1、定義游戲規(guī)則。潘多是什么？在集成電路制造過程中，掩膜的圖形通過光刻和蝕刻傳輸?shù)焦杵?。制作集成電路時(shí)使用的這個(gè)面具的幾何形狀被定義為集成電路的布局。布局要求與該電路完全匹配的設(shè)備、端口、連接、1、PPT學(xué)習(xí)交流、閘門應(yīng)用控制電壓、源極、泄漏極負(fù)責(zé)電流的流動(dòng)、導(dǎo)電通道、1、實(shí)施單個(gè)MOS管布局、2、PPT學(xué)習(xí)交流、源區(qū)域、閘門，4，PPT學(xué)習(xí)交換，MOS管電流從源流向泄漏。通道中電流的流動(dòng)距離是通道的長度。截面尺寸是通道寬度。電流方向，通道長度L，通道寬度W，2，設(shè)備大小設(shè)計(jì)，5，PPT學(xué)習(xí)交流，在設(shè)計(jì)中通常以寬度和長度值的比率，即寬高比(W/L)表示設(shè)備大小。例如：假設(shè)MOS管的大小參數(shù)為20

2、/5。標(biāo)注地圖的方法。20/5，6，PPT學(xué)習(xí)通信，3，圖形繪制，7，PPT學(xué)習(xí)通信，英特爾65納米雙核處理器的掃描電鏡(SEM)剖面，8，PPT學(xué)習(xí)通信，公共層，9，PPT學(xué)習(xí)通信，PPT學(xué)習(xí)通信嚴(yán)格區(qū)分圖層效果。10，PPT學(xué)習(xí)交換，MOS設(shè)備布局層PMOS，N陷阱3354NWELL P型注入遮罩3354PSELECT活動(dòng)擴(kuò)散區(qū)活動(dòng)多晶硅柵3354POLY引線孔CC金屬1 METAL1通孔3354VIA金屬VIA金屬來源區(qū)域(ACTIVE)、引線孔(CC)、金屬1 (METAL1)、多晶硅柵(poly)、n型注入遮罩(NSELECT)、14、PPT學(xué)習(xí)交流(1)最小寬度，例如金屬、多晶體、

3、來源區(qū)域或井必須保持最小寬度。16，PPT學(xué)習(xí)交流，(2)金屬、多晶、游樂園或井等最小間隙必須保持最小間隙。17，PPT學(xué)習(xí)交換，(3)最小邊界，例如n陷阱，n離子注入和p離子注入必須有足夠的空間包圍源區(qū)域；多晶硅、源區(qū)和金屬必須在接觸孔周圍保持一定的蓋子。18，PPT學(xué)習(xí)交換，(4)最小擴(kuò)展(例如，多晶體澆口必須擴(kuò)展到特定長度以上)。在遵守設(shè)計(jì)規(guī)則的情況下獲取最小布局區(qū)域，19，PPT學(xué)習(xí)交換，5，陷阱和基板連接，通常PMOS管基板高電位(正壓)；NMOS管的基板受到低電位(負(fù)壓)的影響，為了確保電路的正常運(yùn)行，20，PPT學(xué)習(xí)交流，基板材料的導(dǎo)電性不好，為了保證接觸的效果，必須在接觸區(qū)域創(chuàng)

4、建與相同源區(qū)域相似的摻雜區(qū)域，減少接觸電阻，形成接觸區(qū)域?；灏雽?dǎo)體材料與電極接觸還需要引線孔(cc)。21，PPT學(xué)習(xí)交流，p管基板n井(n型材料)，電源；基板連接配置由NSELETC、ACTIVE、CC和METAL1組成，22、學(xué)習(xí)PPT AC、n管基板為基板(p型材料)、接地；基板連接配置由PSELETC、ACTIVE、CC、METAL1組成，23、PPT學(xué)習(xí)交流、整個(gè)MOS管配置必須由a)來源、灌嘴和泄漏組成。b)連接襯底。源區(qū)域、通道區(qū)域和泄漏區(qū)域稱為MOS管的活動(dòng)區(qū)域，源區(qū)域以外的區(qū)域定義為場(chǎng)區(qū)域(Fox)。源區(qū)域和域區(qū)域的總和是整個(gè)芯片表面的基板(SUB)。，24，PPT學(xué)習(xí)交流

