1、主流內(nèi)存條調(diào)研及BIOS中設(shè)置內(nèi)存參數(shù),目的： 了解內(nèi)存條的型號(hào)及價(jià)格， 和內(nèi)存條的發(fā)展方向,組員： 卓冰 周銀勝 左蕊,當(dāng)前主流內(nèi)存條的排行,主流內(nèi)存的型號(hào)及價(jià)格（臺(tái)式）,主流內(nèi)存條4G-1600價(jià)格及功能比較,主流內(nèi)存的型號(hào)及價(jià)格（筆記本）,常見DDR內(nèi)存頻率對(duì)照表,補(bǔ)充：DDR技術(shù),所謂雙通道DDR，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是芯片組可以在兩個(gè)不同的數(shù)據(jù)通道上分別尋址、讀取數(shù)據(jù)。這兩個(gè)相互獨(dú)立工作的內(nèi)存通道是依附于兩個(gè)獨(dú)立并行工作的，位寬為64-bit的內(nèi)存控制器下，因此使普通的DDR內(nèi)存可以達(dá)到128-bit的位寬，如果是DDR400的話，雙通道技術(shù)可以使其達(dá)到DDR800的效果，內(nèi)存帶寬陡增一倍，

2、由原先的3.2GB/S猛增為6.4GB/s。,SDR和DDR1/2/3存儲(chǔ)原理示意圖,在BIOS中設(shè)置內(nèi)存參數(shù),一：內(nèi)存延遲時(shí)序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的設(shè)置 首先，需要在BIOS中打開手動(dòng)設(shè)置，在BIOS設(shè)置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS設(shè)置中可能出現(xiàn)的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，將其值設(shè)為“Menual”（視BIOS的不同可能的選項(xiàng)有：On/Off或Enable/Disable），如果要調(diào)整內(nèi)存時(shí)序，應(yīng)該

3、先打開手動(dòng)設(shè)置，之后會(huì)自動(dòng)出現(xiàn)詳細(xì)的時(shí)序參數(shù)列表！,二、Bank Interleaving“內(nèi)存交錯(cuò)技術(shù)”（可能的選項(xiàng)：Off/Auto/2/4） 這里的Bank是指L-Bank，目前的DDR RAM的內(nèi)存芯片都是由4個(gè)L-Bank所組成，為了最大限度減少尋址沖突，提高效率，建議設(shè)為4（Auto也可以，它是根據(jù)SPD中的L-Bank信息來(lái)自動(dòng)設(shè)置的）。 三、Command Rate“首命令延遲”（可能的選項(xiàng)：1/2） 這個(gè)選項(xiàng)目前已經(jīng)非常少見，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR內(nèi)存的尋址，先要進(jìn)行P-Bank的選擇，然后才是L-Bank/行激

4、活與列地址的選擇。這個(gè)參數(shù)的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時(shí)間可以發(fā)出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，單位是時(shí)鐘周期。顯然，也是越短越好。但當(dāng)隨著主板上內(nèi)存模組的增多，控制芯片組的負(fù)載也隨之增加，過(guò)短的命令間隔可能會(huì)影響穩(wěn)定性。因此當(dāng)你的內(nèi)存插得很多而出現(xiàn)不太穩(wěn)定的時(shí)間，才需要將此參數(shù)調(diào)長(zhǎng)。目前的大部分主板都會(huì)自動(dòng)設(shè)置這個(gè)參數(shù)。,五、DRAM Clock“內(nèi)存時(shí)鐘頻率” （可能的選項(xiàng)：Host Clock/Hclk-33MHz/Hclk+33MHz，說(shuō)明：Host Clock即總線頻率和內(nèi)存工作頻率同步、Hclk-33MHz即總線頻率減33MHz、Hclk+33MHz即總線頻率+33MHz”等三種模式可選。） 在內(nèi)存同步工作模式下，內(nèi)存的運(yùn)行速度與CPU外頻相同。內(nèi)存異步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術(shù)可令內(nèi)存工作在高出或低于系統(tǒng)總線速度33MHz的情況下(也有采用3:4、4:5的倍頻模式的)。,注意： 在BIOS中對(duì)內(nèi)存進(jìn)行優(yōu)化設(shè)置可能會(huì)對(duì)電腦運(yùn)行的穩(wěn)定性造成不良影響，