1、1,第8章 微電子工程前沿課題 -能帶工程與深亞微米技術(shù),微電子工程學(xué),2,第8章微電子工程前沿課題,8.1 金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積（MOCVD）技術(shù)概況 8.1.1 MOCVD技術(shù)的一般特點(diǎn) 8.1.2 MOCVD生長過程及參數(shù)控制 8.1.3 對于源的討論 8.2 分子束外延（MBE）技術(shù)簡介 8.3 超晶格與量子阱材料 8.3.1 半導(dǎo)體超晶格研究的主要內(nèi)容 8.3.2 半導(dǎo)體超晶格的分類 8.4 超晶格材料制作的器件 8.4.1 光學(xué)器件 8.4.2 高速電子器件及其它器件 8.5 深亞微米技術(shù)的發(fā)展與光計(jì)算機(jī) 8.5.1 深亞微米技術(shù)的發(fā)展 8.5.2 光學(xué)器件與光計(jì)算機(jī),3,第8章

2、微電子工程前沿課題,8.1 金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積（MOCVD）技術(shù)概況 金屬有機(jī)化合物的制備起源于1939年。 1957年美國化學(xué)學(xué)會(huì)（ACS）召開了一次有機(jī)金屬化合物的學(xué)術(shù)會(huì)議. 用金屬有機(jī)化合物制備半導(dǎo)體材料始于60年代末。 1968年H.M.Manasevit第一次成功地在Al2O3上生長了GaAs以后，陸續(xù)有人研究用這種方法制備半導(dǎo)體膜并用來制造器件。 1975至1980年間，人們對同質(zhì)外延進(jìn)行了廣泛研究，并用來制造發(fā)光器件及其它有希望的器件。在此基礎(chǔ)上，分別于1981年、1984年召開了兩次國際會(huì)議討論電子材料制備中的金屬有機(jī)化合物汽相淀積技術(shù)，涉及了迄今為止所發(fā)現(xiàn)的III族、族、

3、族等化合物半導(dǎo)體材料制備技術(shù)。,4,第8章微電子工程前沿課題,8.1 金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積（MOCVD）技術(shù)概況 從目前研究的進(jìn)展來看，對MOCVD技術(shù)中存在的問題有了比較明確的認(rèn)識(shí)，歸納起來有以下幾點(diǎn)： （1）在同質(zhì)外延中最大的問題是源材料的純度； （2）在異質(zhì)外延中最大的問題是襯底引起的自摻雜； （3）晶體生長的取向及完整性也存在著某些問題。 盡管有這些問題，但由于MOCVD技術(shù)的突出優(yōu)點(diǎn)及所展示出的可能的應(yīng)用前景，它已經(jīng)成為令人關(guān)注的重要研究課題。,5,第8章微電子工程前沿課題,8.1 金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積（MOCVD）技術(shù)概況 8.1.1 MOCVD技術(shù)的一般特點(diǎn) MOCVD通?？?/p>

4、以寫成如下反應(yīng)： 族元素烷基（或烴基）化合物 族元素氫化物 族化合物氣體碳化物 生成的族化合物可以淀積在半導(dǎo)體襯底材料上，也可以淀積在絕緣氧化物襯底上。 MOCVD的主要優(yōu)點(diǎn)是：裝置相對簡單、操作容易，淀積溫度低，因而可以降低雜質(zhì)沾污及減少晶體缺陷；反應(yīng)過程中無鹵素原子，因而避免了由鹵素原子引起的腐蝕等嚴(yán)重問題；可以在不同襯底材料上進(jìn)行同質(zhì)及異質(zhì)外延；淀積面積大、質(zhì)量好，可控雜質(zhì)濃度可低至1016cm-3，因而可降低成本、提高生產(chǎn)率。,6,第8章微電子工程前沿課題,8.1 金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積（MOCVD）技術(shù)概況 8.1.1 MOCVD技術(shù)的一般特點(diǎn) 表81列出了目前常用的半導(dǎo)體薄膜制備方

5、法，并列出了各自的優(yōu)缺點(diǎn)及應(yīng)用限制。從表中可以看出，MOCVD和ClCVD是化學(xué)方法，而LPE和MBE則屬于物理方法。,7,第8章微電子工程前沿課題,8.1 金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積（MOCVD）技術(shù)概況 8.1.1 MOCVD技術(shù)的一般特點(diǎn) 圖81給出了GaAs材料的MOCVD系統(tǒng)示意圖。可見MOCVD系統(tǒng)有以下幾個(gè)主要組成部分：,8,第8章微電子工程前沿課題,8.1 金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積（MOCVD）技術(shù)概況 8.1.1 MOCVD技術(shù)的一般特點(diǎn) （1）加熱裝置 通常由射頻感應(yīng)加熱，加熱用的石墨基座外面包覆SiC，基座下面有支撐桿，以便使基座轉(zhuǎn)動(dòng)。 （2）反應(yīng)器 反應(yīng)器由氣煉石英管制作，可

6、以是臥式的，也可以是立式的。圖82示出幾種反應(yīng)器的設(shè)計(jì)。 （3）進(jìn)氣系統(tǒng) 由質(zhì)量流量計(jì)控制各種氣體流量，因?yàn)楦鞣N源均用高純氫氣作載氣，因此必須配備氫氣凈化裝置（如鈀擴(kuò)散管）。除了原料氣體以外，還有摻雜源，以便在生長過程中摻雜。 （4）冷阱及安全裝置 由于金屬有機(jī)物劇毒、易爆，且有較高的蒸汽壓，因此應(yīng)該存放于特制的密閉冷阱中，并有泄漏監(jiān)視及溫度控制傳感裝置，以保證操作時(shí)的安全。,9,第8章微電子工程前沿課題,8.1 金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積（MOCVD）技術(shù)概況 8.1.1 MOCVD技術(shù)的一般特點(diǎn),圖82 各種形狀反應(yīng)器的設(shè)計(jì)：a-垂直式，b-水平式， c-桶式，d-扁平式,10,第8章微電子工

7、程前沿課題,8.1 金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積（MOCVD）技術(shù)概況 8.1.1 MOCVD技術(shù)的一般特點(diǎn),圖83 低壓MOCVD生長系統(tǒng)示意圖,MOCVD可以常壓操作或減壓操作。圖83是一個(gè)低壓裝置的示意圖。它與常壓裝置的主要區(qū)別是可以省去載氣。由于在低壓氣氛中生長，膜的質(zhì)量較好，粘結(jié)性也較好，特別對于表面是非平面結(jié)構(gòu)的襯底，也能生長較均勻的薄膜。 低壓系統(tǒng)的這些優(yōu)點(diǎn)是由于氣體分子在減壓的條件下碰撞次數(shù)減少，平均自由程增加，因而有很大的擴(kuò)散性。,11,第8章微電子工程前沿課題,8.1 金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積（MOCVD）技術(shù)概況 8.1.2 MOCVD生長過程及參數(shù)控制 在MOCVD技術(shù)中，影響

8、質(zhì)量的參數(shù)主要有生長溫度、氣流速度及氣流方式，襯底表面處源材料純度及摻雜控制等。 1. 溫度 由三甲基鎵和砷烷為源，在尖晶石襯底上生長(111)GaAs膜的實(shí)驗(yàn)表明，最佳生長溫度與襯底取向有很大關(guān)系。在500800范圍內(nèi)，由實(shí)驗(yàn)得到的一般規(guī)律是：低于600時(shí)，膜是多晶；在高于800時(shí)，反應(yīng)器內(nèi)的氣流變?yōu)橥牧鳎玫降哪び泻芨叩娜毕菝芏?；在所限定的溫度范圍?nèi)，對于(111)襯底，最合適的生長溫度為680720；對(110)襯底，最合適的生長溫度為630700。 用藍(lán)寶石作為襯底，也觀察到類似的規(guī)律，在800生長的GaAs膜不如675時(shí)的質(zhì)量好。,12,第8章微電子工程前沿課題,8.1 金屬有機(jī)物化

