內(nèi)容目錄一、AI務(wù)帶化料新遇 41、AI服器場(chǎng)期闊，求速快 42、AI服器零件成詳拆分 5二、AI務(wù)涉五塊材料 8圓工封材料 9銅材料 12熱熱料 15學(xué)料 17配材料 18三、資議 19四、險(xiǎn)示 19圖表目錄圖表1：全球AI場(chǎng)模（億元） 4圖表2：中智算規(guī)模（EFLOPS） 4圖表3：大型token用量十） 4圖表4：頭模占要token用(億) 4圖表5：海外AI廠度資開增約8（美元） 5圖表6：海主要AI廠資開指上調(diào) 5圖表7：H100零件邏輯 5圖表8：H100GPU芯、加器拆分 6圖表9：H100GPU托層拆分 7圖表10：H100GPU中心拆分 7圖表11：DCS-7050SX3-48YC8-R換詳拆分 8圖表12：GB300NVL72能是H100的30倍 8圖表13：NVL728圖表14：NVL72構(gòu)更高能材料 8圖表15：英達(dá)DGXH100零件本分 9圖表16：晶制經(jīng)多環(huán)循工序 9圖表17：封是片品的后步 9圖表18：晶制流涉及硅、種體光刻、電化品材料 9圖表19：封技演流程 10圖表20：封主材為樹、粘、料等 11圖表21：國(guó)內(nèi)主要硅片、光刻膠上市企業(yè)圍繞客戶導(dǎo)入、小批試產(chǎn)、量產(chǎn)爬坡推進(jìn)（不完全統(tǒng)計(jì)） 11圖表22：國(guó)內(nèi)主要特氣、濕電子上市企業(yè)業(yè)務(wù)進(jìn)展呈現(xiàn)保供+替代+擴(kuò)品的共性特征（不完全統(tǒng)計(jì)） 12圖表23：覆板要料為脂銅、纖布 13圖表24：覆板料以按高高分級(jí) 13圖表25：樹材按輸耗Df分級(jí) 13圖表26：HVLP5面下一高高電的鍵銅材料 13圖表27：Q是來布方向 14圖表28：供給端呈現(xiàn)樹脂高端化、銅箔高性能化、玻纖差異化的協(xié)同升級(jí)趨勢(shì)（不完全統(tǒng)計(jì)） 14圖表29：散幾都混合案非一式 15圖表30：?jiǎn)卫涫嚼涫乔傲饔?15圖表31：TIM材應(yīng)示 16圖表32：TIM材導(dǎo)數(shù)對(duì)比 16圖表33：主液方適用景材與劣匯總 16圖表34：面數(shù)中與半體程卻合與長(zhǎng)可性證為配（完統(tǒng)） 16圖表35：光塊于纖通中光轉(zhuǎn)換 17圖表36：光塊心料為光/測(cè)芯片 17圖表37：半體料分為大域向 17圖表38：可立露光芯材公數(shù)有（不全計(jì)） 18圖表39：AI務(wù)配站架示圖 18圖表40：48V母供統(tǒng)銅耗低 18圖表41：12V向48V機(jī)架壓轉(zhuǎn)推對(duì)材料級(jí) 19圖表42：2025上年內(nèi)軟金/晶納粉體代帶芯電小批落（完統(tǒng)） 19一、AI服務(wù)器帶來化工材料新機(jī)遇1、AI服務(wù)器市場(chǎng)前期廣闊，需求增速極快AIPrecedenceResearch年全人智市有實(shí)現(xiàn)35上復(fù)增；在基上至2034年市規(guī)可2309.5202526AIIDC、Gartner、TOP50020231397EFLOPS203016ZFLOPS，2023—2030復(fù)合約50中面，IDC數(shù)顯，智能力由2024的725.3EFLOPS提升至2028年的2781.9EFLOPS，2020—2028年復(fù)合增速達(dá)57.1。圖表1：全球AI市場(chǎng)規(guī)模（十億元） 圖表2：中國(guó)智算算力及規(guī)（EFLOPS）250230.95200250230.95200160.16150100111.0777.0253.415037.044.125.948.5702781.92019.91460.31037.3725.3416.775155.2259.92500200015001000500020202021202220232024E2025E2026E2027E2028EPrecedenceResearch、 infineon、openrounter202511token7.0813AIClaude、GoogleGemini、OpenAIGPT、DeepSeek與X-aiGrok五大列計(jì)度用約5.9萬，約83，CR5維高圖表3：大模型token使用量（億） 圖表4：頭部模型占據(jù)主要token使用量(十億)0

