1、電源MOS設(shè)備UIS故障和改進(jìn)，2014.10，主要內(nèi)容，UIS基本簡介，1，2，UIS故障機(jī)制，3，4，UIS改進(jìn)方向，UIS測試原理，UIS簡介，UIS簡介UISUIS功能是衡量電源設(shè)備可靠性的重要指標(biāo)。UIS失效機(jī)理和改進(jìn)研究一直是電力MOS設(shè)備研究的重點(diǎn)。主要內(nèi)容，UIS基本簡介，1，2，UIS失敗機(jī)制，3，4，UIS改進(jìn)方向，UIS測試原理，UIS測試電路，a測試設(shè)備，b測試電路，UIS測試流程，示例打開狀態(tài)UIS基本簡介，1，2，UIS故障機(jī)制，3，4，UIS改進(jìn)方向，UIS測試原理，電流相關(guān)故障能量相關(guān)故障：電源耗散引起的設(shè)備溫度上升達(dá)到材料的固有溫度。UIS失效機(jī)制，在實(shí)際應(yīng)用

2、中，大部分是大電流導(dǎo)致UIS失效。集中在高電流上，使NPN管打開。條件：RB*I0.7V，A開放前電流路徑，B開放后電流路徑，UIS失效機(jī)制，NPN管道打開后特定失效模式實(shí)現(xiàn)兩個(gè)茄子：NPN牙齒打開，三極管放大后電流變大，溫度升高，高溫再次上升，形成正向反饋，使設(shè)備過熱失效。NPN牙齒打開，發(fā)生二次突破，BVCBO取代BVCBO，零件耐壓能力急劇下降，零件更容易穿孔或著火。a理論曲線，b模擬曲線，主要內(nèi)容，UIS基本簡介，1，2，UIS故障機(jī)制，3，4，UIS改進(jìn)方向，UIS測試原理，UIS改進(jìn)方向，NPN管開口抑制，盡可能地零件RB*I0.7V改進(jìn)思路：降低P基座和P plus區(qū)域電阻RB，以減少通過基礎(chǔ)區(qū)域的電流。I特定方法：減少電流方法減少電阻、減少電流、最優(yōu)化想法：減少雪崩時(shí)減少基區(qū)電阻流動(dòng)電流。RB*I0.7V核心理念：雪崩時(shí)改變電流的流動(dòng)通道，以防止阻塞電流打開默認(rèn)區(qū)域電阻，NPN牙齒優(yōu)化結(jié)構(gòu)，從而避免影響設(shè)備的其他性能參數(shù)。Fig現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中斷時(shí)電流流路徑，電阻減少方法，F(xiàn)ig現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中斷時(shí)電流流路徑，最優(yōu)化想法：雪崩電流通過基本區(qū)域的電阻減少RB*I0.7V核心想法：通過減少基本區(qū)域的側(cè)電阻，可以在