XX,aclicktounlimitedpossibilities組織芯片技術(shù)匯報(bào)人：XX目錄01芯片技術(shù)概述02芯片設(shè)計(jì)原理03芯片制造工藝04芯片性能指標(biāo)05芯片市場(chǎng)分析06芯片技術(shù)的未來(lái)01芯片技術(shù)概述芯片技術(shù)定義芯片技術(shù)是將電子元件集成于基板，實(shí)現(xiàn)特定功能的微型電路技術(shù)。芯片技術(shù)概念發(fā)展歷程19世紀(jì)發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體四大特性，為芯片技術(shù)奠定基礎(chǔ)。起源與奠基1947年晶體管發(fā)明，1958年集成電路問(wèn)世，開(kāi)啟芯片時(shí)代。技術(shù)突破芯片歷經(jīng)五次變革，現(xiàn)向AI芯片發(fā)展，算力需求激增。現(xiàn)代發(fā)展應(yīng)用領(lǐng)域用于癌癥研究、藥物篩選及預(yù)后預(yù)測(cè)，提升疾病診斷效率。醫(yī)學(xué)研究快速鑒別疾病類型，輔助制定治療方案。病理診斷結(jié)合基因芯片，助力新基因發(fā)現(xiàn)與遺傳信息研究。生物工程02芯片設(shè)計(jì)原理基本架構(gòu)組織芯片由供體蠟塊、受體蠟塊及組織芯構(gòu)成，通過(guò)打孔、排列、融合等步驟制成。芯片模塊構(gòu)成從樣本規(guī)劃、蠟塊制備到打孔采集、融合切片，每一步都需精確控制以確保芯片質(zhì)量。芯片設(shè)計(jì)流程設(shè)計(jì)流程明確芯片功能與性能需求，作為設(shè)計(jì)基礎(chǔ)規(guī)格制定用HDL編碼實(shí)現(xiàn)功能，仿真驗(yàn)證確保正確性邏輯設(shè)計(jì)布局規(guī)劃、布線，完成版圖物理驗(yàn)證物理設(shè)計(jì)關(guān)鍵技術(shù)預(yù)先規(guī)劃樣本數(shù)量，常規(guī)載玻片放置60-100樣本，樣本過(guò)多需分多個(gè)芯片。芯片微陳列設(shè)計(jì)0102混合石蠟與蜂蠟制成空白蠟塊，設(shè)計(jì)組織陳列，預(yù)留空間，打孔制成TMA蠟塊。受體蠟塊制備03用細(xì)針采集組織芯，轉(zhuǎn)移至受體蠟塊，控制溫度時(shí)間使組織芯與蠟塊融合。組織芯轉(zhuǎn)移融合03芯片制造工藝制造流程設(shè)計(jì)師用EDA工具設(shè)計(jì)電路圖，考慮性能、功耗、尺寸等因素。芯片設(shè)計(jì)將芯片固定封裝，連接引腳，進(jìn)行功能、性能和可靠性測(cè)試。封裝測(cè)試提純硅料后拉晶成錠，切片研磨拋光，制成晶圓。晶圓制造010203關(guān)鍵設(shè)備刻蝕機(jī)去除多余材料，薄膜沉積設(shè)備沉積薄膜，國(guó)產(chǎn)設(shè)備技術(shù)提升，市場(chǎng)份額增加?？涛g機(jī)與薄膜沉積設(shè)備將電路圖案投影到硅片，精度決定芯片性能，國(guó)產(chǎn)在90nm及以下取得突破。光刻機(jī)制造難點(diǎn)技術(shù)精度要求高組織排列、切片厚度需納米級(jí)控制，稍有偏差即影響芯片質(zhì)量。設(shè)備依賴進(jìn)口核心設(shè)備如EUV光刻機(jī)依賴進(jìn)口，技術(shù)壟斷導(dǎo)致成本高昂。樣本處理復(fù)雜需大量組織樣本，稀有樣本獲取難，且處理過(guò)程易出現(xiàn)無(wú)效組織。04芯片性能指標(biāo)性能參數(shù)衡量芯片數(shù)據(jù)處理能力，如FLOPS、TOPS指標(biāo)。計(jì)算性能關(guān)注芯片最大功耗及能耗比，確保低能耗高性能。功耗與能效測(cè)試方法性能測(cè)試評(píng)估芯片處理速度、計(jì)算能力等性能指標(biāo)功能測(cè)試通過(guò)輸入輸出信號(hào)驗(yàn)證芯片功能正常性0102優(yōu)化策略01提升檢測(cè)精度優(yōu)化組織排列與切片技術(shù)，減少無(wú)效組織，提升檢測(cè)準(zhǔn)確性02增強(qiáng)樣本適用性探索新技術(shù)手段，提升稀有樣本利用率，滿足多樣化研究需求03降低制作成本優(yōu)化制作流程，采用高效設(shè)備，降低組織芯片的制造成本05芯片市場(chǎng)分析主要廠商英偉達(dá)、三星、博通等國(guó)際廠商在芯片市場(chǎng)占據(jù)主導(dǎo)地位，技術(shù)實(shí)力強(qiáng)勁。國(guó)際芯片巨頭華為海思、中芯國(guó)際等國(guó)內(nèi)企業(yè)在芯片設(shè)計(jì)、制造領(lǐng)域取得顯著突破。國(guó)內(nèi)領(lǐng)軍企業(yè)市場(chǎng)趨勢(shì)01技術(shù)驅(qū)動(dòng)增長(zhǎng)AI、物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)推動(dòng)芯片需求，市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。02國(guó)產(chǎn)替代加速國(guó)內(nèi)政策支持，國(guó)產(chǎn)芯片企業(yè)市場(chǎng)份額逐步提升。競(jìng)爭(zhēng)格局三星、高通等國(guó)際企業(yè)在高端芯片市場(chǎng)占據(jù)主導(dǎo)，技術(shù)積累深厚國(guó)際巨頭主導(dǎo)華為海思等國(guó)內(nèi)企業(yè)技術(shù)提升，在細(xì)分領(lǐng)域市場(chǎng)份額逐步擴(kuò)大國(guó)內(nèi)企業(yè)崛起06芯片技術(shù)的未來(lái)發(fā)展方向二維半導(dǎo)體、光子、碳基芯片突破物理極限，推動(dòng)芯片性能躍升材料與架構(gòu)革新先進(jìn)封裝提升性能，AI算法優(yōu)化芯片架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)算力與能效雙提升封裝與AI融合量子芯片實(shí)用化，ASIC芯片定制化，滿足細(xì)分場(chǎng)景需求量子與專用芯片技術(shù)挑戰(zhàn)組織排列不均、切片厚度不一，影響芯片質(zhì)量與穩(wěn)定性制作復(fù)雜度高免疫組化等方法靈敏度低，影響結(jié)果準(zhǔn)確性檢測(cè)靈敏度低稀有樣本難以滿足，限制技術(shù)應(yīng)用范圍樣本需求量大影響因素