大模型toekn周使用合計(jì)十億）

50%40%30%20%10%0%-10%-20%-30%

0

anthropic google openai

deepseekx-aideepseekx-aiCR5（%)90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%openrouter、 openrouter、AI20268Meta202512501000202591–30（850；Meta維持225年7720理層在2025年Q4與2026年Q1電話會(huì)中均給出更積極展望。圖表5：海外AI大廠季度資本開支增速約8（億美元） 圖表6：海外主要AI大廠資本開指引上調(diào)科技巨頭最新更新開支計(jì)劃（億美元）原計(jì)劃（億美元）變動(dòng)情況亞馬遜202512501000上調(diào)微軟2026Q1349330上調(diào)谷歌2025910-930850上調(diào)Meta2025700-720690上調(diào)蘋果無明確量化指引、 注：微軟2025年全年實(shí)際資本支出為882億美元，同比增長(zhǎng)約58。7月Q4電話會(huì)表明2026年資本開支增速將會(huì)低于2025年，按50計(jì)算，2026年全年資本開支預(yù)計(jì)1323億美元，平均下來Q1約330億。后續(xù)10月Q4電話會(huì)更新口徑，2026年資本開支增速將高于2025，保守按60計(jì)算，2026年資本開支約1411.23502026349、公司業(yè)績(jī)會(huì)、2、AI服務(wù)器的零部件構(gòu)成詳細(xì)拆分當(dāng)前市場(chǎng)對(duì)于AI計(jì)算機(jī)乃至于計(jì)算中心的材料討論都是集中于某一個(gè)材料深挖，我們想以更加全面的視角將AI計(jì)算機(jī)的組成材料整體梳理清楚，尋找值得重點(diǎn)關(guān)注的方向。以英偉達(dá)DGXH100整機(jī)為例，AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)大體都遵循著芯片—模塊—互聯(lián)—托盤—主機(jī)—機(jī)架—集群的層層放大邏輯，目標(biāo)是在標(biāo)準(zhǔn)化封裝與高帶寬互聯(lián)的約束下，把單點(diǎn)算力有效匯聚為可編排的集群算力。圖表7：H100零部件拆分邏輯英偉達(dá)官網(wǎng)、《NVIDIADGXH100/H200UserGuide》、芯片層：最底層的H100GPU芯片是算力核心。在H100這一代，HBM是和GPU核心一起做成同一個(gè)封裝的，通常是GPU核心裸片+多顆HBM堆疊+封裝基板組合在一起。GPU裸片和HBM直連顯著提升模型參數(shù)與激活數(shù)據(jù)的就地吞吐，降低訪存瓶頸。另外，GPU芯片內(nèi)還集成NVLink控制器，等同于GPU自帶NVLink接口能力，從這顆芯片的封裝邊緣連到外部的互聯(lián)載體，比如插在UBB上，經(jīng)由走線連到NVSwitch芯片，再到其他GPU，為后續(xù)多GPU的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)互聯(lián)提供物理通道。這一層可以視為發(fā)動(dòng)機(jī)，具備能效密度優(yōu)勢(shì)，但尚不具備系統(tǒng)落地所需的供電、散熱與標(biāo)準(zhǔn)接口能力。加速器模塊層：在芯片之上，NVIDIA采用OAM標(biāo)準(zhǔn)將H100制作為可替換、可維護(hù)的加速器模塊。OAM搭載一顆GPU封裝芯片，并在模塊上集成穩(wěn)壓供電、機(jī)械與熱接口以及高速觸點(diǎn)。這一步的本質(zhì)是把裸硅轉(zhuǎn)化為標(biāo)準(zhǔn)算力磚，既滿足數(shù)據(jù)中心高功耗場(chǎng)景的工程化要求，又為后續(xù)密度化部署與快速維護(hù)提供邊際成本優(yōu)勢(shì)。到此為止，單卡能力已經(jīng)可用，但要實(shí)現(xiàn)多卡強(qiáng)耦合并擴(kuò)展到系統(tǒng)級(jí)吞吐，還需要一層面向互聯(lián)的結(jié)構(gòu)化基座。通用基板（UBB）層：UBB是多個(gè)OAM的承載與互聯(lián)平臺(tái)，核心增量是引入NVSwitch芯片，形成全互連的GPU高速域。