9、學(xué)汽相淀積（MOCVD）技術(shù)概況 8.1.2 MOCVD生長過程及參數(shù)控制 對于尖晶石和藍(lán)寶石兩種襯底生長速率和溫度關(guān)系的研究表明，這兩種生長系統(tǒng)中生長速率在相當(dāng)寬的溫度范圍內(nèi)基本上是常數(shù)。這時(shí)膜的質(zhì)量和生長速率主要與氣流量、氣流方式有關(guān)。在特定的設(shè)備中，即當(dāng)氣流方式不變的情況下，某個(gè)特定的材料體系的最佳氣流量可由實(shí)驗(yàn)來確定。一般來說，當(dāng)氣流量大于最佳值時(shí)，襯底中心部分的淀積速率較大，而當(dāng)氣流量小于最佳值時(shí)，淀積容易在襯底周邊發(fā)生。 2. 流量和流速 由三甲基鎵和砷烷為源，在尖晶石襯底上生長(111)GaAs膜的實(shí)驗(yàn)表明，當(dāng)膜在過量的AsH3（進(jìn)入反應(yīng)器的AsH3流量是(CH3)3Ga的10倍

10、）條件下生長時(shí)，淀積速率隨三甲基鎵的濃度線性增加。,13,第8章微電子工程前沿課題,8.1 金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積（MOCVD）技術(shù)概況 8.1.2 MOCVD生長過程及參數(shù)控制 源氣體的最佳配比對生長高質(zhì)量的膜非常重要。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，尖晶石上淀積的GaAs外延層的電學(xué)性質(zhì)與氣流中的砷烷和三甲基鎵的比例有很大關(guān)系。對于一定的生長溫度，n型膜的載流子濃度在三甲基鎵流速不變時(shí)與砷烷流速有關(guān)：較高的砷烷流速條件下得到的膜，其載流子濃度在某個(gè)特定值時(shí)趨于飽和，而在砷烷氣流減小時(shí)，凈的施主濃度也趨于減小。在繼續(xù)減小砷烷流速的情況下，膜將最終變成p型。起p型導(dǎo)電作用的受主態(tài)可能與膜中的缺陷（砷空位）有關(guān)。在生

11、長過程中改變源氣的氣流比例可以在外延膜中制造p-n結(jié)。,14,第8章微電子工程前沿課題,8.1 金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積（MOCVD）技術(shù)概況 8.1.2 MOCVD生長過程及參數(shù)控制 3. 源的純度 在MOCVD技術(shù)中，源的純度非常重要。可以說，膜的電學(xué)性質(zhì)在相當(dāng)大程度上由源的純度決定。市場上可以買到高純的砷烷。其純度可由預(yù)先用氯化鎵與砷烷為源同質(zhì)外延得到的GaAs膜的電學(xué)測量來估計(jì)。三甲基鎵的質(zhì)量尚無法預(yù)先估計(jì)。發(fā)射光譜分析證明，三甲基鎵中含有Cu、Fe、Zn、Al、Si、Mg等諸多雜質(zhì)，其重量比可高達(dá)107104。這些雜質(zhì)可以引起GaAs膜的非故意摻雜。紅外光譜分析證明，在三甲基鎵中還存在

12、不等量的碳?xì)浠衔铩５侥壳盀橹?，三甲基鎵的純度一般是由外延生長膜的電學(xué)測量來評估的。不純的鎵源生長的GaAs膜表觀上有很高的電阻率（大于103Wcm），而且與膜的厚度無關(guān)，有時(shí)還能得到多晶膜。,15,第8章微電子工程前沿課題,8.1 金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積（MOCVD）技術(shù)概況 8.1.3 對于源的討論 鑒于源材料對于MOCVD技術(shù)的重要性，下面就源的組成問題進(jìn)行一些討論。 MOCVD技術(shù)所用的源材料是路易斯酸（電子接受體）和路易斯堿（電子給予體）及所生成的加合物作為反應(yīng)產(chǎn)物的母體，即： 路易斯酸（電子接受體）路易斯堿（電子給予體）加合物 例如： MR3+XR3=MR3XR3 加合物中各化學(xué)鍵

13、的強(qiáng)度由R、R、M及X的性質(zhì)決定。在加合物形成后，可以有以下幾種方式生成產(chǎn)物MX（下列各式中，括號(hào)內(nèi)是可替代成分）： （1）由多組分原位生成： MR3+XR3=MXR3R3 例如： GaMe3+P(As)H3=GaP(As)+3MeH (Me=CH3，甲基),16,第8章微電子工程前沿課題,8.1 金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積（MOCVD）技術(shù)概況 8.1.3 對于源的討論 （2）由單一源生成： MR3(R2X)XR3=MX+R3R3(RX+2RR) 例如： GaEt2ClAsEt3=GaAs+EtCl+2EtEt (Et=C2H5，乙基) （3）由取代反應(yīng)生成： MR3XR3+XR3=MX+XR3

14、+R3R3 例如： InMe3PEt3+P(As)H3=InP(As)+PEt3+3MeH,17,第8章微電子工程前沿課題,8.1 金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積（MOCVD）技術(shù)概況 8.1.3 對于源的討論 幾乎所有的族、族、族化合物的MOCVD都可歸于上述幾種類型的一種。在由多組分原位反應(yīng)生成所需的化合物時(shí)，存在著生成高聚物的副反應(yīng)： nMR3+nXR3=(MRXR)n+2nRR 例如： nInMe3(Et3)+nPH3=(InMe(Et)PH)n+2nMe(Et)H 生成的高聚物(MRXR)n妨礙了半導(dǎo)體化合物MX的生成。目前已找到一些解決這個(gè)問題的辦法： （1） 加入某種阻化劑，使高聚物不易

15、生成，如在上述反應(yīng)中加入Me3InPMe3、MeInPEt3、Me3InNEt3等一類物質(zhì)可以阻止高聚物(InMe(Et)PH)n生成。 （2）在原料氣混合之前使PH3裂解。 （3）用低壓汽相淀積（LPMOCVD）使高聚物分解。 （4）在襯底附近設(shè)置輔助加熱器使高聚物分解。,18,第8章微電子工程前沿課題,8.1 金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積（MOCVD）技術(shù)概況 8.1.3 對于源的討論 總之，MOCVD技術(shù)在80年代中期已經(jīng)在合成高純的烷、烴基金屬化合物及其加合物，解決淀積過程中的高聚物問題以及減少設(shè)備開關(guān)瞬態(tài)時(shí)間，從而使組分和摻雜都得到了精確控制等幾個(gè)方面都取得了巨大進(jìn)步，使MOCVD技術(shù)進(jìn)入

