ICS3108099

CCSL.40.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T205212—2025

.

半導(dǎo)體器件

第14-2部分半導(dǎo)體傳感器霍爾元件

:

Semiconductordevices—Part14-2Semiconductorsensors—Hallelements

:

IEC60747-14-22000MOD

(:,)

2025-12-02發(fā)布2026-07-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T205212—2025

.

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

符號(hào)

4………………………2

基本額定值和特性

5………………………3

通則

5.1…………………3

額定值極限值

5.2()……………………3

特性

5.3…………………4

測(cè)試方法

6…………………5

通則

6.1…………………5

霍爾輸出電壓V

6.2(H)…………………5

偏移電壓V

6.3(O)………………………7

輸入電阻R

6.4(in)………………………7

輸出電阻R

6.5(out)………………………8

霍爾輸出電壓的溫度系數(shù)α

6.6(VH)……………………9

輸入電阻的溫度系數(shù)α

6.7(Rin)…………9

附錄資料性本文件與結(jié)構(gòu)編號(hào)對(duì)照情況

A()IEC60747-14-2:2000………………11

Ⅰ

GB/T205212—2025

.

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半導(dǎo)體器件的第部分已經(jīng)發(fā)布了以下部分

GB/T20521《》14-2,GB/T20521:

第部分半導(dǎo)體傳感器總則和分類(lèi)

———14-1:(GB/T20521—2006);

第部分半導(dǎo)體傳感器霍爾元件

———14-2:(GB/T20521.2—2025);

第部分半導(dǎo)體傳感器壓力傳感器

———14-3:(GB/T20522—2006);

第部分半導(dǎo)體傳感器結(jié)半導(dǎo)體溫度傳感器

———14-5:PN(GB/T20521.5—2025)。

本文件修改采用半導(dǎo)體器件第部分半導(dǎo)體傳感器霍爾元件

IEC60747-14-2:2000《14-2:》。

本文件與相比在結(jié)構(gòu)上有較多調(diào)整兩個(gè)文件之間的結(jié)構(gòu)編號(hào)變化對(duì)照一

IEC60747-14-2:2000,,

覽表見(jiàn)附錄

A。

本文件與的技術(shù)差異及其原因如下

IEC60719-14-2:2000:

更改了半導(dǎo)體霍爾元件的定義以適應(yīng)我國(guó)的技術(shù)條件見(jiàn)

———“”,(3.1)。

本文件做了下列編輯性改動(dòng)

:

刪除了表中的備注列

———1;

對(duì)公式編號(hào)進(jìn)行了編輯性修改對(duì)公式中符號(hào)含義進(jìn)行了補(bǔ)充說(shuō)明

———,;

增加了附錄資料性

———A()。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專(zhuān)利的責(zé)任

。。

本文件由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本文件起草單位中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院上海傳泰電子科技有限公司北京理工大學(xué)

:、、。

本文件主要起草人劉若冰嚴(yán)培青楊柱單雯雯霍曉敏

:、、、、。

Ⅲ

GB/T205212—2025

.

引言

半導(dǎo)體傳感器是電子行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈中的通用基礎(chǔ)產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于智能汽車(chē)工業(yè)制造消費(fèi)電子醫(yī)

,、、、

療健康等領(lǐng)域半導(dǎo)體器件擬由八個(gè)部分構(gòu)成

。GB/T20521《》。

第部分半導(dǎo)體傳感器傳感器總規(guī)范目的在于規(guī)定各類(lèi)半導(dǎo)體傳感器的基本要求

———14-1:。。

第部分半導(dǎo)體傳感器霍爾元件目的在于規(guī)定半導(dǎo)體霍爾元件的相關(guān)要求

———14-2:。。

第部分半導(dǎo)體傳感器壓力傳感器目的在于規(guī)定半導(dǎo)體壓力傳感器的相關(guān)要求

———14-3:。。

第部分半導(dǎo)體傳感器半導(dǎo)體加速度計(jì)目的在于規(guī)定半導(dǎo)體加速度計(jì)的相關(guān)要求

———14-4:。。

第部分半導(dǎo)體傳感器結(jié)半導(dǎo)體溫度傳感器目的在于規(guī)定半導(dǎo)體結(jié)溫度傳

———14-5:PN。PN

感器的相關(guān)要求

。

第部分半導(dǎo)體傳感器穿戴式葡萄糖傳感器性能評(píng)價(jià)方法目的在于規(guī)定穿戴式葡

———14-10:。

萄糖傳感器的性能評(píng)價(jià)方法

。

第部分半導(dǎo)體傳感器用于測(cè)量紫外線光線和溫度的基于聲表面波的集成傳感器

———14-11:、、

測(cè)試方法目的在于規(guī)定用于測(cè)量紫外線光線和溫度的基于聲表面波的集成傳感器的性能

。、、

測(cè)試方法

。

第部分半導(dǎo)體傳感器基于成像的氣體傳感器的性能測(cè)試方法目的在于規(guī)

———14-12:CMOS。

定基于成像的氣體傳感器性能測(cè)試方法包括術(shù)語(yǔ)與定義測(cè)試環(huán)境條件測(cè)試系統(tǒng)

CMOS,、、、

測(cè)試方法和測(cè)試報(bào)告

。

Ⅳ

GB/T205212—2025

.

半導(dǎo)體器件

第14-2部分半導(dǎo)體傳感器霍爾元件

:

1范圍

本文件規(guī)定了利用霍爾效應(yīng)工作的封裝的半導(dǎo)體霍爾元件的要求

。

本文件適用于利用霍爾效應(yīng)工作的封裝的半導(dǎo)體霍爾元件

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第部分總則

GB/T17573—19981:(IEC60747-1:1983,

IDT)

靜電第部分電子器件靜電現(xiàn)象的防護(hù)一般要求

IEC61340-5-1:20165-1: