1、MR 系統(tǒng),系統(tǒng)介紹 主磁體 梯度系統(tǒng) RF系統(tǒng) 其他,12.1 系統(tǒng)簡(jiǎn)介,主磁體Magnet 梯度系統(tǒng)Gradient system RF系統(tǒng)RF system 計(jì)算機(jī)系統(tǒng)Computer system,MR 工作流程圖,PDP11、VAX,SUN、SGI; PC,12.2 主磁體,主磁體是MR的主要部件 主磁體特性: 穩(wěn)定性（Stability） 均勻性（Homogeneity） 非均勻性 Inhomogeneity (ppm) = variation (T)/field strength (T) 106,主磁體類型,永磁體 Permanent magnets 常導(dǎo)體 Resistive

2、magnets 超導(dǎo)體 Superconducting magnets,I 永磁體,永磁體使用磁性材料產(chǎn)生磁場(chǎng) 稀土合金，如 SmCo5,Nd-Fe-B. ALNICO （鐵、鈷合金） Ne-Fe-B （釹、硼、鐵合金） SmCo5 ALNICO(釤鈷 鐵鈷合金） 0.2T ALNICO 23 噸 Ne-Fe-B 4 噸,HITACH AIRIS-mate(0.2T) 7.8噸 AIRIS-2(0.3T) 10噸 APERTO(0.4T) 13噸,1. 磁體結(jié)構(gòu) Ring(環(huán)型) Yoke(軛型),C-shape,H-shape,yoke,2. 影響因素,剩磁(Remanence) 矯頑力(C

3、oercive force) 磁路結(jié)構(gòu)(Magnetic circuit structure) 一般的永磁體場(chǎng)強(qiáng)不大于0.4,開放 系統(tǒng)構(gòu)造簡(jiǎn)單 運(yùn)行成本低 不產(chǎn)生熱 維護(hù)費(fèi)用低 壽命長(zhǎng) 永磁體場(chǎng)強(qiáng)對(duì)溫度非常敏感 (0.1 C) . 例如，B of Nd iron 磁體溫度升高1 C ，磁場(chǎng)降低約1000ppm；,II 常導(dǎo)體,1.電磁理論: 當(dāng)電路中流有電流，就會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng)；電流也會(huì)導(dǎo)致線圈溫升。,空氣芯永磁體：四個(gè)線圈水平或豎直放置,空氣芯永磁體（Air-cored resistive magnets） 鐵芯永磁體（Iron-cored resistive magnets）,2. 材料的選擇

4、 銅（Copper）：電導(dǎo)率大、密度大、價(jià)格高、產(chǎn)熱少； 鋁（Aluminum）：電導(dǎo)率小、密度小、價(jià)格低、產(chǎn)熱多； 線圈產(chǎn)生的熱量由去離子水帶走 3. 穩(wěn)定性 不太好 4. 均勻性 不太好,III 超導(dǎo)磁體,1.超導(dǎo)理論: 當(dāng)溫度T降低到臨界溫度（ critical temperature）,電阻突然變?yōu)?（測(cè)量不出）。電流可永無休止的流動(dòng)。 超導(dǎo)磁體可產(chǎn)生強(qiáng)磁場(chǎng) 普通鉛（ Plumbum ）: 7.4K 鈮鈦合金（NiobiumTitanium）: 20K 稀土陶瓷(Ceramic) :100K,2. 超導(dǎo)材料類型 II型 :Ni(鈮)、V(釩)、Tc(锝) 合金或復(fù)合物 I型: 其他 M

5、R: II 型材料 鈮鈦合金多芯復(fù)合超導(dǎo)線（位于銅基中) 比較流行，可負(fù)載700A。,3. 超導(dǎo)材料的選擇： 可負(fù)載大電流 可保持超導(dǎo)狀態(tài)(4.2K He) MR 系統(tǒng)提供的低溫制冷裝置系統(tǒng)可使所選超導(dǎo)材料保持超導(dǎo)狀態(tài)； 超導(dǎo)材料要有合適的物理特性：可塑性(plasticity) 和柔韌性(pliability),4. 超導(dǎo)磁體結(jié)構(gòu),早期超導(dǎo)磁體,NbTi細(xì)絲包埋在銅材中； 銅材：失超時(shí)保護(hù)超導(dǎo)線圈；,超導(dǎo)磁體線圈： 基于均勻性的考慮常使用 4-8組獨(dú)立的線圈。,5. 超導(dǎo)磁體特性,高場(chǎng) 均勻性好 穩(wěn)定性好,12.3 低溫系統(tǒng)和制冷劑,I 低溫系統(tǒng) 維持低溫使超導(dǎo)線圈處于超導(dǎo)狀態(tài); 低溫容器

