1、廠饋通濾波器類產(chǎn)品失效分析總結(jié)目錄1陶瓷電容基礎(chǔ)知識11.1電容器陶瓷分類11.1.1高頻高介電容器瓷21.1.2強介鐵電陶瓷（二類瓷）41.2電容器陶瓷微觀結(jié)構(gòu)71.3介質(zhì)損耗81.3.1基本概念81.3.2損耗的形式81.3.3陶瓷材料的損耗91.3.4陶瓷電容器的損耗101.3.5造成電容器損耗的各組成電阻111.4絕緣電阻（）122饋通濾波器失效分析122.1常見失效模式及機理122.1.1引起電容器失效的主要失效機理132.2饋通濾波器失效機理分析132.2.1造成濾波器介質(zhì)開裂的主要機理132.2.2內(nèi)電極缺陷172.2.3銀離子遷移182.2.4潮濕對電參數(shù)惡化的影響193蛟龍工

2、廠饋通濾波器類產(chǎn)品失效匯總211 陶瓷電容基礎(chǔ)知識1.1 電容器陶瓷分類電容器瓷高頻（類瓷）tg小低頻（類瓷）高，較大的tg半導(dǎo)體（類瓷）低介(10）裝置瓷（如Al2O3）中介（=1250）高介（=6020000）l 類瓷是電容量隨溫度變化穩(wěn)定度高的電容器瓷，主要用于高頻諧振回路中。類瓷主要以鈦、鋯、錫的化合物及固溶體為主晶相。（主要用于：高頻熱穩(wěn)定電容器瓷，高頻熱補償電容器瓷）l 類瓷以高介電常數(shù)為特征，為具有鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的強介鐵電瓷料，如BaTiO3、Pb(Mg1/3Nb2/3)O3。（主要用于：低頻高介電容器瓷）l 類瓷：半導(dǎo)體陶瓷 1.1.1 高頻高介電容器瓷按主晶相分鈮鉍鋅系：ZnO

3、Bi2O3-Nb2O5鋯酸鹽瓷：CaZrO3錫酸鹽瓷：CaSnO3、 SrSnO3鈦酸鹽瓷：CaTiO3、SrTiO3、MgTiO3金紅石瓷：TiO2按值分（溫度每變化1時介電系數(shù)的相對變化率）0：TiO2、CaTiO3、SrTiO30： MgTiO3、CaSnO3、Sr SnO3、CaZrO30： BaO4 TiO2 1.1.1.1 電介質(zhì)的極化在平行板電容器中，若在兩板間插入固體電介質(zhì)，則在外加電場作用下，固體介質(zhì)中原來彼此中和的正、負電荷產(chǎn)生位移，形成電矩，使介質(zhì)表面出現(xiàn)束縛電荷，極板上電荷增多，造成電容量增大。平行板電容器在真空中的電容量為：極板間插入固體電介質(zhì)后，電容量為：式中：d為

4、平板間距(m)；A為面積(m2)，V為平板上電壓(V)，為相對介電常數(shù)，為介電材料的電容率，或稱介電常數(shù)(dielectric constant)(單位為F/m)。放在平板電容器中增加電容的材料稱為介電材料。顯然它屬于電介質(zhì)。電介質(zhì)（dielectrics）就是指在電場作用下能建立極化的物質(zhì)。如上所述，在真空平板電容間嵌入一塊電介質(zhì)，當加上外電場時，則在正極板附近的介質(zhì)表面上感應(yīng)出負電荷，負極板附近的介質(zhì)表面感應(yīng)出正電荷。這種感應(yīng)出的表面電荷稱為感應(yīng)電荷，亦稱束縛電荷，如下圖所示。電介質(zhì)在電場作用下產(chǎn)生束縛電荷的現(xiàn)象稱為電介質(zhì)的極化（polarize）。正是這種極化的結(jié)果，使電容器增加電荷的存

5、儲能力。偶極子(a)真空平板電容器 (b)平板電容器中的束縛電荷平板電容器中介電材料的極化極化強度：介電常數(shù)：高頻高介電容器中電介質(zhì)（離子晶體）的極化主要是電子位移極化和離子位移極化。1.1.1.2 產(chǎn)生高介電系數(shù)的原因l 金紅石型和鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的陶瓷具有特殊的結(jié)構(gòu)，離子位移極化后，產(chǎn)生強大的局部內(nèi)電場，并進一步產(chǎn)生強烈的離子位移極化和電子位移極化，使得作用在離子上的內(nèi)電場得到顯著加強，故大。l 鈦酸鍶鉍也是利用SrTiO3鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的內(nèi)電場，而加入鈦酸鉍等，使之產(chǎn)生鍶離子空位，產(chǎn)生離子松弛極化，從而使增大。1.1.2 強介鐵電陶瓷（二類瓷）低頻高介電容器瓷屬類瓷，是強介鐵電陶瓷，一般是指具

6、有自發(fā)極化特性的非線性陶瓷材料，其主要成份是鈦酸鋇（BaTiO3），其特點是介電系數(shù)特別高，一般數(shù)千，甚至上萬；介電系數(shù)隨溫度呈非線性變化，介電常數(shù)隨施加的外電場有非線性關(guān)系。1.1.2 .1 BaTiO3陶瓷的晶體結(jié)構(gòu)鈦酸鋇是一致性熔融化合物，其熔點為1618。在此溫度以下，1460以上結(jié)晶出來的鈦酸鋇屬于非鐵電的六方晶系6/mmm點群。此時，六方晶系是穩(wěn)定的。在1460130之間鈦酸鋇轉(zhuǎn)變?yōu)榱⒎解}鈦礦型結(jié)構(gòu)。在此結(jié)構(gòu)中Ti4+(鈦離子)居于O2-(氧離子)構(gòu)成的氧八面體中央，Ba2+(鋇離子)則處于八個氧八面體圍成的空隙中（見右圖）。此時的鈦酸鋇晶體結(jié)構(gòu)對稱性極高，因此無偶極矩產(chǎn)生，晶體無

