1、2020/7/13，1，8章內(nèi)存和可編程邏輯設(shè)備簡介，8.1.3內(nèi)存應(yīng)用程序2EPROM的應(yīng)用程序，8.1.2只讀存儲(ROM)，8.1半導(dǎo)體內(nèi)存，8.1.4其他類型的存儲簡介，2020/7/13，13缺點？存儲容量是如何計算的？RAM如何實現(xiàn)字擴展？2020/7/13，3，8.1.2只讀存儲(ROM)，1。存儲在固定ROM、只讀存儲中的內(nèi)容通常是固定的，在正常運行期間只能讀取，不能寫入，并且在斷電后不會丟失其中存儲的內(nèi)容，因此稱為只讀存儲。ROM配置：地址解碼器存儲矩陣輸出電路。圖8-4 ROM結(jié)構(gòu)框圖，2020/7/13，4，地址解碼器具有n個輸入端，2n個輸出信息，每個輸出信息對應(yīng)于信息

2、單元，每個單元具有2個單詞(W0、W1、w2-1稱為單詞行)。每個單詞都有m位，從D0、D1、Dm-1(稱為水印)輸出。存儲容量為2納米(導(dǎo)線標(biāo)記)。ROM的存儲設(shè)備可以用二極管、晶體管和MOS管實現(xiàn)。2020/7/13，5、圖8-5二極管ROM、圖8-6字讀取方法、所述存儲單元是否具有1或0，以及是否訪問所述二極管。2020/7/13，6，為了便于表示和設(shè)計，簡化圖8-5的存儲矩陣，如圖8-7所示。圖8-7 44 ROM陣列圖，存儲單元、地址解碼器，圖8-5二極管ROM，2020/7/13，7，在編程之前，存儲矩陣中所有存儲單元的保險絲已連接。也就是說，每個單元存儲為1。根據(jù)需要，使用特定編

3、程工具將某些存儲單元的保險絲燒成高電流，存儲該單元的內(nèi)容為零，此過程稱為編程。保險絲燒斷，無法重新連接，因此PROM只能編程一次。2可編程只讀內(nèi)存(PROM)，圖8-8 PROM中的可編程存儲單元，2020/7/13，8，3可擦除的可編程ROM(EPROM)，首先出現(xiàn)的是通過紫外線曝光清除的EPROM。浮柵莫氏管(FAMOS管)灌嘴被SiO2絕緣層隔離并浮動，因此稱為出圖灌嘴。如果浮柵帶負電荷，則FAMOS管具有傳導(dǎo)狀態(tài)，源泄漏被視為短路，存儲的信息為零。如果浮柵沒有電荷，則FAMOS管被切斷，源漏極可以被視為開路，存儲的信息為1。2020/7/13，9，圖8-出圖柵EPROM (a)出圖柵M

4、OS管結(jié)構(gòu)(b) EPROM存儲單元，負-傳導(dǎo)-存儲0，活-關(guān)-存儲1，2020/，在寫入信息時，在該裝置的泄漏極和基板之間添加了足夠的逆電壓，泄漏極和基板之間的PN連接被破壞，由雪崩破壞產(chǎn)生的高能電子堆積在支架網(wǎng)上，從而傳導(dǎo)FAMOS管。去除外部反向電壓后，浮沉的電子沒有放電電路，因此可以長期保存，在環(huán)境溫度下，上述電荷可以保存一年以上。如果用紫外線照射FAMOS管分，聚集在浮雪門的電子形成光電流，釋放導(dǎo)電通道消失，F(xiàn)AMOS管再次回到阻塞狀態(tài)。為了方便擦除，芯片的封裝外殼配有透明的石英罩。2020/7/13，11，8.1.3存儲中的應(yīng)用程序，2EPROM中的應(yīng)用程序，程序存儲，基于代碼的轉(zhuǎn)

5、換，字符發(fā)生器，波形發(fā)生器等。例如：8個波形發(fā)生器電路。將一個周期的三角波等分成256個，求出每個點的函數(shù)值，并編碼為8位二進制，生成256字節(jié)的數(shù)據(jù)。同樣，還可以獲得鋸齒波、正弦波、階梯波等徐璐其他8個波形的數(shù)據(jù)，這8個數(shù)據(jù)集在2716中記錄為2048字節(jié)。2020/7/13，12，圖8-13 8個波形發(fā)生器電路圖，波形選擇開關(guān)，256進制計數(shù)器，存儲8個波形數(shù)據(jù)，通過8位DAC轉(zhuǎn)換為模擬電壓。2020/7/13，13，表8-2 8波形和存儲地址空間分配，S1，S2和S3:波形選擇開關(guān)。在CP脈沖下，在00HFFH下定期計算兩個十六進制計數(shù)器時，該波形的編碼數(shù)據(jù)將依次出現(xiàn)在數(shù)據(jù)線D0D7上，

6、并且在D/A轉(zhuǎn)換后，可以從輸出點獲得該波形的模擬電壓輸出波形。2020/7/13，14，圖8-14三角波細分，以三角波為例說明其實現(xiàn)方法。如圖8-14所示，三角波使用256個值表示波形的變化。EPROM2716(2K8位)的地址結(jié)束A0A7在水平方向上以257個點的順序提供，地址解碼器的輸出為256個(最后一個位是此周期的結(jié)束和下一周期的開始)。因為2716是8位，所以垂直方向的音高必須轉(zhuǎn)換為8位二進制數(shù)。2020/7/13，15，表8-3三角波存儲表，以用戶編程方式將這255個二進制數(shù)寫入該存儲單元，如表8-3所示。如果選擇2716的高3位地址A10A9A8作為0，則該三角波占用的地址空間為

7、000H0FFH，共256個。2020/7/13，16，8.1.4其他類型的存儲簡介，1。EEPROM，以電子方式在線擦除和編程的只讀內(nèi)存。存儲裝置采用浮柵隧道氧化物層MOS管。記錄的數(shù)據(jù)在室溫下至少可以保存10年，刪除/寫入次數(shù)為10萬次。2 .閃存閃存采用了類似于EPROM中堆棧MOS管的結(jié)構(gòu)，同時保留了eEPROM通過隧道效果清除的快速特性。理論上屬于ROM內(nèi)存。功能上相當(dāng)于RAM。單片容量達到64MB，正在開發(fā)256MB閃存?？芍貙懙木幊檀螖?shù)達100萬次。2020/7/13，17，美國Dallas半導(dǎo)體公司推出的封裝集成電池后備電源的靜態(tài)讀寫存儲。此外，高容量長效鋰電池作為備用電源，在低功耗SRAM芯片上添加了可靠的數(shù)據(jù)保護電路。與SRAM一樣，性能和使用方法可以在斷電的情況下保存10年的信息。缺點主要是體積稍大，價格高。另外，nvSRAM由內(nèi)部機制確定非易失性因素，而無需電池后備電源。取代EPROM，廣泛用于通信設(shè)備、辦公設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)控制等。3 .非易失性靜態(tài)讀寫內(nèi)存NVSRAM、2020/7/13，18、串行內(nèi)存旨在適應(yīng)某些設(shè)備對組件的低功耗和小型化要求。主要特性：存儲的數(shù)據(jù)按順序以串行方式寫入和讀取，因此對每個存儲單元的訪問與存儲中的位置相關(guān)。4 .串行存儲，5 .多端口存儲MPRAM，多端口存儲是一種存儲