2026春招：華潤微電子真題及答案

一、單項選擇題（每題2分，共10題）1.半導(dǎo)體中載流子的運動形式不包括（）A.漂移運動B.擴散運動C.對流運動D.熱運動2.以下哪種材料不屬于半導(dǎo)體材料（）A.硅B.鍺C.銅D.砷化鎵3.三極管工作在放大區(qū)時，發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的偏置情況是（）A.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏B.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏C.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏D.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏4.MOSFET是（）A.雙極型晶體管B.場效應(yīng)晶體管C.晶閘管D.二極管5.集成電路制造過程中的光刻工藝主要作用是（）A.摻雜B.氧化C.圖形轉(zhuǎn)移D.金屬化6.半導(dǎo)體物理中，P型半導(dǎo)體主要靠（）導(dǎo)電。A.電子B.空穴C.離子D.光子7.以下對觸發(fā)器描述正確的是（）A.是組合邏輯電路B.有記憶功能C.輸出只與當前輸入有關(guān)D.不能存儲數(shù)據(jù)8.半加器的輸入是（）A.兩個一位二進制數(shù)B.兩個多位二進制數(shù)C.一個一位二進制數(shù)和進位D.一個多位二進制數(shù)和進位9.數(shù)字電路中，高電平一般用（）表示。A.0B.1C.-1D.210.若要實現(xiàn)信號的放大，應(yīng)選擇（）A.反相器B.放大器C.編碼器D.譯碼器二、多項選擇題（每題2分，共10題）1.以下屬于半導(dǎo)體器件的有（）A.二極管B.三極管C.電阻D.電容2.集成電路制造的主要工藝流程包括（）A.晶圓制造B.光刻C.蝕刻D.封裝測試3.MOSFET按溝道類型可分為（）A.N溝道B.P溝道C.增強型D.耗盡型4.數(shù)字電路的基本邏輯門有（）A.與門B.或門C.非門D.異或門5.觸發(fā)器按觸發(fā)方式可分為（）A.電平觸發(fā)B.邊沿觸發(fā)C.脈沖觸發(fā)D.邏輯觸發(fā)6.半導(dǎo)體的特性有（）A.熱敏性B.光敏性C.摻雜性D.超導(dǎo)性7.以下用于信號轉(zhuǎn)換的電路有（）A.編碼器B.譯碼器C.數(shù)據(jù)選擇器D.數(shù)據(jù)分配器8.模擬信號處理電路包括（）A.放大器B.濾波器C.比較器D.計數(shù)器9.數(shù)字集成電路按集成度可分為（）A.小規(guī)模B.中規(guī)模C.大規(guī)模D.超大規(guī)模10.半導(dǎo)體制造中常用的摻雜方法有（）A.離子注入B.擴散C.氧化D.光刻三、判斷題（每題2分，共10題）1.所有的金屬都是半導(dǎo)體。（）2.集成電路制造中光刻的精度越高越好。（）3.數(shù)字電路中信號只有高電平和低電平兩種狀態(tài)。（）4.三極管的放大作用是將小電流放大成大電流。（）5.MOSFET的輸入電阻比三極管的輸入電阻小。（）6.觸發(fā)器可以用來存儲一位二進制數(shù)據(jù)。（）7.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間。（）8.模擬信號是連續(xù)變化的信號。（）9.組合邏輯電路的輸出只與當前輸入有關(guān)。（）10.半導(dǎo)體制造中蝕刻的目的是去除不需要的材料。（）四、簡答題（每題5分，共4題）1.簡述半導(dǎo)體的熱敏特性。答：半導(dǎo)體熱敏特性指其導(dǎo)電能力隨溫度變化明顯。溫度升高時，價電子獲得足夠能量掙脫束縛成為自由電子，同時產(chǎn)生空穴，載流子濃度增加，電阻減小，導(dǎo)電能力增強。2.簡述CMOS集成電路的優(yōu)點。答：CMOS集成電路優(yōu)點多，功耗極低，靜態(tài)時幾乎不耗電；抗干擾能力強，能容忍一定電平波動；集成度高，可在小面積芯片上集成眾多元件；工作速度快，能滿足高速應(yīng)用需求。3.什么是數(shù)字信號和模擬信號？答：數(shù)字信號是離散信號，在時間和幅值上都不連續(xù)，常用0和1表示兩種狀態(tài)。模擬信號是連續(xù)信號，在時間和幅值上都連續(xù)變化，如聲音、溫度等物理量的原始信號。4.簡述三極管放大的條件。答：三極管放大需滿足內(nèi)部和外部條件。內(nèi)部條件是發(fā)射區(qū)摻雜濃度高，基區(qū)薄且摻雜少，集電區(qū)面積大。外部條件是發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，使載流子能正常傳輸以實現(xiàn)信號放大。五、討論題（每題5分，共4題）1.討論半導(dǎo)體技術(shù)在新能源汽車中的應(yīng)用。答：半導(dǎo)體技術(shù)在新能源汽車中至關(guān)重要。功率半導(dǎo)體用于電機驅(qū)動、電池管理，高效控制電能轉(zhuǎn)換傳輸。傳感器芯片用于監(jiān)測電池狀態(tài)、溫度等，保障安全。車規(guī)級芯片實現(xiàn)自動駕駛、智能互聯(lián)等功能，提升舒適度和安全性。2.分析集成電路制造中光刻工藝的挑戰(zhàn)。答：光刻工藝挑戰(zhàn)大。精度上，需不斷提高分辨率以滿足更小尺寸芯片需求；成本上，光刻機昂貴且維護費用高；技術(shù)上，光刻材料和曝光光源發(fā)展需同步，同時要克服光刻中的衍射、散光等光學(xué)問題。3.探討數(shù)字電路和模擬電路的差異。答：數(shù)字電路處理離散信號，用二進制表示信息，抗干擾強、易集成，用于邏輯運算和存儲。模擬電路處理連續(xù)信號，注重信號的幅度和頻率，處理現(xiàn)實世界物理量，如音頻放大、電源穩(wěn)壓，分析設(shè)計更依賴經(jīng)驗。4.談?wù)劙雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的機遇與挑戰(zhàn)。答：機遇在于5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新興領(lǐng)域需求大增，推動技術(shù)升級和市場擴張。挑戰(zhàn)有技術(shù)瓶頸難突破，如先進制程研發(fā)；國際競爭激烈，面臨貿(mào)易限制和技術(shù)封鎖；還需大量資金和高端人才投入。答案一、單項選擇題1.C2.C3.B4.B5.C6.B7.B8.A9.B10.B二、多項選擇題1.AB2.ABCD3.A