7、鐵電性，也無壓電性。 隨著溫度下降，晶體的對稱性下降。當溫度下降到120時，鈦酸鋇發(fā)生順電-鐵電相變。在1205的溫區(qū)內(nèi)，鈦酸鋇為四方晶系4mm點群，具有顯著地鐵電性，其自發(fā)極化強度沿c軸方向，即001方向。鈦酸鋇從立方晶系轉(zhuǎn)變?yōu)樗姆骄禃r，結(jié)構(gòu)變化較小。從晶胞來看，只是晶胞沿原立方晶系的一軸（c軸）拉長，而沿另兩軸縮短。 當溫度下降到5以下，在5-90溫區(qū)內(nèi)，鈦酸鋇晶體轉(zhuǎn)變成正交晶系mm2點群，此時晶體仍具有鐵電性，其自發(fā)極化強度沿原立方晶胞的面對角線011方向。為了方便起見，通常采用單斜晶系的參數(shù)來描述正交晶系的單胞。這樣處理的好處是使我們很容易地從單胞中看出自發(fā)極化的情況。鈦酸鋇從四方晶

8、系轉(zhuǎn)變?yōu)檎痪担浣Y(jié)構(gòu)變化也不大。從晶胞來看，相當于原立方晶系的一根面對角線伸長了，另一根面對角線縮短了，c軸不變。 當溫度繼續(xù)下降到-90以下時，晶體由正交晶系轉(zhuǎn)變?yōu)槿本?m點群，此時晶體仍具有鐵電性，其自發(fā)極化強度方向與原立方晶胞的體對角線111方向平行。鈦酸鋇從正交晶系轉(zhuǎn)變成三斜晶系，其結(jié)構(gòu)變化也不大。從晶胞來看，相當于原立方晶胞的一根體對角線伸長了，另一根體對角線縮短了。 綜上所述，在整個溫區(qū)(1618)，鈦酸鋇共有五種晶體結(jié)構(gòu)，即六方、立方、四方、單斜、三斜，隨著溫度的降低，晶體的對稱性越來越低。在120（即居里點）以上，鈦酸鋇晶體呈現(xiàn)順電性，在120以下呈現(xiàn)鐵電性。1.1.2

9、 .2 BaTiO3陶瓷的自發(fā)極化自發(fā)極化是指晶體在沒有外加電場作用時發(fā)生了極化并有偶極矩的現(xiàn)象。鈦酸鋇的自發(fā)極化主要與其特殊的晶體機構(gòu)有關(guān)，鈦酸鋇在120攝氏度以上時為等軸晶系：晶胞常數(shù)：a=4.01A，氧離子的半徑：1.32A，鈦離子的半徑： 0.64A，鈦離子處于氧八面體中，兩個氧離子間的空隙為：4.012 1.32= 1.37，鈦離子的直徑：2 0.64= 1.28，氧八面體空腔體積大于鈦離子體積，給鈦離子位移的余地。較高溫度時，熱振動能比較大，鈦離子難于在偏離中心的某一個位置上固定下來，接近六個氧離子的幾率相等，晶體保持高的對稱性，自發(fā)極化為零。溫度降低，鈦離子平均熱振動能降低，因熱

10、漲落，熱振動能特別低的離子占很大比例，其能量不足以克服氧離子電場作用，有可能向某一個氧離子靠近，在新平衡位置上固定下來，并使這一氧離子出現(xiàn)強烈極化，發(fā)生自發(fā)極化，使晶體順著這個方向延長，晶胞發(fā)生輕微畸變，由立方變?yōu)樗姆骄w。 1.1.2 .3 鈦酸鋇陶瓷的鐵電疇鐵電體存在自發(fā)極化，自發(fā)極化方向相同的區(qū)域成為電疇。鈦酸鋇晶體是由無數(shù)鈦酸鋇晶胞組成的。當立方鈦酸鋇晶體冷卻到居里點Tc時，將開始產(chǎn)生自發(fā)極化，并同時進行立方相向四方相的轉(zhuǎn)變。在發(fā)生自發(fā)極化的時候，其中一部分相互臨近的晶胞都沿著原來立方晶胞的某個晶軸產(chǎn)生自發(fā)極化，而另一部分相互臨近的晶胞可能沿原立方晶胞的另一個晶軸產(chǎn)生自發(fā)極化。這樣當鈦

11、酸鋇轉(zhuǎn)變成四方相后，晶體就出現(xiàn)了沿不同方向自發(fā)極化的晶胞小單元，我們稱之為電疇。也就是說，通過降低溫度，晶體從順電相轉(zhuǎn)變?yōu)殍F電相時，由于自發(fā)極化，引起表面靜電相互作用變化，產(chǎn)生電疇結(jié)構(gòu)。 電疇的類型、疇壁的取向，除了主要由晶體的結(jié)構(gòu)對稱性決定外，同時還要滿足以下兩個條件： 晶格形變的連續(xù)性：電疇形成的結(jié)果，使得沿疇壁而切割晶體所產(chǎn)生的兩個表面上的晶格連續(xù)并相匹配。 自發(fā)極化分量的連續(xù)性：兩相鄰電疇的自發(fā)極化強度在垂直于疇壁方向上的分量相等。 因此，在四方鈦酸鋇單晶中，相鄰電疇的自發(fā)極化方向只能相交成180或90，即只存在180疇和90疇。在單斜晶系鈦酸鋇中，由于自發(fā)極化沿原立方晶胞的面對角線，

12、因此除了180和90疇外，還存在60和120疇。而在三斜晶系鈦酸鋇中，除了存在180疇外，還存在60和109疇。電疇示意圖1.2 電容器陶瓷微觀結(jié)構(gòu) 鈦酸鋇陶瓷燒結(jié)后表面SEM圖 FH-CGL150（Mg-Zn-Ti基配方）燒結(jié)后表面SEM圖 1100 1130 1150不同溫度燒結(jié)制得的PMW-PNN-PT陶瓷斷面SEM圖1.3 介質(zhì)損耗1.3.1 基本概念1、介質(zhì)損耗 絕緣材料在電場作用下，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失，簡稱介損。2、介質(zhì)損耗角 在交變電場作用下，電介質(zhì)內(nèi)流過的電流相量和電壓相量之間的夾角(功率因數(shù)角)的余角()。 簡稱介損角。3、

13、介質(zhì)損耗正切值tg 又稱介質(zhì)損耗因數(shù)，是指介質(zhì)損耗角正切值，簡稱介損角正切。介質(zhì)損耗因數(shù)的定義如下:1.3.2 損耗的形式a）電導(dǎo)損耗：在電場作用下，介質(zhì)中會有泄漏電流流過，引起電導(dǎo)損耗。氣體的電導(dǎo)損耗很小，而液體、固體中的電導(dǎo)損耗則與它們的結(jié)構(gòu)有關(guān)。非極性的液體電介質(zhì)、無機晶體和非極性有機電介質(zhì)的介質(zhì)損耗主要是電導(dǎo)損耗。而在極性電介質(zhì)及結(jié)構(gòu)不緊密的離子固體電介質(zhì)中，則主要由極化損耗和電導(dǎo)損耗組成。它們的介質(zhì)損耗較大，并在一定溫度和頻率上出現(xiàn)峰值。電導(dǎo)損耗，實質(zhì)是相當于交流、直流電流流過電阻做功，故在這兩種條件下都有電導(dǎo)損耗。絕緣好時，液、固電介質(zhì)在工作電壓下的電導(dǎo)損耗是很小的，與電導(dǎo)一樣，是

