真空鍍膜技術(shù)試題及答案

姓名：__________考號(hào)：__________一、單選題(共10題)1.真空鍍膜技術(shù)中，哪種方法可以減少膜層與基板之間的應(yīng)力？()A.溶液法B.氣相沉積法C.真空蒸發(fā)法D.化學(xué)氣相沉積法2.在真空鍍膜過(guò)程中，以下哪種因素不會(huì)影響膜層的質(zhì)量？()A.真空度B.溫度C.壓力D.基板材料3.真空蒸發(fā)鍍膜中，提高蒸發(fā)速率的方法有哪些？()A.提高真空度B.降低溫度C.增加蒸發(fā)源功率D.減少基板溫度4.在磁控濺射鍍膜中，磁控濺射槍的工作原理是什么？()A.利用熱蒸發(fā)原理B.利用電子束轟擊靶材C.利用磁力使靶材濺射D.利用電場(chǎng)使靶材濺射5.真空鍍膜技術(shù)中，以下哪種氣體用于清洗基板表面？()A.氮?dú)釨.氬氣C.氧氣D.氫氣6.真空鍍膜技術(shù)中，以下哪種膜層具有更高的光學(xué)透明度？()A.鍍銀膜B.鍍鋁膜C.鍍金膜D.鍍硅膜7.真空鍍膜技術(shù)中，以下哪種現(xiàn)象不會(huì)導(dǎo)致膜層缺陷？()A.濺射靶材表面污染B.真空度不穩(wěn)定C.蒸發(fā)源功率過(guò)大D.基板溫度過(guò)低8.真空鍍膜技術(shù)中，以下哪種鍍膜方法適用于大面積基板？()A.真空蒸發(fā)法B.磁控濺射法C.化學(xué)氣相沉積法D.溶液法9.真空鍍膜技術(shù)中，以下哪種膜層具有更好的耐腐蝕性？()A.鍍銀膜B.鍍鋁膜C.鍍金膜D.鍍硅膜10.真空鍍膜技術(shù)中，以下哪種因素不會(huì)影響膜層的厚度？()A.蒸發(fā)源功率B.真空度C.濺射時(shí)間D.基板移動(dòng)速度二、多選題(共5題)11.在真空鍍膜技術(shù)中，以下哪些因素會(huì)影響膜層的附著力？()A.基板表面的清潔度B.真空度C.蒸發(fā)源功率D.膜層沉積速率E.氣相成分12.以下哪些是磁控濺射鍍膜的優(yōu)點(diǎn)？()A.鍍膜速率快B.膜層均勻性好C.可鍍制高熔點(diǎn)材料D.膜層純度高E.膜層結(jié)合力差13.真空蒸發(fā)鍍膜過(guò)程中，以下哪些步驟是必須的？()A.基板預(yù)處理B.真空度調(diào)節(jié)C.蒸發(fā)源加熱D.膜層生長(zhǎng)E.鍍膜后處理14.在真空鍍膜技術(shù)中，以下哪些現(xiàn)象屬于膜層缺陷？()A.膜層顏色不均B.膜層出現(xiàn)裂紋C.膜層起泡D.膜層透明度降低E.膜層厚度不均勻15.以下哪些因素會(huì)影響化學(xué)氣相沉積（CVD）膜層的質(zhì)量？()A.氣相成分B.反應(yīng)溫度C.反應(yīng)壓力D.沉積時(shí)間E.基板表面狀態(tài)三、填空題(共5題)16.真空鍍膜技術(shù)中，用于減少基板表面污染和增強(qiáng)膜層附著力的預(yù)處理步驟通常稱為_(kāi)_。17.在磁控濺射鍍膜過(guò)程中，通過(guò)在靶材周圍產(chǎn)生__，使電子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)，從而加速電子撞擊靶材，使靶材表面的原子濺射出來(lái)。18.真空蒸發(fā)鍍膜中，為了提高膜層的均勻性，通常采用__技術(shù)來(lái)控制蒸發(fā)源和基板之間的相對(duì)位置。19.化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)中，為了確保膜層的質(zhì)量，反應(yīng)室的__必須保持在很高的真空度。20.真空鍍膜技術(shù)中，為了提高膜層的透明度，通常選擇__作為膜層的材料。四、判斷題(共5題)21.真空蒸發(fā)鍍膜過(guò)程中，提高蒸發(fā)源功率可以增加膜層的厚度。()A.正確B.錯(cuò)誤22.磁控濺射鍍膜中，靶材的熔點(diǎn)越高，膜層的質(zhì)量越好。