與傳統(tǒng)通過PCIe或點(diǎn)對(duì)點(diǎn)NVLink鏈路的局部互聯(lián)不同，NVSwitch提供交換能力，使得多塊H100可以以接近對(duì)稱的帶寬進(jìn)行任意兩兩通信，顯著降低跨GPU通信的延遲，改善大規(guī)模并行訓(xùn)練下的同步成本。站在系統(tǒng)設(shè)計(jì)視角，UBB將若干OAM聚合成一個(gè)GPU計(jì)算島。圖表8：H100GPU芯片層、加速器層拆分英偉達(dá)官網(wǎng)、《NVIDIADGXH100/H200UserGuide》、NuvationEngineering、托盤層：①GPU托盤：所謂托盤，可以理解為圍繞GPU計(jì)算島的工程化子系統(tǒng)：它將UBB、若干OAM、NVSwitch、風(fēng)道與散熱模組、線纜與結(jié)構(gòu)件、電源分配與管理信號(hào)等一體化封裝，形成抽屜式可插拔單元。NVIDIAH100托盤有兩條主要形態(tài)：一類是HGXH100的通用托盤，面向整機(jī)廠商的開放型部件，便于各家服務(wù)器平臺(tái)快速集成；另一類是DGXH100的定制托盤，更深度適配英偉達(dá)自有整機(jī)在布局、氣流組織、線纜路徑與維護(hù)工藝上的要求。無論形態(tài)差異如何，托盤層完成了從電路到產(chǎn)品的關(guān)鍵跨越：將高帶寬互聯(lián)與高功耗散熱在機(jī)械空間內(nèi)穩(wěn)定落地，為與通用計(jì)算平臺(tái)對(duì)接創(chuàng)造條件。②GPUCPUPCIe（BMCUI/O管/GPUPCIeGPU的指揮中樞（CPU/內(nèi)存）與加速引擎（8×H100GPU）形成高效協(xié)作，既保障通用計(jì)算的廣譜適配性，也釋放加速域的并行吞吐。當(dāng)GPU（S/PDDGXH100圖表9：H100GPU托盤層拆分英偉達(dá)官網(wǎng)、《NVIDIADGXH100/H200UserGuide》、DGXH100H100圖表10：H100GPU數(shù)據(jù)中心層拆分英偉達(dá)官網(wǎng)、帶外PCBASIC，SFP/QSFPPSU/CPUAIASICASICCPU/圖表11：DCS-7050SX3-48YC8-R交換機(jī)詳細(xì)拆分摩泰光電官網(wǎng)、此外，相比于DGXH100SU這種由多臺(tái)H100組成的服務(wù)器機(jī)柜，新一代的高性能AI服務(wù)機(jī)柜更傾向于采用超節(jié)點(diǎn)架構(gòu)。比如，NVL72就是典型的機(jī)柜級(jí)超節(jié)點(diǎn)，一柜內(nèi)有72塊GPU，機(jī)柜內(nèi)通過NVLink-Switch全互聯(lián)，側(cè)重在單柜內(nèi)做成一個(gè)大算力域/超節(jié)點(diǎn)以達(dá)到更高的性能。從結(jié)構(gòu)上來講，超節(jié)點(diǎn)架構(gòu)主要是改變了互聯(lián)的方式，域內(nèi)GPU不再需要外部交換機(jī)，更高密度的集成也需要匹配更高功率模塊、高性能散熱等。圖表12：GB300NVL72性能是H100的30倍 圖表13：NVL72架構(gòu)英偉達(dá)官網(wǎng)、 英偉達(dá)官網(wǎng)、圖表14：NVL72架構(gòu)需要更高性能的材料H100SUNVL72互聯(lián)方式機(jī)內(nèi)8顆H100通過NVSwitch互聯(lián)成一個(gè)節(jié)點(diǎn)72GPUNVSwitch機(jī)柜間通過交換機(jī)互聯(lián)域內(nèi)GPU互聯(lián)不再依賴交換機(jī)核心變化·為GPU互聯(lián)服務(wù)的交換機(jī)數(shù)量顯著減少·更強(qiáng)大的性能依賴更大量高密度高速連接器和散熱能力·更高額定的配電、更高功率模塊英偉達(dá)官網(wǎng)二、AI服務(wù)器涉及五大板塊材料H1005AIDGXH100GPU（含HBM）占整機(jī)價(jià)值約73，存儲(chǔ)約4，封裝0.55，電源0.45，散熱部件0.13。元器件 成本（美元） 成本占比（元器件 成本（美元） 成本占比（）CPU 5200 1.94GPU板組（8GPU+4NvSwitchBaseboard）內(nèi)存7860Baseboard）內(nèi)存78602.93外存34561.29網(wǎng)卡109084.06機(jī)殼（包括機(jī)箱、背板、布線）5630.21主板3600.13散熱（包括散熱器和風(fēng)扇）4630.17電源12000.45組裝和測(cè)試14850.55溢價(jià)4200015.64總計(jì)268495半導(dǎo)體行業(yè)觀察公眾號(hào)晶圓加工與封裝材料DGXH100GPU、NVSwitch/CPU/NICHM/DR/TIA從價(jià)值量與技術(shù)壁壘看，晶圓加工是芯片價(jià)值的核心點(diǎn)。