6、(Dewar) 磁體線圈位于Dewar中； Dewar必須有好的絕熱性能( adiabatic ),II 制冷劑 液氮（Liquid Nitrogen） 77K 液氦（Liquid Helium ） 4 K,為了把液氦與超導(dǎo)線圈與環(huán)境分割開來，需要低溫保持器(cryostat ) 20K,70K (80K) 液氦量的測(cè)量,勵(lì)磁( Excitation) 和退磁(Demagnetization),1 勵(lì)磁過程 A. 冷卻磁體：主磁體線圈處于超導(dǎo)狀態(tài)； B. 線圈加載：注入電流 2 退磁,3.失超( Quench ) 超導(dǎo)線圈的部分不再是超導(dǎo)狀態(tài)，線圈儲(chǔ)存的能量部分變成熱能散出； 熱能使得線圈的其

7、他部分加熱繼而失去超導(dǎo)狀態(tài)產(chǎn)生更過的熱量，惡性循環(huán)直至遍及整個(gè)磁體發(fā)生失超。 失超原因： 磁通跳躍（Flux jump）釋放能量 摩擦生熱（Friction resulting heat）線圈的微小運(yùn)動(dòng),失超導(dǎo)致： B0 的崩潰瓦解 液氦迅速沸騰 爆破膜(Bursting-disks) 在高壓下爆破，使得大量的氣氦溢出低溫保持器。 自發(fā)的失超很少發(fā)生； 如果需要超導(dǎo)體失超，線圈儲(chǔ)存的電能沉積在假負(fù)荷（dummy load ）避免損傷磁體（這是一個(gè)耗費(fèi)昂貴的過程）。,12.4屏蔽和勻場(chǎng),I. 屏蔽（Shielding ） 邊緣場(chǎng)（Fringe field） 雜散場(chǎng)（Stray field ） 磁

8、體的雜散場(chǎng)，特別是超導(dǎo)磁體的雜散場(chǎng)在各個(gè)方向上會(huì)伸出磁體，對(duì)外圍產(chǎn)生影響,Passive shielding (無源屏蔽、被動(dòng)屏蔽） 房間屏蔽（Room shielding）: 鐵磁性材料對(duì)建筑結(jié)構(gòu)有依賴性，分場(chǎng)地設(shè)計(jì)；屏蔽材料厚度小、面積大； 自屏蔽（Self-shielding）: 在磁體孔徑內(nèi)放置鐵磁性材料；有可能給勻場(chǎng)增加困難； Active shielding(有源屏蔽) 載有反向電流的線圈繞組降低雜散場(chǎng)；有源屏蔽的磁體重量輕； Resistive (常導(dǎo)有源屏蔽) SC (超導(dǎo)有源屏蔽),II. 勻場(chǎng)（Shimming ）,優(yōu)質(zhì)的MR圖像對(duì)B0的均勻性和穩(wěn)定性有高要求； 勻場(chǎng)方法

9、無源勻場(chǎng)（被動(dòng)勻場(chǎng)）(后進(jìn)行) 有源勻場(chǎng)(先進(jìn)行),1.無源勻場(chǎng)(Passively shimming) 在磁體周圍放置鐵片校正；鐵片放置的數(shù)量和位置經(jīng)過特殊的勻場(chǎng)程序計(jì)算出來； 可校正高次磁場(chǎng)不均勻性； 材料價(jià)格便宜； 不需要昂貴的高精度電源； 當(dāng)需要更高度的均勻度或均勻性可調(diào)時(shí)必須用有源勻場(chǎng),2.有源勻場(chǎng)（Actively shimming） 一系列載流繞組排列在磁體孔徑的柱形管上，每個(gè)繞組產(chǎn)生的校正磁場(chǎng)與球形諧波展開式的一個(gè)系數(shù)近似，設(shè)計(jì)這些繞組時(shí)必須避免它們與磁體和梯度線圈的相互影響； 線圈中的電流在系統(tǒng)安裝期間確定并保持不變，直到有工程師進(jìn)行再勻場(chǎng)時(shí)才改變； 有源勻場(chǎng)使用的線圈繞組有