()A.正確B.錯(cuò)誤23.化學(xué)氣相沉積（CVD）過(guò)程中，反應(yīng)溫度越高，膜層的生長(zhǎng)速率越快。()A.正確B.錯(cuò)誤24.真空鍍膜技術(shù)中，真空度越高，膜層的附著力越差。()A.正確B.錯(cuò)誤25.在真空鍍膜過(guò)程中，基板溫度過(guò)低會(huì)導(dǎo)致膜層出現(xiàn)裂紋。()A.正確B.錯(cuò)誤五、簡(jiǎn)單題(共5題)26.請(qǐng)簡(jiǎn)述真空鍍膜技術(shù)的基本原理。27.為什么在磁控濺射鍍膜中，靶材表面會(huì)形成一層保護(hù)膜？28.真空鍍膜技術(shù)中，如何避免膜層出現(xiàn)針孔缺陷？29.化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)中，如何提高膜層的均勻性？30.真空鍍膜技術(shù)中，如何選擇合適的膜層材料？

真空鍍膜技術(shù)試題及答案一、單選題(共10題)1.【答案】B【解析】氣相沉積法通過(guò)在真空環(huán)境中使材料蒸發(fā)或分解，從而在基板上形成薄膜，這種方法可以減少膜層與基板之間的應(yīng)力。2.【答案】D【解析】雖然基板材料會(huì)影響膜層的附著力，但不會(huì)直接影響膜層的質(zhì)量。真空度、溫度和壓力是影響膜層質(zhì)量的關(guān)鍵因素。3.【答案】C【解析】增加蒸發(fā)源功率可以提高蒸發(fā)速率，而提高真空度、降低溫度和減少基板溫度則會(huì)降低蒸發(fā)速率。4.【答案】C【解析】磁控濺射槍通過(guò)在靶材周圍產(chǎn)生磁場(chǎng)，使電子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)，從而加速電子撞擊靶材，使靶材表面的原子濺射出來(lái)形成薄膜。5.【答案】C【解析】氧氣可以與基板表面的雜質(zhì)反應(yīng)，形成易于揮發(fā)的氧化物，從而清洗基板表面。6.【答案】B【解析】鍍鋁膜具有更高的光學(xué)透明度，常用于光學(xué)器件的鍍膜。7.【答案】D【解析】基板溫度過(guò)低會(huì)導(dǎo)致膜層生長(zhǎng)速度慢，但不會(huì)導(dǎo)致膜層缺陷。濺射靶材表面污染、真空度不穩(wěn)定和蒸發(fā)源功率過(guò)大都可能導(dǎo)致膜層缺陷。8.【答案】B【解析】磁控濺射法適用于大面積基板的鍍膜，因?yàn)樗梢栽谳^寬的基板面積上均勻沉積薄膜。9.【答案】C【解析】鍍金膜具有更好的耐腐蝕性，常用于要求高耐腐蝕性的場(chǎng)合。10.【答案】D【解析】基板移動(dòng)速度不會(huì)直接影響膜層的厚度，而蒸發(fā)源功率、真空度和濺射時(shí)間都會(huì)影響膜層的厚度。二、多選題(共5題)11.【答案】ABDE【解析】基板表面的清潔度、真空度、蒸發(fā)源功率和氣相成分都會(huì)影響膜層的附著力。清潔的基板表面有利于提高附著力，適當(dāng)?shù)恼婵斩瓤梢詼p少污染，合適的蒸發(fā)源功率和氣相成分有助于形成良好的膜層。12.【答案】ABCD【解析】磁控濺射鍍膜具有鍍膜速率快、膜層均勻性好、可鍍制高熔點(diǎn)材料和膜層純度高等優(yōu)點(diǎn)。膜層結(jié)合力差不是磁控濺射鍍膜的優(yōu)點(diǎn)。13.【答案】ABCD【解析】真空蒸發(fā)鍍膜過(guò)程中，基板預(yù)處理、真空度調(diào)節(jié)、蒸發(fā)源加熱和膜層生長(zhǎng)是必須的步驟。鍍膜后處理雖然不是必須的，但有時(shí)也是為了改善膜層的性能而進(jìn)行的。14.【答案】ABCE【解析】膜層顏色不均、出現(xiàn)裂紋、起泡和透明度降低都屬于膜層缺陷。膜層厚度不均勻雖然不是典型的缺陷，但也會(huì)影響膜層的性能。15.