16、了一個(gè)趨于成熟并在電子材料制備中越來越顯示出重大作用的新階段。 最后，關(guān)于MOCVD技術(shù)中的安全問題，主要有兩個(gè)方面：一是所有金屬有機(jī)化合物及V族元素氫化物極毒，因此要求系統(tǒng)密閉及對廢物嚴(yán)格處理；二是氫化物及金屬有機(jī)化合物沸點(diǎn)低、易揮發(fā)、易燃、易爆。目前已在MOCVD系統(tǒng)上設(shè)計(jì)了很多傳感器，并用電腦加以控制，有效地保證了操作中的安全。但值得提出的是這些裝置并非越多越好，實(shí)際上是越多越容易出毛病。,19,第8章微電子工程前沿課題,8.2 分子束外延（MBE）技術(shù)簡介 分子束外延就是在超高真空系統(tǒng)中，用分子或原子束進(jìn)行外延淀積的過程。在超高真空條件下，分子束束流密度低，束流分子之間以及束流分子與背

17、景氣體分子之間都沒有明顯的碰撞發(fā)生。 分子束外延的特點(diǎn)如表82所示： （1）外延生長的蒸發(fā)源與襯底分開加熱，可以分別加以控制和調(diào)整； （2）生長速率極慢，約1埃/秒10埃/秒，可以利用快門精密地控制膜厚與成分； （3）生長溫度低，可以避免生長過程中襯底或外延層中雜質(zhì)的再擴(kuò)散，也可避免高溫?zé)崛毕莸漠a(chǎn)生，并可獲得雜質(zhì)分布非常陡峭的突變結(jié)； （4）外延生長不是在熱平衡條件下進(jìn)行的，是一個(gè)動(dòng)力學(xué)過程，所以可以生長一般熱平衡生長難以獲得的晶體； （5）在生長過程中，生長面處于高真空中，可以進(jìn)行就地分析，研究外延生長過程、外延層的組成及表面狀態(tài)。,20,第8章微電子工程前沿課題,8.2 分子束外延（MBE

18、）技術(shù)簡介,表82 分子束外延的特點(diǎn),21,第8章微電子工程前沿課題,8.2 分子束外延（MBE）技術(shù)簡介 外延生長系統(tǒng)是一個(gè)用不銹鋼制成的超高真空工作室，它的極限真空度達(dá)11081109Pa。在外延生長時(shí)，仍需保持在107Pa以上。通常高真空機(jī)組由鈦升華泵、液氮冷阱、濺射離子泵等組成（有時(shí)還需要分子泵和冷凝泵）。由于整個(gè)工作室要達(dá)到超高真空，工作室必須經(jīng)過烘烤，所以要求整個(gè)工作室內(nèi)部的附屬機(jī)件能承受200250的高溫。,22,第8章微電子工程前沿課題,圖84是分子束外延裝置的示意圖。它由外延生長和監(jiān)控系統(tǒng)兩部分組成。,圖84 分子束外延裝置示意圖,23,第8章微電子工程前沿課題,8.2 分子

19、束外延（MBE）技術(shù)簡介 工作室內(nèi)部直接用于外延生長的部分是分子束的噴射室，控制束流的快門，可以加熱的樣品架等。圖85是一個(gè)典型的噴射室結(jié)構(gòu)。盛有蒸發(fā)物的加熱池可用被高溫?zé)峤獾腂N制成，它的化學(xué)穩(wěn)定性好，釋放出的吸附氣體少。加熱池中插有熱電偶以控制爐溫。溫度一般控制在1誤差之內(nèi)。因?yàn)閷ο驡a、Al、P、As之類的蒸發(fā)源，當(dāng)爐溫每變化1時(shí)，分子束流將變化36，爐子系用螺旋式的鎢絲加熱，加熱器外用鉭箔做的屏蔽罩遮起來，以防止?fàn)t體熱輻射。分子束經(jīng)過一個(gè)準(zhǔn)直孔噴入真空室內(nèi)。噴射室的要求是：（1）尺寸小，（2）氣體噴射率高，（3）熱響應(yīng)快，（4）輻射功率損耗低，（5）加熱池受熱均勻。,24,第8章微電子

20、工程前沿課題,8.2 分子束外延（MBE）技術(shù)簡介,圖85 噴射室結(jié)構(gòu)示意圖,25,第8章微電子工程前沿課題,8.2 分子束外延（MBE）技術(shù)簡介 為了生長各種多元化合物半導(dǎo)體，并滿足不同的摻雜要求，這種噴射室往往有好幾個(gè)。每個(gè)室均有相應(yīng)的熱電偶、快門及加熱控制回路，為防止源之間的沾污，室之間還裝有隔板。 樣品以鎵片或銦片靠表面張力粘附在樣品架上，可防止由應(yīng)力引起的晶格缺陷。清潔襯底表面的工作，由生長室內(nèi)的氬離子槍轟擊來完成。 監(jiān)控部分一般包括四極質(zhì)譜，俄歇電子能譜儀和低能電子衍射儀等。 四極質(zhì)譜儀是一種常用的分析氣體成分的儀器，用以監(jiān)視殘留氣體和分子束流成分。低能電子衍射儀可進(jìn)行晶體表面結(jié)構(gòu)

21、的分析，若裝有掃描高能電子衍射儀還可以觀察表面的光潔平整度。俄歇譜儀則用來監(jiān)視表面成分，測定化學(xué)計(jì)量比，表面沾污等。 電子計(jì)算機(jī)可以從四極質(zhì)譜儀取得束流成分和強(qiáng)度的信、加熱池溫度信號(hào)。經(jīng)數(shù)據(jù)處理后，自動(dòng)調(diào)節(jié)溫度和快門，以精確控制外延膜厚與成分，利用電子計(jì)算機(jī)進(jìn)行閉環(huán)控制對于制備很薄的超晶格結(jié)構(gòu)是十分必要的。,26,第8章微電子工程前沿課題,8.2 分子束外延（MBE）技術(shù)簡介 分子束外延過程分兩個(gè)步驟，一是原料蒸發(fā)形成一定化學(xué)成分與束流密度的分子束；二是分子束在單晶襯底上淀積生長。對于元素半導(dǎo)體如鍺、硅，蒸發(fā)過程比較簡單，化合物半導(dǎo)體則比較復(fù)雜。例如對于一個(gè)二元化合物，組成它的化學(xué)元素分別為M

22、和X（設(shè)M為金屬，X為非金屬）。因?yàn)檎舭l(fā)源處于熱平衡狀態(tài)，所以MX蒸發(fā)時(shí)揮發(fā)性的元素束流大得多，如用IIIV族化合物作V族元素的分子束是很合適的，因?yàn)檫@樣能提供穩(wěn)定的、正確的分子束通量。III族元素的分子束源，一般都用元素本身。 將淀積過程看做是一級(jí)解吸過程，設(shè)表面壽命t、吸附原子濃度n和解吸率G有如G=n/t的關(guān)系。 當(dāng)一強(qiáng)度為J的分子束突然入射到襯底表面上，則n的改變率為 取起始條件n(0)=0，并假定tf(n)，則上述方程可以積分，由方程Gn/t可得 G(t)=J(1-e-t/t),27,第8章微電子工程前沿課題,8.2 分子束外延（MBE）技術(shù)簡介 同樣道理，當(dāng)束流突然被快門截?cái)鄷r(shí)，解