14、隨溫度的增加而急劇增加的。b）極化損耗：只有緩慢極化過程才會引起能量損耗，如偶極子的極化損耗。它與溫度有關(guān)，也與電場的頻率有關(guān)。極化損耗與溫度、電場頻率有關(guān)。在某種溫度或某種頻率下，損耗都有最大值。c）游離損耗：氣體間隙中的電暈損耗和液、固絕緣體中局部放電引起的功率損耗稱為游離損耗。電暈是在空氣間隙中或固體絕緣體表面氣體的局部放電現(xiàn)象。但這種放電現(xiàn)象不同于液、固體介質(zhì)內(nèi)部發(fā)生的局部放電。即局部放電是指液、固體絕緣間隙中，導(dǎo)體間的絕緣材料局部形成“橋路”的一種電氣放電，這種局部放電可能與導(dǎo)體接觸或不接觸。這種損耗稱為電暈損耗。1.3.3 陶瓷材料的損耗陶瓷材料的損耗主要是電導(dǎo)損耗、松弛質(zhì)點的極化

15、損耗及結(jié)構(gòu)損耗。此外，表面氣孔吸附水分、油污及灰塵等造成表面電導(dǎo)也會引起較大的損耗。以結(jié)構(gòu)緊密的離子晶體為主晶相的陶瓷材料，損耗主要來源于玻璃相。為了改善某些陶瓷的工藝性能，往往在配方中引入一些易熔物質(zhì)（如粘土），形成玻璃相，這樣就使損耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷隨粘土含量的增大，其損耗也增大。因而一般高頻瓷，如氧化鋁瓷、金紅石等很少含有玻璃相。大多數(shù)電工陶瓷的離子松弛極化損耗較大，主要原因是：主晶相結(jié)構(gòu)松散，生成了缺陷固溶體，多晶形轉(zhuǎn)變等。如果陶瓷材料中含有可變價離子，如含鈦陶瓷，往往具有顯著的電子松弛極化損耗。因此，陶瓷材料的介質(zhì)損耗是不能只按照瓷料成分中純化合物的性能來推測的。在陶瓷燒結(jié)過

16、程中，除了基本物理化學過程外，還會形成玻璃相和各種固溶體。固溶體的電性能可能不亞于，也可能不如各組成成分。這是在估計陶瓷材料的損耗時必須考慮的?？傊橘|(zhì)損耗是介質(zhì)的電導(dǎo)和松弛極化引起的電導(dǎo)和極化過程中帶電質(zhì)點（弱束縛電子和弱聯(lián)系離子，并包括空穴和缺位）移動時，將它在電場中所吸收的能量部分地傳給周圍“分子”，使電磁場能量轉(zhuǎn)變?yōu)椤胺肿印钡臒嵴駝?，能量消耗在使電介質(zhì)發(fā)熱效應(yīng)上。一類瓷損耗因數(shù)與溫度的關(guān)系 一類瓷介質(zhì)損耗與溫度的關(guān)系 X7R陶瓷介質(zhì)損耗與溫度的關(guān)系 Y5V陶瓷介質(zhì)損耗與溫度的關(guān)系介質(zhì)吸潮后，介電常數(shù)會增加，但比電導(dǎo)的增加要慢，由于電導(dǎo)損耗增大以及松馳極化損耗增加，而使tan增大。對于

17、極性電介質(zhì)或多孔材料來說，這種影響特別突出，如紙內(nèi)水分含量從4%增加到10%時，其tan可增加100倍。1.3.4 陶瓷電容器的損耗在片式多層元器件類型中，損耗主要由介質(zhì)層損耗、內(nèi)電極層電阻損耗、各接觸面電阻損耗和端電極電阻損耗等四個方面組成；其中各接觸面電阻包括端電極與內(nèi)電極的接觸、內(nèi)電極與介質(zhì)層的接觸、不同的端電極電鍍層間的接觸等；損耗對頻率是較為敏感的，并隨頻率的增加而增加，因為：1接觸電阻電極間接觸形成的間隙式裂縫是容性阻抗(Z=1/(2*pi*f*C),從而導(dǎo)致?lián)p耗在剛開始時隨頻率的增加而下降。2趨膚效應(yīng)內(nèi)電極和端電極由于趨膚效應(yīng)，阻抗隨頻率的增加而增加，最終將抵消接觸電阻所產(chǎn)生損耗

18、下降的影響。3電介質(zhì)極化隨電介質(zhì)中的極化定向，大量的能量被儲備，從而呈現(xiàn)阻抗隨頻率增大而增大。1.3.5 造成電容器損耗的各組成電阻1、內(nèi)電極層自身電阻：內(nèi)電極層可以認為是一個給定厚度、長寬參數(shù)的金屬平面薄板，因此其自身電阻取決與L/W的比例，但由于是通過涂抹工藝（絲網(wǎng)疊?。┲瞥?，它有著不太規(guī)則的厚度及一些空洞區(qū)域等缺陷，這些空洞區(qū)域在低頻時呈現(xiàn)的高阻特性，而當頻率增大，在中間夾雜介質(zhì)的分流作用下（容抗），減小了整個器件的阻抗。但隨著頻率進一步增加，到較高頻時，出現(xiàn)趨膚效應(yīng)，導(dǎo)致呈現(xiàn)的阻抗增加。2、接觸電阻：從微觀角度看，任何光滑的表面都是凹凸不平的，因此，兩個接點接觸時，不可能是整個接觸面接