該環(huán)節(jié)以沉積-光刻-刻蝕-離子注入-清洗-CMP-熱處理等循環(huán)工序在硅片上構(gòu)建數(shù)百層復(fù)雜結(jié)構(gòu)，對(duì)材料純度、缺陷密度與批間一致性要求極端苛刻。圖表16：晶圓制備經(jīng)歷多環(huán)循工序 圖表17：封裝是芯片成品的后步半導(dǎo)體材料與工藝公眾號(hào)、 infineon、工藝流程涉及到的材料工藝流程涉及到的材料升級(jí)方向相關(guān)公司硅基與襯底材料單晶硅片超低氧、高阻、低缺陷、超低阻滬硅產(chǎn)業(yè)、有研硅、中晶科技、立昂微、神工股份、TCL中環(huán)等氧化氧化反應(yīng)氣高氣體純度，如99.99（4N）-99.9995（5N5）華特氣體、金宏氣體、凱美特氣、和遠(yuǎn)氣體、正帆科技、昊華科技等刻蝕含氬氣、含氟氣體蝕刻劑薄膜沉積工藝惰性氣體光刻光刻膠高分辨率、靈敏度、抗刻蝕比清洗去膠、光刻顯影、電鍍濕電子化學(xué)品低金屬雜質(zhì)含量、控制粒徑興發(fā)集團(tuán)、中巨芯、江化微、格林達(dá)、多氟多等深芯盟、公司年報(bào)、封裝是芯片成品的最后一步，應(yīng)用于DGXH100整機(jī)中的H100+HBMCoWoS/SoIC、OAM模塊等。封裝工藝的演進(jìn)遵循邊緣引腳、通孔裝配走向陣列互連、三維集成的主線：①DIPI/O②P/TFP/QF③為了滿足GPU更高I/O的需求，封裝技術(shù)出現(xiàn)從邊到面切換，如BGA/LGA把焊點(diǎn)搬到芯片底面，做成二維陣列，是過去主流的高I/O封裝方式。此外，移動(dòng)終端小型化的需求催化了CSP（芯片尺寸級(jí)封裝）和WLP（晶圓級(jí)封裝）的誕生。④ICHBM圖表19：封裝技術(shù)演進(jìn)流程Flip-ChipPackagingforNanoscaleSiliconLogicDevices:ChallengesandOpportunities》、國(guó)金證券研究所（CTE）PI、PBO、C圖表20：封裝主要材料為樹脂、膠粘劑、填料等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究、從產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)展看，國(guó)內(nèi)關(guān)鍵環(huán)節(jié)加速兌現(xiàn)，企業(yè)均圍繞客戶導(dǎo)入、小批試產(chǎn)、量產(chǎn)爬坡、擴(kuò)線/擴(kuò)品類推進(jìn)，訂單以認(rèn)證驅(qū)動(dòng)為主；產(chǎn)品上沿著更大尺寸/更高純度/更低缺陷與更先進(jìn)制程兼容演進(jìn)，硅片側(cè)聚焦150mm-300mm與器件級(jí)良率穩(wěn)定，光刻膠側(cè)圍繞KrF、ArF逐步延伸，部分品類實(shí)現(xiàn)系列化供貨。圖表21：國(guó)內(nèi)主要硅片、光刻膠上市企業(yè)圍繞客戶導(dǎo)入、小批試產(chǎn)、量產(chǎn)爬坡推進(jìn)（不完全統(tǒng)計(jì)）板塊公司業(yè)務(wù)進(jìn)展戶驗(yàn)證，其中超過10款進(jìn)入加侖樣測(cè)試階段，整體測(cè)試進(jìn)展順利，有數(shù)款產(chǎn)品有望在今年下半年全力沖刺訂單公司公告、電子特氣與濕電子化學(xué)品板塊整體呈現(xiàn)保供+替代+擴(kuò)品的共性特征：一方面，圍繞集成電路制造對(duì)高純度、穩(wěn)定供給的剛性需求，企業(yè)普遍以新建/擴(kuò)建裝置與本地化產(chǎn)線為抓手，形成從電子級(jí)硫化氫、氟化氫、四氟化碳、六氟化硫、氨/氮/氬混合氣到特種摻雜氣的多品類矩陣，部分品種實(shí)現(xiàn)對(duì)進(jìn)口主力的可替代與規(guī)?；鲐?；另一方面，濕電子化學(xué)品在G5及以上等級(jí)的純度、顆粒和金屬離子控制上持續(xù)爬坡，產(chǎn)品覆蓋電子級(jí)硫酸/硝酸/氫氟酸/過氧化氫/氨水及顯影、去膠、清洗與配套溶劑，打通客戶認(rèn)證到量產(chǎn)路徑。