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1、.,電沉積法制備金納米結構,應化13-2李睿,.,材料與方法,1.材料氯金酸(HAuCl44H20,99.9%，購自上?；瘜W試劑有限公司。ITO導電玻璃，廈門愛特歐光電實業(yè)有限公司。所有用水皆為超純水，由Milli-pore-Q純水儀制備。,.,2.電沉積法制備金納米結構將清潔干燥的ITO玻璃作為工作電極，Pt電極為對電極，232飽和甘汞電極為參照電極，選擇適當?shù)碾姵练e電壓和電沉積時間，在導電玻璃表面原位沉積得到一定疏密程度和尺寸的納米金結構。本試驗中，用ITO玻璃作為工作電極，沉積電壓分別選擇了0.3,0.1,0.3,0.5V，沉積時間為1,10,30,60min,.,沉積電壓為0.1V，沉

2、積時間分別為1,10,30,60min。當沉積時間越長，沉積位點越多，并且顆粒逐漸增大，顆粒間的間距逐漸減小，顆粒表面形成凹凸不平的結構。顆粒粒徑由20nm士2nm逐漸增大到180nm士4nm。可通過調(diào)節(jié)成核時間，得到適宜疏密程度和大小的成核位點和種子，以制備不同形貌的納米材料。沉積時間“控制”了納米結構的尺寸，隨著生長時間的增加，在納米結構的表面會沉積更多的金原子，使納米結構不斷長大，納米結構之間的間距逐漸變小，當超過一定時間后，納米結構繼續(xù)生長，最后連接成片,.,固定沉積時間為30min，分別選取4個電壓一0.3,0.1,0.3,0.5V作為沉積電壓，以尋找合適的生長條件。當沉積電壓為一0.3V時，形成的納米顆粒粒徑大約為20nm士2nm的球形顆粒，顆粒間間距較大。隨著沉積電壓的增大，所形成

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