19、觸，而是有限點的接觸，差異取決于表面光滑程度和接觸壓力的大小。真正的接觸電阻包括：集中電阻電流通過接觸面，由于接觸面縮小而導(dǎo)致電流線收縮所顯示的電阻，通常稱為集中電阻；界面電阻由于接觸表面所形成膜層而構(gòu)成的膜層電阻或稱界面電阻。同樣的，內(nèi)電極一端與端電極的接觸面并不是很完美，這個電極接觸端面不規(guī)則，則其相應(yīng)接觸電阻也會由于接觸點的電流集中及相應(yīng)熱區(qū)效應(yīng)而不同。工藝上應(yīng)盡量避免該接觸面的不規(guī)則，不然將會降低長期使用的功率承載能力。事實上，雖然接觸表面面一些地方有兩金屬的合金生成，但大多數(shù)仍舊是“物理”的接觸，某些中間的膜層為玻璃粉，可以認為這些接點是一個具有阻性和容性的元素，因此在低頻時，阻值較

20、大；在高頻時，又會呈現(xiàn)較低的阻抗。由于，接觸電阻直接受內(nèi)電極層的L/W比例影響，往往把內(nèi)電極層電阻和接觸電阻看成一體。3、 介質(zhì)層電阻（介質(zhì)損耗）：在電場中，介質(zhì)分子極化過程中要損耗一些能量。它的大小主要受介質(zhì)常數(shù)K和環(huán)境溫度的影響。圖3-4：陶瓷電容的介質(zhì)層電阻4、 端電極自身電阻：影響很小，一般可以省略不考慮。1.4 絕緣電阻（）完全不導(dǎo)電的絕緣體是沒有的。在電介質(zhì)中通?；蚨嗷蛏俅嬖谡⒇撾x子，這些離子在電場作用下將定向遷移，形成離子電流，我們稱之為體內(nèi)漏電流。通常，在電容器的表面，也會或多或少地存在正負離子，這些離子在外電場的作用下，會發(fā)生定向遷移，形成表面漏電流。因此，電容器的漏電流是

21、陶瓷介質(zhì)中體內(nèi)漏電流與芯片表面的漏電流兩部分組成。我們把加在介質(zhì)兩端的電壓和漏電流之比稱之為介質(zhì)的絕緣電阻。 由上可知，電容器的絕緣電阻等于表面絕緣電阻與體內(nèi)絕緣電阻相并聯(lián)而成。因此，電容器的絕緣電阻除了同其本身所固所介質(zhì)特性外，同外界環(huán)境溫度、濕度等有很大的關(guān)系。 溫度對絕緣電阻的影響主要表現(xiàn)在溫度升高時，瓷介的自由離子增多，漏電流急劇增加，介質(zhì)絕緣電阻迅速降低。但防潮不好的小容量電容器表面漏電流較大，隨著溫度的升高，表面潮氣蒸發(fā)，表面絕緣電阻上升。 濕度對電容器電性能影響最大，會因表面吸潮使表面絕緣電阻下降。2 饋通濾波器失效分析2.1 常見失效模式及機理饋通濾波器常見的失效模式有：擊穿、

22、損耗增大、絕緣電阻變小。2.1.1 引起電容器失效的主要失效機理 電介質(zhì)材料有疵點或缺陷（分層、開裂、氣孔、雜質(zhì)離子等），或含有導(dǎo)電雜質(zhì)或?qū)щ娏Ｗ?，引起的電擊穿、損耗變大、絕緣電阻變?。欢鄬犹沾呻娙萜鲀?nèi)電極缺陷（如電極節(jié)瘤等）引起的擊穿；電容受潮或表面污染引起的損耗變大、絕緣電阻減?。浑姌O氧化引起的損耗變大、絕緣電阻減小；銀離子遷移引起的電擊穿、損耗變大、絕緣電阻變小；在高濕度或低氣壓環(huán)境中極間飛弧引起的擊穿。電容器在工作應(yīng)力與環(huán)境應(yīng)力綜合作用下，工作一段時間后，會分別或同時產(chǎn)生某些失效模式。同一失效模式有多種失效機理，同一失效機理又可產(chǎn)生多種失效模式。失效模式與失效機理之間的關(guān)系不是一一對應(yīng)

23、的，電容器的失效往往是多重因素共同作用的結(jié)果。2.2 饋通濾波器失效機理分析2.2.1 造成濾波器介質(zhì)開裂的主要機理2. 2.1.1 熱應(yīng)力造成陶瓷芯片與外殼和引線金屬材料的熱膨脹系數(shù)和熱傳導(dǎo)系數(shù)不同，以及多層陶瓷電容器內(nèi)部介質(zhì)材料與內(nèi)電極材料的熱膨脹系數(shù)和熱傳導(dǎo)系數(shù)不同，造成濾波器器在經(jīng)受溫度沖擊時易產(chǎn)生熱應(yīng)力導(dǎo)致陶瓷微裂紋或開裂。1、多層陶瓷電容器制造過程中由于內(nèi)電極金屬材料與陶瓷介質(zhì)材料熱膨脹系數(shù)的差異導(dǎo)致產(chǎn)品在燒結(jié)過程中產(chǎn)生微裂紋，這種微裂紋在后來使用過程中逐步增大最終導(dǎo)致產(chǎn)品失效。主要解決方法：電容設(shè)計制造過程中材料選擇和工藝控制加強；采用無損檢測技術(shù)剔除有內(nèi)部缺陷產(chǎn)品；加強電容器入

24、廠前篩選試驗（溫度沖擊可使裂紋放大，高溫加電加速導(dǎo)電粒子的運動以及銀遷移，耐濕使潮氣進入陶瓷內(nèi)部缺陷處降低絕緣電阻造成擊穿）。2、焊接過程中，升、降溫速度過快以及焊料與陶瓷材料膨脹系數(shù)相差大，造成電容器介質(zhì)開裂。Syfer 穿心電容焊接開裂研究結(jié)果：3、環(huán)氧樹脂包封，由于環(huán)氧樹脂固化會放出大量熱量導(dǎo)致電容器瞬間溫度驟變產(chǎn)生熱應(yīng)力，此外由于環(huán)氧樹脂與陶瓷膨脹系數(shù)差別較大，如果環(huán)氧樹脂直接與芯片接觸，在溫度沖擊過程中也會產(chǎn)生較大應(yīng)力。常用材料的熱膨脹系數(shù)和熱傳導(dǎo)系數(shù) 材料 （W/mK） （ppm/）AlN 180 4.0Al2O3 34.6 7BeO 230 6.7Cu 390 17.9W 16.