23、吸率將按e-t/t衰減。根據(jù)t的溫度關(guān)系可以確定解吸的激活能E t=t0exp(E/RT) Ga在GaAs上的吸附和解吸符合上述規(guī)律，如圖86a所示，該圖示出兩個(gè)溫度下由(111)GaAs上Ga的矩形入射脈沖得到的解吸脈沖的形狀。,圖86 兩個(gè)溫度下(111)GaAs上Ga的矩形入射脈沖得到的解吸脈沖(a)和砷分子入射于GaAs襯底時(shí)的反射束流強(qiáng)度(b),28,第8章微電子工程前沿課題,8.2 分子束外延（MBE）技術(shù)簡介 As2在GaAs上的解吸則不符合上述規(guī)律。如將砷的分子束流周期地以矩形脈沖方式加在GaAs襯底上，然后測量其反射束流的強(qiáng)度，得實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖86b所示。 可以認(rèn)為As2分子是

24、以一種可動(dòng)的、弱鍵合的狀態(tài)被吸附的，當(dāng)這些吸附的As2分子遇到成對的砷空位時(shí)，它們就能夠離解，在升高溫度時(shí)，As原子復(fù)合成As2分子，隨即能吸附如 其中*表示表面物質(zhì)種類。由此可得粘附系數(shù) 式中t是As2*的表面壽命，k是離解的速率常數(shù)。,29,第8章微電子工程前沿課題,8.2 分子束外延（MBE）技術(shù)簡介 實(shí)驗(yàn)結(jié)果說明，當(dāng)入射砷時(shí)，襯底表面無Ga存在的情況下，砷的壽命是很短的，也就是說粘附系數(shù)接近于0。若在入射砷的束流之前，加入一鎵的束流，此時(shí)砷的反射束流脈沖的上升時(shí)間顯著變長，即砷的表面壽命t顯著增加。實(shí)驗(yàn)表明，襯底溫度在750K以下鎵的分子束流不發(fā)生反射，襯底溫度在904K時(shí)，鎵的壽命為

25、7秒。在873K左右，As2的粘附系數(shù)SAs2是鎵到達(dá)速率的函數(shù)，砷原子的表面壽命與GaAs表面的鎵覆蓋程度有關(guān)。對于全覆蓋著鎵的表面，砷的粘附系數(shù)接近于1。 生成合乎化學(xué)計(jì)量比要求的GaAs的條件是吸附的鎵與砷之間的碰撞速率等于鎵的到達(dá)速率。假如鎵與砷的到達(dá)速率分別為RGa和RAs，則GaAs的生長速率為,30,第8章微電子工程前沿課題,8.2 分子束外延（MBE）技術(shù)簡介 這里的d是GaAs的離解率，K是吸附的Ga與As之間的作用常數(shù)，約為1014mm2，若As2的到達(dá)速率RAs2為1015cm-2s-1，襯底溫度小于873K，鎵在表面上的壽命t10s。 若忽略d，由上式可知GaAs的生長

26、速率基本上等于鎵的到達(dá)速率。 實(shí)驗(yàn)表明，只要RAs20.5RGa時(shí)，外延層可以有合適的化學(xué)計(jì)量比，而且其生長速率完全由RGa所決定。實(shí)際上，為了保證外延層的化學(xué)計(jì)量比，一般總是讓RAs2遠(yuǎn)大于RGa，在低于600K的溫度下，還有As4分子的吸附和反應(yīng)，此處不再贅述。 分子束外延GaAs常用的N型摻雜劑為Si和Sn，粘附系數(shù)都接近于1，P型摻雜劑有Mg和Zn，它們的粘附系數(shù)都較小。,31,第8章微電子工程前沿課題,8.3 超晶格與量子阱材料 早在1958年，Esaki就首次發(fā)現(xiàn)了，在顯著提高摻雜濃度的n+-p+Ge二極管中，當(dāng)空間電荷區(qū)厚度小于10nm時(shí)，明顯地呈現(xiàn)出隧道效應(yīng)。其后，美國和日本的

27、一些研究者又發(fā)現(xiàn)，當(dāng)Si-MOS晶體管的導(dǎo)電溝道，在其有效厚度成為100埃左右的量子薄膜后，電子在薄膜內(nèi)會(huì)形成駐波狀態(tài)并被量子化。由此人們設(shè)想，如果能夠找到可以人為地對波動(dòng)性進(jìn)行控制技術(shù)，有可能出現(xiàn)在以往的半導(dǎo)體材料中不曾看到的物理現(xiàn)象。1969年，Esaki和Tsu首次提出了使具有量子薄膜和隧道勢壘功能的兩種超薄膜層化的超晶格新概念。并指出，在這種結(jié)構(gòu)中隨著電子的布喇格反射，將會(huì)出現(xiàn)負(fù)阻效應(yīng)。,32,第8章微電子工程前沿課題,8.3 超晶格與量子阱材料 恰逢此時(shí)，分子束外延（MBE）由貝爾實(shí)驗(yàn)室研制成功。從此，新工藝為新概念的付諸實(shí)現(xiàn)提供了技術(shù)保證。1972年，Esaki等人首次用MBE法制

28、作了GaAs/AlGaAs第一類超晶格，并測定了其IV特性，證實(shí)了這種結(jié)構(gòu)中負(fù)阻效應(yīng)的存在。1974年，Chang等人采用數(shù)十埃厚的GaAs/AlGaAs雙重勢壘結(jié)構(gòu)，研究了垂直于界面方向的電導(dǎo)性，觀測了低溫下的共振隧道效應(yīng)。幾乎在同一時(shí)期，貝爾實(shí)驗(yàn)室的R.Dingle等人從GaAs/AlGaAs量子勢阱結(jié)構(gòu)的光吸收譜，驗(yàn)證了量子能級(jí)形成的物理事實(shí)。,33,第8章微電子工程前沿課題,8.3 超晶格與量子阱材料 隨著MBE等超薄層外延技術(shù)的日漸成熟，新的超晶格結(jié)構(gòu)也不斷出現(xiàn)。1977年，R.Tsu等人又制作了第二類超晶格InAs/GaSb并計(jì)算了其能帶結(jié)構(gòu)。與此同時(shí)，日本東京大學(xué)的H.Sakak

29、i構(gòu)想出了平面超晶格和超精細(xì)量子細(xì)線結(jié)構(gòu)，語言這種結(jié)構(gòu)具有極高的電子遷移率，并試圖采用超薄層外延技術(shù)和超精細(xì)刻蝕工藝研制這種新型結(jié)構(gòu)。,34,第8章微電子工程前沿課題,8.3 超晶格與量子阱材料 人們一方面研究半導(dǎo)體超晶格的物理性質(zhì)，一方面著手研究如何采用這種結(jié)構(gòu)制備實(shí)用的新型電子器件。1978年，DR.Dingle等人在調(diào)制摻雜的GaAs/AlGaAs結(jié)構(gòu)中，首次發(fā)現(xiàn)了電子遷移率增加現(xiàn)象，即刻引起了各國科學(xué)家的關(guān)注。時(shí)隔兩年，日本富士通公司的S.Hiyamize（冷水佐壽）等人率先用這種結(jié)構(gòu)研制成功了第一支超高速邏輯器件高電子遷移率晶體管（HEMT）?？梢哉f，HEMT的問世是半導(dǎo)體超晶格研究

30、中的一個(gè)重要里程碑。其后，一代滲透基區(qū)晶體管（PBT）等相繼登場，從而半導(dǎo)體超晶格研究的面貌大為改觀。,35,第8章微電子工程前沿課題,8.3 超晶格與量子阱材料 在半導(dǎo)體超晶格研究領(lǐng)域中，對于量子阱結(jié)構(gòu)的能帶與次能帶中電子躍遷過程的研究，導(dǎo)致了量子阱激光器，高速發(fā)光器件等一類光電子器件的出現(xiàn)。1975年，Van der ziel等人制備了層厚為100埃的8層量子阱結(jié)構(gòu)，并在液氮溫度下振蕩成功。而1979年由西德的D.H.Dohler等人利用調(diào)制摻雜技術(shù)，在GaAs生長過程中周期性地?fù)饺雙型雜質(zhì)和n型雜質(zhì)，形成了nipi摻雜型超晶格，使它在可調(diào)諧紅外激光器制作方面顯示出令人滿意的優(yōu)越性。隨著對

