1、,復習二極管的導電特性：,正向導通，導通電壓硅管為0.6V，鍺管為0.15V，導通電流很大，相當于開關接通；,加反向電壓，二極管有微小電流，稱為截至。相當于開關斷開。,穩(wěn)壓管是一種特殊的面接觸型半導體二極管。,符號:,DZ,陰 極,陽 極,特點:,(1)反向特性曲線比較陡,(2)工作在反向擊穿區(qū),1.4.4 穩(wěn)壓二極管,第1章,上頁,下頁,翻頁,返回,I/mA,U/V,0,UZ,IZ,穩(wěn)壓管的主要參數(shù):,第1章,上頁,下頁,返回,翻頁,UZ,IZ,IZM, UZ, IZ,2. 伏安特性,第1章,上頁,下頁,返回,穩(wěn)壓管構成的穩(wěn)壓電路,圖中R為限流電阻，用來限制流過穩(wěn)壓管的電流。RL為負載電阻。

2、,由于穩(wěn)壓管工作在其反向特性端，因而在反向擊穿的情況下可以保證負載兩端的電壓在一定的范圍內基本保持不變。,翻頁,穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路穩(wěn)壓原理,穩(wěn)壓工作時的模型,Ui或RL Uo (UZ )IZ IR UR ,穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路分析：,（1）確定工作狀態(tài) （2）選擇模型,（3）利用電壓源、電流源等效變換，求不同輸入下的輸出。,輸入電壓變化對輸出電壓的影響,求,光電二極管,反向電流隨光照強度的增加而上升。,符號,發(fā)光二極管,有正向電流流過時，發(fā)出一定波長范圍的光，目前的發(fā)光管可以發(fā)出從紅外到可見波段的光，它的電特性與一般二極管類似，正向電壓較一般二極管高，電流為幾 幾十mA,光電二極管,發(fā)光二極管,1.5

3、雙極型晶體管,1.5.1 基本結構和電流放大作用,1.5.2 特性曲線和主要參數(shù),1.5.3 簡化的小信號模型,第1章,上頁,下頁,返回,1.5.1 基本結構和電流放大作用,NPN型,PNP型,C,P,N,N,N,P,P,E,E,B,B,發(fā)射區(qū),集電區(qū),基區(qū),基區(qū),基極,發(fā)射極,集電結,發(fā)射結,發(fā)射結,集電結,集電區(qū),發(fā)射區(qū),集電極,集電極,C,發(fā)射極,基極,第1章,上頁,下頁,翻頁,返回,晶體管的電流放大原理,IE,IB,RB,UBB,IC,UCC,輸入電路,輸出電路,公共端,晶體管具有電流放大作用的外 部條件：,發(fā)射結正向偏置,集電結反向偏置,NPN 管： UBE0 UBCVBVE,RC,

4、B,C,E,共發(fā)射極放大電路,第1章,上頁,下頁,翻頁,返回,三極管的電流控制原理,UBB,RB,IB,IC,UCC,RC,N,P,IE,N,發(fā)射區(qū)向基區(qū)擴散電子,電源負極向發(fā)射區(qū)補充電子形成發(fā)射極電流IE,電子在基區(qū)的擴散與復合,集電區(qū)收集電子,電子流向電源正極形成IC,EB正極拉走電子，補充被復合的空穴，形成IB,第1章,上頁,下頁,翻頁,返回,由上所述可知:,由于基區(qū)很薄且摻雜濃度小,電子在基區(qū)擴散的數(shù)量遠遠大于復合的數(shù)量。即：,ICIB 或 ICIB,第1章,上頁,下頁,翻頁,返回,當基極電路由于外加電壓或電阻改變而引起IB的微小變化時，必定使IC發(fā)生較大的變化。即三極管的基極電流對集

5、電極電流具有控制作用。,1.5.2 特性曲線和主要參數(shù),1.輸入特性曲線,IB = f (UBE ),UC E = 常數(shù),UCE1V,第1章,上頁,下頁,翻頁,返回,UBE,/V,IB/,A,O,O,2.晶體管輸出特性曲線,IC = f (UCE ) | IB = 常數(shù),IB 減小,IB增加,UCE,IC,IB = 20A,IB =60A,IB =40A,第1章,上頁,下頁,翻頁,返回,晶體管輸出特性曲線分三個工作區(qū),UCE /V,IC / mA,80,60,40,0,IB= 20 A,O,2,4,6,8,1,2,3,4,截止區(qū),飽和區(qū),放大區(qū),第1章,上頁,下頁,翻頁,返回,晶體管三個工作區(qū)

6、的特點:,放大區(qū):,截止區(qū):,飽和區(qū):,發(fā)射結正偏,集電結反偏,有電流放大作用, IC=IB,輸出曲線具有恒流特性,發(fā)射結、集電結處于反偏,失去電流放大作用, IC0,晶體管C、E之間相當于開路,發(fā)射結、集電結處于正偏,失去放大作用,晶體管C、E之間相當于短路,第1章,上頁,下頁,翻頁,返回,3.主要參數(shù),集電極基極間反向飽和電流 ICBO,集電極發(fā)射極間穿透電流 ICEO,ICEO=(1+)ICBO,交流電流放大系數(shù)=IC / IB,第1章,上頁,下頁,翻頁,返回,集電極最大允許電流 ICM,集-射反向擊穿電壓 U(BR)CEO,集電極最大允許耗散功率 PCM,過壓區(qū),過流區(qū),安全工作區(qū),過損區(qū),PCM=ICUCE,UCE/V,U(BR)CEO,IC/mA,ICM,O,使用時不允許超 過這些極限參數(shù).,第1章,上頁,下頁,翻頁,返回,溫度對晶體管特性的影響,對輸入特性的影響,上頁,下頁,翻頁,返回,對晶體管輸出特性