25、1 4.4W84 Cu16 2006.8-7.2W 70 Cu30 6.7Mo 148 5.3Cu-Mo-Cu 9.5-6.0Mo90Cu10 151 5.1Mo60Cu40 194 6.5Mo33Cu67 251 8.6 Fe 73.8 11.9 Ni 86 11.6可伐 (Fe54Ni 29 Co 18) 17.3 4.4合金42(Fe58Ni 42) 17.3 5.3 Pt 70.8 9.07 Au 314 15.3 Ag 419 19.6 Al . 212 23.8Ta 55 6.5SiC55Al 162 8.6SiC65Al 187.7 7.7SiC75Al 197.3 6.7*氧化

26、鋁（片式電阻） 34.6 7 *BT電容體（片式電容） 45 9.511.5 PTC電阻 (140居里溫度) 23 5.2212.8*Pb-Sn合金 34 27*鋼 46.7 15鍍Cu因鋼 67*環(huán)氧填充 0.5 18-25 (玻璃轉(zhuǎn)折溫度Tg低，在80-125 之間)PI/玻纖印刷板（Tg高于200） 12PI/Keviar印刷板 7FR-4/G-10印刷板 18*SiO2 3.4 0.57Pd7OAg30內(nèi)電極 140 16 端電極（Ag-玻璃-Ni-PbSn） 381 18 2. 2.1.2 機械應(yīng)力造成陶瓷產(chǎn)品受到強機械外力的沖擊后極易產(chǎn)生開裂，這些應(yīng)力主要包括：1. 產(chǎn)品生產(chǎn)過程中

27、，不注意輕拿輕放，對產(chǎn)品產(chǎn)生較大機械沖擊；2. 產(chǎn)品運輸過程中，受到強機械外力（如壓力、碰撞等）沖擊造成開裂；3. 產(chǎn)品安裝使用過程中，安裝扭力矩過大造成開裂；4. 其他原因產(chǎn)生的機械沖擊。2.2.2 內(nèi)電極缺陷 內(nèi)電極節(jié)瘤 內(nèi)電極不連續(xù) 內(nèi)電極顯微結(jié)構(gòu)圖 內(nèi)電極孔洞2.2.3 銀離子遷移電容器在高溫條件下工作時，滲入電容器內(nèi)部的水分子產(chǎn)生電解。在陽極產(chǎn)生氧化反應(yīng)，銀離子與氫氧根離子結(jié)合生成氫氧化銀。在陰極產(chǎn)生還原反應(yīng)，氫氧化銀與氫離子反應(yīng)生成銀和水。由于電極反應(yīng)，陽極的銀離子不斷向陰極還原成不連續(xù)金屬銀粒，靠水膜連接成樹狀向陽極延伸。銀離子遷移不僅發(fā)生在陶瓷介質(zhì)表面，銀離子還能擴散到陶瓷介質(zhì)

28、內(nèi)部，引起漏電流增大，嚴重時可使兩個銀電極之間完全短路，導(dǎo)致電容器擊穿。銀離子遷移可嚴重破壞正電極表面銀層，引線焊點與電極表面銀層之間，間隔著具有半導(dǎo)體性質(zhì)的氧化銀，使陶瓷電容器的等效串聯(lián)電阻增大，金屬部分損耗增加，電容器的損耗角正切值顯著上升。由于正電極有效面積減小，電容器的電容量會因此而下降。表面絕緣電阻則因無機介質(zhì)電容器兩電極間介質(zhì)表面上存在氧化銀半導(dǎo)體而降低。銀離子遷移嚴重時，兩電極間搭起樹枝狀的銀橋，使電容器的絕緣電阻大幅度下降。綜上所述，銀離子遷移不僅會使電容器電性能惡化，而且可能引起介質(zhì)擊穿場強下降，最后導(dǎo)致電容器擊穿。值得一提的是：銀電極低頻陶瓷獨石電容器由于銀離子遷移而引起失

29、效的現(xiàn)象比其他類型的陶瓷介質(zhì)電容器嚴重得多，原因在于這種電容器的一次燒成工藝與多層疊片結(jié)構(gòu)。銀電極與陶瓷介質(zhì)一次燒結(jié)過程中，銀參與了陶瓷介質(zhì)表面的固相反應(yīng)，滲入了瓷-銀接觸處形成界面層。如果陶瓷介質(zhì)不夠致密，水分滲入后，銀離子遷移不僅可以在陶瓷介質(zhì)表面發(fā)生，還可能穿透陶瓷介質(zhì)層。多層疊片結(jié)構(gòu)的縫隙較多，電極位置不易精確，介質(zhì)表面的留邊量小，疊片層兩端涂覆外電極時銀漿滲入縫隙，降低了介質(zhì)表面的絕緣電阻，并使電極之間的路徑縮短，銀離子遷移時容易產(chǎn)生短路現(xiàn)象。2.2.4 潮濕對電參數(shù)惡化的影響空氣中濕度過高時，水膜凝聚在電容器外殼表面，可使電容器的表面絕緣電阻下降。此處，對于半密封結(jié)構(gòu)電容器來說，水

30、分還可滲透到電容器介質(zhì)內(nèi)部，使電容器介質(zhì)的絕緣電阻絕緣能力下降。因此，高溫、高濕環(huán)境對電容器參數(shù)惡化的影響極為顯著。經(jīng)烘干去濕后電容器的電性能可獲改善，但是水分子電解的后果是無法根除的。例如：電容器工作于高溫條件下，水分子在電場作用下電解為氫離子（H+）和氫氧根離子（OH-），引線根部產(chǎn)生電化學腐蝕。即使烘干去濕，也不可能讓引線復(fù)原。半密封陶瓷電容器在高濕度環(huán)境條件下工作時，發(fā)生擊穿失效是比較普遍的嚴重問題。所發(fā)生的擊穿現(xiàn)象大約可以分為介質(zhì)擊穿和表面極間飛弧擊穿兩類。介質(zhì)擊穿按發(fā)生時間的早晚又可分為早期擊穿與老化擊穿兩種。早期擊穿暴露了電容介質(zhì)材料與生產(chǎn)工藝方面存在的缺陷，這些缺陷導(dǎo)致陶瓷介質(zhì)

31、電強度顯著降低，以致于在高濕度環(huán)境中電場作用下，電容器在耐壓試驗過程中或工作初期，就產(chǎn)生電擊穿。老化擊穿大多屬于電化學擊穿范疇。由于陶瓷電容器銀的遷移，陶瓷電容器的電解老化擊穿已成為相當普遍的問題。銀遷移形成的導(dǎo)電樹枝狀物，使漏電流局部增大，可引起熱擊穿，使電容器斷裂或燒毀。熱擊穿現(xiàn)象多發(fā)生在管形或圓片形的小型瓷介電容器中，因為擊穿時局部發(fā)熱厲害，較薄的管壁或較小的瓷體容易燒毀或斷裂。此外，以二氧化鈦為主的陶瓷介質(zhì)中，負荷條件下還可能產(chǎn)生二氧化鈦的還原反應(yīng)，使鈦離子由四價變?yōu)槿齼r。陶瓷介質(zhì)的老化顯著降低了電容器的介電強度，可能引起電容器擊穿。因此，這種陶瓷電容器的電解擊穿現(xiàn)象比不含二氧化鈦的陶