圖表22：國(guó)內(nèi)主要特氣、濕電子上市企業(yè)業(yè)務(wù)進(jìn)展呈現(xiàn)保供+替代+擴(kuò)品的共性特征（不完全統(tǒng)計(jì)）板塊公司業(yè)務(wù)進(jìn)展電子特氣昊華科技6000/3000投產(chǎn)電子特氣中船特氣覆蓋超高純?nèi)?、超高純六氟化鎢、高純氯化氫、高純氟化氫、高純四氟化硅、高純氘氣、高純六氟丁二7018,50010,000/150170250成，設(shè)備安裝進(jìn)度達(dá)30；上海子公司電子特氣和先進(jìn)材料生產(chǎn)及研發(fā)項(xiàng)目建設(shè)及整體施工進(jìn)度已達(dá)50電子特氣和遠(yuǎn)氣體氣及電子化學(xué)品項(xiàng)目所規(guī)劃的主要產(chǎn)品已全部建成，整體進(jìn)入穩(wěn)產(chǎn)和增產(chǎn)階段。其中，電子級(jí)高純氨、高純一2025四氯化硅、電子級(jí)四氯化硅、電子級(jí)三氯氫硅、電子級(jí)二氯二氫硅、六氟化鎢等產(chǎn)品均在試生產(chǎn)過程中，力爭(zhēng)2025電子特氣金宏氣體公司自主創(chuàng)新研發(fā)的超純氨、高純氧化亞氮、正硅酸乙酯、高純二氧化碳、八氟環(huán)丁烷、六氟丁二烯、一氟甲烷、硅烷混合氣等各類電子級(jí)超高純氣體品質(zhì)和技術(shù)已達(dá)到替代進(jìn)口的水平，能夠滿足國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的使用需求電子特氣華特氣體高純?nèi)淄?、稀混光刻氣、高純?nèi)《┑瘸?5個(gè)產(chǎn)品并實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)同類產(chǎn)品的進(jìn)口替代電子特氣凱美特氣公司高品質(zhì)電子特種氣體產(chǎn)品已得到國(guó)內(nèi)外多家客戶的認(rèn)可，并通過多家國(guó)際頭部企業(yè)認(rèn)證濕電子化學(xué)品興發(fā)集團(tuán)6/年電子級(jí)磷酸、10/年電子級(jí)硫酸、3/年電子級(jí)雙氧水、5.4/年功能濕電子2/1/4/化學(xué)品項(xiàng)目、3萬噸/年電子級(jí)雙氧水?dāng)U建等項(xiàng)目，建成后將進(jìn)一步增強(qiáng)公司微電子新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展動(dòng)能濕電子化學(xué)品中巨芯公司覆蓋電子級(jí)氫氟酸/硫酸/硝酸/鹽酸/氟化銨/氨水，功能電子濕化學(xué)品緩沖氧化物刻蝕液、硅刻蝕液濕電子化學(xué)品江化微鎮(zhèn)江江化微順利完成二期項(xiàng)目的G5等級(jí)產(chǎn)品異丙醇、氨水及雙氧水的試生產(chǎn)濕電子化學(xué)品格林達(dá)TMAHCF蝕刻液（BOE、稀釋液、清洗液等一系列產(chǎn)品濕電子化學(xué)品多氟多公司覆蓋電子級(jí)氫氟酸/硅純度達(dá)99.9999高純納米硅粉及高性能硅碳材料氟氮混合氣電子級(jí)硝酸、電子級(jí)氟化銨、PI公司2025年半年報(bào)、公司公告、覆銅板材料H100GPUUBBDf從PCBTier，Df材料也更貴、工藝更難。圖表23：覆銅板主要材料為脂銅箔、玻纖布 圖表24：覆銅板材料可以按高高速分級(jí)DOOSAN、 ALCANTAPCB、高頻高速樹脂通常按介質(zhì)損耗Df分級(jí)：①常規(guī)損耗（Df≥0.013）時(shí)以改性環(huán)氧/多官能環(huán)氧為主，成本低、工藝窗口大；②BMIBTTg/Td③低損耗（0.005–<0.008）則轉(zhuǎn)向聚苯醚PPO/PPE或其與特殊環(huán)氧、氰酸酯的共混，顯著降低插損、吸水率低，量產(chǎn)成熟，是56G/112G常用路線；④甚低損耗（0.002–<0.005）進(jìn)一步提高PPO含量或采用PPO+苯并惡嗪/氰酸酯/BMIDfDk⑤（Df<0.002）/PTFEPTFE?like/LCPDkDfPPO/CE/BMIPTFEHVLP/ULP圖表25：樹脂材料按傳輸損耗Df分級(jí)傳輸損耗等級(jí)基材介質(zhì)損耗Df典型的樹脂品類常規(guī)損耗≥0.013環(huán)氧樹脂、改性環(huán)氧樹脂中損耗0.008~<0.013特種環(huán)氧樹脂、苯并噁嗪樹脂、雙馬來