10、三類：超導(dǎo)勻場(chǎng)線圈、常導(dǎo)勻場(chǎng)線圈和梯度線圈,超導(dǎo)勻場(chǎng)線圈：軸向超導(dǎo)勻場(chǎng)線圈用于調(diào)節(jié)軸向諧波（Z分量），橫向勻場(chǎng)線圈調(diào)節(jié)橫向諧波（X和Y分量）； 常導(dǎo)勻場(chǎng)線圈：位于磁體孔徑內(nèi)，用于調(diào)節(jié)軸向和橫向諧波。常導(dǎo)勻場(chǎng)線圈必須從外部獲得持續(xù)電流以維持磁場(chǎng)強(qiáng)度； 梯度線圈組件：位于磁體孔徑內(nèi)，由三組線圈組成用于調(diào)節(jié)X、Y和Z1諧波；梯度線圈組件提供了細(xì)調(diào)主要軸向諧波的方法，并比其他勻場(chǎng)線圈組件更緊密，其驅(qū)動(dòng)電流由梯度放大器產(chǎn)生由軟件自動(dòng)設(shè)置。,子系統(tǒng)組件(Subsystem element),低溫容器( Magnet cryostat）：6 個(gè)主超導(dǎo)線圈、 18 個(gè)超導(dǎo)勻場(chǎng)線圈、 18 個(gè)超導(dǎo)開關(guān)和18個(gè)加

11、熱器、 失超保護(hù)裝置、硅二極管、液氦水平探測(cè)器、壓力傳感器； 制冷劑監(jiān)視器(Cryogen monitor): 在設(shè)備頂部與液氦的傳感器相接； 隔熱屏散熱壓縮機(jī)(Heat insulation screen radiator compressor): 位于機(jī)柜間與MR的冷頭相接，持續(xù)把氣氦壓縮送回制冷劑容器。,緊急退磁裝置:按鈕安裝在控制室墻壁上，與主線圈的加熱器相連。按下后按鈕后，主磁場(chǎng)線圈加熱，B0 迅速下降(2min內(nèi)下降到20% 以下)。 液氦揮發(fā)率應(yīng)小于0.2l/h 勵(lì)磁/退磁,勻場(chǎng): 嚴(yán)格遵照手冊(cè)的操作步驟執(zhí)行,磁體維護(hù)/更換部件：注意揮發(fā)的氣體 如果在一段時(shí)間內(nèi)液氦揮發(fā)較多，要考

12、慮以下因素: 熱隔離裝置工作異常 熱聲振蕩（Thermal- acoustic vibration） 真空損壞 低溫容器熱短路（Thermal short） 如果低溫容器外有冰，有可能出現(xiàn)真空的損壞或熱短路。,傳感器,溫度傳感器：硅二極管位于支架的頂部和底部監(jiān)視內(nèi)部溫度；在隔熱器散熱屏安裝套管的第一和第二級(jí)接口點(diǎn)放置溫度傳感器；可用于探測(cè)溫度和查找故障; 液氦水平傳感器: 位于低溫容器內(nèi) 低溫容器壓力傳感器,復(fù)習(xí)題,1.MR系統(tǒng)主要由哪幾部分組成？ 2.MR主磁體類型有哪些？各有什么優(yōu)缺點(diǎn)？ 3.對(duì)于超導(dǎo)磁體，如何勵(lì)磁？（或退磁） 4.對(duì)于超導(dǎo)體為什么會(huì)出現(xiàn)失超？此時(shí)如何保護(hù)主磁體？ 5.主磁