32、瓷介質(zhì)電容器更加嚴重。銀離子遷移使電容器極間邊緣電場發(fā)生嚴重畸變，又因高濕度環(huán)境中陶瓷介質(zhì)表面凝有水膜，使電容邊緣表面電暈放電電壓顯著下降，工作條件下產(chǎn)生表面極間飛弧現(xiàn)象。嚴重時導(dǎo)致電容器表面極間飛弧擊穿。表面擊穿與電容結(jié)構(gòu)、極間距離、負荷電壓、保護層的疏水性與透濕性等因素有關(guān)。主要就是邊緣表面極間飛弧擊穿，原因是介質(zhì)留邊量較小，在潮濕環(huán)境中工作時銀離子遷移和表面水膜形成使電容器邊緣表面絕緣電阻顯著下降，引起電暈放電，最終導(dǎo)致?lián)舸?，高濕度環(huán)境中尤其嚴重。由于銀離子遷移的產(chǎn)生與發(fā)展需要一段時間，所以在耐壓試驗初期，失效模式以介質(zhì)擊穿為主，隨著試驗時間的延長主要失效模式逐漸過渡為邊緣表面極間飛弧擊

33、穿。問題：1、電容器陶瓷有哪些種類，各個分類的特點是什么？ 2、電容器是如何儲存電荷的？ 3、為什么二類瓷介電常數(shù)高達幾千上萬，而一類瓷介電常數(shù)只有幾十？4、電容器陶瓷如此大的介電常數(shù)是如何產(chǎn)生的？5、電容器為什么會有損耗，介質(zhì)損耗產(chǎn)生的機理是什么，影響介質(zhì)損耗的因素有哪些？6、饋通濾波器主要失效模式有哪些？3 蛟龍工廠饋通濾波器類產(chǎn)品失效匯總產(chǎn)品型號分析時間樣品來源失效現(xiàn)象原因分析結(jié)論JLC25B2009-6-10生產(chǎn)批號0903005，周期試驗壽命分組試驗72h時2只產(chǎn)品擊穿失效，用MZ75立體顯微鏡觀察兩只樣品外殼和包封料均有變色，用DT-830數(shù)字三用表測試產(chǎn)品絕緣電阻分別為11M和3

34、3；DPA分析發(fā)現(xiàn)兩只樣品瓷管焊接部位均有裂紋。產(chǎn)品在壽命試驗中失效是由于產(chǎn)品瓷管有裂紋所致，由于瓷管有一定長度，且要與金屬外殼焊接，在焊接時如果瓷管受熱不均勻，且金屬與陶瓷管的膨脹系數(shù)不同，在裝配和產(chǎn)品安裝焊接過程中操作不當，造成瓷管產(chǎn)生裂紋，抗電強度下降瓷管裂紋導(dǎo)致?lián)舸┦В瑢俟逃腥毕菔?，建議生產(chǎn)單位：1、嚴格控制焊接工序工藝，避免在生產(chǎn)中造成瓷管裂紋產(chǎn)生；2、通過合理的篩選將有缺陷的產(chǎn)品選出，提高產(chǎn)品可靠性。CT52-4-63V-332Z2009-5-25生產(chǎn)批號0604025，用戶整機潮熱試驗穿心電容絕緣失效整機環(huán)境應(yīng)力試驗（溫沖-5545、30個周期）合格后，經(jīng)潮熱試驗5個周期，整

35、機場電流增大，開機分析是穿心電容短路，用MZ75立體顯微鏡觀察外觀，大頭包封料有損傷，用DT-830數(shù)字三用表測試產(chǎn)品絕緣電阻為32；DPA分析發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品小頭端引線和芯片周圍無包封料填充，芯片和外殼焊接部位錫流動導(dǎo)致外殼和引線短路，還發(fā)現(xiàn)芯片有裂紋產(chǎn)品整機試驗后短路是由于產(chǎn)品小頭引線和芯片周圍無包封料，芯片和外殼焊接部位焊錫流動所致引線和芯片周圍無包封料導(dǎo)致短路，希望生產(chǎn)單位：1、嚴格執(zhí)行包封工藝，產(chǎn)品內(nèi)部包封料應(yīng)完全填充；2、用戶安裝、焊接時避免產(chǎn)品內(nèi)部錫再次流動JLC62009-6-10軍標線產(chǎn)品，生產(chǎn)批號J0809002，摸底試驗壽命分組試驗952h時，4只產(chǎn)品擊穿失效，送2只進行失效分析

36、。用MZ75立體顯微鏡觀察兩只樣品外殼和包封料均有損傷和變色，用DT-830數(shù)字三用表測試產(chǎn)品絕緣電阻分別為15k和35.5；DPA分析發(fā)現(xiàn)兩只樣品瓷管內(nèi)部存在較多孔洞，焊接部位均有裂紋，擊穿部位由于高熱瓷管已燒黑，擊穿部位有熔融的電極產(chǎn)品在壽命試驗中失效是由于瓷管內(nèi)部大量孔洞和瓷管有微裂紋所致，由于瓷管有一定長度，且要與金屬外殼焊接，在焊接時如果瓷管受熱不均勻，且金屬與陶瓷管的膨脹系數(shù)不同，在裝配和產(chǎn)品安裝焊接過程中操作不當，造成瓷管產(chǎn)生微裂紋，壽命試驗時，在電應(yīng)力作用下該處漏電流逐漸增大，溫度升高，造成產(chǎn)品擊穿失效瓷管裂紋導(dǎo)致?lián)舸┦?，屬固有缺陷失效，建議生產(chǎn)單位：1、嚴格控制焊接工序工藝