【答案】ABCDE【解析】氣相成分、反應(yīng)溫度、反應(yīng)壓力、沉積時(shí)間和基板表面狀態(tài)都會(huì)影響化學(xué)氣相沉積膜層的質(zhì)量。這些因素需要精確控制，以確保獲得高質(zhì)量的膜層。三、填空題(共5題)16.【答案】清洗【解析】清洗是真空鍍膜技術(shù)中重要的預(yù)處理步驟，通過(guò)清洗可以去除基板表面的油污、塵埃等污染物，從而提高膜層的附著力。17.【答案】磁場(chǎng)【解析】磁控濺射鍍膜技術(shù)利用磁場(chǎng)來(lái)加速電子，使它們撞擊靶材表面，從而產(chǎn)生濺射效應(yīng)，將靶材原子濺射到基板上形成薄膜。18.【答案】旋轉(zhuǎn)【解析】旋轉(zhuǎn)技術(shù)可以使得蒸發(fā)源和基板之間的相對(duì)位置不斷變化，從而減少膜層的厚度不均勻性，提高膜層的均勻性。19.【答案】真空度【解析】在化學(xué)氣相沉積過(guò)程中，高真空度可以減少反應(yīng)室的氣體分子密度，從而降低雜質(zhì)對(duì)膜層的污染，提高膜層的純度和質(zhì)量。20.【答案】金屬氧化物【解析】金屬氧化物如氧化鋁、氧化硅等材料具有較高的透明度，常用于需要高透明度的真空鍍膜應(yīng)用中。四、判斷題(共5題)21.【答案】正確【解析】提高蒸發(fā)源功率可以增加蒸發(fā)速率，從而在相同時(shí)間內(nèi)沉積更多的材料，導(dǎo)致膜層厚度增加。22.【答案】錯(cuò)誤【解析】靶材的熔點(diǎn)高并不意味著膜層的質(zhì)量一定好，膜層的質(zhì)量還取決于濺射過(guò)程、真空度、濺射速率等因素。23.【答案】正確【解析】通常情況下，提高反應(yīng)溫度可以增加化學(xué)反應(yīng)速率，從而加快膜層的生長(zhǎng)速率。24.【答案】錯(cuò)誤【解析】實(shí)際上，真空度越高，可以減少氣體分子的干擾，從而提高膜層的附著力。25.【答案】正確【解析】基板溫度過(guò)低會(huì)導(dǎo)致膜層生長(zhǎng)速度慢，膜層與基板之間的熱膨脹系數(shù)差異增大，容易產(chǎn)生應(yīng)力，導(dǎo)致膜層出現(xiàn)裂紋。五、簡(jiǎn)答題(共5題)26.【答案】真空鍍膜技術(shù)的基本原理是在高真空環(huán)境中，通過(guò)加熱或電子束等方式使蒸發(fā)源材料蒸發(fā)，然后沉積到基板上形成薄膜。這種技術(shù)可以避免空氣中的氧氣和雜質(zhì)對(duì)膜層的污染，從而得到高質(zhì)量的薄膜?！窘馕觥空婵斟兡ぜ夹g(shù)通過(guò)控制真空環(huán)境，減少蒸發(fā)過(guò)程中的雜質(zhì)和氣體分子的影響，使得膜層純凈、均勻。27.【答案】在磁控濺射鍍膜中，靶材表面會(huì)形成一層保護(hù)膜是因?yàn)闉R射過(guò)程中，靶材表面的原子被不斷濺射，導(dǎo)致表面原子密度增加，形成一層致密的薄膜，這層保護(hù)膜可以減少靶材表面進(jìn)一步濺射?！窘馕觥勘Ｗo(hù)膜的形成有助于保護(hù)靶材，延長(zhǎng)靶材的使用壽命，并維持濺射過(guò)程的穩(wěn)定性。28.【答案】為了避免膜層出現(xiàn)針孔缺陷，可以采取以下措施：確保真空度足夠高，減少氣體分子對(duì)膜層的污染；控制蒸發(fā)源和基板之間的距離，避免距離過(guò)近導(dǎo)致氣體分子沉積在膜層上；適當(dāng)提高基板溫度，減少膜層的收縮應(yīng)力?！窘馕觥酷樋兹毕菔悄又械男】?，通常由氣體分子在膜層沉積過(guò)程中進(jìn)入形成。通過(guò)上述措施可以有效減少針孔缺陷的出現(xiàn)。29.【答案】提高化學(xué)氣相沉積（CVD）膜層的均勻性可以通過(guò)以下方法實(shí)現(xiàn)：確保氣體流量均勻，避免氣體分布不均；控制基板移動(dòng)速度，使得膜層沉積均勻；優(yōu)化