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文檔簡介

1、 讀寫存貯器(RAM)一、基本存貯電路 、六管靜態(tài)存貯電路,、單管動態(tài)存貯電路,二、靜態(tài)RAM芯片、6116RAM 6116靜態(tài)RAM是一種2k*8的靜態(tài)存貯電路,讀寫時間約 150ns,6116RAM為24線雙列直插器件。、引腳說明 A010 ：11位地址線 D07 ：8位數(shù)據(jù)線 OE/WE：讀/寫信號線 CE：選片信號線 、工作方式 讀：CE=0 OE=0 WE=1 寫：CE=0 OE=1 WE=0,、6264靜態(tài)RAM 6264RAM是一種8k*8位的靜態(tài)存貯電路，讀/寫時間為 150ns，6264RAM為28線雙列直插器件。、引腳說明 A010 ：13位地址線 D07 ：8位數(shù)據(jù)線 O

2、E/WE：讀/寫信號線 CE：選片信號線 、工作方式 讀：CE=0 OE=0 WE=1 寫：CE=0 OE=1 WE=0,三、動態(tài)RAM芯片 2164RAM是一種64k*1位動態(tài)存貯電路，它為16線雙列 直插器件。 、引腳說明 A07 ：地址輸入 Din：數(shù)據(jù)輸入 Dout：數(shù)據(jù)輸出 RAS：行地址選通 CAS：列地址選通 WE：寫允許,、工作方式 _ _ RAS=0 先鎖存行地址 RAS=0 先鎖存行地址 _ 寫： _ 讀： CAS=0 后鎖存列地址 CAS=0 后鎖存列地址 _ _ WE=0 WE=1 _ 刷新：RAS=0 _ 由RAS有效的把刷新地址鎖存入行地址鎖存器，它選 中的512個單元都讀出和重寫，由于RAS在

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