酰亞胺樹脂（BMI）等低損耗0.005~<0.008PBMI等甚低損耗0.002~<0.005（PPCH超低損耗<0.002聚四氟乙烯(PTFE)等艾邦高分子RzVLPVLPPCB用HVLPRz1.5-2Rz1-1.5區(qū)間，HVLP-3Rz1，HVLP-4Rz0.5HVLP2-4低輪廓電解銅箔品種代號(hào)低輪廓電解銅箔品種代號(hào)壓合面粗糙度Rz較低輪廓銅箔VLP2.0-4.2（1型）RTF12.5-3.5（2型）RTF2≤2.5（3型）RTF3≤2.01）HVLP11.5-2.0低輪廓電解銅箔品種代號(hào)壓合面粗糙度Rz2）HVLP21.0-1.53）HVLP3≤1.04）HVLP4≤0.55）HVLP5≤0.4華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院、三井金屬、玻纖布是覆銅板的骨架，決定板材的尺寸穩(wěn)定性與機(jī)械強(qiáng)度，并直接影響高速信號(hào)的一致性。產(chǎn)品從普通E?glass（也稱一代電子布）向低介電玻纖（二代布，如D玻璃、S玻璃改型）再到石英布（三代布，高純SiO2）迭代，介電常數(shù)與損耗系數(shù)逐級(jí)下降：E?glass約Dk6.6/Df0.0006，二代約Dk4.6/Df0.0027，石英布可降至Dk3.74/Df0.0002,是玻纖布材料升級(jí)方向。填料用于調(diào)節(jié)介電與熱學(xué)性能并增強(qiáng)尺寸穩(wěn)定，當(dāng)前以球形熔融石英（SiO2）為主來降低Dk/Df并提升介電均勻性，射頻或高熱流密度應(yīng)用引入陶瓷微粉（如Al2O3、BN、AlN等）提高導(dǎo)熱并降低Z向CTE；在PTFE體系中常采用陶瓷填充PTFE獲得極低損耗與穩(wěn)定Dk。圖表27：Q布是未來玻纖布方向電子布品類主要材料介電常數(shù)Dk介電損耗Df一代電子布普通E玻璃纖維布為主（玻璃成分含CaO、Al?O?等）6.6-6.80.0060-0.0066二代電子布低介電玻璃纖維布為主（如D玻璃、S玻璃改良型4.6-4.90.0027-0.0029三代電子布（又稱Q布、石英布）高純石英纖維（SiO?≥99.95）3.740.0002

縱觀2025年上半年國(guó)內(nèi)覆銅板關(guān)鍵材料企業(yè)進(jìn)展，供給端呈現(xiàn)樹脂高端化、銅箔高性能化、玻纖差異化的協(xié)同升級(jí)趨勢(shì)：樹脂環(huán)節(jié)加速向低介低損、耐高溫與環(huán)保配方迭代，國(guó)產(chǎn)廠商在環(huán)氧、聚酰亞胺、PPO/OPE、烯烴類以及LCP等體系上推進(jìn)工程化與客戶驗(yàn)證，部分已切入高頻高速與IC載板用材；銅箔環(huán)節(jié)圍繞HTE/RTF/低輪廓（HVLP/超低粗化）持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)和工藝降損。面向服務(wù)器、AI加速卡和高多層板需求的高強(qiáng)度、低粗化銅箔成為主線，龍頭推進(jìn)萬噸級(jí)產(chǎn)能與國(guó)際客戶認(rèn)證；電子布環(huán)節(jié)聚焦超薄化、高強(qiáng)高模與低介電玻纖布。圖表28：供給端呈現(xiàn)樹脂高端化、銅箔高性能化、玻纖差異化的協(xié)同升級(jí)趨勢(shì)（不完全統(tǒng)計(jì)）板塊公司業(yè)務(wù)進(jìn)展覆銅板廠商送樣，但相關(guān)產(chǎn)品目前尚未形成規(guī)模化收入銅箔銅冠銅箔（HTE（RTFTG（HTE-W（HVLP公司HVLP1-3銅箔已向客戶批量供貨，產(chǎn)量同比持續(xù)增銅箔諾德股份RTFHVLP46先發(fā)優(yōu)勢(shì)銅箔德?？萍?μmHVLP1-2AI400G/800G板認(rèn)證，主要用于國(guó)內(nèi)算力板項(xiàng)目；HVLP4已與客戶進(jìn)行試驗(yàn)板測(cè)試，HVLP5已提供給客戶進(jìn)行特性分析測(cè)試銅箔嘉元科技目前高端電子電路銅箔中的HVLP銅箔產(chǎn)品正在客戶驗(yàn)證階段中玻纖布宏和科技4維布和低熱膨脹系數(shù)玻璃纖維布已獲得下游客戶的認(rèn)證通過。