13、場(chǎng)勻場(chǎng)和屏蔽的方法有哪些？,二 梯度系統(tǒng),梯度：磁場(chǎng)沿著選擇的方向線性變化 共振頻率與場(chǎng)強(qiáng)成正比,梯度系統(tǒng)主要組件有： 梯度線圈組件 梯度放大器 梯度波形發(fā)生器 其他部件（梯度接口板、輔助電纜及濾波器）。,梯度波形發(fā)生器,梯度驅(qū)動(dòng)級(jí),梯度功率放大器,1 梯度線圈,1.梯度線圈結(jié)構(gòu) X、Y、Z梯度線圈分別獨(dú)立，封裝在玻璃纖維制作的大圓柱體內(nèi)，裝在磁體孔徑內(nèi)。 Z梯度線圈由兩個(gè)反向的線圈串聯(lián)組成，兩個(gè)線圈的電流大小相等，方向相反。 X、Y梯度線圈由一對(duì)8字型線圈組成，每一個(gè)線圈包含四個(gè)部分。,2.梯度線圈產(chǎn)生磁場(chǎng) 單位為T/m 梯度線圈產(chǎn)生磁力線與主磁場(chǎng)同向或反向 3.梯度線圈充電特性 梯度線圈響

14、應(yīng)時(shí)間為=L/R，L是梯度線圈電感，R是線圈直流電阻。 提高線圈的上升速率，必須降低線圈的電感。 要使電流上升時(shí)間更快，則需要提高梯度功率放大器。,4.梯度線圈的噪聲 不斷變化的梯度電流使梯度線圈產(chǎn)生振動(dòng)。 梯度脈沖的聲音由梯度場(chǎng)變化的速率或梯度電流決定，di/dt。,2 渦流,根據(jù)楞次定律，變化的磁場(chǎng)在周圍導(dǎo)電材料中感應(yīng)隨時(shí)間變化的電流渦流。 渦流本身又產(chǎn)生隨時(shí)間變化的磁場(chǎng)，消弱梯度場(chǎng)，破壞了梯度場(chǎng)就破壞了編碼。 渦流補(bǔ)償 利用RC元件使電流脈沖預(yù)畸變 預(yù)先補(bǔ)償梯度的驅(qū)動(dòng)電流 有源梯度屏蔽,高性能梯度系統(tǒng),高切換率 線性、非線性梯度系統(tǒng)、雙梯度系統(tǒng) 消噪技術(shù) 無源噪聲控制 有源噪聲控制 真空

15、消噪技術(shù),三 RF脈沖系統(tǒng),主機(jī)根據(jù)選擇的脈沖序列產(chǎn)生數(shù)字的脈沖波形，經(jīng)過數(shù)模轉(zhuǎn)換之后變成模擬信號(hào)，再經(jīng)過調(diào)制放大，驅(qū)動(dòng)發(fā)射線圈，激發(fā)成像區(qū)域內(nèi)原子核發(fā)生NMR現(xiàn)象，產(chǎn)生NMR信號(hào)，經(jīng)過放大、解調(diào)、濾波、模數(shù)轉(zhuǎn)換、預(yù)處理，再經(jīng)過FT變換等處理，重建 出圖象送到顯示器顯示。,1 RF線圈基本理論諧振電路,電容、電感串聯(lián)或并聯(lián) 梯形網(wǎng)絡(luò) 串聯(lián)電感和分路（shunt）電容低通 串聯(lián)電容和分路電感高通,2 RF線圈特性,品質(zhì)因數(shù)Q 負(fù)載效應(yīng) 去耦,3. 去耦,如發(fā)射、接收功能分別由不同的線圈完成，消除發(fā)射和接收線圈的相互作用成為去耦。 如去耦不好，發(fā)射線圈的發(fā)射場(chǎng)會(huì)產(chǎn)生畸變，接收線圈中的感應(yīng)信號(hào)會(huì)破壞

16、。 去耦不好會(huì)引起噪聲增加和信噪比降低。 去諧二極管完成去耦,4. RF線圈的種類,以成像中起的作用分： 發(fā)射線圈 接收線圈 發(fā)射線圈、接收線圈共用： 體線圈 頭線圈 四肢線圈 表面線圈僅用于接收,四. 系統(tǒng)調(diào)節(jié),進(jìn)入磁體孔腔的物體影響磁場(chǎng)均勻性分布，同時(shí)使線圈的填充系數(shù)發(fā)生變化，影響線圈的阻抗特性和品質(zhì)因數(shù)，每次檢查病人前需要進(jìn)行校準(zhǔn)。,1.MR檢查的校準(zhǔn)步驟,1.天線的調(diào)整（線圈調(diào)諧） 2.MR中心頻率的檢查和設(shè)定（頻率調(diào)整） 3.脈沖幅度校準(zhǔn)（發(fā)射調(diào)整） 4.自動(dòng)調(diào)節(jié)勻場(chǎng)，特別是梯度線圈勻場(chǎng) 5.脈沖序列和掃描參數(shù)的選擇 6.設(shè)定接收器的增益（接收器調(diào)整） 病人位置發(fā)生變化，重復(fù)14 脈