5、，基板連接布局，盡可能多的設(shè)置襯底連接區(qū)域，25，PPT學(xué)習(xí)交換，26，PPT學(xué)習(xí)通信，6，大型設(shè)備設(shè)計(jì)，單個(gè)MOS管的大小通道寬度通常小于20微米，寬高比W/L1 MOS管寬高比(版圖需要特殊處理。27、PPT學(xué)習(xí)交換、緩沖(buffer)、運(yùn)算放大器對(duì)、系統(tǒng)輸出級(jí)別常用的大型設(shè)備。28，PPT學(xué)習(xí)交換，緩沖，管，29，PPT學(xué)習(xí)交換，緩沖的第一變頻器，30，PPT學(xué)習(xí)交換，傳輸對(duì)管，31，PPT學(xué)習(xí)交換，大型設(shè)備問題：寄生電容柵系列電阻，大面積柵和基板之間的氧化層絕緣，平板電容器形成，32，PPT學(xué)習(xí)交流，由于細(xì)長柵的串聯(lián)電阻，柵兩端電壓不同，柵電壓降低，33，PPT學(xué)習(xí)交流，MOS管寄生

6、電容值，MOS管柵系列電阻值，34，(b)第4段(W/L=50/1)，(a) MOS管W/L=200/1，36，PPT學(xué)習(xí)交流，(2)合并源/泄漏區(qū)域，4個(gè)小MMS.排序，37，PPT學(xué)習(xí)交流，(b)從左邊數(shù)第二和第四個(gè)MOS管，和泄漏交換，38，PPT學(xué)習(xí)交流，(c)重疊相鄰的s，d，39，PPT學(xué)習(xí)交流并行小MOS管數(shù)為n，并行管的長寬比柵系列電阻最初是大型管寄生電容的1/N、40、PPT學(xué)習(xí)交流，源泄漏共享僅可以在連接同一類型兩個(gè)MOS管上相同節(jié)點(diǎn)的端口之間進(jìn)行。源泄漏共享可以在具有相同節(jié)點(diǎn)的兩個(gè)相同類型的MOS管(例如，和兩個(gè)p管，而不是門)之間進(jìn)行！41，PPT學(xué)習(xí)交流，7，連接設(shè)備

7、，共享源泄漏后，必須連接相應(yīng)的端口以形成完整的MOS管。源極，漏極分別用梳狀金屬線連接，閘門用引線連接多晶硅。注：太長的多晶硅引線會(huì)引起較大的線電阻。要減少接觸電阻，必須盡可能多地制造簧片孔，使連接42，PPT學(xué)習(xí)交流，G，S，D，并行后源和泄漏的金屬線形成“叉”結(jié)構(gòu)。43，PPT學(xué)習(xí)交流，為了節(jié)省面積，可能適當(dāng)減少引線孔，使金屬線跨越設(shè)備；設(shè)備為矩形，44，PPT學(xué)習(xí)通信，8，實(shí)施MOS管陣列布局(1) MOS管連接。N1的源，泄漏區(qū)域是x和y，N0的源，泄漏區(qū)域是y和z。使用源泄漏共享獲得兩個(gè)MOS管串聯(lián)的圖版。電路圖、N1和N0系列布局、N1、N0布局、45、PPT學(xué)習(xí)通信、隨機(jī)MOS管

8、連接。例如，三根莫爾斯管連接在一起。電路圖，布局，46，PPT學(xué)習(xí)交流，(2)MOS管并行(并行是源和源連接，泄漏和泄漏連接，獨(dú)立于自身的大門或。)、電路圖、布局、門水平布局、47、PPT學(xué)習(xí)交流、門垂直對(duì)齊、電路圖、布局、48、PPT學(xué)習(xí)交流、3個(gè)以上MOS管并行。大MOS管分段連接、源和泄漏并行均為金屬連接(叉指)、49、PPT學(xué)習(xí)交換、(3)MOS管耦合同時(shí)為MOS管串行和并行。50，PPT學(xué)習(xí)通信，直方圖設(shè)計(jì)：為了在電路中獲得最有效的源泄漏共享布局，您可以使用“直方圖設(shè)計(jì)”在繪制布局之前創(chuàng)建結(jié)構(gòu)草圖?？梢院芎玫亟鉀Q設(shè)備布局問題。其次，集成電路布局設(shè)計(jì)方法，51，PPT學(xué)習(xí)通信，“混合條形圖”方法：方塊表示源區(qū)域(寬度不受限制)。實(shí)