37、，避免在生產(chǎn)中造成瓷管裂紋產(chǎn)生；2、通過合理的篩選將有缺陷的產(chǎn)品選出，提高產(chǎn)品可靠性。JLC5301-D041-EG-332Z-E2009-10-27生產(chǎn)批號09008027，周期試驗壽命分組試驗中14#產(chǎn)品5分鐘擊穿，21#產(chǎn)品7h擊穿。用MZ75立體顯微鏡觀察樣品外觀14#樣品螺紋端外殼燒穿，21#大頭包封料冒出，用VC9806數(shù)字三用表測試產(chǎn)品絕緣電阻14# 3.1k、21# 88；DPA分析發(fā)現(xiàn)14#樣品螺紋端瓷管擊穿部位瓷管燒黑炸裂，21#樣品大頭部位瓷管燒壞炸裂產(chǎn)品在壽命試驗中失效是由于瓷管有裂紋所致，由于瓷管有一定長度，且要與金屬外殼焊接，在焊接時如果瓷管受熱不均勻，且金屬與陶瓷

38、管的膨脹系數(shù)不同，在裝配和產(chǎn)品安裝焊接過程中操作不當，造成瓷管產(chǎn)生裂紋，抗電強度下降瓷管裂紋導(dǎo)致?lián)舸┦?，屬固有缺陷失效，建議生產(chǎn)單位：1、嚴格控制焊接工序工藝，避免在生產(chǎn)中造成瓷管裂紋產(chǎn)生；2、通過合理的篩選將有缺陷的產(chǎn)品選出，提高產(chǎn)品可靠性。CT52-4-63V-102Z2009-10-16該產(chǎn)品為2005年產(chǎn)品，55所返回整機檢測中發(fā)現(xiàn)加電短路，55所檢查后發(fā)現(xiàn)穿心電容引線與外殼短路。用MZ75立體顯微鏡觀察樣品外觀，大頭部位包封料有損傷、引線斷裂，外殼和引線有發(fā)黑現(xiàn)象，用VC9806數(shù)字三用表測試產(chǎn)品絕緣電阻呈通路狀；DPA分析發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品小頭端引線和芯片周圍無包封料填充，芯片和外殼焊接部

39、位錫流動導(dǎo)致外殼和引線短路，還發(fā)現(xiàn)芯片有裂紋產(chǎn)品整機試驗后短路是由于產(chǎn)品小頭引線和芯片周圍無包封料，芯片和外殼焊接部位焊錫流動所致引線和芯片周圍無包封料導(dǎo)致短路，希望生產(chǎn)單位：1、嚴格執(zhí)行包封工藝，產(chǎn)品內(nèi)部包封料應(yīng)完全填充；2、用戶安裝、焊接時避免產(chǎn)品內(nèi)部錫再次流動JLC3-FT10-C-H-473M-D2009-12-15軍標線產(chǎn)品，生產(chǎn)批號J0907001，加電老練產(chǎn)品在加電老練（125/140V/48h）過程中擊穿失效，送2只樣品分析。MZ75立體顯微鏡觀察樣品外觀未發(fā)現(xiàn)異常，用VC9806數(shù)字三用表測試產(chǎn)品絕緣電阻分別為：442、900；DPA分析發(fā)現(xiàn)兩只產(chǎn)品內(nèi)部芯片均有嚴重的分層缺陷

40、，擊穿部位有高熱熔融的電極產(chǎn)品擊穿失效是由于產(chǎn)品內(nèi)部芯片有嚴重的分層缺陷，產(chǎn)品在高溫電老練時有缺陷的部位漏電流增大產(chǎn)生高熱、產(chǎn)品擊穿失效。希望生產(chǎn)單位：1、嚴格控制電容芯片的生產(chǎn)過程，特別是疊片和燒結(jié)工序，避免電容器芯片分層缺陷的產(chǎn)生；2、通過合理的篩選將有缺陷的芯片剔除。JLC5102-A010-CY-332Z-E2009-8-31出廠檢驗出廠檢驗時4只產(chǎn)品在進行250V耐壓測試時擊穿失效。MZ75立體顯微鏡觀察樣品外觀未發(fā)現(xiàn)異常，用DT-830數(shù)字三用表和TH2681A絕緣電阻測試儀測試產(chǎn)品絕緣電阻分別為：10M、61、40、1。DPA分析發(fā)現(xiàn)其中3只樣品瓷管安裝傾斜，導(dǎo)致一些部位引線一端

41、電極與外殼靠得很近，有的部位幾乎完全連通，另一只樣品瓷管有大孔洞。產(chǎn)品發(fā)生耐壓擊穿是因為瓷管安裝傾斜，導(dǎo)致一些部位引線一端電極與外殼靠得很近，有的部位幾乎完全連通，造成產(chǎn)品抗電強度下降，耐壓測試時擊穿瓷管安裝傾斜屬固有缺陷，建議生產(chǎn)單位：1、嚴格控制瓷管安裝生產(chǎn)工藝，避免瓷管傾斜現(xiàn)象產(chǎn)生；2、通過合理篩選將有缺陷產(chǎn)品選出，提高產(chǎn)品可靠性JLC272008-7-2生產(chǎn)批號0712053，交庫試驗交庫試驗壽命分組試驗48h擊穿失效。MZ75立體顯微鏡觀察1#樣品瓷管燒壞，2#樣品未見異常，用DT-830數(shù)字三用表測試絕緣電阻為：1#3.9k、2#5M。DPA分析發(fā)現(xiàn)2#樣品在瓷管與螺帽焊接部位，瓷

42、管在不同方向有多處裂紋產(chǎn)品在壽命分組失效是由于瓷管有裂紋所致，由于瓷管有一定長度，且要與金屬外殼焊接，在焊接時如果瓷管受熱不均勻，且金屬與陶瓷管的膨脹系數(shù)不同，在裝配和產(chǎn)品安裝焊接過程中操作不當，造成瓷管產(chǎn)生裂紋，抗電強度下降，壽命試驗中擊穿失效瓷管裂紋導(dǎo)致?lián)舸┦?，屬固有缺陷失效，建議生產(chǎn)單位：1、嚴格控制焊接工序工藝，避免在生產(chǎn)中造成瓷管裂紋產(chǎn)生；2、通過合理的篩選將有缺陷的產(chǎn)品選出，提高產(chǎn)品可靠性。CT52-1-63V-102Z2008-7-24生產(chǎn)批號0701010，用戶上機焊接測試用戶上機焊接測試產(chǎn)品出現(xiàn)短路失效。用MZ75立體顯微鏡觀察樣品外觀未發(fā)現(xiàn)異常，用DT-830數(shù)字三用表測