17、沖序列參數(shù)發(fā)生變化需進(jìn)行第6步,2.線圈的調(diào)諧,發(fā)射接收線圈的阻抗必須與傳輸線及前放的阻抗相匹配。由于病人的身材和位置會(huì)影響線圈的阻抗，必須對(duì)線圈進(jìn)行調(diào)諧。 調(diào)諧即改變電容使發(fā)射線圈的RF功率具有最小的反射。（一般自動(dòng)調(diào)諧） 線圈Q值越高?？山邮艿念l率范圍越窄，越難調(diào)諧和匹配；反之易調(diào)諧。 反射功率為0時(shí)，線圈達(dá)到最佳調(diào)諧和匹配。,3. 頻率的調(diào)節(jié),身材、體形、磁化率不同使磁場(chǎng)輕微變化。 使用非常短的非選擇性脈沖調(diào)節(jié)。 調(diào)節(jié)共振頻率時(shí)，具有最大信號(hào)幅度的共振頻率fr與載波頻率f0。,通過馬達(dá)驅(qū)動(dòng)調(diào)節(jié)電容，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)調(diào)諧和匹配頭線圈、體線圈。 操作者手動(dòng)調(diào)節(jié)，如早期的膝關(guān)節(jié)。 電子驅(qū)動(dòng)，如脊柱線圈

18、等一些表面線圈。 有些表面線圈有很寬的可接受頻率范圍，不必進(jìn)行調(diào)諧，但是SNR低。 對(duì)于某些病人偶爾不能調(diào)諧，可能是身材太大或太小。對(duì)于很小負(fù)載的情況，可在線圈附近擺放鹽水袋增加負(fù)載；對(duì)于個(gè)子太大，可輕微調(diào)整位置。,4.發(fā)射機(jī)調(diào)整,受檢者的體形位置極大地決定了發(fā)射天線的效率，因此在位置變化或檢查新病人時(shí)，必須調(diào)節(jié)發(fā)射機(jī)的脈沖幅度。 調(diào)整的過程就是為了決定使原子核磁化矢量翻轉(zhuǎn)一定角度，一定時(shí)間寬度的RF脈沖的能量。,5.梯度補(bǔ)償調(diào)節(jié)（offset）,梯度補(bǔ)償調(diào)節(jié)主要用于消除主磁場(chǎng)的一階諧波即線性勻場(chǎng)。 如果頻率編碼梯度場(chǎng)較弱，一次諧波勻場(chǎng)調(diào)節(jié)不好，圖像會(huì)出現(xiàn)空間失真，對(duì)于梯度回波序列，還會(huì)極大地

19、影響SNR。,6.接收機(jī)調(diào)整,調(diào)節(jié)接收機(jī)通道的放大系數(shù)，使在整個(gè)測(cè)量過程中ADC既不會(huì)超負(fù)載，又使范圍盡量大。 ADC的信號(hào)幅度取決于天線的信號(hào)強(qiáng)度以及接收通道的放大倍數(shù)。天線的信號(hào)強(qiáng)度主要受下面因素影響： 組織參數(shù)：T1、T2、弛豫時(shí)間 用戶參數(shù)：TR、TE、層厚、FOV、序列等 系統(tǒng)參數(shù)：天線靈敏度（取決于品質(zhì)因數(shù)Q），去耦。,梯度場(chǎng)強(qiáng),均勻體模圖像 Gr=N/（ta.d） N：頻率編碼方向矩陣大小 ta：采集時(shí)間 ：磁旋比 d：直徑,磁場(chǎng)穩(wěn)定性,利用小的均勻體模產(chǎn)生波譜并記錄，在8-12小時(shí)后重復(fù)實(shí)驗(yàn)記錄波譜，計(jì)算兩次波譜的差異除以間隔時(shí)間。 超導(dǎo)3ppm/day 常導(dǎo)短期漂移2-10p

