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文檔簡介

1、2.1 二極管的開關(guān)特性,獲得高、低電平的基本方法：利用半導(dǎo)體開關(guān)元件的 導(dǎo)通、截止（即開、關(guān)）兩種工作狀態(tài)。,邏輯0和1： 電子電路中用高、低電平來表示。,邏輯門電路：用以實(shí)現(xiàn)基本和常用邏輯運(yùn)算的 電子電路。簡稱門電路。,基本和常用門電路有與門、或門、非門（反相器）、 與非門、或非門、與或非門和異或門等。,二極管符號(hào)：,正極,負(fù)極,uD ,Ui0.5V時(shí)，二極管截止，iD=0。,Ui0.5V時(shí)，二極管導(dǎo)通。,ui0V時(shí)，二極管截止，如同開關(guān)斷開， uo0V。,ui5V時(shí)，二極管導(dǎo)通，如同0.7V的電壓源， uo4.3V。,二極管的反向恢復(fù)時(shí)間限制了二極管的開關(guān)速度。,1、二極管從正向?qū)ǖ浇?/p>

2、止有一個(gè)反向恢復(fù)過程,2、產(chǎn)生反向恢復(fù)過程的原因電荷存儲(chǔ)效應(yīng),當(dāng)外加正向電壓時(shí)，P區(qū) 空穴向N擴(kuò)散，N 區(qū)電子 向P區(qū)擴(kuò)散；勢壘區(qū)逐漸 變窄，P區(qū)存儲(chǔ)了電子， N區(qū)存儲(chǔ)了空穴，它們 都是非平衡少數(shù)載流子。 這一過程稱為電荷存儲(chǔ) 效應(yīng)。,當(dāng)輸入電壓突然反向時(shí)，存儲(chǔ) 電荷反向電場的作用下， P區(qū) 電子被拉回N區(qū)，N區(qū)空穴被 拉回P區(qū)，形成反向電流IR； 或與多數(shù)載流子復(fù)合。在此期 間IR基本上保持不變 （IR=VR/RC），經(jīng)過ts后，存 儲(chǔ)電荷顯著減少，勢壘區(qū)逐漸 變寬，經(jīng)過tt后，二極管截止。,2、產(chǎn)生反向恢復(fù)過程的原因電荷存儲(chǔ)效應(yīng),反向恢復(fù)時(shí)間即存儲(chǔ)電荷消失所需要的時(shí)間， 它遠(yuǎn)大于正向?qū)ㄋ枰臅r(shí)間。這就是說， 二極管的開通時(shí)間是很短的，它對(duì)開關(guān)速度 的影響很小，以致可以忽略不計(jì)。,因此，

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