31、量子阱結(jié)構(gòu)光學(xué)特性研究的不斷深入，先后試制成功了一系列光電子器件，如光吸收調(diào)制器，光雙穩(wěn)定器件，全反射型開關(guān)，高速發(fā)光器件，各類雪崩二極管以及光敏器件等。從而大大促進(jìn)了光電子集成電路和長距離光纖通信技術(shù)的發(fā)展。,36,第8章微電子工程前沿課題,8.3 超晶格與量子阱材料 進(jìn)入八十年代，半導(dǎo)體超晶格的研究出現(xiàn)兩個(gè)明顯趨向。一是人們開始集中而系統(tǒng)地從理論和實(shí)驗(yàn)上研究超晶格所具有的各種物理性質(zhì)，如量子阱的能帶結(jié)構(gòu)，低溫量子輸運(yùn)，平行和垂直于界面的導(dǎo)電性以及光學(xué)特性等，并取得實(shí)質(zhì)性進(jìn)展。其中，整數(shù)及分?jǐn)?shù)量子化霍爾效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)就是一例。Klass Von Klitzing因發(fā)現(xiàn)了量子化霍爾效應(yīng)而榮獲198

32、5年諾貝爾物理獎(jiǎng)。二是人們開始將超薄層外延技術(shù)與已經(jīng)成熟穩(wěn)定的Si-VLSI工藝相結(jié)合，采用HEMT和HBT竟相開發(fā)超高速邏輯電路。目前，HEMT已從大規(guī)模集成向超大規(guī)模集成方向發(fā)展，HBT大規(guī)模集成注入邏輯電路性能不斷提高，而共振隧道雙極晶體管（RTBT）和共振隧道熱電子晶體管（RHET）及其在電路應(yīng)用方面的研究也在逐步取得進(jìn)展。,37,第8章微電子工程前沿課題,8.3 超晶格與量子阱材料 半導(dǎo)體超晶格研究之所以能夠取得顯著進(jìn)展，是與MBE和MOCVD一類超薄層外延技術(shù)密切相關(guān)的。反過來，半導(dǎo)體超晶格研究的不斷深入，又使超薄層外延工藝不斷完善。繼MBE、MOCVD之后，又相繼出現(xiàn)了兼有二者之

33、長的MOMBE，和原子層外延（ALE）以及超高真空濺射等技術(shù)，特別是將反射高能電子衍射（RHEED）用于這類超薄層外延生長，不久能十分精確地控制薄層生長厚度及生長形貌，而且還為研究生長動(dòng)力學(xué)過程提供了有用信息。,38,第8章微電子工程前沿課題,8.3 超晶格與量子阱材料 8.3.1 半導(dǎo)體超晶格研究的主要內(nèi)容 半導(dǎo)體超晶格的研究涉及超晶格結(jié)構(gòu)物理、超晶格結(jié)構(gòu)器件、超晶格結(jié)構(gòu)的制備以及超晶格結(jié)構(gòu)的評價(jià)等幾個(gè)方面。,39,第8章微電子工程前沿課題,8.3 超晶格與量子阱材料 8.3.1 半導(dǎo)體超晶格研究的主要內(nèi)容,40,第8章微電子工程前沿課題,8.3 超晶格與量子阱材料 8.3.2 半導(dǎo)體超晶格

34、的分類 超晶格的基本概念：當(dāng)兩層或兩層以上的GaAs量子阱相互靠近時(shí)，電子波在處于兩層之間的AlGaAs層內(nèi)并無明顯衰減，因此使得相鄰GaAs量子阱內(nèi)的量子能級(jí)結(jié)合在一起，其結(jié)果導(dǎo)致簡并的量子能級(jí)產(chǎn)生分裂。如果量子阱數(shù)足夠多，那么分裂的量子能級(jí)將成為連續(xù)狀態(tài)，并形成小的能帶。換言之，GaAs層量子阱內(nèi)的電子波以隧道方式穿過AlGaAs層，而且可以在若干層內(nèi)進(jìn)行連續(xù)傳播。因此我們定義，由能夠封閉電子的薄層（如GaAs）和可以產(chǎn)生隧道效應(yīng)的薄層（如AlGaAs）交替生長，而形成的周期性晶格結(jié)構(gòu)叫做超晶格（Superlattic-SL）,41,第8章微電子工程前沿課題,8.3 超晶格與量子阱材料 8

35、.3.2 半導(dǎo)體超晶格的分類 超晶格的整個(gè)結(jié)構(gòu)保持晶格的連續(xù)性。每種材料的厚度通常為晶格常數(shù)的兩倍至二十倍。由于兩種材料的導(dǎo)帶和價(jià)帶邊的能量不相同，因此在兩種材料的交界處，帶邊發(fā)生不連續(xù)的變化，即能帶具有不連續(xù)性。 目前因組成超晶格的材料不同，制備方法各異，已出現(xiàn)了多種類型的超晶格?，F(xiàn)按其結(jié)構(gòu)類型分述如下。,42,第8章微電子工程前沿課題,8.3 超晶格與量子阱材料 8.3.2 半導(dǎo)體超晶格的分類 1. 第一類超晶格（Type Superlattice） 第一類超晶格又稱組分超晶格，如圖88（a）所示。這種結(jié)構(gòu)的主要特點(diǎn)是，GaAs的導(dǎo)帶底低于AlxGa1-xAs導(dǎo)帶底，但其價(jià)帶頂卻高于后者。

36、電子和空穴能量的極小值都在GaAs層的量子阱中，即電子與空穴都被封閉在GaAs中，其布里淵區(qū)分成子能帶，子能帶間有窄的禁帶。量子阱的名稱是為了強(qiáng)調(diào)，兩邊勢壘的限制使垂直方向的運(yùn)動(dòng)發(fā)生了量子化。,43,第8章微電子工程前沿課題,8.3 超晶格與量子阱材料 8.3.2 半導(dǎo)體超晶格的分類 2. 第二類超晶格（Type Superlattice） 第二類超晶格又分為如圖88（b）和（c）兩種，即Staggered型和Misaligned型。在前者中，In1-xGaxAs的導(dǎo)帶底Ec1低于GaSb1-yAsy的導(dǎo)帶底Ec2，而前者的價(jià)帶頂也低于后者的價(jià)帶頂。因此電子能谷位于In1-xGaxAs層，而空

37、穴能谷位于GaSb1-yAsy中。電子和空穴在空間上是分開的，故具有很長的非平衡載流子壽命。 后者的能帶在界面具有特殊形式。InAs的導(dǎo)帶底Ec1低于GaSb的價(jià)帶頂Ev1，所以電子位于InAs層內(nèi)，而空穴位于GaSb內(nèi)。在InAs-GaSb超晶格中，隨著各層膜厚的增加，InAs層內(nèi)的電子能級(jí)將下降，而GaSb層內(nèi)的空穴能級(jí)則上升，其有效帶隙慢慢遞減。當(dāng)周期長度增加到160埃左右時(shí)，有效帶隙等于零，原來在實(shí)空間中被分離的電子和空穴處于共存狀態(tài)，亦即呈現(xiàn)“金屬行為”。,44,第8章微電子工程前沿課題,8.3 超晶格與量子阱材料 8.3.2 半導(dǎo)體超晶格的分類 3. 第三類超晶格（Type Sup

38、erlattice） 這類超晶格亦稱復(fù)型超晶格。它是由三種化合物半導(dǎo)體周期地相間生長的。AlSb、GaSb和InAs三者的禁帶寬度不同，但晶格常數(shù)卻比較相近，因而界面很平整，失配位錯(cuò)不嚴(yán)重，如圖8-8（d）所示。,45,第8章微電子工程前沿課題,8.3 超晶格與量子阱材料 8.3.2 半導(dǎo)體超晶格的分類,圖88 GaAs-GaAlAs,InGaAs-GaSbAs及GaSb-InAs-AlSb三種類型超晶格材料的能帶圖 (a)第一類超晶格 (b)Staggered型超晶格 (c)Misaligned型超晶格 (d)第三類超晶格,46,第8章微電子工程前沿課題,8.3 超晶格與量子阱材料 8.3.