20、pm,磁共振生物效應(yīng)和安全要求,病人在做MR成像時(shí)處在三種磁場(chǎng)中（主磁場(chǎng)、梯度場(chǎng)和RF場(chǎng)）。如果這些磁場(chǎng)足夠高就會(huì)使人體產(chǎn)生一些生物效應(yīng)。目前雖然沒有確定MRI具有任何明顯的不可預(yù)料的危險(xiǎn)，但也沒有證明MRI是絕對(duì)安全的。在醫(yī)學(xué)應(yīng)用中MRI還存在與病人相關(guān)的一些效應(yīng)。,靜磁場(chǎng)生物效應(yīng),靜磁場(chǎng)的一般效應(yīng) 人在高場(chǎng)強(qiáng)中的效應(yīng)如何？目前的數(shù)據(jù)證明很有限。有的研究表明在0.0015T-0.35T場(chǎng)強(qiáng)范圍內(nèi)會(huì)感覺頭痛、胸痛、疲勞、厭食、失眠、瘙癢和其它未知疾病。由于這些發(fā)現(xiàn)缺乏合適的研究人群，很難確定這些癥狀與靜磁場(chǎng)的關(guān)系。有關(guān)研究仍在繼續(xù)中。,溫度效應(yīng) 一些參考文獻(xiàn)中有關(guān)于靜磁場(chǎng)對(duì)哺乳動(dòng)物身體和體表的

21、研究有矛盾的說明。研究表明靜磁場(chǎng)即可增加也可降低組織溫度。組織溫度是增加還是降低與組織在靜磁場(chǎng)中的方向有關(guān)。然而有的文章表明靜磁場(chǎng)與體部溫度、體表溫度無關(guān)。近幾年研究表明，處于1.5T中人體體內(nèi)溫度和體表溫度沒有改變。,電感應(yīng)和心臟效應(yīng) 在靜磁場(chǎng)中由于血液流動(dòng)，導(dǎo)電性物質(zhì)的流動(dòng)等可觀察到一些生物效應(yīng)，如T波和ECG等。,神經(jīng)效應(yīng) 理論上神經(jīng)組織的電刺激可能受到靜磁場(chǎng)的影響。一些研究表明靜磁場(chǎng)對(duì)中樞神經(jīng)系統(tǒng)的功能和結(jié)構(gòu)有影響，但一些研究表明沒有明顯影響。這需要進(jìn)一步的實(shí)驗(yàn)研究證明，因?yàn)榇祟I(lǐng)域的醫(yī)用研究相對(duì)缺乏。目前，將人體置身于2T場(chǎng)強(qiáng)中對(duì)神經(jīng)系統(tǒng)不會(huì)有明顯影響。,制冷劑 液氦保持磁體線圈處于超

22、導(dǎo)狀態(tài)，它在-268.93C汽化。低溫容器的溫度如果升高，液氦會(huì)成為氣氦。在這種情況下，氣氦的增加，使低溫容器的壓力明顯增加。會(huì)有大量氣氦溢出。在一般的情況中，氣體應(yīng)被輸送出屏蔽室進(jìn)入大氣。氣氦是無色無味的氣體，但是非常冷。如果處于氣氦內(nèi)的時(shí)間過長(zhǎng)，人可能會(huì)窒息或凍傷。,從1994年以來有一些3.0或4.0T的全身MRI系統(tǒng)在不同的研究機(jī)構(gòu)運(yùn)行，初步研究表明工人和志愿者在4.0T系統(tǒng)下出現(xiàn)頭暈、惡心、頭痛、口中有金屬性味道等反應(yīng)。但是人短期置身于2T靜磁場(chǎng)中不會(huì)有明顯的損害。,梯度場(chǎng)生物效應(yīng),對(duì)于人體和動(dòng)物，感應(yīng)電流正比于生物組織的電導(dǎo)率和磁通量改變率。感應(yīng)電流生物效應(yīng)可由感應(yīng)電流能量損耗（熱效應(yīng)）或電流的直接效應(yīng)（非熱效應(yīng)）引起。由梯度場(chǎng)切換引起的熱效應(yīng)在MRI中可忽略。感應(yīng)電流的非熱效應(yīng)可能與神經(jīng)或肌肉細(xì)胞刺激、心室顫等類似。,RF場(chǎng)生物效應(yīng),SAR是RF功率與生物組織匹配的平均吸收率（單位瓦/千克）。