.6腦電圖中“電靜息”可逆。答案：√解析：低溫、藥物可逆。4.7腦電圖中“β昏迷”預后優(yōu)于“α昏迷”。答案：√解析：β昏迷多為藥物，可逆。4.8腦電圖中“6Hz幻影棘慢波”可誘發(fā)發(fā)作。答案：×解析：無致癇性。4.9腦電圖中“極度紡錘”提示苯二氮?過量。答案：√4.10腦電圖中“λ波”為眼球掃視誘發(fā)。答案：√5.填空題（每空1分，共10分）5.1國際10-20系統(tǒng)規(guī)定，矢狀線從鼻根到枕外隆凸分為____%、____%、____%、____%、____%五點。答案：10、20、50、80、905.2腦電圖中“三相波”典型頻率為____Hz。答案：1.5-2.55.3腦電圖中“睡眠紡錘”頻率為____Hz。