2025年開始批量供應(yīng)給下游客戶玻纖布中材科技公司覆蓋高速覆銅板用Low-Dk產(chǎn)品及超低損耗低介電纖維布產(chǎn)品玻纖布菲利華公司研發(fā)的超薄石英電子布產(chǎn)品正處于客戶端小批量測(cè)試及終端客戶的認(rèn)證階段玻纖布中國(guó)巨石巨石淮安零碳智能制造基地年產(chǎn)10萬噸電子級(jí)玻璃纖維生產(chǎn)線正式開工玻纖布金安國(guó)紀(jì)公司覆蓋電子級(jí)玻纖布公司2025年半年報(bào)導(dǎo)熱散熱材料TIM//GPUH100GPUHBMAICPU/GPUDIMMVRMNICSSD903圖表29：散熱幾乎都是混合案非單一模式 圖表30：?jiǎn)蜗嗬浒迨揭豪涫乔傲鲬?yīng)用嚴(yán)勁《數(shù)據(jù)中心液冷散熱技術(shù)及應(yīng)用》、 嚴(yán)勁《數(shù)據(jù)中心液冷散熱技術(shù)及應(yīng)用》、（TIM）材料典型成分導(dǎo)熱系數(shù)(W/m·K)硅脂硅油基底，ZnO，材料典型成分導(dǎo)熱系數(shù)(W/m·K)硅脂硅油基底，ZnO，Ag3-5硅膠氧化鋁、氮化硼、銀粉等3-4相變化材料聚烯烴樹脂，丙烯酸樹脂，鋁，氧化鋁，碳納米纖維管0.5-5相變化金屬片鉬、錫、銀、銅、鋼、鈦30-50散熱墊片氮化硼、鋁粉、石墨烯等1.5-4低熔點(diǎn)焊料銦基19-86液態(tài)金屬鈉鉀合金、鉛鉍合金、鎵銦合金（主流）14-50板塊公司業(yè)務(wù)進(jìn)展熱界面材料德邦科技TIM1.5/TIM2等成熟產(chǎn)品持續(xù)放量，市場(chǎng)份額逐步擴(kuò)大;芯片級(jí)導(dǎo)熱材料（TIM1）也已進(jìn)入客戶端驗(yàn)證階段熱界面材料中石科技公司產(chǎn)品包括導(dǎo)熱墊片、導(dǎo)熱凝膠、導(dǎo)熱硅脂、導(dǎo)熱相變材料、儲(chǔ)熱材料、界面石墨產(chǎn)品等熱界面材料飛榮達(dá)公司具備導(dǎo)熱系數(shù)1W/m.k-13W/m.k的熱界面材料熱界面材料蘇州天脈達(dá)到15W/m.K，產(chǎn)品關(guān)鍵指標(biāo)性能與國(guó)際市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手水平相當(dāng)熱界面材料思泉新材公司重視并加大研發(fā)投入，積極推進(jìn)液冷、石墨烯＆合成石墨垂直取向熱界面材料等多個(gè)新興產(chǎn)業(yè)相關(guān)的在研項(xiàng)目進(jìn)展MATSUO、 Waybackmachine、《低熔點(diǎn)合金傳熱儲(chǔ)熱材料的研究與應(yīng)用》、先藝電子、INDIUM、液冷技術(shù)主要可以分為間接液冷、直接單相液冷和直接兩相液冷三類：1/非相變238℃FC-72、Novec-649、HFE-7100PF-5060圖表33：主要液冷方式適用情景、材料與優(yōu)劣勢(shì)匯總間接冷卻單相浸沒式兩相浸沒式相變噴淋式適用機(jī)柜功率密度≤45kW/r≤100kW/r>110kW/r>140kW/r適用冷卻液材料水、甲醇、丙酮、氨、一氟二氯乙烷等礦物油、全氟胺、全氟聚醚等短鏈氟化物混合物短鏈氟化物混合主要優(yōu)勢(shì)價(jià)格優(yōu)勢(shì)，節(jié)能液冷服務(wù)器故障率低散熱溫度穩(wěn)定冷卻散熱效果最佳主要劣勢(shì)散熱上限低材料及設(shè)備要求較高冷卻材料價(jià)格較高產(chǎn)業(yè)化技術(shù)尚不成熟綠色高能效數(shù)據(jù)中心散熱冷卻技術(shù)研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)》陳心拓等、總結(jié)2025////圖表34：面向數(shù)據(jù)中心與半導(dǎo)體制程冷卻的合規(guī)與長(zhǎng)期可靠性驗(yàn)證成為標(biāo)配（不完全統(tǒng)計(jì)）板塊公司業(yè)務(wù)進(jìn)展熱界面材料阿萊德公司絕緣型超高導(dǎo)熱墊片（15W/m·K）AIK（12W/m·K）應(yīng)用于高速光模塊冷卻液新宙邦子公司三明海斯福主要涉及含氟冷卻液，用于數(shù)據(jù)中心浸沒式冷卻及半導(dǎo)體芯片制程冷卻冷卻液巨化股份公司全氟聚醚浸沒式冷卻液可用于單相浸沒式數(shù)據(jù)中心冷卻液潤(rùn)禾材料截至2024年12月31日，公司浸沒式硅油設(shè)計(jì)產(chǎn)能9.8萬噸，在建產(chǎn)能4.8萬噸冷卻液新安股份公司已開發(fā)出符合產(chǎn)業(yè)應(yīng)用要求的多個(gè)型號(hào)硅油冷卻液產(chǎn)品，正在與部分服務(wù)器廠商對(duì)接測(cè)試。