39、2 半導(dǎo)體超晶格的分類 4. nipi摻雜超晶格（Doping Superlattice） 這是一種由摻雜n型和p型雜質(zhì)的超薄層與本征層相間組成的周期性結(jié)構(gòu)。圖89（a）示出了GaAs摻雜超晶格的帶隙。超晶格的周期為nipi各層厚度之和，即 式中dn、dp和dj分別為n型和p型摻雜層及本征層的厚度。這種超晶格與通常的異質(zhì)結(jié)超晶格系統(tǒng)不同。它不包含任何界面，因此不存在任何與界面有關(guān)的問題。其周期勢是固定離化雜質(zhì)產(chǎn)生的靜電勢。當(dāng)這種超晶格受到光照后，光生電子和空穴分別處于導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂。由于這種因光產(chǎn)生的電子空穴對空間上是分開的，因而有特別長的壽命。,47,第8章微電子工程前沿課題,8.3 超晶格

40、與量子阱材料 8.3.2 半導(dǎo)體超晶格的分類 5. 鋸齒型摻雜超晶格（Sawtooth Doping Superlattice） 鋸齒型摻雜超晶格又稱型摻雜超晶格。鋸齒型摻雜超晶格的目的在于滿足這樣的要求，即在一個(gè)均勻半導(dǎo)體材料中既要有短的載流子壽命，又要有大幅度的帶邊調(diào)制，以實(shí)現(xiàn)低于基質(zhì)材料帶隙的能量下發(fā)生受激光發(fā)射。GaAs鋸齒型摻雜超晶格陡峭的V性勢阱使得其能隙比基質(zhì)材料的能隙低得多，由于載流子壽命短，即使在高激發(fā)狀態(tài)下能隙也是恒定的。這些獨(dú)特性質(zhì)使其極富有吸引力，可望應(yīng)用于8501100埃波長范圍的光電器件。,48,第8章微電子工程前沿課題,8.3 超晶格與量子阱材料 8.3.2 半導(dǎo)

41、體超晶格的分類 6. 應(yīng)變層超晶格（Atrained Layer Superlattice） 由于MBE和MOCVD等超薄層外延技術(shù)能夠生長具有原子級(jí)平滑程度的超晶格結(jié)構(gòu)，所以對于晶格匹配的要求不再十分嚴(yán)格。只要晶格失配的兩種材料可以在界外彈性地調(diào)整原子間距，使兩者都達(dá)到一個(gè)使界面原子排列仍保持匹配的晶格常數(shù)，這樣的超晶格稱為應(yīng)變層超晶格（SLS），如圖89（b）所示。應(yīng)變層超晶格的主要特點(diǎn)是，當(dāng)SLS的厚度發(fā)生變化時(shí)，能帶寬度發(fā)生變化，能帶附近的曲率也會(huì)發(fā)生變化，因而會(huì)影響載流子的輸運(yùn)特性。由于超晶格布里淵區(qū)的折疊效應(yīng)，由間接能隙材料制備的SLS有可能成為直接能隙，使光學(xué)性質(zhì)發(fā)生較大變化。目

42、前，代表性的應(yīng)變層超晶格有InGaAs/GaAs系、GaAsP/GaAs系、GaSb/AlSb系、InGaAs/GaAsP系以及Si/SiGe系等。,49,第8章微電子工程前沿課題,8.3 超晶格與量子阱材料 8.3.2 半導(dǎo)體超晶格的分類 7. 分?jǐn)?shù)層超晶格（Fractional Layer Superlattice） 分?jǐn)?shù)層超晶格的概念最早是由美國加州大學(xué)的P.M.Petroff于1984年提出的。圖89（c）示出了由日本NTT的T.Fukui采用MOCVD在GaAs（001）的鄰晶面上生長的（AlAs）1/2（GaAs）1/2分?jǐn)?shù)層超晶格。由于在（001）鄰晶面上存在單原子的階梯，精確的

43、表面定向切割，可使每個(gè)臺(tái)階的寬度均相等。如果嚴(yán)格控制生長條件，使成核過程發(fā)生在臺(tái)階邊而并非二維成核，讓臺(tái)階上先長半個(gè)單層AlAs，再生長半個(gè)單層GaAs，如此反復(fù)便可形成分?jǐn)?shù)層超晶格。分?jǐn)?shù)層超晶格提供了一個(gè)極好的制造量子細(xì)線的方法。,50,第8章微電子工程前沿課題,8.3 超晶格與量子阱材料 8.3.2 半導(dǎo)體超晶格的分類,圖8-9 (a)摻雜超晶格的帶隙；(b)應(yīng)變層超晶格示意圖；(c)分?jǐn)?shù)層超晶格示意圖,51,第8章微電子工程前沿課題,8.3 超晶格與量子阱材料 8.3.2 半導(dǎo)體超晶格的分類 8. 多維超晶格（Mutidimensional Superlattice） 根據(jù)量子封閉的維數(shù)

44、，超晶格可分為一維、二維與三維超晶格，依次稱為量子薄膜，量子細(xì)線與量子點(diǎn)（量子箱）。超晶格的多維化帶來的最明顯的特征是有效狀態(tài)密度的變化。對于一維超晶格，有效狀態(tài)密度在各子能帶內(nèi)，且有,成為與能量無關(guān)的階躍函數(shù)；在二維超晶格中，有效狀態(tài)密度在各子能帶內(nèi)，且有,在子能帶底有效狀態(tài)密度最大；在三維超晶格中，有效狀態(tài)密度為線狀光譜，類似孤立氫原子模型。圖810依次示出了上述超晶格的關(guān)系。,52,第8章微電子工程前沿課題,8.3 超晶格與量子阱材料 8.3.2 半導(dǎo)體超晶格的分類,圖810 各類超晶格的有效狀態(tài)密度與能量的關(guān)系,53,第8章微電子工程前沿課題,8.3 超晶格與量子阱材料 8.3.2 半

45、導(dǎo)體超晶格的分類 9. 特殊類型超晶格 迄今，采用GaAs的超晶格均是在（001）面上生長的。而如果象圖811那樣，在與結(jié)晶學(xué)的（001）面成角的襯底表面生長超晶格，則會(huì)出現(xiàn)一些新的現(xiàn)象。如當(dāng)在平臺(tái)狀的襯底上制備(GaAs)4(AlAs)6600超晶格時(shí)，其生長方向具有的長周期，在面內(nèi)具有的長周期。因此，從X射線圖形可以觀察到，在同001方向成角的方向呈現(xiàn)出所謂的衛(wèi)星發(fā)生現(xiàn)象。亦即超晶格的密度波方向不是001方向，而是q的方向。予計(jì)，這種超晶格的平臺(tái)結(jié)構(gòu)，可用于各種新型人工材料的制備，如新的一維金屬超晶格等。,54,第8章微電子工程前沿課題,8.3 超晶格與量子阱材料 8.3.2 半導(dǎo)體超晶格

