1、區(qū)域熔煉技術(shù)專題研討會(huì)，內(nèi)容，區(qū)域熔煉技術(shù)原理簡(jiǎn)介，區(qū)域熔煉設(shè)備的影響因素，區(qū)域熔煉技術(shù)的應(yīng)用結(jié)論，簡(jiǎn)介，區(qū)域熔煉方法，也稱區(qū)域提純。這是一種凈化金屬、半導(dǎo)體和有機(jī)化合物的方法。這種材料被制成細(xì)棒，通過(guò)高頻感應(yīng)加熱，將短固體熔化成液態(tài)。熔化區(qū)從放置材料的一端慢慢移動(dòng)到另一端。在熔化區(qū)的末端，固體再結(jié)晶，而含雜質(zhì)的部分比純的部分稍低，因此很難凝固，所以它集中在前端。該方法可生產(chǎn)出純度為99.999%的物料，但不能一次滿足要求，可重復(fù)操作。該方法設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便，可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化。隨著當(dāng)今科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，電子工業(yè)和半導(dǎo)體工業(yè)等尖端技術(shù)對(duì)材料的要求越來(lái)越高，尤其是對(duì)所用基礎(chǔ)材料的純度。就材料本身而

2、言，人們一直認(rèn)為材料的某種獨(dú)特性質(zhì)取決于雜質(zhì)的含量，金屬的純度越高，它越經(jīng)常改變材料的性質(zhì)。因此，為了發(fā)現(xiàn)有色金屬及其化合物的光學(xué)、電學(xué)、磁學(xué)和其他潛在特性，還需要更高純度的金屬。高純材料的制備可分為物理精煉和化學(xué)精煉。物理精煉主要包括區(qū)域熔煉法和結(jié)晶法；化學(xué)精煉主要包括電解、真空蒸餾和離子交換。由于容器和材料中雜質(zhì)的污染，通過(guò)化學(xué)精煉和提純方法獲得的金屬純度在一定程度上受到限制。只有通過(guò)化學(xué)方法將金屬提純到一定的純度，然后通過(guò)物理方法如區(qū)域熔煉進(jìn)行提純，才能將金屬純度提高到一個(gè)新的高度。區(qū)熔法的第一個(gè)重要應(yīng)用是用鎢絲來(lái)提純晶體管中使用的鍺。經(jīng)過(guò)50多年的發(fā)展，區(qū)域熔煉已經(jīng)成為制備高純材料的重要方法。目前，1/3的元素和數(shù)百種無(wú)機(jī)和有機(jī)化合物可以通過(guò)區(qū)域熔煉提純到高純度。事實(shí)上，任何結(jié)晶物質(zhì)都可以通過(guò)區(qū)域熔化來(lái)純化，只要它能夠穩(wěn)定地熔化并且在液體和固化的固體之間表現(xiàn)出不同的雜質(zhì)濃度。區(qū)域熔煉技術(shù)原理，區(qū)域熔煉是一種利用金屬凝固態(tài)和熔融態(tài)雜質(zhì)溶解度的差異，使雜質(zhì)析出或改變其分布的方法。當(dāng)固液共存時(shí)，固相雜質(zhì)的濃度C0和液相雜質(zhì)的濃度CL是不同的，它們之間的比值稱為分配系數(shù)，即k=C0/cl假設(shè)鑄錠的初始濃度為C0，鑄錠中保持一個(gè)(或幾個(gè))熔化區(qū)，熔化區(qū)從一端向另一端緩慢移動(dòng)。當(dāng)熔化區(qū)從左端向右端移動(dòng)時(shí)，左端緩慢凝固