1、.,1,第 8 章 直流穩(wěn)壓電源,8.3 直流穩(wěn)壓電源的組成,8.5 濾波電路,8.6 穩(wěn)壓電路,8.4 整流電路,8.1 半導體的基礎知識,8.2 半導體二極管,下一章,上一章,返回主頁,.,2,8.1 半導體的基礎知識,導體、半導體、絕緣體。,物質(zhì)按導電能力劃分：,半導體的導電性能：,價電子參與導電、 摻雜增強導電能力、 熱敏特性、光敏特性。,一、本征半導體 1. 什么是本征半導體 是一種完全純凈的、結構完整的半導體晶體。,.,3,2. 本征半導體的導電特性,在絕對零度時，不導電。 溫度（或光照） 價電子獲得能量： 本征激發(fā)產(chǎn)生自由電子和空穴對。 自由電子和空穴均參與導電， 統(tǒng)稱為載流子。

2、 溫度 載流子的濃度 導電能力 。 自由電子釋放能量跳回共價鍵 復合。 本征半導體載流子濃度較低，導電能力較弱。,.,4,二、雜質(zhì)半導體,在本征半導體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會 使半導體的導電性能發(fā)生顯著變化。,(1) 摻入五價的雜質(zhì)元素 自由電子的濃度 空穴的濃度。 自由電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。 稱這種雜質(zhì)半導體為 N 型半導體。 (2) 摻入三價的雜質(zhì)元素 自由電子的濃度 空穴的濃度。 空穴為多數(shù)載流子。自由電子為少數(shù)載流子。 稱這種雜質(zhì)半導體為 P 型半導體。,.,5,雜質(zhì)半導體的示意表示法,P 型半導體,N 型半導體,.,6,三、PN 結,1. PN 結的形成,擴散運動,擴

3、散運動： 多數(shù)載流子由于濃度的差別而形成的運動。,.,7,內(nèi)電場,PN 結,多數(shù)載流子的擴散運動繼續(xù)進行，使 PN 結加 寬，內(nèi)電場增強。 內(nèi)電場越強，多數(shù)載流子的運動越難以進行。 內(nèi)電場越強，少數(shù)載流子的運動越易于進行。,.,8,漂移運動： 少數(shù)載流子在內(nèi)電場作用下的運動。 漂移運動使 PN 結變薄，內(nèi)電場削弱。 內(nèi)電場削弱，又有利于多數(shù)載流子的擴散運動， 而不利于少數(shù)載流子的漂移運動。,漂移運動,.,9,多數(shù)載流子的擴散運動與少數(shù)載流子的漂移運 動達到動態(tài)平衡 平衡的 PN 結。,內(nèi)電場,.,10,2. PN 結的特性,(1) 正向偏置 (2) 反向偏置,正向?qū)?反向截止,I0,主要特性

4、： 單向?qū)щ娦浴?.,11,8.2 半導體二極管,一、普通二極管,(1) 按結構分類 點接觸型、面接觸型。 (2) 按材料分類 硅管、鍺管。 (3) 按用途不同分類 普通管、整流管、開關管等。,1. 基本結構,.,12,二、伏安特性,反向 特性,正向 特性,死區(qū),死區(qū)電壓 Uth ： 硅管 0.5 V 鍺管 0.1 V,導通壓降 UD ： 硅管 0.6 0.7V 鍺管 0.2 0.3V,(1) 實際特性,鍺管 硅管,.,13,UD,(2) 近似特性,(3) 理想特性,3. 主要參數(shù) (1) 額定正向平均電流（最大整流電流）IF (2) 正向壓降 UF (3) 最高反向工作電壓 UR 一般規(guī)定為

5、反向擊穿電壓的 1/2 或 1/3。 (4) 最大反向電流 IRm,.,14,*二、光電二極管（光敏二極管）,作用：將光信號轉化為電信號。 反向電流隨光照強度的增加而上升。,光電二極管電路,發(fā)光二極管電路,*三、發(fā)光二極管,作用：將電信號轉化為光信號。 發(fā)光的顏色取決于制造材料。,.,15,*四、光電耦合器（光電隔離器）,作用： 電氣隔離； 抗干擾； 系統(tǒng)保護。,.,16,8.3 直流穩(wěn)壓電源的組成,大小不合適的交流,大小合適的交流,脈動直流,不穩(wěn)定的直流,穩(wěn)定直流,.,17,電源變壓器,將市電變換為整流所需的 交流電壓,整流電路,將交流電變換為方向不變 的直流電,濾波電路,將脈動直流電變換為