46、的分類,圖811 特殊超晶格結(jié)構(gòu)示意圖,55,第8章微電子工程前沿課題,8.4 超晶格材料制作的器件 基于超晶格和量子阱中載流子限制和共振隧道效應(yīng)的研究，已經(jīng)研制出許多工作原理新穎、性能優(yōu)異的新型器件，其中有量子阱激光器、長波長光探測器、光學(xué)開關(guān)、HEMT、HBT和HET等，現(xiàn)分述如下。,56,第8章微電子工程前沿課題,8.4 超晶格材料制作的器件 8.4.1 光學(xué)器件 1. 多量子阱激光器 具有多量子阱結(jié)構(gòu)的激光器，比通常用外延材料制作的異質(zhì)結(jié)激光器具有閾值電流低、閾值電流隨穩(wěn)定變化小、發(fā)射譜線窄、量子效率高和調(diào)制頻率高等優(yōu)點(diǎn)，而且發(fā)射波長不受基質(zhì)材料帶隙寬度的限制，可通過改變量子阱的結(jié)構(gòu)參

47、數(shù)來改變發(fā)射波長。如果采用應(yīng)變層量子阱，由于壓縮應(yīng)力的存在，量子阱平面上重空穴帶中的空穴有效質(zhì)量顯著減小，這將進(jìn)一步減小閾值電流和改進(jìn)激光器的其它參數(shù)。,57,第8章微電子工程前沿課題,8.4 超晶格材料制作的器件 8.4.1 光學(xué)器件 1. 多量子阱激光器 （1）1.5波長半絕緣阻擋平面異質(zhì)結(jié)構(gòu)激光器 這種激光器采用了應(yīng)變層多量子阱有源區(qū)，有源區(qū)中制作了四個(gè)25埃寬的InGaAs量子阱層和五個(gè)90埃寬的InGaAsP勢阱層。條寬為2.5，腔長200的激光器，閾值電流低達(dá)2.2mA，工作電流為53mA時(shí)，室溫連續(xù)單模輸出功率20mW。 （2）調(diào)制摻雜AlGaAs/GaAs多量子阱高速激光器 在

48、低溫（低于600）下用MBE生長的調(diào)制摻雜AlGaAs/GaAs多量子阱激光器，結(jié)構(gòu)如圖812所示。條寬9、腔長200的條形激光器閾值電流為50mA，最大輸出功率200mW，在室溫下測得的馳豫振蕩頻率大于30GHz。這種激光器具有超高速調(diào)制能力，可以滿足高容量光纖通信的需要。,58,第8章微電子工程前沿課題,8.4 超晶格材料制作的器件 8.4.1 光學(xué)器件 1. 多量子阱激光器,圖812 調(diào)制摻雜多量子阱激光器結(jié)構(gòu)示意圖,59,第8章微電子工程前沿課題,8.4 超晶格材料制作的器件 8.4.1 光學(xué)器件 2. 光探測器 （1）長波長探測器 先進(jìn)的晶體生長技術(shù)已能生長出具有理想光學(xué)特性的人造晶

49、格結(jié)構(gòu)，由于超晶格結(jié)構(gòu)中能級(jí)分離主要取決于吸收層的厚度，所以改變吸收層的厚度就可改變最大響應(yīng)率的波長。例如，一種AlGaAs/GaAs多量子阱光探測器，可以探測310微米的輻射波長，但構(gòu)成量子阱基質(zhì)材料帶隙所對應(yīng)的波長小于1微米。 用40個(gè)周期的AlGaAs/GaAs量子阱結(jié)構(gòu)制作了高靈敏度的長波長探測器。每周期由非常薄的GaAs阱（40埃，摻雜濃度為21018cm-3）和一個(gè)較厚的Al0.31Ga0.69As勢壘層組成，如圖813所示。這種探測器在時(shí)探測器高達(dá)，這個(gè)靈敏度與典型的背景限制HgCdTe光電導(dǎo)探測器的靈敏度相當(dāng)。,60,第8章微電子工程前沿課題,8.4 超晶格材料制作的器件 8.

50、4.1 光學(xué)器件 2. 光探測器,圖813 AlGaAs/GaAs多量子阱長波長光探測器示意圖,61,第8章微電子工程前沿課題,8.4 超晶格材料制作的器件 8.4.1 光學(xué)器件 2. 光探測器 采用In0.15As0.35Sb/InSb應(yīng)變層超晶格制作了紅外高探測率低壓型探測器，結(jié)構(gòu)如圖814所示。它用MBE生長在InSb襯底上的p-i-n結(jié)構(gòu)，每層都由150埃InAsSb/150埃InSb應(yīng)變層超晶格組成，p區(qū)摻Be，n區(qū)摻Se，i區(qū)摻雜水平是MBE本底摻雜水平。為了改進(jìn)超晶格的質(zhì)量，采用了InGaAs漸變組分緩沖層。二極管采用臺(tái)面隔離，背面接觸為一個(gè)反射層，以提高量子效率。這種探測器在1

51、0mm波長下探測率D*也大于11010cmHz1/2W-1。,62,第8章微電子工程前沿課題,8.4 超晶格材料制作的器件 8.4.1 光學(xué)器件 2. 光探測器,圖814InAsSb/InSb應(yīng)變層超晶格光電壓紅外探測器,63,第8章微電子工程前沿課題,8.4 超晶格材料制作的器件 8.4.1 光學(xué)器件 2. 光探測器 (2)波長可調(diào)諧的1.5mm高速AlGaInAs/AlInAs多量子阱pin光探測器 為了滿足高比特率、長距離光纖傳輸系統(tǒng)的需要，NTT光電子學(xué)實(shí)驗(yàn)室研制了1.5mm高速AlGaInAs/AlInAs多量子阱pin光探測器。這種探測器的響應(yīng)波長可利用量子限制Stark效應(yīng)來改變

52、。器件結(jié)構(gòu)如圖815所示。pin光二極管的i區(qū)是由30個(gè)周期的非摻雜、100埃厚的AlInGaAs量子阱層和50埃厚的AlInAs勢壘層組成，整個(gè)pin結(jié)構(gòu)生長在n型InP襯底上。在10V反偏壓下漏電流密度為6104/cm2。響應(yīng)波長隨反偏壓的變化而移動(dòng)，最大可以變化1600埃。這種探測器非常適合用于多路信號(hào)分離器。探測器的脈沖響應(yīng)上升時(shí)間只有40ps。,64,第8章微電子工程前沿課題,8.4 超晶格材料制作的器件 8.4.1 光學(xué)器件 2. 光探測器,圖815 AlGaInAs/AlInAs多量子阱pin光探測器剖面圖,65,第8章微電子工程前沿課題,8.4 超晶格材料制作的器件 8.4.1