43、試2只產(chǎn)品均通路。DPA分析發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品小頭包封料有孔洞和裂紋，在孔洞和裂紋中有流動的錫和錫珠產(chǎn)品上機焊接后通路是由于上機焊接時產(chǎn)品內(nèi)錫熔融沿孔洞和裂紋流動所致希望生產(chǎn)單位：1、改進包封材料和工藝，杜絕產(chǎn)品內(nèi)包封料孔洞和裂紋的產(chǎn)生；2、用戶安裝時應(yīng)嚴格按照生產(chǎn)方提供的安裝要求和焊接溫度安裝“H”JLC25B2008-4-21批號0804016，成品測量成品測量時發(fā)生耐壓擊穿。用MZ75立體顯微鏡觀察樣品外觀未發(fā)現(xiàn)異常，用DT-830數(shù)字三用表測試絕緣電阻分別為：180、190k。DPA分析發(fā)現(xiàn)1#樣品瓷管有裂紋，2#樣品瓷管內(nèi)壁電極和外壁電極間隔太小產(chǎn)品耐壓擊穿是由于產(chǎn)品瓷管有裂紋和瓷管內(nèi)外電極間

44、隔太小所致，由于瓷管有一定長度，且要與金屬外殼和引線焊接，在焊接時如果瓷管受熱不均勻，且金屬與陶瓷管的膨脹系數(shù)不同，在裝配和產(chǎn)品安裝焊接過程中操作不當，造成瓷管產(chǎn)生裂紋，瓷管內(nèi)外電極被銀不當造成內(nèi)外電極間隔太小抗電強度下降希望生產(chǎn)單位：1、嚴格控制被銀工藝質(zhì)量，避免內(nèi)外電極間隔太?。?、嚴格控制焊接工藝，避免生產(chǎn)中造成瓷管開裂LC9-100V-1.7F0.3F2008-8-21生產(chǎn)批號：0806086，交庫試驗壽命試驗96h 2只產(chǎn)品擊穿失效。用MZ75立體顯微鏡觀察樣品外觀發(fā)現(xiàn)在絕緣子和外殼焊接部位錫熔融流動，用TH2681A絕緣電阻測試儀測試兩只產(chǎn)品均通路。DPA分析發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品內(nèi)部芯片有分層

45、缺陷產(chǎn)品及客串失效是由于內(nèi)部芯片有分層缺陷，當有缺陷的產(chǎn)品在加電做壽命試驗時有缺陷的部位漏電流增大產(chǎn)生高熱、絕緣子和外殼焊接部位錫熔化流動，產(chǎn)品擊穿建議生產(chǎn)單位：1、嚴格控制芯片生產(chǎn)工藝避免分層缺陷；2、通過合理的篩選將有缺陷的產(chǎn)品剔除。JLC5301-D041-EG-102Z-E2008-8-5生產(chǎn)批號：0803058，周期試驗2組耐濕試驗1只產(chǎn)品151h擊穿、1只絕緣不合格，3組耐焊接熱后1只產(chǎn)品短路。用MZ75立體顯微鏡觀察樣品外觀，1#樣品靠引線的包封料有燒黑現(xiàn)象，2#、3#未見異常，用DT-830數(shù)字三用表測試絕緣電阻分別為：通路、通路、100M。DPA分析發(fā)現(xiàn)三只樣品在瓷管焊接部位

46、均有裂紋，其中1#樣品瓷管焊接部位有多處裂紋產(chǎn)品在壽命分組失效是由于瓷管有裂紋所致，由于瓷管有一定長度，且要與金屬外殼焊接，在焊接時如果瓷管受熱不均勻，且金屬與陶瓷管的膨脹系數(shù)不同，在裝配和產(chǎn)品安裝焊接過程中操作不當，造成瓷管產(chǎn)生裂紋，抗電強度下降瓷管裂紋導(dǎo)致?lián)舸┦?，屬固有缺陷失效，建議生產(chǎn)單位：1、嚴格控制焊接工序工藝，避免在生產(chǎn)中造成瓷管裂紋產(chǎn)生；2、通過合理的篩選將有缺陷的產(chǎn)品選出，提高產(chǎn)品可靠性。LC28-250AC-150nF2008-11-6生產(chǎn)批號：0810041，成品檢驗成品檢驗?zāi)蛪簱舸┯肕Z75立體顯微鏡觀察樣品外觀未見異常，用TH2681A絕緣電阻測試儀測試產(chǎn)品擊穿。取出

47、產(chǎn)品內(nèi)部電容器芯子測試發(fā)現(xiàn)芯子擊穿，將擊穿的電容器芯子逐層剝開，剝至芯子最里面觀察到芯子介質(zhì)膜擊穿，擊穿部位對應(yīng)的介質(zhì)膜有折皺壓痕產(chǎn)品擊穿是由于產(chǎn)品內(nèi)電容器芯子介質(zhì)膜有損傷，抗電強度下降，耐壓測試擊穿建議：1、嚴格控制電容器芯子的生產(chǎn)環(huán)境和工藝，保證芯子質(zhì)量；2、在濾波器裝配過程中防止對電容器芯子的損傷；3、通過合理篩選剔除早期失效產(chǎn)品“J”JLC422008-6-18生產(chǎn)批號：S0802013，樣品驗證試驗樣品送驗證試驗，交收試驗時發(fā)現(xiàn)容量只有10pF（正常容量大于1F）。未見異常，用TH2828電容測試儀測試容量為11.01pF。去掉外殼發(fā)現(xiàn)電容器內(nèi)圈電極與引出端焊接的錫圈未熔化樣品失效時

48、由于電容器內(nèi)圈電極與引出端焊接的錫圈未熔化，導(dǎo)致電容器容量不能引出希望生產(chǎn)單位：嚴格生產(chǎn)過程工序、工藝控制，加強對操作人員的培訓和管理，嚴格執(zhí)行工序自檢，互檢的規(guī)定，避免漏焊現(xiàn)象出現(xiàn)。CT52-2-63V-332Z2008-4-7生產(chǎn)批號：0710042，用戶裝機合格交付使用方，使用方入廠檢驗時發(fā)現(xiàn)異常經(jīng)核查穿心電容通路失效。用MZ75立體顯微鏡觀察樣品外觀，包封料有裂紋，引線根部包封料有損傷，用DT-830數(shù)字三用表測試產(chǎn)品通路。DPA分析發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品小頭引線和芯片周圍無包封料填充，引線上的錫和外殼上的錫已相連產(chǎn)品上機后通路是由于產(chǎn)品小頭引線和芯片周圍無包封料，且引線上的錫較多，上機安裝時引線上的錫流動或外殼形變所致希望生產(chǎn)單位：1、嚴格執(zhí)行包封