由于涉及服務(wù)器的浸潤(rùn)測(cè)試，需要較長(zhǎng)的周期，目前整個(gè)行業(yè)還未進(jìn)入全面產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用階段冷卻液永和股份公司正在推動(dòng)電子浸沒式冷卻液、全氟己酮等新興產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程公司公告、公司2025年半年報(bào)、光學(xué)材料DGXH100(LD)(LEDCPU、XPU（InP）（GaAs）5：201510G40G201625G100G，2019100G200G/400G200G、400G，800G圖表35：光模塊用于光纖通中光電轉(zhuǎn)換 圖表36：光模塊核心材料為光器探測(cè)器芯片易天光通信、 MILLI-TECH、圖表37：半導(dǎo)體材料細(xì)分為三大領(lǐng)域方向分類 具體材料 特點(diǎn) 應(yīng)用領(lǐng)域單元素半導(dǎo)體 硅（i、鍺（G）砷化鎵（as、磷化銦III-V族化合物半導(dǎo)體（n、鈮酸鋰（ib）寬禁帶半導(dǎo)體 氮化鎵（GaN）和碳化硅

是目前產(chǎn)量最大、成本最低、應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料電子遷移率高、光電性能好高禁帶寬度、耐高壓和大功率

NVSwitch/CPU/NIC與控制芯片；DDR在通信、新能源汽車的光芯片北京通美招股說明書2025年上半年，國(guó)內(nèi)光芯片襯底與關(guān)鍵晶體材料進(jìn)展整體穩(wěn)步推進(jìn)，但可獨(dú)立披露的材料公司數(shù)量有限，主要因下游光模塊/IDM廠商普遍采取垂直一體化與聯(lián)合開發(fā)模式，晶圓外延、鍵合與晶體加工高度綁定客戶認(rèn)證周期，供應(yīng)鏈外溢度低。圖表38：可獨(dú)立披露的光芯片材料公司數(shù)量有限（不完全統(tǒng)計(jì)）板塊公司業(yè)務(wù)進(jìn)展光芯片云南鍺業(yè)公司覆蓋砷化鎵晶片、磷化銦晶片產(chǎn)品光芯片三安光電公司覆蓋碳化硅MOSFET、碳化硅二極管、碳化硅襯底/外延、硅基氮化鎵材料光芯片天通股份公司已經(jīng)成功制備出12英寸光學(xué)級(jí)鈮酸鋰晶體和光學(xué)級(jí)鉭酸鋰晶體公司2025年半年報(bào)供配電材料AI數(shù)據(jù)中心的配電設(shè)備整體形成市電/柴油—ATS—UPS/電池—低壓配電/母線槽—機(jī)柜PDU—PSU—VRM—芯片的端到端冗余鏈路。當(dāng)前，BlackwellGPU的功耗已超過1kW，預(yù)計(jì)Rubin和Feynman等后續(xù)架構(gòu)將在此基礎(chǔ)上增加兩倍甚至五倍。此外，需要注意的是，整個(gè)服務(wù)器系統(tǒng)由多個(gè)GPU組成。例如，DGXB200系統(tǒng)（配備8個(gè)BlackwellGPU）的總熱設(shè)計(jì)功耗約為14.3kW。由于AI服務(wù)器所需電源功率更大，因而帶來耗電量的大幅提升，為滿足新時(shí)代節(jié)能減排的要求，全球政府和能源組織都在推動(dòng)強(qiáng)制性法規(guī)，以提升數(shù)據(jù)中心的能源效率。AI12V48V54V44I2R1/16，圖表39：AI服務(wù)器配電站架構(gòu)示圖 圖表40：48V母線供電系統(tǒng)銅損更低HydrogenaspowerstoragetechnologypolymericandinterconnectmaterialinnovationsforfutureAIdatacenterapplicationsareviewAI服務(wù)器白皮書、

AI，12V48VMLCC①磁性元件（電感、變壓器）：48/54V架構(gòu)與更高開關(guān)頻率推動(dòng)磁性材料向低損+高飽和+高溫穩(wěn)定迭代。涉及到的材料包括：鐵氧體、金屬?gòu)?fù)合粉末芯（鐵硅鋁、鐵鎳鉬、鐵硅）、非晶/納米晶軟磁合金等②③電阻：在高功率密度電源里，電阻承擔(dān)采樣、均壓/泄放、浪涌與阻尼等關(guān)鍵功能，需要高精度、低溫漂、高耐壓、低噪聲。常用的幾種電阻有高功率薄膜芯片電阻器、金屬箔電阻器、繞線電阻器、記憶電阻，涉及到鎳鉻合金、氧化鋁、過渡金屬氧化物（TiO2、HfO2）、鈣鈦礦氧化物（PC