6、平滑 的直流電壓,穩(wěn)壓電路,將不穩(wěn)定的直流電壓變換 為穩(wěn)定直流電壓,.,18,8.4 整流電路,u2 正半周，D1 和 D3 導通， uO= u2 ； 電流通路：a D1 RL D3 b 。 u2 負半周，D2 和 D4 導通， uO=u2 ； 電流通路：b D2 RL D4 a 。,.,19,uO,iO,.,20,1. 負載直流電壓,UO = 0.9U2,2. 負載直流電流,3. 二極管平均電流,4. 二極管反向電壓,5. 整流元件的選擇,IFID,URURm,.,21,例8.4.1 一橋式整流電路，已知負載電阻 RL=240 ，負載所需直流電壓 = 12 V，電源變壓器一次電壓 U1 =

7、220 V。試求該電路正常工作時的負載電流 、二極管平均電流 ID 和變壓器的電壓比 k。,解 負載直流電流,二極管平均電流,變壓器的二次電壓,變壓器的電壓比,.,22,8.5 濾 波 電 路,一、電容濾波電路,電容放電,當二極管導通時， 電容被充電儲能。 當二極管截止時， 電容放電。 濾波電容的選擇：,.,23,輸出電壓的平均值: UO = 1.2 U2（全波） 空載輸出直流電壓:,濾波電容的耐壓：,.,24,例8.5.1 一橋式整流、電容濾波電路，已知電源頻率 f = 50 Hz ，負載電阻 RL=100 ，輸 出直流電壓 UO = 30 V 。試求： (1) 選擇整流二極管；(2) 選擇

8、濾波電容器；(3) 負載電阻 斷路時的輸出電壓UO ；(4) 電容斷路時的輸出電壓UO。,解 (1) 選擇整流二極管,IO=,.,25,查附錄，選用 2CZ53B 4 個 （IF=300mA，UR=50V）。,(2) 選擇濾波電容器,C,=,= (300500)F,F,UCN,=35.4 V,(3) 負載電阻斷路時,(4) 電容斷路時,UO = 0.9U2 = 0.925 V = 22.5 V,IF2ID = 20.15A = 0.3 A， URURm=34.5 V,.,26,二、電感濾波電路,對直流分量: XL = 0，大部分整 流電壓降在 RL 上。 對諧波分量: f 越高，XL 越大，

9、電壓大部分降在 XL 上。,.,27,三、復式濾波電路,1. LC 形濾波電路,2. RC 形濾波電路,.,28,一、穩(wěn)壓二極管 又稱為齊納二極管。 為面結型硅二極管。,反向 特性,正向 特性,特點： 反向擊穿電壓小； 反向擊穿特性陡。,擊穿 電壓,8.6 穩(wěn)壓電路,.,29,解 (1) Ui10 V 時 DZ 反向擊穿穩(wěn)壓：UO = UZ = 5 V 。 (2) Ui = 3 V 時 DZ 反向截止：UO= Ui = 3 V 。 (3) Ui =5 V 時 DZ 正向?qū)ǎ篣O= 0 V 。 (4) ui = 10sin t V 時 當 0ui5 V 時，DZ 反向截止： UO= Ui =

10、10sin t V。 當 ui5 V 時，DZ 反向擊穿穩(wěn)壓：,例8.6.1 如圖所示電路，設 UZ = 5 V，正向壓降 忽略不計。當直流輸入Ui = 10 V、3 V、5 V 時，Uo= ？ 當輸入為交流 ui = 10sin t V 時，分析 uO的波形。,UO = UZ = 5 V 。 當 ui0 V 時， DZ 正向?qū)ǎ篣O= 0 V。,.,30,二、穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓電路,穩(wěn)壓過程：,UO IZ I IR,UO ,.,31,三、集成穩(wěn)壓電路,分為線性集成穩(wěn)壓電路和開關集成穩(wěn)壓電路。,1. 三端固定式集成穩(wěn)壓器,CW7800 系列正電壓穩(wěn)壓器。 CW7900 系列負電壓穩(wěn)壓器。,輸出電壓規(guī)格： 5V, 6V, 8V, 9V, 12V, 15V ,.,32,CW7800 接線圖,.,33,CW7900 接線圖,.,34,