53、 光學(xué)器件 3. 光學(xué)開關(guān) 在目前的光波傳輸系統(tǒng)中，開關(guān)和信號(hào)處理都用電子開關(guān)器件來完成，但由于數(shù)據(jù)傳輸速率的不斷提高，電子開關(guān)系統(tǒng)就滿足不了要求，所以光學(xué)開關(guān)和信號(hào)處理越來越具有吸引力。 光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)IIIV族化合物器件是光學(xué)開關(guān)系統(tǒng)的基礎(chǔ)。AT&T已發(fā)表了一種基于量子限制Stark效應(yīng)的開關(guān)器件。這種器件稱為自光電效應(yīng)器件（SEED）。它是一種光觸發(fā)光學(xué)開關(guān)，如圖816(a)、(b)所示。器件有一個(gè)pin結(jié)構(gòu)，i區(qū)是由非摻雜多量子阱組成，它由一些吸收層和非吸收層交疊而成（厚度小于100埃）。當(dāng)pin加上反偏壓后，在非摻雜的多量子阱區(qū)中產(chǎn)生一個(gè)電場，用光照射時(shí)，入射光在多量子阱i區(qū)的吸收層中激

54、發(fā)產(chǎn)生載流子，從而改變了器件的電學(xué)阻抗（因而也改變了電場）。如果入射光的能量接近量子阱材料的帶隙能量時(shí)，光照改變后的電場就對光的傳輸產(chǎn)生影響，即形成光的滯后現(xiàn)象和雙穩(wěn)特性。這就是SEED的工作原理。,66,第8章微電子工程前沿課題,8.4 超晶格材料制作的器件 8.4.1 光學(xué)器件 3. 光學(xué)開關(guān),圖816 (a)SEED示意圖,(b)光信號(hào)的滯后和雙穩(wěn)定性能,67,第8章微電子工程前沿課題,8.4 超晶格材料制作的器件 8.4.1 光學(xué)器件 3. 光學(xué)開關(guān) 一種對稱型SEED，它由兩個(gè)串聯(lián)的量子阱pin二極管組成，如圖817所示。這種對稱型SEED的特點(diǎn)是，它對入射光功率的起伏和偏壓大小相對

55、來說不太敏感。并已用這種對稱SEED做成陣列，開關(guān)時(shí)間小于幾個(gè)毫微秒。這種器件具有邏輯放大功能和雙穩(wěn)光學(xué)存儲(chǔ)功能。,圖817 AT&T研制的對稱型SEED的剖面圖,68,第8章微電子工程前沿課題,8.4 超晶格材料制作的器件 8.4.1 光學(xué)器件 4. 高速光學(xué)調(diào)制器 AT&T Bell實(shí)驗(yàn)室根據(jù)量子限制Stark效應(yīng)制作了一種臺(tái)面結(jié)構(gòu)的多量子阱光學(xué)反射調(diào)制器。調(diào)制器結(jié)構(gòu)如圖818所示。調(diào)制臺(tái)面直徑50mm，偏壓120V。測量的3dB帶寬響應(yīng)頻率為5.5GHz。,圖818 高速多量子阱光學(xué)反射調(diào)制器結(jié)構(gòu)圖,69,第8章微電子工程前沿課題,8.4 超晶格材料制作的器件 8.4.2 高速電子器件及

56、其它器件 1. InP基W波段低噪聲HEMT 用超晶格材料制成的高性能器件，首先是調(diào)制摻雜的高電子遷移率晶體管（HEMT）?，F(xiàn)在介紹一種InP基W波段低噪聲InAlAs/InGaAsHEMT。這種材料系統(tǒng)中具有較高的電子飽和速度和二維電子氣密度，非常適合發(fā)展高速邏輯電路和微波集成電路，而且非常適合發(fā)展高性能InP基OEIC。 美國通用電氣公司電子學(xué)實(shí)驗(yàn)室用In0.35Ga0.47 As/In0.48 Al0.52 As/InP晶格匹配的材料系統(tǒng)制成的高性能HEMT，其結(jié)構(gòu)如圖819所示。 用電子束光刻制作了0.15mmT型柵，柵寬3050mm。器件的直流和射頻性能如下：18GHz下，本征跨導(dǎo)1

57、300mS/mm，噪聲0.3dB，相關(guān)增益17.2dB。這種器件優(yōu)良的特性說明，InP基HEMT在100GHz下低噪聲運(yùn)用有很大潛力。,70,第8章微電子工程前沿課題,8.4 超晶格材料制作的器件 8.4.2 高速電子器件及其它器件 1. InP基W波段低噪聲HEMT,圖819 HEMT結(jié)構(gòu)圖,71,第8章微電子工程前沿課題,8.4 超晶格材料制作的器件 8.4.2 高速電子器件及其它器件 2. 多能態(tài)共振隧道雙極晶體管（RTBT） 用MBE生長的各種材料系統(tǒng)和各種結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)HBT取得了驚人的發(fā)展，尤其是用GaInAs/InP材料體系制作的異質(zhì)結(jié)HBT，fT可達(dá)165GHz，最高振蕩頻率10

58、0GHz，用這種器件制作的17級(jí)環(huán)形NTL振蕩器，傳輸延遲14.7ps、每門功耗5.4mW。用InGaAs/GaInAsP/InP制作的雙極晶體管，電流放大倍數(shù)高達(dá)2500，并且具有較大的電流驅(qū)動(dòng)能力，Ic大于350mA。 RTBT是在半絕緣InP襯底上用MBE生長的Ga0.47In0.53Asnpn晶體管，這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是在發(fā)射極中制作了兩個(gè)Al0.48In0.52As(5nm)/Ga0.47In 0.53As(5nm)共振隧道雙勢壘。基區(qū)寬度150nm，Be摻雜濃度41018cm-3。由于發(fā)射極中雙勢壘共振隧穿的連續(xù)淬滅，在共發(fā)射極輸出特性曲線上和Ic-VBE轉(zhuǎn)移特性曲線上分別出現(xiàn)兩個(gè)負(fù)阻

59、區(qū)和負(fù)跨導(dǎo)區(qū)，形成兩個(gè)峰值，如圖820所示。,72,第8章微電子工程前沿課題,8.4 超晶格材料制作的器件 8.4.2 高速電子器件及其它器件 2. 多能態(tài)共振隧道雙極晶體管（RTBT） 具有這種特性的RTBT不僅是一種性能優(yōu)良的傳統(tǒng)異質(zhì)結(jié)構(gòu)HBT（直流增益60，截止頻率24GHz），更重要的是它具有許多電路功能，它是作為一種功能器件而引人注目，它可以是一個(gè)倍頻器，一只晶體管在一定偏置條件下可使頻率倍增5倍。這樣一只晶體管還具有四位奇偶發(fā)生器的功能，完成了24只一般晶體管的電路功能。它還能完成數(shù)字電路功能，是一種結(jié)構(gòu)簡單、又能實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的多級(jí)邏輯功能的新型器件。,圖820 (a)共發(fā)射極輸出特性，(b)共發(fā)射極轉(zhuǎn)移特性,73,第8章微電子工程前沿課題,8.4 超晶格材料制作的器件 8.4.2 高速電子器件及其它器件 3. 雙阱超晶格微波振蕩器 這是一種根據(jù)真實(shí)空間轉(zhuǎn)移負(fù)微分電阻特性設(shè)計(jì)的器件，采用了雙阱超晶格結(jié)構(gòu)。由于這種器件結(jié)構(gòu)和超晶格設(shè)計(jì)方面具有很大的靈活性，所以是一種很有前途的振蕩器。 器件工作的基本原理是雙阱超晶格中的量子態(tài)轉(zhuǎn)移。一個(gè)雙阱超晶格單元結(jié)